斜柵結構的平板顯示器及其製作工藝的製作方法
2023-05-24 19:05:36
專利名稱：斜柵結構的平板顯示器及其製作工藝的製作方法
技術領域：
本發明屬於平面顯示技術領域、微電子科學與技術領域、真空科學與技術領域以及納米科學技術領域的相互交叉領域，涉及到平板場致發射顯示器的器件製作，具體涉及到碳納米管陰極的平板場致發射顯示器的器件製作方面的內容，特別涉及到一種斜柵結構的、碳納米管陰極的場致發射平面顯示器件的製作工藝。
背景技術：
碳納米管具有小的尖端曲率半徑，高的縱橫比率以及極高的機械強度，已經引起了眾多研究者們的極大關注。而利用碳納米管作為陰極材料的平板顯示器卻是一種新興的場致發射類型顯示器件，具有高亮度、平面化以及高清晰度等優點，其應用越來越廣泛，未來具有相當大的發展空間。
在顯示器件當中，為了有效的降低總體器件成本，降低器件的工作電壓，以便於能夠和常規的集成驅動電路結合到一起，製作三極結構的場致發射顯示器件已經成為了一種必然的選擇。而在三極結構的碳納米管陰極場致發射平板顯示器件當中，控制柵極結構是比較關鍵的元件之一，它對碳納米管陰極的電子發射起著十分必要的控制作用。無論是製作控制柵極的材質，製作工藝，還是控制柵極的結構形式等，都是研究人員們值得重視的方面。目前，大多數平板顯示器中都選擇了控制柵極位於碳納米管陰極上方的結構形式，即高柵結構。這種柵極結構的強有力控制作用明顯，製作工藝比較簡單，但是所形成的柵極電流比較大，控制柵極電壓比較高，這是其不利之處。那麼，應該如何對這種結構進行改進，使之既能夠充分利用這種柵極結構的強有力控制作用，加大對碳納米管陰極電子發射的管制，同時還要有效的減小柵極電流，降低柵極工作電壓，這是需要值得思考和研究的現實問題。
此外，在確保柵極結構對碳納米管陰極具有良好控制作用的前提下，還需要儘可能的降低總體器件成本，進行穩定可靠、成本低廉、性能優良、高質量的器件製作。
發明內容
本發明的目的在於克服上述平板顯示器件中存在的缺點而提供一種成本低廉、製作過程穩定可靠、製作成功率高、結構簡單的帶有斜柵結構的平板顯示器件及其製作工藝。
本發明的目的是這樣實現的一種帶有斜柵結構的平板顯示器，包括由襯底材料玻璃、陽極面板和四周玻璃圍框構成的密封真空腔；在陽極面板上有光刻出的一層陽極導電條以及製備在陽極導電條上面的螢光粉層；安裝在襯底材料玻璃和陽極面板之間的支撐墒結構以及消氣劑附屬元件，在襯底材料玻璃上設置有用於控制碳納米管陰極電子發射的斜柵結構。
所述的斜柵結構包括陰極面板、在襯底材料玻璃上光刻出的陰極導電層、設置在陰極導電層上的催化劑金屬層、製備在襯底材料玻璃上的二氧化矽隔離層、在二氧化矽隔離層的上面光刻出的柵極金屬層，二氧化矽隔離層為柵極金屬層和襯底材料玻璃之間的絕緣隔離層；此二氧化矽隔離層覆蓋住襯底玻璃、陰極導電層以及催化劑金屬層，在二氧化矽隔離層上刻蝕有電子孔，電子孔的形狀為從縱向角度來看，即垂直於襯底材料玻璃，面向襯底材料玻璃的角度來看，電子孔的頂部為圓形，從橫向角度來看，電子孔的一面側壁是垂直的，而相對的另一側壁形成具有一定角度的斜坡，其角度為45度至75度的範圍，電子孔中是中空的，並暴露出陰極導電層和催化劑金屬層，在柵極金屬層的上面製作有二氧化矽覆蓋層。
