具有用於氣體注入和排出的兩個相對袋的反應腔的製作方法
2023-04-23 00:36:16
專利名稱：具有用於氣體注入和排出的兩個相對袋的反應腔的製作方法
技術領域：
本發明的多個實施方式總體上涉及一種批處理腔。
背景技術：
通常由器件產量和擁有成本(COO)這兩個相關且重要的因素測量襯底製造工藝的效率。由於這兩個因素直接影響生產電子器件的成本，進而影響器件製造商在市場中的競爭力，因此這些因素是很重要的。雖然有許多因素影響COO，但是COO主要受每小時處理襯底的數量和處理材料的成本的影響。已引入批處理來減少COO，並且批處理非常有效。批處理腔通常很複雜，例如配備有加熱系統、輸氣系統、排氣系統和泵送系統。
圖1和圖2示出公知的批處理腔。參照圖1，其示出在處理條件下的批處理腔100。在這種條件下，可以在由頂部104、側壁105和底部106限定的工藝空間103中處理由襯底舟皿101支撐的一批襯底102。在底部106中形成的孔122提供用於將襯底舟皿插入工藝空間103或者從中除去的裝置。密封板107設置為在工藝期間封閉孔122。
在每個側壁105的外表面上安裝加熱構造110。每個加熱構造110包含多個滷素燈119，這些滷素燈119通過側壁105上安裝的石英窗109向批處理腔100的工藝空間103中的襯底102提供能量。在工藝空間103中增加安裝在側壁105的內表面上防熱板108，用以擴散從加熱構造110發射的能量，從而使待提供至襯底102的熱能均勻分布。包含滷素燈121陣列的多區加熱構造111安裝在頂部104上。滷素燈121通過石英窗113和防熱板112向襯底舟皿101中的襯底102輻射能量。
為了避免多餘沉積以及出於安全原因，通常由滾花通道116(圖2中示出)控制側壁105和頂部104的溫度。當石英窗109很熱並且工藝空間103在真空下時，如果石英窗109與受溫度控制的側壁105直接接觸，則過度的應力可導致內爆。因此，在石英窗109與側壁105之間設置由O環形墊片124(由諸如氟橡膠、矽橡膠或者cal-rez石墨纖維的合適材料製成)和合適的相同材料的條形墊片123以確保石英窗109與側壁105不直接接觸，從而防止內爆。通過絕緣片125和固定夾126將防熱板108安裝在側壁105上。防熱板108和絕緣片125由諸如石墨或者碳化矽的合適高溫材料製成。固定夾126由諸如鈦的合適高溫材料製成。
可以使用不斷流經滾花通道116的熱交換流體對側壁105中形成的滾花通道116進行溫度控制。熱交換流體可以是例如加熱到約30℃至約300℃的全氟聚醚(例如，Galden液體)。熱交換流體也可以是在約15℃至約95℃的期望溫度下輸送的冷卻水。熱交換流體還可以是諸如氬氣或者氮氣的溫度受控的氣體。
在1997年8月11日提交的發明名稱為「Mini-batch Process Chamber(迷你批處理腔)」的專利申請No.6,352,593和在2002年8月9日提交的發明名稱為「High Rate Deposition At Low Pressure In A Small Batch Reactor(在小批反應器中低壓下的高速沉積)」、且美國專利公開號為No.2003/0049372 A1的美國專利申請No.10/216,079中進一步描述了加熱構造110和多區加熱構造111的細節，在此引入其全部內容作為參考。
現在參照圖2，通過氣體注入組件114提供將要用於襯底102上的沉積層的處理氣體。注入組件114通過O環與側壁105真空密封。排出組件115設置在注入組件114的相對側。在這種結構中，不直接對注入組件和排出組件進行溫度控制，並且易於冷凝和分解，這將向批處理腔中引入顆粒汙染物。
公知的批處理腔的幾個方面有待改進。第一，由於襯底是圓形，所以未有效利用方盒形腔中的工藝空間。因此，浪費處理氣體，並且延長反應氣體的駐留時間(一個氣體分子從注入點到在腔的相對側排出的平均時間)。第二，由於不對注入組件和排出組件進行溫度控制，所以他們易於由於過高或者過低的溫度導致的冷凝和分解。第三，加熱系統很複雜，並且難於維修和清洗。第四，使用許多壓力絕緣密封件增加了系統的複雜性並且易於洩漏。因此，需要一種提供改進並且簡化的批處理腔的系統、方法和裝置。
發明內容
本發明通常提供一種批處理腔，其具有石英腔、至少一加熱塊、連接到石英腔一側的注入組件和連接到石英腔的相對側的排出組件。
本發明的一個實施方式提供一種批處理腔，其具有石英腔、至少一加熱塊、連接到石英腔一側的注入組件和連接到石英腔的相對側的排出組件。注入組件包含加熱器和冷卻通道，從而可控制該注入組件的溫度。
本發明的另一實施方式提供一種批處理腔，其具有石英腔、至少一加熱塊、連接到石英腔一側的注入組件、連接到石英腔的相對側的排出組件和圍繞石英腔和至少一加熱塊的外腔。
本發明的另一實施方式提供一種批處理腔，其具有石英腔、至少一加熱塊、連接到石英腔一側的注入組件、連接到石英腔的相對側的排出組件和設置在石英腔外面的至少一溫度傳感器。
為了詳細理解本發明的上述特徵，通過參照在附圖中示出的實施方式更詳細地說明上述簡要概括的本發明。但是，應注意附圖僅示出本發明的典型實施方式，因此並不視為限制其範圍，本發明可以允許其它等效的實施方式。
圖1(現有技術)示出公知批處理腔的側視截面圖；圖2(現有技術)示出圖1中所示的公知批處理腔的俯視截面圖；圖3示出本發明的示例性批處理腔的分解圖；圖4示出本發明的示例性批處理腔的側視截面圖；圖5示出圖4的批處理腔的俯視截面圖；圖6示出本發明的另一實施方式的截面圖；圖7示出本發明的示例性批處理腔的側視截面圖；圖8示出圖7的批處理腔的俯視截面圖；圖9示出本發明的示例性批處理腔的側視截面圖；圖10示出圖9的批處理腔的俯視截面圖；圖11示出本發明的示例性批處理腔的俯視截面圖；圖12A示出圖11的批處理腔的側視截面圖；圖12B示出本發明的另一實施方式的側視截面圖；
圖13A示出本發明的示例性批處理腔的俯視截面圖；圖13B示出圖13A的批處理腔的分解圖；圖14示出圖13A的批處理腔的側視截面圖；圖15示出在批處理腔中使用的清洗氣體提供組件的正視圖；圖16示出圖15的清洗氣體提供組件的側視圖；以及圖17示出本發明的批處理腔的注入組件的實施方式。
