一種筒式單晶爐的石墨熱場的製作方法
2023-04-24 02:39:56
專利名稱：一種筒式單晶爐的石墨熱場的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種筒式單晶爐的石墨熱場，用於拉制單晶矽棒。
背景技術：
目前，在直拉單晶矽棒生產過程中，我們使用的單晶爐的石墨熱場採用直筒式設計，即保溫筒的上、中、下三部分，與爐底護盤的大小都相一致。這種單晶爐熱量散發快，耗 能大，且保溫筒內的溫度梯度不是很理想，在氣體流通方面也感覺不暢，不利於清除雜質， 易產生次品。
發明內容本實用新型的目的是提供爐內溫度梯度理想，且有利於氣體流通，清除雜質，提高 產品質量的一種筒式單晶爐的石墨熱場。本實用新型採取的技術方案是一種筒式單晶爐的石墨熱場，包括保溫筒、導流 筒、加熱器、石墨坩堝、石英坩堝、爐底護盤；石英坩堝和石墨坩堝位於加熱器內；保溫筒位 於加熱器外，且設置在爐底護盤上；導流筒位於石英坩堝和石墨坩堝之上，以及保溫筒內； 其特徵在於將保溫筒分成上、中、下三層，且上、中、下三層呈塔形，即上層最小，中層其次， 下層最大。所述的爐底護盤大於保溫筒的下層。採用本實用新型，由於相對縮小了保溫筒的上層空間，可增強保溫效果，有利於節 能，在上、中層之間形成理想的溫度梯度，而且相對擴展了下層的空間，使氣流暢通，利於清 除雜質，因此能提高產品質量；另外，爐底護盤大於保溫筒的下層，更有利於在保溫筒外增 設保溫氈(採用石墨製作)，提高保溫效果。
圖1是本實用新型的示意圖。
具體實施方式
下面結合具體的實施例對本實用新型作進一步說明。參照圖1，該單晶爐的石墨熱場包括保溫筒1、導流筒2、加熱器4、石墨坩堝3、石英 坩堝5、爐底護盤6 ；石英坩堝5和石墨坩堝3位於加熱器4內；保溫筒1位於加熱器4外， 保溫筒1分成上、中、下三層，上、中、下三層呈塔形，即上層最小，中層其次，下層最大；導流 筒2位於石英坩堝5和石墨坩堝3之上，以及保溫筒1內；保溫筒1的下層設置在爐底護盤 6上，爐底護盤6大於保溫筒1的下層。這樣設計，由於相對縮小了保溫筒1的上層空間，可增強保溫效果，有利於節能， 並在保溫筒1的上、中層之間形成理想的溫度梯度，而且相對擴展了下層的空間，使氣流暢 通，利於清除氣流中的雜質，因此能提高產品質量；另外，爐底護盤6大於保溫筒1的下層，如需在保溫筒1外增設保溫氈(一般採用石墨製作)也很方便，更有利於提高保溫效果.
權利要求一種筒式單晶爐的石墨熱場，包括保溫筒、導流筒、加熱器、石墨坩堝、石英坩堝、爐底護盤；石英坩堝和石墨坩堝位於加熱器內；保溫筒位於加熱器外，且設置在爐底護盤上；導流筒位於石英坩堝和石墨坩堝之上，以及保溫筒內；其特徵在於該保溫筒分上、中、下三層，且上、中、下三層呈塔形，即上層最小，中層其次，下層最大。
2.根據權利要求1所述的一種筒式單晶爐的石墨熱場，其特徵在於保溫筒下層設置在 爐底護盤上，且爐底護盤大於保溫筒的下層。
專利摘要本實用新型涉及一種筒式單晶爐的石墨熱場，用於拉制單晶矽棒，其保溫筒位於加熱器外，分成上、中、下三層，上、中、下三層呈塔形，且下層設置在爐底護盤上；石英坩堝和石墨坩堝位於加熱器內；導流筒位於石英坩堝和石墨坩堝之上，以及保溫筒內；採用本實用新型，由於相對縮小了保溫筒的上層空間，可增強保溫效果，有利於節能，在上、中層之間形成理想的溫度梯度，而且相對擴展了下層的空間，使氣流暢通，利於清除雜質，因此能提高產品質量。
文檔編號C30B15/14GK201574211SQ200920199720
公開日2010年9月8日 申請日期2009年10月30日 優先權日2009年10月30日
發明者方漢春 申請人:方漢春