所述的斜柵結構的陰極導電層為錫銦氧化物膜層或為金、銀、錫、鉬、鎢金屬層之一，陰極導電層上面的催化劑金屬層為金屬鈷、鎳、鐵、鉬之一，催化劑金屬層的圖案與陰極導電層的圖案完全相同。
所述的二氧化矽隔離層上面存在的柵極金屬層為金屬金、銀、鋁、錫、銦之一，柵極金屬層上面的二氧化矽覆蓋層覆蓋住全部的柵極金屬層。
一種帶有斜柵結構的平板顯示器的製作工藝，製作工藝如下A、碳納米管陰極的生長利用催化劑金屬層作為生長碳納米管用的催化劑，結合低溫化學氣相澱積直接生長法，在陰極導電條的上面製備出碳納米管陰極；B、陽極面板的製作1).清潔平板玻璃，除掉表面雜質，形成陽極面板；2).在陽極面板上蒸鍍一層錫銦氧化物薄膜；3).對錫銦氧化物薄膜進行光刻，形成陽極導電條；4).結合絲網印刷工藝，在陽極導電條的非顯示區域印刷絕緣漿料層，用於防止寄生電子發射，在150℃±10℃的溫度條件下烘烤5～15分鐘之後，放置在燒結爐中進行580℃±10℃的高溫燒結，保持時間為5～15分鐘；5).結合絲網印刷工藝，在陽極導電條上面的顯示區域印刷螢光粉層，放置在烘箱中，在120℃±10℃的溫度條件下烘烤5～15分鐘；C、器件裝配將襯底材料玻璃、陽極面板、斜柵結構以及玻璃圍框、支撐牆結構裝配到一起，並將消氣劑放入到空腔當中，用低熔點玻璃粉固定，在玻璃面板的四周塗抹好低熔點玻璃粉，用夾子固定；
D、成品製作對已經裝配好的器件進行如下的封裝工藝1).將樣品器件放入烘箱當中進行烘烤；2).放入燒結爐當中進行高溫燒結；3).在排氣臺上進行器件排氣、封離，在烤消機上對器件內部的消氣劑進行烤消，最後加裝管腳形成所需要的平板顯示器。
本發明中的斜柵結構包括襯底材料玻璃、陰極導電層、催化劑金屬層、二氧化矽隔離層、電子孔、柵極金屬層、二氧化矽覆蓋層，並採用如下的工藝進行製作1)、襯底材料玻璃的製作對整體玻璃進行劃片，形成襯底材料玻璃；此襯底材料玻璃也就是陰極面板；2)、陰極導電層的製作在襯底材料玻璃上蒸鍍上一層金屬銀，然後結合常規的光刻工藝，對金屬銀層進行刻蝕，形成陰極導電層；3)、催化劑金屬層的製作在襯底材料玻璃上蒸鍍上一層金屬鎳，然後結合常規的光刻工藝，對金屬鎳層進行刻蝕，形成催化劑金屬層；催化劑金屬層的圖案和陰極導電層的圖案完全相同；4)、二氧化矽隔離層的製作在襯底材料玻璃上製備出二氧化矽層，此二氧化矽隔離層充當柵極和陰極之間的絕緣隔離層；此二氧化矽隔離層要覆蓋住襯底玻璃、陰極導電層以及催化劑金屬層；5)、電子孔的製作結合常規的光刻工藝，對二氧化矽隔離層進行刻蝕，形成電子孔；電子孔應當具有如下的形狀從縱向角度來看，即垂直於襯底玻璃並面向襯底玻璃的角度來看，電子孔的頂部應當為圓形，從橫向角度來看，即平行於襯底玻璃的角度來看，電子孔的一面側壁應當是垂直的，而相對的另一側壁形成具有一定角度的斜坡，其角度為45度至75度的範圍；電子孔中應當是中空的，並暴露出陰極導電層和催化劑金屬層；6)、柵極金屬層的製作在二氧化矽隔離層的上面蒸鍍一層金屬鎳；結合常規的光刻工藝，對金屬鎳層進行刻蝕，形成柵極金屬層；7)、二氧化矽覆蓋層的製作在柵極金屬層的上面再次製作出二氧化矽層，形成二氧化矽覆蓋層。