具體實施例方式
本發明一般地涉及一種用於批處理半導體襯底的裝置和方法。在本發明的一個方案中，提供一種具有石英腔的批處理腔，該石英腔設有注入袋和排出袋。下文參考加利福尼亞州聖克拉拉市的Applied Materials Inc.(應用材料公司)的FlexStarTM系統的修改示例性說明本發明。
圖3示出本發明的示例性批處理腔的分解圖。批處理室200通常包括用於容納襯底舟皿214的石英腔201。石英腔201通常包括穹形腔體202、形成在腔體202上注入袋204相對側的排出袋203以及鄰近於腔體202的開口218形成的凸緣217。襯底舟皿214用於支撐一批襯底221，並經由開口218傳送入/出石英腔201。凸緣217可以焊接在腔體202上以減少用於真空密封的O環。排出袋203和注入袋204可焊接而不是槽銑在腔體202上。在一個方案中，注入袋204和排出袋203是一端焊接在腔體202上而另一端開口的扁平石英管。注入袋204和排出袋203分別插接注入件205和排出件207。石英腔201通常由對於爐腔理想的(熔融)石英製成。一方面，石英是兼具高純度和高溫性質的經濟材料。另一方面，石英能夠耐寬溫度梯度和高加熱率。
通常由靠近開口218的支撐板210支撐石英腔201。O環密封件219用於在石英腔201與支撐板210之間真空密封。具有孔220的腔套支座209(chamberstack support)設置在支撐板210上。一個或者多個加熱器塊211通常設置在腔體202的周圍，並且用於通過腔體202向石英腔201內的襯底221提供熱能。在一個方案中，一個或者多個加熱器塊211可以具有多個垂直區。可在一個或者多個加熱器塊211的周圍設置多個石英襯212以防止熱能向外輻射。外腔213設置在石英腔201、一個或者多個加熱器塊211和石英襯212上方，並且放置在套支座209上，用於提供對加熱器塊211和石英襯212的真空密封。開口216可形成在外腔213的側邊上以用於穿過注入件205和排出件207。通常分別在注入袋204與外腔213之間以及排出袋203與外腔213之間分別設置熱絕緣體206和208。由於熱絕緣體206、208和石英襯212使外腔213與加熱器塊211和加熱後的石英腔201絕熱，所以外腔213可以在加熱工藝期間保持「冷」。在一個方案中，外腔213由諸如鋁或者不鏽鋼的金屬製成。
在一個方案中，可獨立於石英腔201對注入件205和/或207進行溫度控制。例如，如圖3中所示，加熱器槽222和冷卻通道223設置在注入件205中以分別用於加熱和冷卻注入件205。
圖4和圖5示出具有石英腔和溫度受控的注入件和排出件的批處理腔的一個實施方式。圖4是批處理腔300的側視截面圖，圖5是沿圖4中的方向5-5的批處理腔300的截面圖。批處理腔300通常包括石英腔301，該石英腔301限定用於容納在襯底舟皿中堆疊的一批襯底321的工藝空間337。通常在石英腔301的周圍設置用於加熱工藝空間337內的襯底321的一個或者多個加熱器塊311。通常在石英腔301和一個或者多個加熱器塊311上方設置外腔313。通常在外腔313與一個或者多個加熱器塊311之間設置用於使外腔313保持冷卻的一個或者多個熱絕緣體312。由石英支撐板310支撐石英腔301。外腔313與由石英支撐板310支撐的腔套支座309連接。
石英腔301通常包括在底部具有開口318的腔體302、在腔體302的一側上形成的注入袋304、在腔體上與注入袋304相對的另一側上形成的排出袋303以及鄰近於腔體302的開口318形成的凸緣317。與現有技術的方盒形處理腔相比，具有與襯底舟皿314相似的柱形的腔體302減小工藝空間337。由於減小工藝空間不僅能夠減少每批處理所需的處理氣體，而且縮短停留時間，所以期望在批處理期間減小工藝空間。排出袋303和注入袋304可焊接在而不是槽銑在腔體302上。在一個方案中，注入袋204和排出袋203是一端焊接在腔體202上而另一端開口的扁平石英管。注入袋304和排出袋303分別插接溫度受控的注入組件305和溫度受控的排出組件307。凸緣317可焊接在腔體302上。凸緣317通常位於石英支撐板310上，以使開口318與形成在石英支撐板310上的孔339成一直線。凸緣317通常與石英支撐板310緊密接觸。可以在凸緣317與石英支撐板310之間設置O環密封件319，以從由外腔313、腔套支座309、石英支撐板310和石英腔301限定的外部空間338密封工藝空間337。石英支撐板310還與裝載區340連接，在該裝載區可為襯底舟皿314進行加載或者卸載。襯底舟皿314可經由孔339和開口318在工藝空間337與裝載區340之間垂直移動。
在2005年8月31日提交的發明名稱為「Batch Deposition Tool andCompressed Boat(批沉積工具和壓縮舟皿)」、代理案號為APPM/009848/FEP/LPCVD/AG的美國專利申請No.11/216,969中進一步說明了在批處理中使用的襯底舟皿的實例，在此引入其全部內容作為參考。在2005年9月30日提交的發明名稱為「Batch Wafer Handing System(批晶片處理系統)」、代理案號為APPM/010010/FEP/LPCVD/AG的美國專利申請No.11/242,301中進一步說明了在批處理中使用的用於加載和卸載襯底舟皿的方法和裝置的實施例，在此引入其全部內容作為參考。
參照圖5，加熱器塊311通常包圍在除注入袋304和排出袋303之外的石英腔301的外圍。加熱器塊311通過石英腔301將襯底321加熱到適當溫度。為了在所有襯底321的整個區域上達到均勻和期望的工藝結果，所有襯底321上的每個點需要均勻受熱。一些工藝需要在一批中的所有襯底321上的每個點達到上下相差1攝氏度的相同設置點溫度。批處理腔300的結構提高批處理的溫度均勻性。一方面，由於襯底321和腔體302都是圓形，所以襯底321的邊緣與石英腔301的距離一致。另一方面，加熱器塊311具有多個可控區，從而可以調節各區之間的溫度變化。在一個實施方式中，加熱器塊311由排列在多個垂直區中的電阻加熱器構成。在一個方案中，加熱器塊311是陶瓷電阻加熱器。在一個實施方式中，經由形成在外腔313上的開口可拆卸加熱器塊311。在2005年9月9日提交的發明名稱為「Removable Heater(可拆卸加熱器)」、代理案號為APPM/009826/FEP/LPCVD/AG的美國專利申請No.11/233,826中進一步說明了在批處理中使用的可拆卸加熱器的實例，在此引入其全部內容作為參考。
