一種抗pid晶體矽太陽能電池組件的製作方法
2023-05-13 02:01:06
一種抗pid晶體矽太陽能電池組件的製作方法
【專利摘要】本實用新型提供一種抗PID晶體矽太陽能電池組件，所述晶體矽太陽能組件採用聚烯烴材料封裝，所述聚烯烴簡稱POE。本實用新型在現有晶體矽組件技術的基礎上，採用聚烯烴材料作為封裝材料，增加了組件的可靠性，抗PID效果非常明顯，從而擴展了晶體矽組件的應用範圍，在一些較潮溼惡劣的環境下，組件均無功率衰減。本實用新型採用聚烯烴作為封裝材料，降低水汽透過率，增加組件的抗PID性能，增加後期系統的發電量，投資回報利益最大。
【專利說明】一種抗PID晶體矽太陽能電池組件
【技術領域】
[0001]本實用新型屬於新能源太陽能電池領域，尤其涉及抗PID晶體矽太陽能電池組件。
【背景技術】
[0002]存在於晶體矽光伏組件中的電路及其接地金屬邊框之間的高電壓，會造成組件的光伏性能的衰減，稱這種衰減為電勢誘導衰減即PID。一般認為電池經過封裝材料和組件邊框所形成的路徑所導致的漏電流是引起電勢誘導衰減現象的主要原因，這就決定了封裝材料和電池片在電勢誘導衰減中起著關鍵性的作用。目前傳統的晶體矽光伏組件大都用EVA封裝，一般不具有抗PID性能，即使有部分抗PID作用，但是效果也都不明顯；對於電池片的製備一直以來也只關注效率的提高，很少考慮電池片的抗PID性能。在實際電站應用中，用EVA和普通電池片封裝的組件，其實際運行性能往往因為PID的影響而難以讓人滿意，現有技術中對此進行了多次技術改進都沒有取得明顯的效果；因此開發一款比較優異的抗PID的電池組件非常必要，以滿足現實迫切的需要。
實用新型內容
[0003]本實用新型的目的是克服現有技術存在的缺陷，提供一種克服上述問題的抗PID晶體矽太陽能電池組件。
[0004]實現本實用新型目的的技術方案是:一種抗PID晶體矽太陽能電池組件，所述晶體矽太陽能組件採用聚烯烴材料封裝，所述聚烯烴簡稱POE，所述聚烯烴封裝材料包括上下兩層封裝材料，上層為紫外透過型的塑性聚烯烴材料，下層聚烯烴材料為紫外線截止型材料、透明色或白色，所述抗PID晶體矽太陽能電池組件的太陽能電池片設置於所述上下兩層封裝材料之間。
[0005]本實用新型在現有晶體矽組件技術的基礎上，採用聚烯烴材料作為封裝材料，增加了組件的可靠性，抗PID效果非常明顯，從而擴展了晶體矽組件的應用範圍，在一些較潮溼惡劣的環境下，組件均無功率衰減。本實用新型採用聚烯烴作為封裝材料，降低水汽透過率，增加組件的抗PID性能，增加後期系統的發電量，投資回報利益最大。本實用新型封裝的材料採用紫外線高透型材料和紫外線截止型材料的搭配，提高了組件的封裝效率也增加了組件的耐紫外性能。
[0006]進一步的，所述聚烯烴為熱塑性的聚烯烴材料。
[0007]本實用新型採用後交聯的熱塑性聚烯烴材料封裝，其工藝過程易於控制，同時後期的可靠性也得到了保證。本實用新型採用的熱塑性聚烯烴封裝材料所需層壓時間短，傳統EVA需要16-18分鐘左右，熱固性的聚烯烴材料需要28-30分鐘左右，本實用新型使用的材料僅需要10-12分鐘，可有效提高產能；本實用新型使用現有常規生產設備線就可以生產，且在電站使用中，安裝等與組件一致，適應性較強。
[0008]進一步的，所述聚稀徑封裝厚度0.4±0.05mm。
[0009]本實用新型製成的組件抗PID性能在(溼度85%溫度85度加壓-1000伏)條件下100h小時衰減小於5%，而傳統組件同樣的條件下96h就衰減大於30%，更有甚著達到80% -90%。
[0010]進一步的，所述抗PID晶體矽太陽能電池組件的太陽能電池片為具有抗介質層的電池片。代替普通電池片以增加抗PID的效果。
[0011]進一步的，所述抗PID晶體矽太陽能電池組件的前板為超白低鐵鋼化玻璃，其光的透過率達到91% -95%。提高光能轉換效率。
[0012]進一步的，所述超白低鐵鋼化玻璃接觸空氣的一面設置有增透膜。進一步提高光能轉換效率。
[0013]進一步的，所述抗PID晶體矽太陽能電池組件的背板為高分子材料。以提高使用壽命和可控性，降低整體使用分攤成本。
[0014]本實用新型還提供一種用於抗PID晶體矽太陽能電池組件的封裝材料，所述封裝材料為熱塑性的聚烯烴材料，其厚度0.4±0.05mm，所述封裝材料包括上下兩層，上層為紫外透過型的塑性聚烯烴材料，下層聚烯烴材料為紫外線截止型材料、透明色或白色。採用該封裝材料封裝太陽能電池組件，具有可靠性高、價格低廉、封裝效率高、PID衰減大大降低等優點
【專利附圖】
【附圖說明】
[0015]為了使本實用新型的內容更容易被清楚地理解，下面根據具體實施例並結合附圖，對本實用新型作進一步詳細的說明，其中:
[0016]圖1為本實用新型的結構示意圖。