8)、玻璃表面的清潔處理對整體襯底材料玻璃表面進行清潔處理，除掉雜質和灰塵。
本發明具有如下的積極效果本發明中的最主要特點在於製作了斜柵結構，並製作了帶有斜柵結構的、碳納米管陰極的場致發射平板發光顯示器件。
採用本發明中的斜柵結構，能夠有效地降低控制柵極的工作電壓。眾所周知，二次發射的電子的能量要比初級電子的能量小許多，那麼僅僅需要很小的電壓(或電場強度)就能夠控制二次電子的運動。在常規的高柵結構中，柵極位於碳納米管陰極的正上方，從碳納米管陰極發射的電子直接穿過柵極電子通道孔，以更高的速度向陽極運動。由於穿過電子通道孔的電子，也就是從碳納米管發射的初級電子，其能量很高，那麼需要更多的電壓來控制電子的運動，從而也使造成柵極電壓過高的原因之一。在本發明的斜柵結構中，當施加了適當的柵極電壓以後，在碳納米管的頂端就會形成一定的電場強度，迫使碳納米管陰極發射大量的電子；當電子從碳納米管頂端發射出來以後，會高速向陽極方向運動；由於碳納米管陰極位於電子孔中側壁的下方，而不是正對於電子孔的圓形頂端開口，這樣發射的大量電子就要先對碳納米管正上方的側壁進行轟擊，從而轟擊出大量的二次電子；二次電子在柵極電壓的作用下，會順利的通過柵極的電子通道孔，向陽極高速運動，轟擊陽極的螢光粉層而發出可見光。由於在斜柵結構中，用柵極上的電壓來控制二次電子的運動，因此柵極電壓會降低很多，這和有效降低平板器件的工作電壓，以便於能夠和常規的集成電路相聯繫起來的初衷是完全符合的。
在本發明中的斜柵結構中，由於在襯底材料玻璃上預先已經製作了催化劑金屬層，並且完全位於電子孔當中，這樣就為低溫直接生長碳納米管陰極作了準備。利用該催化劑金屬層作為催化劑，並且利用催化劑金屬層下方的陰極導電層作為陰極電極，就能夠直接生長碳納米管陰極，並連接到器件外部。這樣，也就是說，將柵極結構和碳納米管陰極結構有機的集成到了一起，這有利於進一步提高整體器件的集成度，降低器件的製作成本。
在本發明中的斜柵結構中，由於在電子孔的刻蝕過程中，就已經確保位於陰極導電層上方的催化劑金屬層位於電子孔當中，從而確保生長的碳納米管陰極能夠完全位於電子孔當中。另外，由於還確保陰極導電層上方的催化劑金屬層正好位於電子孔的側壁下方，而不是正對於電子孔的圓形頂端開口，這樣也就同時確保了生長的碳納米管位於電子孔中側壁的正下方，能夠令從碳納米管陰極發射的大量電子直接轟擊電子孔的側壁，所轟擊出來的二次電子才在柵極電壓的作用下通過電子孔頂端開口，高速向陽極運動，這樣也就確保了能夠有效地降低整體器件的工作電壓。
此外，在本發明中的斜柵結構中，並沒有採用特殊的結構製作材料，也沒有採用特殊的器件製作工藝，這在很大程度上就進一步降低了整體平板顯示器件的製作成本，簡化了器件的製作過程，能夠進行大面積的器件製作，有利於進行商業化的大規模生產。
圖1給出了斜柵結構的縱向結構示意圖；
圖2給出了斜柵結構的橫向結構示意圖；圖3給出了帶有斜柵結構的、碳納米管場致發射平面顯示器的結構示意圖。
具體實施例方式
下面結合附圖和實施例對本發明進行進一步說明，但本發明並不局限於這些實施例。