參照圖4，注入袋304可焊接在腔體302的一側上以限定與工藝空間337連通的注入空間341。當襯底舟皿314處於工藝位置時，注入空間341通常覆蓋襯底舟皿314的整個高度，以使設置在注入袋304中的注入組件305可以向襯底舟皿314中的每個襯底321提供水平流動的處理氣體。在一個方案中，注入組件305具有用於安裝在注入空間341中的突出的中央部342。通常在中央部342的周圍形成用於容納注入袋304的壁的凹部343。注入袋304的壁通常被注入組件305包圍。熱絕緣體306通常設置在注入組件305與外腔313上形成的注入開口316之間。在一個方案中，包括外腔313的內側和石英腔301的外側的外部空間338保持真空狀態。由於在工藝期間工藝空間337和外部空間338通常保持真空狀態，所以將外部空間338保持真空能夠減小由石英腔301上的應力所產生的壓力。O環密封件331可設置在外腔313與熱絕緣體306之間以提供對外部空間338的真空密封。O環密封件330可設置在注入組件305與熱絕緣體306之間以提供對注入空間341的真空密封。在注入袋304的外部設置隔離密封件329以防止工藝空間337和注入空間341中的工藝化學物質洩漏至外部空間338。在另一方案中，外部空間338可處於常壓。
熱絕緣體306具有兩個用途。一方面，熱絕緣體306使石英腔301和注入組件305與外腔313絕熱，以避免由於加熱後的石英腔301和注入組件305與「冷」外腔313的直接接觸而由熱應力導致損壞。另一方面，熱絕緣體306使注入袋304和注入組件305與加熱器塊311絕熱，從而可獨立於石英腔301對注入組件305進行溫度控制。
參照圖5，水平銑出貫穿注入組件305的三個進氣道326。這三個進氣道326中的每個通道用於獨立地向工藝空間337提供處理氣體。每個進氣道326與中央部342的一端附近形成的垂直通道324連接。垂直通道324還與多個均勻分布的水平孔325連接，並且在注入組件305的中央部342上形成垂直噴頭(圖4中未示出)。在工藝期間，處理氣體首先從一個進氣道326流進相應的垂直通道324。然後，處理氣體通過多個水平孔325水平流進工藝空間337。一方面，進氣道326在相應的水平通道324的中點附近與該水平通道324連接，從而縮短處理氣體的流徑的平均長度。另一方面，由於水平孔325遠離進氣道326設置，所以可以增大水平孔325的尺寸，從而使所有水平孔325中的氣流接近相等。在一個實施方式中，可以根據批處理腔300中進行的工藝需要，在注入組件305中形成更多或者更少的進氣道326。在另一實施方式中，由於可以從外腔313的外側安裝或者除去注入組件305，因此更換注入組件305以滿足不同的需求。
尤其在批處理腔中進行沉積工藝時，控制批處理腔中的各種元件的溫度很重要。如果注入組件的溫度太低，則注入的氣體可以凝結並且保留在注入組件的表面上，這樣可產生顆粒並且影響腔工藝。如果注入組件的溫度太高，則引發氣相分解和/或表面分解，這可「阻塞」注入組件中的路徑。理想地，批處理腔的注入組件加熱至低於注入氣體的分解溫度並且高於氣體的凝結溫度的溫度。注入組件的理想溫度通常與工藝空間中的處理溫度不同。例如，在原子層沉積期間，將正處理的襯底加熱到600攝氏度，而注入組件的理想溫度為約80攝氏度。因此，必須獨立控制注入組件的溫度。
參照圖4，一個或者多個加熱器328設置在鄰近於進氣道326的注入組件305的內側。一個或者多個加熱器328用於將注入組件305加熱至設定溫度，並且可由電阻加熱器元件、熱交換器等構成。在注入組件305中，在一個或者多個加熱器328的外側形成冷卻通道327。一方面，冷卻通道327進一步控制注入組件305的溫度。另一方面，冷卻通道327使注入組件305的外表面保持冷。在一個實施方式中，冷卻通道327可以包括兩個以一定角度輕微鑽孔以在一端連通的兩垂直通道。水平入口/出口323與每個冷卻通道327連接，以使熱交換流體可通過冷卻通道327不斷流動。熱交換流體可以是例如加熱到約30℃至約300℃的全氟聚醚(例如，Galden液體)。熱交換流體也可以是在約15℃至約95℃的期望溫度下輸送的冷卻水。熱交換流體還可以是諸如氬氣或者氮氣的溫度受控的氣體。
參照圖4，排出袋303可以焊接在腔體302的注入袋304相對側上。排出袋303限定與工藝空間337連通的排出空間344。當襯底舟皿314處於工藝位置時，排出空間344通常覆蓋襯底舟皿314的高度，以使處理氣體可以通過設置在排出袋303中的排出組件307均勻排出工藝空間337。在一個方案中，排出組件307具有用於安裝在排出空間344中的突出的中央部348。在中央部348的周圍形成用於容納排出袋304的壁的凹部349。排出袋303的壁被排出組件307包圍。熱絕緣體308設置在排出組件307與外腔313上形成的排出開口350之間。O環密封件345設置在外腔313與熱絕緣體308之間以提供對外部空間338的真空密封。O環密封件346設置在排出組件307與熱絕緣體308之間以提供對排出空間344的真空密封。在排出袋303的外部設置隔離密封件347以防止工藝空間337和排出空間344中的處理化學物質洩漏至外部空間338。