[0017]圖中，1、前板2、紫外線透過型熱塑性聚烯烴3電池片4、紫外線截止型熱塑型聚烯烴5、背板6、接線盒
【具體實施方式】
[0018]本實用新型的其中一種實施例，如圖1所示，一種抗PID晶體矽太陽能電池組件，所述晶體矽太陽能組件採用聚烯烴材料封裝，所述聚烯烴簡稱POE。其總共由5層結構組成，從上到下依次為:前板1、紫外線透過型熱塑性聚烯烴2、電池片3、紫外線截止型熱塑型聚烯烴4、背板5，在實際應用中，為了提供使用效率，接線盒6通常安裝在背板5下面。接線盒可以使用常規一體式接線盒，也可採用分立式接線方式的接線盒，以增加組件的封裝效率。
[0019]本實用新型在現有晶體矽組件技術的基礎上，採用聚烯烴材料作為封裝材料，增加了組件的可靠性，抗PID效果非常明顯，從而擴展了晶體矽組件的應用範圍，在一些較潮溼惡劣的環境下，組件均無功率衰減。本實用新型採用聚烯烴作為封裝材料，降低水汽透過率，增加組件的抗PID性能，增加後期系統的發電量，投資回報利益最大。
[0020]在一些實施例中，所述聚烯烴採用熱塑性的聚烯烴材料。如上述實施例，可以進一步兼顧電池的轉換效率和抗PID的效果。
[0021]本實用新型採用後交聯的熱塑性聚烯烴材料封裝，其工藝過程易於控制，同時後期的可靠性也得到了保證。本實用新型採用的熱塑性聚烯烴封裝材料所需層壓時間短，傳統EVA需要16-18分鐘左右，熱固性的聚烯烴材料需要28-30分鐘左右，本實用新型使用的材料僅需要10-12分鐘，可有效提高產能；本實用新型使用現有常規生產設備線就可以生產，且在電站使用中，安裝等與組件一致，適應性較強。
[0022]在實際應用中，通常上下兩層封裝材料的厚度均為0.4±0.05mm。
[0023]如圖1所示，所述聚烯烴封裝材料包括上下兩層封裝材料，上層為紫外透過型的塑性聚烯烴材料，下層聚烯烴材料為紫外線截止型材料、透明色或白色，所述抗PID晶體矽太陽能電池組件的太陽能電池片設置於所述上下兩層封裝材料之間。本實用新型封裝的材料採用紫外線高透型材料和紫外線截止型材料的搭配，提高了組件的封裝效率也增加了組件的耐紫外性能。
[0024]本實用新型製成的組件抗PID性能在(溼度85%溫度85度加壓-1000伏)條件下100h小時衰減小於5%，而傳統組件同樣的條件下96h就衰減大於30%，更有甚著達到80% -90%。
[0025]在一些實施例中，所述抗PID晶體矽太陽能電池組件的太陽能電池片為具有抗介質層的電池片。代替普通電池片以增加抗PID的效果。
[0026]在一些實施例中，所述抗PID晶體矽太陽能電池組件的前板I為超白低鐵鋼化玻璃，其光的透過率達到91% -95%。提高光能轉換效率。
[0027]當所述超白低鐵鋼化玻璃接觸空氣的一面設置有增透膜。進一步提高光能轉換效率。
[0028]在一些實施例中，所述抗PID晶體矽太陽能電池組件的背板為高分子材料。以提高使用壽命和可控性，降低整體使用分攤成本。也可採用鋼化玻璃，也可以為彩色平板玻璃作為背板。
[0029]當使用其它聚烯烴材料時，也能達到較好的抗PID效果。
【權利要求】
1.一種抗PID晶體矽太陽能電池組件，其特徵在於，所述晶體矽太陽能組件採用聚烯烴材料封裝，所述聚烯烴簡稱POE，所述聚烯烴封裝材料包括上下兩層封裝材料，上層為紫外透過型的塑性聚烯烴材料，下層聚烯烴材料為紫外線截止型材料、透明色或白色，所述抗PID晶體矽太陽能電池組件的太陽能電池片設置於所述上下兩層封裝材料之間。
2.根據權利要求1所述的抗PID晶體矽太陽能電池組件，其特徵在於，所述聚烯烴為熱塑性的聚烯烴材料。
3.根據權利要求2所述的抗PID晶體矽太陽能電池組件，其特徵在於，所述聚烯烴封裝厚度 0.4±0.05mm。
4.根據權利要求1到3任一所述的抗PID晶體矽太陽能電池組件，其特徵在於，所述抗PID晶體矽太陽能電池組件的太陽能電池片為具有抗介質層的電池片。
5.根據權利要求4所述的抗PID晶體矽太陽能電池組件，其特徵在於，所述抗PID晶體矽太陽能電池組件的前板為超白低鐵鋼化玻璃，其光的透過率達到91% -95%。
6.根據權利要求5所述的抗PID晶體矽太陽能電池組件，其特徵在於，所述超白低鐵鋼化玻璃接觸空氣的一面設置有增透膜。
7.根據權利要求4所述的抗PID晶體矽太陽能電池組件，其特徵在於，所述抗PID晶體矽太陽能電池組件的背板為高分子材料。
【文檔編號】H01L31/048GK204230263SQ201420560790
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年9月26日 優先權日:2014年9月26日
【發明者】張彩霞, 蔡霞, 許明江, 許志翔, 倪志春 申請人:中利騰暉光伏科技有限公司