如圖3所示，一種帶有斜柵結構的平板顯示器，包括由陰極面板1(即襯底材料玻璃1)、陽極面板9和四周玻璃圍框8構成的密封真空腔；在陽極面板9上有光刻出的一層具有一定圖案的陽極導電條10以及製備在陽極導電條10上面的螢光粉層11；在陽極導電條10的非顯示區域印刷的絕緣漿料層12；安裝在陰極面板1和陽極面板9之間的支撐牆結構13以及消氣劑附屬元件14，在陰極而板1上設置有用於控制碳納米管陰極電子發射的斜柵結構。陽極導電條10即為在陽極面板9上光刻出的錫銦氧化物膜層。本發明的斜柵結構，用於控制碳納米管陰極的電子發射，能夠有效地降低控制柵極的電壓，減小控制柵極的電流，有利於進一步提高平板顯示器件的顯示解析度，簡化器件的製作工藝，降低器件的製作成本。
如圖1、2所示，所述的斜柵結構包括陰極面板1、在陰極面板1上光刻出的陰極導電層2、設置在陰極導電層2上的催化劑金屬層3、製備在陰極面板1上的二氧化矽隔離層4、在二氧化矽隔離層的上面光刻出的柵極金屬層6，二氧化矽隔離層4為柵極金屬層6和陰極面板1之間的絕緣隔離層；此二氧化矽隔離層覆蓋住襯底玻璃、陰極導電層2以及催化劑金屬層3，在二氧化矽隔離層上刻蝕有電子孔5，電子孔的形狀為從縱向角度來看，即垂直於陰極面板1，面向陰極面板1的角度來看，電子孔的頂部為圓形，從橫向角度來看，電子孔的一面側壁是垂直的，而相對的另一側壁形成具有一定角度的斜坡，其角度為45度至75度的範圍，電子孔中是中空的，並暴露出陰極導電層2和催化劑金屬層3，在柵極金屬層6的上面製作有二氧化矽覆蓋層7。
所述的斜柵結構的陰極導電層為錫銦氧化物膜層或為金、銀、錫、鉬、鎢金屬層之一，陰極導電層上面的催化劑金屬層為金屬鈷、鎳、鐵、鉬之一，催化劑金屬層的圖案與陰極導電層的圖案完全相同。
所述的二氧化矽隔離層上面存在的柵極金屬層為金屬金、銀、鋁、錫、銦之一，柵極金屬層上面的二氧化矽覆蓋層覆蓋住全部的柵極金屬層。
本發明中的斜柵結構的固定位置為安裝固定在陰極面板上；本發明中的斜柵結構位於碳納米管陰極的上方，用於控制碳納米管陰極的電子發射；本發明中的斜柵結構中的襯底材料為大型、具有相當良好的耐熱性和可操作性、成本低廉的高性能絕緣材料；本發明中的斜柵結構中的襯底材料為玻璃，如鈉鈣玻璃，硼矽玻璃；本發明中的斜柵結構中的襯底玻璃上存在著陰極導電層，陰極導電層可以為錫銦氧化物膜層，也可以為金屬層，如金、銀、錫、鉬、鎢；本發明中的斜柵結構中的陰極導電層可以結合常規的光刻工藝來形成圖案；本發明中的斜柵結構中的陰極導電層的上面存在一個催化劑金屬層，催化劑金屬層可以為金屬鑽、鎳、鐵、鉬；本發明中的斜柵結構中的催化劑金屬層的圖案與陰極導電層的圖案完全相同；本發明中的斜柵結構中的襯底玻璃上存在一個二氧化矽隔離層，此二氧化矽隔離層完全覆蓋住襯底玻璃，陰極導電層以及催化劑金屬層；此二氧化矽隔離層充當柵極和陰極之間的絕緣層；本發明中的斜柵結構中的二氧化矽隔離層需要進行刻蝕，形成電子孔；本發明中的斜柵結構中的電子孔應當具有如下的形狀從縱向角度來看，即垂直於襯底玻璃並面向襯底玻璃的角度來看，電子孔的頂部應當為圓形，從橫向角度來看，即平行於襯底玻璃的角度來看，電子孔的一面