一種igbt吸收電容引腳的製作方法

2023-05-22 19:14:21 2

專利名稱：一種igbt吸收電容引腳的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及到一種適用於IGBT吸收電容的引腳，屬於電力電子領域。
背景技術：
現有的IGBT吸收電容存在適配IGBT引腳、安裝空間、加工能力、模具等因素的影響，一般會縮小功率模塊(如scr模塊)的電氣間隙和爬電距離。在某些如高海拔、防護較差、汙染等級較高的場合，通用型的變流器功率模塊就會存在電氣間隙和爬電距離不滿足 要求，導致變流器運行過程中容易出現拉弧、尖端放電、打火等現象。

實用新型內容本實用新型所要解決的技術問題是克服現有技術中所存在的上述缺點，而提供一種新型的IGBT吸收電容引腳。本實用新型的技術解決方案一種IGBT吸收電容引腳，所述的吸收電容引腳為「圓導角」或者「倒三角」。所述引腳之間的電氣間隙距離L至少為21mm。本實用新型優點在於新設計的IGBT吸收電容引腳導角為圓導角或者倒三角，電氣間隙距離L至少為21mm，減小尖端放電可能的點的同時也保證了吸收電容引腳到直流母排的電氣間隙和爬電距離。

圖I為傳統型吸收電容引腳的結構示意圖；圖2為改進型吸收電容引腳的結構示意圖一；圖3為改進型吸收電容引腳的結構示意圖二。圖中I是電容，2是電容的引腳。
具體實施方式
以下結合附圖和具體實施方式
對本發明做進一步詳細的說明如圖1，電容I上帶有引腳2，所述的引腳2的形狀為直角，且電氣間隙距離LI為8mm左右。如圖2為改進型吸收電容引腳2之間電氣間隙距離L至少為21mm，圖中L為21—25mm;吸收的電容的兩個直角進行導角處理，其形狀可為導圓角或者倒三角(見附圖3)或者其他形狀只要目的一致均在本實用新型保護範圍之內。改進型的電容引腳在電氣間隙上做到了較大的餘量，即使裝配誤差的情況下，最小可以可達到21mm，可以滿足電壓等級2，汙染等級3，海拔高度為4000米的電氣間隙要求。另夕卜，新款引腳做了較為圓潤的導角或倒三角，使其不容易與功率模塊之間產生尖端放電，另外在較大裝配誤差情況下，導角的設計也能夠保證與功率模塊較大的電氣間隙和爬電距離。
權利要求1.ー種IGBT吸收電容引腳，其特徵在於所述的吸收電容引腳為導圓角或者倒三角。
2.根據權利要求I所述的ー種IGBT吸收電容引腳，其特徵在於所述引腳之間的電氣間隙距離L至少為21mm。
專利摘要一種IGBT吸收電容引腳，其特徵在於所述的吸收電容引腳為圓導角或者倒三角，所述引腳之間的電氣間隙距離L為至少為21mm。本實用新型優點在於新設計的IGBT吸收電容引腳導角為圓導角或者倒三角，電氣間隙距離L為至少為21mm，減小尖端放電可能的點的同時也保證了吸收電容引腳到直流母排的電氣間隙和爬電距離。
文檔編號H01G2/20GK202373455SQ20112055617
公開日2012年8月8日 申請日期2011年12月28日 優先權日2011年12月28日
發明者陳林 申請人:浙江海得新能源有限公司