熱絕緣體308具有兩個用途。一方面，熱絕緣體308使石英腔301和排出組件307與外腔313絕熱，以避免由於加熱後的石英腔301/排出組件307與451用於在工藝空間437和加熱器空間438之間提供真空密封。一方面，加熱器空間438可以保持在真空狀態並且該加熱器塊411為真空兼容的加熱器，諸如陶瓷電阻加熱器。另一方面，加熱器空間438可以保持在常壓下並且該加熱器塊411為普通電阻加熱器。在一實施方式中，加熱器塊411可以由幾個可控的區域構成從而可以分區調整加熱效果。在另一實施方式中，加熱器塊411可以從外腔413的側面和/或頂部去除。在2005年9月9日遞交的、美國專利申請號為11/233,826、代理案號為APPM/009826/FEP/LPCVD/AG、發明名稱為「Removable Heater(可去除式加熱器)」的美國專利申請中進一步描述了在批處理中使用的可去除式加熱器的實施例，在此引入其內容作為參考。
O-環密封件槽用於將注入組件405密封連接到外腔413上。注入組件405具有延伸入工藝空間437中的突出的中央部442。注入組件405具有在突出的中央部442內形成的一個或者多個垂直進氣管424。多個水平進氣孔425與構成垂直噴頭的垂直進氣管424連接，該噴頭用於向工藝空間437中提供一種或者多種處理氣體。一方面，可以獨立於工藝空間437對注入組件405進行溫度控制。在注入組件405內部形成用於在其中循環冷卻的熱交換流體的冷卻通道427。例如，該熱交換流體可以是溫度加熱到約30℃到約300℃的全氟聚醚(例如Galden流體)。該熱交換流體也可以是以介於約15℃到95℃之間所需溫度傳輸的冷卻水。該熱交換流體還可以是溫度受控的氣體，諸如氬氣和氮氣。
O-環446用於將排出組件407密封連接到外腔413上。排出組件407具有延伸入工藝空間437中的突出的中央部448。排出組件407具有在突出的中央部448內形成的一垂直隔間432。多個水平槽連接至垂直隔間432，以從該工藝空間437中抽吸處理氣體。一方面，可以獨立於工藝空間437對排出組件407進行溫度控制。在排出組件407內部形成用於在其中循環冷卻熱交換流體的冷卻通道434。例如，該熱交換流體可以是溫度加熱到約30℃到約300℃的全氟聚醚(例如Galden流體)。該熱交換流體也可以是以介於約15℃到95℃之間所需溫度傳輸的冷卻水。該熱交換流體還可以是溫度受控的氣體，諸如氬氣和氮氣。
圖7和8所示為具有帶有用於排氣和注入的相對的袋的石英腔的批處理腔的另一實施方式。在該實施方式中，該排出袋具有底部，該底部通過「冷」外腔313的直接接觸而由熱應力導致損壞。另一方面，熱絕緣體308使排出袋306和排出組件307與加熱器塊311絕熱，從而可獨立於石英腔301而控制排出組件307的溫度。
參照圖5，在中央部附近貫穿排出組件307水平形成排出口333。排出口333與在突出的中央部348中形成的垂直隔室332連通。垂直隔室332還與連通至工藝空間337的多個水平槽336連接。當抽吸工藝空間337時，處理氣體首先從工藝空間337通過多個水平槽336流進垂直隔室332。然後，處理氣體經由排出口333流進排出系統。在一個方案中，可以根據特定水平槽336與排出口333之間的距離改變水平槽336的尺寸，以在從上至下貫穿整個襯底舟皿314提供均勻的抽吸。
尤其在批處理腔中進行沉積工藝時，控制批處理腔中的各種元件的溫度很重要。一方面，需要保持排出組件的溫度低於處理腔的溫度，從而在排出組件中不發生沉積反應。另一方面，需要加熱排出組件以使通過排出組件的處理氣體不凝結並且不保留在表面上產生顆粒汙染物。因此，必須獨立於工藝空間加熱排出組件。
參照圖4，在排出組件307中形成用於控制排出組件307的溫度的冷卻通道334。水平入口/出口335與冷卻通道334連接，以使熱交換流體可通過冷卻通道334不斷流動。熱交換流體可以是例如加熱到約30℃至約300℃的全氟聚醚(例如，Galden液體)。熱交換流體也可以是在約15℃至約95℃的期望溫度下輸送的冷卻水。熱交換流體還可以是諸如氬氣或者氮氣的溫度受控的氣體。
圖6示出本發明的另一實施方式的俯視截面圖。批處理腔400通常包括外腔413，該外腔具有兩個彼此相對形成的開口416和450。開口416用於插接注入組件405，而開口450用於插接排出組件407。外腔限定用於處理其中的一批襯底421的工藝空間437。通常在外腔413中設置兩個石英容器401。每個石英容器401具有用於緊抱襯底421的一部分外圍的曲面402。在曲面402的相對側形成開口452，在開口452的周圍可形成凸緣403。石英容器401從開口452的內側與外腔413密封連接，以使得石英容器401從工藝空間437中分出加熱器空間438。在加熱器空間438的內部設置加熱器塊411使得襯底421可以通過石英容器401的曲面421由加熱器塊411進行加熱。O-環密封件消除所需的排出組件和多個O-環密封件降低了批處理腔的複雜性。圖7為批處理腔500的側視截面圖而圖8為沿圖7的8-8方向提取的批處理腔500的截面圖。該批處理腔500通常包括限定工藝空間537的石英腔501以容納層疊在襯底舟皿514中的一批襯底521。通常圍繞石英腔501設置一個或者多個加熱器塊511，用於加熱工藝空間537內的襯底521。在石英腔501以及一個或者多個加熱器塊511的上方設置外腔513。一個或者多個熱絕緣體512設置在外腔513和一個或者多個加熱器塊511之間並且保持外腔513處於冷卻狀態。通過石英支撐板510支撐石英腔501。外腔513與通過石英支撐板510支撐的腔套支架509連接。
石英腔501通常包括具有底部開口518的腔體502、形成在腔體502一側的注入袋504、形成在腔體502上位於注入袋504對面的排出袋503，以及與底部開口518相鄰形成的凸緣517。排出袋503和注入袋504焊接而不是槽銑在腔體502上。注入袋504具有一端焊接在腔體502上而另一端開口的扁平石英管形狀。排出袋503具一側焊接在腔體502上的部分管狀。排出袋503具有底部口551並在底部打開。在腔體502和排出袋503之間設置排氣擋板548，其用於限制在工藝空間537和排出袋503的排氣空間532之間的流體流通。圍繞底部開口518和底部口551焊接凸緣517，該凸緣設置為幫助對腔體502和排出袋503的真空密封。凸緣517通常與具有孔550和539的石英支撐板510緊密接觸。底部開口518對準孔539並且底部口551對準孔550。在凸緣517和石英支撐板510之間設置O-環密封件519從而從由外腔513、腔套支架509、石英支撐板510和石英腔501限定的外部空間538密封工藝空間537。圍繞底部口551設置O-環552從而密封排氣空間532和外部空間538。石英支撐板510還與裝載區540連接，在裝載區加載或者卸載襯底舟皿514。該襯底舟皿514在工藝空間537和裝載區540之間通過孔539和底部開口518垂直傳輸。