側壁應當是垂直的，而相對的另一側壁形成具有一定角度的斜坡，其角度為45度至75度的範圍；本發明中的斜柵結構中的電子孔中應當是中空的，並暴露出陰極導電層和催化劑金屬層；本發明中的斜柵結構中的催化劑金屬層應該位於電子孔中側壁的下方，而不是正對於電子孔的圓形開口；本發明中的斜柵結構中的二氧化矽層的上面存在柵極金屬層，可以為金屬金、銀、鋁、錫、銦；本發明中的斜柵結構中的柵極金屬層的上面存在一個二氧化矽覆蓋層，要覆蓋住全部的柵極金屬層。
如圖1、2、3所示，本發明中帶有斜柵結構的碳納米管場致發射平板顯示器的製作工藝如下A、碳納米管陰極15的生長利用催化劑金屬層作為生長碳納米管用的催化劑，結合低溫化學氣相澱積直接生長法，在陰極導電條的上面製備出碳納米管陰極7；B、碳納米管陰極15的後處理採用常規的處理工藝(如酸洗)對碳納米管陰極進行後處理，以進一步改善碳納米管陰極的場致發射特性。
C、陽極面板的製作1).清潔平板玻璃，除掉表面雜質，形成陽極面板9；2).在陽極面板9上蒸鍍一層錫銦氧化物薄膜；3).對錫銦氧化物薄膜進行光刻，形成陽極導電條10；4).結合絲網印刷工藝，在陽極導電條10的非顯示區域印刷絕緣漿料層12，用於防止寄生電子發射，在150℃±10℃的溫度條件下烘烤5～15分鐘之後，放置在燒結爐中進行580℃±10℃的高溫燒結，保持時間為5～15分鐘；5).結合絲網印刷工藝，在陽極導電條10上面的顯示區域印刷螢光粉層11，放置在烘箱中，在120℃±10℃的溫度條件下烘烤5～15分鐘；D、器件裝配將襯底材料玻璃1、陽極面板9、斜柵結構以及玻璃圍框8、支撐牆13結構裝配到一起，並將消氣劑14放入到空腔當中，用低熔點玻璃粉固定，在玻璃面板的四周塗抹好低熔點玻璃粉，用夾子固定；E、成品製作對已經裝配好的器件進行如下的封裝工藝1).將樣品器件放入烘箱當中進行烘烤；2).放入燒結爐當中進行高溫燒結；3).在排氣臺上進行器件排氣、封離，在烤消機上對器件內部的消氣劑進行烤消，最後加裝管腳形成所需要的平板顯示器。
本發明中的斜柵結構包括襯底材料玻璃1(陰極面板1)、陰極導電層2、催化劑金屬層3、二氧化矽隔離層4、電子孔5、柵極金屬層6、二氧化矽覆蓋層7部分，並採用如下的工藝進行製作1、利底材料玻璃的製作對整體玻璃進行劃片，形成襯底材料玻璃；此襯底材料玻璃也就是陰極面板；2、陰極導電層的製作在襯底材料玻璃上蒸鍍上一層金屬銀，然後結合常規的光刻工藝，對金屬銀層進行刻蝕，形成陰極導電層；3、催化劑金屬層的製作在襯底材料玻璃上蒸鍍上一層金屬鎳，然後結合常規的光刻工藝，對金屬鎳層進行刻蝕，形成催化劑金屬層；催化劑金屬層的圖案和陰極導電層的圖案完全相同；4、二氧化矽隔離層的製作在襯底材料玻璃上製備出二氧化矽層，此二氧化矽隔離層充當柵極和陰極之間的絕緣隔離層；此二氧化矽隔離層要覆蓋住襯底玻璃、陰極導電層以及催化劑金屬層；5、電子孔的製作結合常規的光刻工藝，對二氧化矽隔離層進行刻蝕，形成電子孔；電子孔應當具有如下的形狀從縱向角度來看，即垂直於襯底玻璃並面向襯底玻璃的角度來看，電子孔的頂部應當為圓形，從橫向角度來看，即平行於襯底玻璃的角度來看，電子孔的一面側壁應當是垂直的，而相對的另一側壁形成具有一定角度的斜坡，其角度為45度至75度的範圍；電子孔中應當是中空的，並暴露出陰極導電層和催化劑金屬層；6、柵極金屬層的製作在二氧化矽隔離層的上面蒸鍍一層金屬鎳；結合常規的光刻工藝，對金屬鎳層進行刻蝕，形成柵極金屬層；7、二氧化矽覆蓋層的製作在柵極金屬層的上面再次製作出二氧化矽層，形成二氧化矽覆蓋層。
8、玻璃表面的清潔處理對整體襯底材料玻璃表面進行清潔處理，除掉雜質和灰塵。
權利要求
1.一種斜柵結構的平板顯示器，包括由襯底材料玻璃[1]、陽極面板[9]和四周玻璃圍框[8]構成的密封真空腔；在陽極面板[9]上有光刻出的陽極導電條[10]以及製備在陽極導電條[10]上面的螢光粉層[11]；在陽極導電條[10]的非顯示區域印刷的絕緣漿料層[12]；安裝在襯底材料玻璃[1]和陽極面板[9]之間的支撐牆結構[13]以及消氣劑附屬元件[14]，其特徵在於在襯底材料玻璃[1]上設置有用於控制碳納米管陰極電子發射的斜柵結構。
2.根據權利要求1所述的一種帶有斜柵結構的平板顯示器，其特徵在於所述的斜柵結構包括襯底材料玻璃[1]、在襯底材料玻璃[1]上光刻出的陰極導電層[2]、設置在陰極導電層[2]上的催化劑金屬層[3]、製備在襯底材料玻璃[1]上的二氧化矽隔離層[4]、在二氧化矽隔離層的上面光刻出的柵極金屬層[6]，二氧化矽隔離層[4]為柵極金屬層[6]和襯底材料玻璃[1]之間的絕緣隔離層，此二氧化矽隔離層覆蓋住底材料玻璃[1]、陰極導電層[2]以及催化劑金屬層[3]，在二氧化矽隔離層[4]上刻蝕有電子孔[5]，電子孔的形狀為從縱向角度來看，垂直於襯底材料玻璃[1]，面向襯底材料玻璃[1]的角度來看，電子孔的頂部為圓形，從橫向角度來看，電子孔的一面側壁是垂直的，而相對的另一側壁形成具有一定角度的斜坡，其角度為45度至75度的範圍，電子孔中是中空的，並暴露出陰極導電層[2]和催化劑金屬層[3]，在柵極金屬層[6]的上面製作有二氧化矽覆蓋層[7]。
3.根據權利要求2所述的一種帶有斜柵結構的平板顯示器，其特徵在於所述的斜柵結構的陰極導電層[2]為錫銦氧化物膜層或為金、銀、錫、鉬、鎢金屬層之一，陰極導電層上面的催化劑金屬層[3]為金屬鈷、鎳、鐵、鉬之一，催化劑金屬層的圖案與陰極導電層的圖案完全相同。
4.根據權利要求2所述的一種帶有斜柵結構的平板顯示器，其特徵在於所述的二氧化矽隔離層[4]上面存在的柵極金屬層[6]為金屬金、銀、鋁、錫、銦之一，柵極金屬層上面的二氧化矽覆蓋層覆蓋住全部的柵極金屬層。
5.一種帶有斜柵結構的平板顯示器的製作工藝，其特徵在於製作工藝如下A、碳納米管陰極[15]的生長利用催化劑金屬層作為生長碳納米管用的催化劑，結合低溫化學氣相澱積直接生長法，在陰極導電條的上面製備出碳納米管陰極；B、陽極面板的製作1).清潔平板玻璃，除掉表面雜質，形成陽極面板[9]；2).在陽極面板[9]上蒸鍍一層錫銦氧化物薄膜；3).對錫銦氧化物薄膜進行光刻，形成陽極導電條[10]；4).結合絲網印刷工藝，在陽極導電條[10]的非顯示區域印刷絕緣漿料層[12]，用於防止寄生電子發射，在150℃±10℃的溫度條件下烘烤5～15分鐘之後，放置在燒結爐中進行580℃±10℃的高溫燒結，保持時間為5～15分鐘；5).