參照圖8，加熱器塊511包圍在石英腔501的外圍除排出袋503和注入袋504附近的區域之外的部分。通過通過石英腔501由加熱器塊511將襯底521加熱到適當溫度。一方面，由於襯底521和腔體502為圓形，因此襯底邊緣514和石英腔501之間具有均勻間距。另一方面，加熱器塊511可以具有多個可控的區域使得可以調整區域之間的溫度變化。在一實施方式中，加熱器塊511可以具有部分圍繞在石英腔501的曲面。
參照圖7，焊接在腔體502一側的注入袋504限定與工藝空間537連通的注入空間541。當襯底舟皿514位於工藝位置時，該注入空間541通常覆蓋該襯底舟皿514的整個高度，從而使得設置在注入袋504的注入組件505可以向位於襯底舟皿514中的每個襯底521提供水平工藝氣流。一方面，具有突出的中央部542的注入組件505安裝在注入空間541中。通常圍繞中央部542形成用於保持注入袋504的壁的凹部543。通常由注入組件505圍繞注入袋504的壁。在外腔513上形成注入開口516從而為注入組件505提供通路。圍繞注入開口516形成向裡延伸的邊緣506，其用於保護注入組件505不受到加熱器塊511加熱。一方面，通常包括外腔513內部和石英腔501外部的外部空間538保持在真空狀態。由於在工藝期間，工藝空間537和注入空間541通常保持在真空狀態，因此保持外部空間538真空狀態可以減少石英腔501上應力產生的壓力。在注入組件505和外腔513之間設置O-環密封件530從而提供對注入空間541的真空密封。通常在注入袋504的外部設置隔離密封件從而防止工藝空間537和注入空間541中的工藝化學物質洩漏到外部空間538中。另一方面，外部空間538可以保持在常壓下。
參照圖8，水平銑出貫穿注入組件505的三個進氣道526。這三個進氣道526中的每個通道用於獨立地向工藝空間537中提供處理氣體。每個進氣道526均與形成在中央部542的一端附近的垂直通道524連接。垂直通道524還與多個均勻分布的水平孔525連接，並且在注入組件505的中央部上形成垂直噴頭(如圖7所示)。在工藝期間，處理氣體首先從多個進氣道526中之一流入相應的垂直通道524。然後，處理氣體通過多個水平孔525水平流入工藝空間537。在一實施方式中，根據在批處理腔500中進行的工藝的需要，在注入組件505中形成更多或更少的進氣道526。在另一實施方式中，由於可以從外腔513的外側安裝或者去除注入組件505，因此更換注入組件505以滿足不同的需求。
參照圖7，一個或者多個加熱器528設置在鄰近進氣道526的注入組件505內側。一個或者多個加熱器528用於將注入組件505加熱到設定溫度並且可由電阻加熱器元件、熱交換器等構成。在注入組件505中，在一個或者多個加熱器528的外側形成冷卻通道527。一方面，該冷卻通道527進一步控制注入組件505的溫度。另一方面，冷卻通道527使注入組件505的外表面保持冷卻。在一個實施方式中，冷卻通道527可以包括兩個以一角度輕微鑽孔以在一端連通的兩垂直通道。水平入口/出口523與各冷卻通道527連接，以使熱交換流體可以連續流過冷卻通道527。例如，熱交換流體可以是溫度加熱到約30℃到約300℃的全氟聚醚(例如Galden流體)。該熱交換流體也可以是以在約15℃到95℃之間所需溫度傳輸的冷卻水。該熱交換流體還可以是溫度受控的氣體，諸如氬氣和氮氣。
排氣空間532通過排氣擋板548和工藝空間537流體連通。一方面，可以通過形成在排氣擋板548上的多個槽536使能該流體連通。該排氣空間532經過位於排出袋503底部的單一排氣端孔533與泵組件流體連通。因此在工藝空間537中的處理氣體經過多個槽536流入排氣空間532，然後向下進入排氣端孔533。位於排氣端孔533附近的槽536比遠離排氣端孔533的槽536具有更強的吸力。為了從頂到底產生均勻的吸力，可以變化多個槽536的尺寸，例如從底到頂逐漸增加槽536的尺寸。
圖9和10所示為本發明的另一實施方式，圖9為批處理腔600的側視截面圖。圖10為批處理腔600的俯視截面圖。參照圖10，該批處理腔600通常包括由加熱器611環繞的柱狀外腔613。在外腔613的內部設置具有排出袋603和注入袋604的石英腔601。該石英腔601限定在工藝期間用於容納一批襯底621的工藝空間637、排出袋603內部的排氣空間632和注入袋604內部的注入空間641。一方面，加熱器611可以環繞外腔613約280度，注入袋604附近的區域處於未環繞狀態。
外腔613可以由注入鋁、不鏽鋼、陶瓷、石英的耐高溫材料構成。石英腔601由石英構成。參照圖9，石英腔601和外腔613都在底部開口並且通過支撐板610支撐。所述加熱器611也由支撐板610支撐。在靠近底部的石英腔601上焊接凸緣617以便於在石英腔601和支撐板610之間實現真空密封。一方面，凸緣617可以是具有三個分別向排氣空間632、工藝空間637和注入空間641開放的孔651、618和660的板。開口650、639和616形成在支撐板610中並且分別與孔651、618和660對準。凸緣617與支撐板610緊密接觸。在凸緣617和支撐板610之間形成分別圍繞孔651、618和660的O-環652、619和656。該O-環652、619和656提供石英腔601中工藝空間637、排氣空間632和注入空間641與位於外腔613內部且石英腔601外部的外部空間638之間提供真空密封。一方面，外部空間638保持在真空狀態以在工藝期間降低施加在石英腔601上的應力。