結合絲網印刷工藝，在陽極導電條[10]上面的顯示區域印刷螢光粉層[11]，放置在烘箱中，在120℃±10℃的溫度條件下烘烤5～15分鐘；C、器件裝配將襯底材料玻璃[1]、陽極面板[9]、斜柵結構以及玻璃圍框[8]、支撐牆[13]結構裝配到一起，並將消氣劑[14]放入到空腔當中，用低熔點玻璃粉固定，在玻璃面板的四周塗抹好低熔點玻璃粉，用夾子固定；D、成品製作對已經裝配好的器件進行如下的封裝工藝1).將樣品器件放入烘箱當中進行烘烤；2).放入燒結爐當中進行高溫燒結；3).在排氣臺上進行器件排氣、封離，在烤消機上對器件內部的消氣劑進行烤消，最後加裝管腳形成所需要的平板顯示器。
6.根據權利要求5所述的一種帶有斜柵結構的平板顯示器的製作工藝，其特徵在於本發明中的斜柵結構包括襯底材料玻璃[1]、陰極導電層[2]、催化劑金屬層[3]、二氧化矽隔離層[4]、電子孔[5]、柵極金屬層[6]、二氧化矽覆蓋層[7]部分，並採用如下的工藝進行製作1)、襯底材料玻璃的製作對整體玻璃進行劃片，形成襯底材料玻璃；此襯底材料玻璃也就是陰極面板；2)、陰極導電層的製作在襯底材料玻璃上蒸鍍上一層金屬，然後結合常規的光刻工藝，對金屬層進行刻蝕，形成陰極導電層；3)、催化劑金屬層的製作在襯底材料玻璃上蒸鍍上一層金屬，然後結合常規的光刻工藝，對金屬鎳層進行刻蝕，形成催化劑金屬層；催化劑金屬層的圖案和陰極導電層的圖案完全相同；4)、二氧化矽隔離層的製作在襯底材料玻璃上製備出二氧化矽層，此二氧化矽隔離層充當柵極和陰極之間的絕緣隔離層；此二氧化矽隔離層要覆蓋住襯底玻璃、陰極導電層以及催化劑金屬層；5)、電子孔的製作結合常規的光刻工藝，對二氧化矽隔離層進行刻蝕，形成電子孔；電子孔應當具有如下的形狀從縱向角度來看，電子孔的頂部應當為圓形，從橫向角度來看，電子孔的一面側壁應當是垂直的，而相對的另一側壁形成具有一定角度的斜坡，其角度為45度至75度的範圍；電子孔中應當是中空的，並暴露出陰極導電層和催化劑金屬層；6)、柵極金屬層的製作在二氧化矽隔離層的上面蒸鍍一層金屬；結合常規的光刻工藝，對金屬層進行刻蝕，形成柵極金屬層；7)、二氧化矽覆蓋層的製作在柵極金屬層的上面再次製作出二氧化矽層，形成二氧化矽覆蓋層。8)、玻璃表面的清潔處理對整體襯底材料玻璃表面進行清潔處理，除掉雜質和灰塵。
全文摘要
本發明涉及到帶有斜柵結構的平板顯示器及其製作工藝，該帶有斜柵結構的平板顯示器包括由襯底材料玻璃、陽極面板和四周玻璃圍框構成的密封真空腔；在陽極面板上有光刻出的一層陽極導電條以及製備在陽極導電條上面的螢光粉層；安裝在襯底材料玻璃和陽極面板之間的支撐牆結構以及消氣劑附屬元件，在襯底材料玻璃上設置有用於控制碳納米管陰極電子發射的斜柵結構，具有製作過程穩定可靠、製作工藝簡單、製作成本低廉、結構簡單的優點。
文檔編號H01J9/00GK1794405SQ200510107340
公開日2006年6月28日 申請日期2005年12月27日 優先權日2005年12月27日
發明者李玉魁 申請人:中原工學院