在注入空間641中設置配置用於提供處理氣體的注入組件605。一方面，可以通過開口616和孔660插入以及去除注入組件605。可以在支撐板和注入組件605之間使用O-環657以密封開口616和孔660。在注入組件605的內部形成垂直通道624並且其用於從底部流入處理氣體。為了在工藝空間637中從上到下均勻分布氣體，在垂直通道624中鑽孔形成多個均勻分布構成垂直噴頭的水平孔625。一方面，在注入組件605中形成多個垂直通道以獨立提供處理氣體。參照圖10，由於加熱器611沒有直接環繞注入組件605，因此該注入組件605可以進行獨立溫度控制。一方面，可以在注入組件605中形成提供用於控制注入組件605溫度的垂直冷卻通道627。
參照圖9，排氣空間632通過設置在排氣空間632中的排氣擋板648與工藝空間637實現流體連通。一方面，可以通過形成在排氣擋板648上的多個槽636使能該流體連通。排氣空間632經過設置在排氣空間底部附近的開口650與泵組件流體連通。因此，工藝空間637中的處理氣體經過多個槽636流入排氣空間632，然後向下進入排氣口659。位於排氣口659附近的槽636比遠離排氣口659的槽636具有更強的吸力。為了從頂到底產生均勻的吸力，可以改變多個槽636的尺寸，例如從底到頂逐漸增加槽636的尺寸。
批處理腔600優點主要體現在以下幾個方面。柱形容器腔601和613是有效容積方式。加熱器611設置在腔601和613外部便於維護。注入組件605可以進行許多工藝都需要的獨立溫度控制。將排氣口659和注入組件605安裝在底部，從而減小了O-環密封件和維護的複雜性。
圖11和12A所示為本發明的另一實施方式。圖12A為批處理腔700的側視截面圖而圖11為沿圖12A的11-11方向提取的批處理腔600的俯視截面圖。參照圖11，批處理腔700包括由加熱器700圍繞的石英腔701。在石英腔701的內部設置內襯容器713。該內襯容器713設計為限定用於在工藝期間容納一批襯底721的工藝空間737。石英腔701和內襯容器713限定外部空間738。在外部空間738中設置排出組件707並同時在外部空間738中設置位於排出組件707對面的注入組件705。在內襯容器713上分別在排出組件707和注入組件705附近形成兩個窄開口750和716，所述兩個窄開口750和716便於排出組件707和注入組件705與工藝空間737流體連通。一方面，加熱器711可以環繞石英腔701約280度，注入組件705附近的區域處於未環繞狀態從而可以獨立控制注入袋705的溫度。
參照圖12A，石英腔701和內襯容器713均在底部開口並通過支撐板710支撐。一方面，加熱器711還通過支撐板710支撐。內襯容器713為柱形並用於容納襯底舟皿714。一方面，內襯容器713配置為將處理氣體限制在工藝空間737內以降低所需的處理氣體量並縮短氣體分子停留時間，即氣體分子從注入點到從腔中排出的平均時間。另一方面，內襯容器713可以用作擴散來自石英腔701中的熱能的散熱器，從而改善整個襯底721中熱分布的均勻性。此外，內襯容器713可以防止在工藝期間在石英腔701上產生薄膜沉積。內襯容器713由諸如鋁、不鏽鋼、陶瓷和石英的適用耐高溫材料構成。
石英腔701具有焊接在靠近底部位置的凸緣717。該凸緣717配置為與支撐板710緊密接觸。在凸緣717和支撐板710之間採用O-環密封以便於對石英腔701實現真空密封。
排出組件707具有頂端封閉並且在一側形成多個槽736的管形形狀。所述多個槽736與內襯容器713的開口750相對，從而使得工藝空間737與位於排出組件707內部的排氣空間732流體連通。可以從形成在支撐板710上排氣口759安裝排出組件707並且採用O-環758密封排氣口750。
注入組件705緊密安裝在石英腔701和內襯容器713之間。注入組件705具有三個向外延伸並且設置在形成於石英腔701一側的三個注入口704內的輸入擴展端722。可以採用O-環密封件730密封注入口704和輸入擴展端722之間的位置。一方面，通過將輸入擴展端722從石英腔701內部插入注入口704中安裝注入組件705。可以將注入口704焊接在石英腔701的側壁上。一方面，為了便於維護可以將輸入擴展端722設計的很短使得可以通過拆卸方式從腔室去除注入組件705。參照圖11，在注入組件705內部形成垂直通道724並且該垂直通道724配置為與在輸入擴展端722中間位置形成的水平通道726流體連通。在垂直通道724中鑽孔形成多個均勻分布的水平孔725構成垂直噴頭。該水平孔725朝向內襯容器713的開口716，從而可以在工藝空間737中從上到下均勻分布來自水平通道726的處理氣體。一方面，可以在注入組件705中形成多個垂直通道724以獨立供應多種處理氣體。在注入組件705內部形成垂直冷卻通道727，以提供控制注入組件705溫度的裝置。參照圖12A，冷卻通道727在頂部和底部與形成在輸入擴展端722中的輸入通道723連接。通過從位於中部的輸入擴展端722提供處理氣體，縮短了該處理氣體的平均路徑。
圖12B所示為在類似於批處理腔室700的批處理腔室700A中應用的注入組件705A的另一實施方式。注入組件705A緊密連接在石英腔701A和內襯容器713A之間。注入組件705A具有向外延伸並且設置在石英腔701A上形成的注入口704中的輸入擴展端722A。可以採用O-環密封件730A密封注入口704A和輸入擴展端722A之間的位置。在注入組件705A內部形成垂直通道724A並且該垂直通道724A配置為與在輸入擴展端722A中形成的水平通道726A流體連通。在垂直通道724A中鑽孔形成多個均勻分布的水平孔725A以構成垂直噴頭。水平孔725A設置為朝向內襯容器713的開口716A，從而可以在內襯容器713A中從上到下均勻分布來自水平通道726A的處理氣體。在注入組件705A內部形成垂直冷卻通道727A以提供控制注入組件705A溫度的裝置。冷卻通道727A在底部開口。可以從在支撐板710A上形成的注入口760A安裝注入組件705A並且可以採用O-環757A密封注入口760A。
圖14-16所示為批處理腔的另一實施方式，其中通過設置在腔外的傳感器監控該腔的溫度。圖14所示為批處理腔800的側視截面圖。圖13A為沿圖14的13A-13A方向提取的批處理腔800的俯視截面圖。圖13B為圖13A的分解圖。
參照圖13A，批處理腔800包括由加熱器811圍繞的石英腔801。該石英腔801包括柱狀腔體802，位於腔體802的一側的排出袋803，和與該排出袋803相對的注入袋804。該腔體802限定用於在工藝期間容納一批襯底821的工藝空間837。在腔體802和排出袋803之間設置排氣擋板848。通過排出袋803和排氣擋板848限定排氣空間832。在排氣空間832中設置與泵組件流體連通的排氣導管859。一方面，在注入袋804中設置兩個注入組件805。兩個注入組件805並排設置並在二者之間留有敞開通道867。一方面，每個注入組件805配置為使其向工藝空間837獨立提供處理氣體。注入袋804具有多個內置多個傳感器861的多個凹部863。傳感器861用來通過經由位於注入組件805之間的敞開通道867「觀察」透明石英腔801測量位於石英腔801內部的襯底821的溫度。一方面，傳感器861為通過分析由物體發出的輻射而不必任何物理接觸確定物體溫度的光學高溫計。傳感器861還與系統控制器870連接。一方面，該系統控制器870能夠監控並分析正在處理的襯底821的溫度。另一方面，該系統控制器870可以根據來自傳感器861的測量值向加熱器811發送控制信號。再一方面，該加熱器811可以包括多個可控的區域從而該系統控制器870能夠分區控制加熱器811並局部調整加熱特性。
參照圖14，石英腔801底部開口並且具有圍繞底部的凸緣817。凸緣817可以焊接在支撐板810上並配置為與支撐板810緊密接觸。在一實施方式中，排出袋803和注入袋804均在石英腔801的底部開口。一方面，凸緣817可以是具有排氣口851、中央開口818和兩個注入開口860的石英板。為要插入注入組件805的排氣導管859設置排氣開口851。為襯底舟皿814設置中央開口818從而使得襯底821傳輸自或至工藝空間837。為要插入注入袋804的注入組件805設置注入開口860。因此，支撐板810具有與排氣開口851、中央開口818和注入開口860分別對準的開口850、839和816。在支撐板810和凸緣817之間設置圍繞開口850、839和816的O-環密封件852、819和856。在裝配排氣導管859時，在支撐板810的底部圍繞開口850設置第二O-環858。該雙重O-環密封件結構使得拆卸和維護排氣導管859而同時不影響批處理腔800其它部分。可以圍繞注入組件805設置同樣的密封結構。為了對注入組件805進行真空密封，圍繞開口816設置O-環857。
排氣空間832通過在排氣空間832底部附近的單個排氣端孔833與泵組件流體連通。排氣空間832經由排氣擋板848與工藝空間837流體連通。為了在排氣空間832中從上到下產生均勻吸力，可以將排氣擋板848設置為從底到頂逐漸變窄的錐形阻板。
在注入組件805的內部形成垂直通道824並該通道824配置為與處理氣體源流體連通。在垂直通道824中鑽孔形成多個均勻分布的水平孔825，以構成垂直噴頭。水平孔825朝向工藝空間837，從而在工藝空間837中從上到下均勻分布來自垂直通道824的處理氣體。在注入組件805內部形成垂直冷卻通道827，以提供對注入組件805進行溫度控制的裝置。一方面，可以在注入組件805的底部以小角度鑽孔形成的兩個垂直通道827使得他們在頂端相遇。因此熱交換流體可以從其中之一冷卻通道827流入並從另一冷卻通道827流出。一方面，可以根據工藝需要，對兩個注入組件805彼此獨立地進行溫度控制。
在某些工藝期間，尤其是沉積工藝中，在該工藝中採用的化學氣體可能在石英腔801上沉積和/或凝結。在凹部863附件的沉積和凝結可能會模糊傳感器的「視力」並且降低傳感器861的準確性。參照圖13B，在注入袋804的內部設置清洗組件862。清洗組件862向凹部863的內表面吹入清洗氣體，使得靠近凹部863的區域不會暴露於在工藝中採用的化學氣體中。因此，可以防止發生不希望的沉積和凝結。圖15和16所示為清洗組件862的一個實施方式。圖15為清洗組件862的主視圖，圖16為側視圖。用於接收來自清洗氣源的清洗氣體的進氣管866與具有多個孔865的管叉864連接，其中所述多個孔865與圖13A、13B和14所示的凹部863相對應。多個杯狀物869附接在管叉864。在工藝期間，清洗氣體從進氣管866流入管叉864並經過多個孔865流出管叉864。參照圖13B，杯狀物869鬆散地覆蓋相應的凹部863並配置該杯狀物869朝向沿方向868流動的清洗氣體。
圖17所示為具有兩個注入組件805A和用於溫度傳感器861A的檢查窗863A的注入袋804A的另一實施方式。在注入袋804A的側壁上焊接石英管862A。通過位於石英管862A內部的區域限定檢查窗863A。每個石英管862A在靠近設置清洗氣體供應管的位置均具有槽870A。清洗氣體供應管864A具有朝向石英管862A的相應槽870A的多個孔865A。清洗氣體可以通過孔865A和槽870A從清洗氣體供應管864A流向檢查窗863A。該結構通過省略圖13B所示的凹部863簡化了注入袋804A。
儘管上述內容針對本發明的實施方式，但是在不脫離本發明的範圍以及通過如下權利要求所確定的範圍的情況下可以針對本發明設計其他以及另外的實施方式。
權利要求
1.一種批處理腔，包括石英腔，用於處理在其內的一批襯底；至少一加熱塊，設置在石英腔外側；注入組件，附接到石英腔；以及排氣組件，在注入組件相對側附接到石英容器。
2.根據權利要求1所述的批處理腔，其特徵在於，還包括外腔，用於圍繞所述石英腔和所述至少一加熱塊。
3.根據權利要求2所述的批處理腔，其特徵在於，還包括至少一熱絕緣體，設置在所述至少一加熱塊和所述外腔之間。
4.根據權利要求2所述的批處理腔，其特徵在於，還包括注入熱絕緣體，設置在所述注入組件和所述外腔之間。
5.根據權利要求2所述的批處理腔，其特徵在於，還包括排氣熱絕緣體，設置在所述排出組件和所述外腔之間。
6.根據權利要求1所述的批處理腔，其特徵在於，還包括內襯容器，設置在所述石英腔內，其中所述內襯容器用於容納所述的一批襯底，其中所述注入組件和所述排出組件設置在所述石英腔和所述內襯容器之間。
7.根據權利要求6所述的批處理腔，其特徵在於，所述石英腔包括注入口，用於向所述注入組件提供處理氣體。
8.根據權利要求6所述的批處理腔，其特徵在於，所述石英腔，包括注入口，用於向所述注入組件提供處理氣體；以及兩冷卻口，用於向所述注入組件提供熱交換流體；其中所述注入口位於靠近石英腔中部。
9.根據權利要求1所述的批處理腔，其特徵在於，還包括柱形容器，設置在所述至少一加熱塊和所述石英腔之間。
10.根據權利要求1所述的批處理腔，其特徵在於，所述石英腔包括連接到所述注入組件的注入袋和連接到所述排出組件的排出袋。
11.根據權利要求10所述的批處理腔，其特徵在於，所述注入袋在所述石英腔一側開口以及所述排出袋在所述石英腔的另一側開口。
12.根據權利要求10所述的批處理腔，其特徵在於，所述注入袋在所述石英腔一側開口和所述排出袋在石英腔的底部開口。
13.根據權利要求10所述的批處理腔，其特徵在於，所述排出袋在所述石英腔的底部開口並且在所述排出袋內設置有具有多個孔的排氣塊。
14.根據權利要求13所述的批處理腔，其特徵在於，錐形的擋板設置在所述排氣塊上。
15.根據權利要求10所述的批處理腔，其特徵在於，所述注入袋和所述排出袋都在所述石英腔的底部開口。
16.根據權利要求1所述的批處理腔，其特徵在於，所述注入組件包括垂直的噴頭，用於向所述石英腔分配至少一處理氣體。
17.根據權利要求1所述的批處理腔，其特徵在於，所述注入組件包括設置用於循環熱交換流體的冷卻通道。
18.根據權利要求17所述的批處理腔，其特徵在於，所述注入組件還包括加熱器。
19.根據權利要求17所述的批處理腔，其特徵在於，所述注入組件通過注入熱絕緣體與所述至少一加熱塊絕熱。
20.根據權利要求1所述的批處理腔，其特徵在於，所述排出組件包括用於循環熱交換流體的冷卻通道。
21.根據權利要求20所述的批處理腔，其特徵在於，所述排出組件通過排氣熱絕緣體與所述至少一加熱塊絕熱。
22.根據權利要求1所述的批處理腔，其特徵在於，所述至少一加熱塊具有多個可控的區域。
23.根據權利要求1所述的批處理腔，其特徵在於，所述至少一加熱塊具有每個可獨立控制的多個垂直區域。
24.根據權利要求1所述的批處理腔，其特徵在於，還包括與所述石英腔接觸的石英支撐板。
25.根據權利要求24所述的批處理腔，其特徵在於，所述石英腔包括與所述石英支撐板緊密接觸的凸緣。
26.根據權利要求1所述的批處理腔，其特徵在於，還包括至少一溫度傳感器，設置在所述石英腔外側。
27.根據權利要求26所述的批處理腔，其特徵在於，所述至少一溫度傳感器是光學高溫計。
28.根據權利要求26所述的批處理腔，其特徵在於，還包括設置在石英腔內側的清洗組件，其中所述的清洗組件用於向相應於至少一溫度傳感器的所述石英腔的內側表面吹清洗氣體。
29.一種用於批處理腔的石英容器，包括具有敞開的底部的柱形主體；在所述柱形主體的一側形成的注入袋；以及在與所述注入容器相對的另一側形成的排出袋。
30.根據權利要求29所述的石英容器，其特徵在於，所述注入袋焊接在一側並對該側敞開。
31.根據權利要求30所述的石英容器，其特徵在於，所述排出袋焊接在一側並對該側敞開。
32.根據權利要求29所述的石英容器，其特徵在於，所述注入袋和所述排出袋都對所述底部敞開。
33.根據權利要求32所述的石英容器，其特徵在於，所述注入袋包含多個凹部。
34.根據權利要求29所述的石英容器，其特徵在於，還包括排氣塊，設置在所述石英主體和所述排出袋之間。
35.根據權利要求29所述的石英容器，其特徵在於，還包括焊接在靠近所述敞開的底部上的凸緣。
36.一種處理一批襯底的方法，所述方法包括通過具有第一受控溫度的注入組件輸送處理氣體；以及向具有第二受控溫度的工藝空間裡注入所述處理氣體。
37.根據權利要求36所述的方法，其特徵在於，通過在所述注入組件裡形成的冷卻通道裡流動熱交換流體獲得所述第一受控溫度。
38.根據權利要求36所述的方法，其特徵在於，通過設置在所述工藝空間外側的至少一加熱塊獲得所述第二受控溫度。
39.根據權利要求36所述的方法，其特徵在於，還包括通過具有第三受控溫度的排出組件從所述工藝空間裡抽出所述處理氣體。
40.根據權利要求39所述的方法，其特徵在於，通過在所述排出組件裡形成的冷卻通道裡流動熱交換流體獲得所述的第二受控溫度。
41.一種監控通過石英腔限定的工藝空間內的溫度的方法，所述方法包括使用設置在石英腔外側的至少一加熱塊加熱所述工藝空間；以及使用設置在石英腔外側的至少一高溫計測量所述工藝空間內部的溫度。
42.根據權利要求41所述的方法，其特徵在於，還包括根據通過所述至少一高溫計測得的所述溫度調整所述至少一加熱塊。
43.根據權利要求41所述的方法，其特徵在於，還包括朝向接近所述至少一高溫計的所述石英腔的內側表面流動清洗氣體。
44.根據權利要求43所述的方法，其特徵在於，還包括使用焊接在所述石英腔的所述內側表面上的至少一石英杯狀物引導所述清洗氣體。
45.根據權利要求43所述的方法，其特徵在於，還包括使用焊接在所述石英腔的所述內側表面上的至少一個石英管引導所述清洗氣體。
46.根據權利要求41所述的方法，其特徵在於，還包括在靠近形成在所述石英腔的注入袋上的至少一凹部設置所述至少一高溫計。
全文摘要
本發明通常提供一種批處理腔，其具有石英腔、至少一加熱塊、連接到石英腔一側的注入組件和連接到石英腔的相對側的排出組件。在一個實施方式中，對注入組件進行獨立地溫度控制。在另一實施方式中，至少一溫度傳感器設置在石英腔的外側。
文檔編號H01L21/205GK1949458SQ20061014116
公開日2007年4月18日 申請日期2006年10月13日 優先權日2005年10月13日
發明者約瑟夫·尤多沃斯科, 羅伯特·C·庫克, 永·K·金, 亞歷山大·塔姆, 梅特伊·馬哈賈尼, 亞當·A·布雷洛夫, 史蒂夫·G·加內耶 申請人:應用材料股份有限公司