形成一具有周期結構的基板的方法

2023-05-25 21:17:46

專利名稱：形成一具有周期結構的基板的方法
技術領域：
本發明涉及一種形成一具有周期結構基板的方法，尤指一種能快速製作、成本低 廉、且可避免基板損傷的形成一具有周期結構基板的方法。
背景技術：
所謂的光子晶體是一種周期性結構，可使某些頻率的光線局限於一特定的方向傳 播，並可防止其它頻率的光線的傳播；且因光子晶體其操作範圍是光的範圍，故光子晶體的 結構周期尺寸必須為次微米或納米等級。目前，光子晶體除可應用於光學通訊系統以及光 計算器等領域外，還可將光子晶體應用在光電元件以增進光電元件的效能。一般是以高能量雕刻成型或納米壓印術等方式圖案化基板以形成光子晶體，如雷 射、電子束、離子束雕琢成型、雷射全像幹涉、或以上述方法製作硬質光子晶體母板後再將 母板拓印於軟基材的技術。然而，高能量雕刻成型具有極高成本及低產能的缺點，而納米壓 印術雖較高能量雕刻成型的成本低且產能較高，但仍無法滿足低成本及高產能的需求。目前，可採用幹蝕刻或溼蝕刻方法圖案化基板，以形成具有周期結構的基板。以幹 蝕刻法為例，如圖1A至圖1F所示。首先，如圖1A所示，提供一基板10;而後於基板10表 面101形成一光阻層11，如圖1B所示。接著，於光阻層11上覆蓋一光罩12，並進行曝光以 圖案化光阻層11，如圖1C所示。經顯影並移除光罩12後，可得一圖案化的光阻層11，如圖 1D所示。而後，以圖案化的光阻層11做為一蝕刻屏蔽，利用反應性離子氣體蝕刻基板10， 以形成多個微凹穴102，如圖1E所示。接著，移除圖案化的光阻層11(蝕刻屏蔽)後，可得 一圖案化的基板10，如圖1F所示。其中，此圖案化的基板10其表面101具有以多個微凹穴 102所排列形成的周期性結構。然而，以上述幹蝕刻法雖可製造出圖形整齊且均勻的具周期性結構的基板，然此 方法的缺點為因進行黃光光刻工藝，故成本高且產速低；若要形成納米級周期性結構，則 所採用次微米光罩昂貴，且如要500nm以下的圖形則成本更加提高；反應離子氣體蝕刻機 臺昂貴且工藝緩慢；易損傷基板；且蝕刻面非自然晶格面。為解決幹蝕刻法的問題，目前發展出以溼蝕刻法形成具有周期性結構的基板；如 圖2A至圖2F所示，是以晶向的單晶矽基板為例。其中，形成具有周期性結構基板的 方法，是與幹蝕刻法相似，除了以緩衝蝕刻液蝕刻基板。因此，如圖2A至2D所示，先以曝光 顯影方法(光刻工藝)形成圖案化的光阻層11 (請參見圖2D)；而後以圖案化的光阻層11 做為一蝕刻屏蔽，以非等向性緩衝蝕刻液蝕刻基板10，以形成多個微凹穴102，如圖2E所 示。接著，移除圖案化的光阻層11 (蝕刻屏蔽)後，可得一圖案化的基板10，如圖2F所示。 其中，此圖案化的基板10其表面101具有以多個微凹穴102所排列形成的周期性結構。值 得注意的是，以溼蝕刻圖案化基板10所形成的微凹穴102，其形狀為倒四角錐，此倒四角錐 的周圍斜面，亦為單晶矽的自然晶格面。雖然以溼蝕刻法圖案化基板可避免基板受到損傷且蝕刻面為自然晶格面；然而， 進行溼蝕刻時若參數控制不當，會造成周期性結構的均勻性較差。同時因上述的製作過程中仍需進行光刻工藝，故仍面臨成本高且產速低等問題。因此，目前亟需發展出一種圖案化基板的方法，除了可避免基板受到損傷，並可快 速且便宜形成具有周期結構基板。

發明內容
本發明的主要目的在於提供一種形成一具有周期結構基板的方法，能減少工藝時 間、降低製作成本、並可同時避免基板受到損傷。為達成上述目的，本發明之形成具有周期結構基板的方法，包括下列步驟(A)提 供一基板及多個納米球，其中多個納米球排列於該基板的表面；(B)形成一填充層於基板 的部分表面及多個納米球的間隙；(C)移除多個納米球；(D)將填充層做為一蝕刻屏蔽並蝕 刻基板；以及(E)移除蝕刻屏蔽，以形成一周期結構於基板的表面。本發明是利用納米球的自組裝特性，即這些納米球會自動且有序地排列於一基板 的表面，取代黃光光刻工藝，以形成蝕刻屏蔽的模板。同時，利用這些自動排列的納米球，因 不需製作昂貴的次微米曝光屏蔽，故可以較低廉的成本形成的周期性結構。因此，本發明的 形成具有周期結構基板的方法，可達到減少工藝時間、降低製作成本的目的；且本發明所需 的材料也非常容易取得，故相當適合大量形成周期結構的基板。於本發明的形成具有周期結構基板的方法中，基板表面的周期結構具有多個微凹 穴。較佳為，多個微凹穴呈陣列狀排列。此外，微凹穴的形狀是由蝕刻基板過程中產生的自 然晶格面所圍繞形成，可為倒角錐、倒圓錐、圓柱體、倒截頭角錐、倒截頭圓錐。不同材質的 基板與不同蝕刻液，會產生不同形狀的微凹穴。如為前述的單晶矽基板採用氫氧化鈉蝕刻， 則微凹穴為一倒四角錐，其中四角錐的底部位於基板表面，而四角錐的頂部是自基板表面 凹陷。若以氫氟酸蝕刻液蝕刻玻璃基板，則微凹穴的形狀為一倒截頭圓錐。於本發明的形成具有周期結構基板的方法中，步驟(E)後還包括一步驟(F)再蝕 刻該基板表面。於步驟(E)所形成的具周期結構的基板，其中相鄰的微凹穴間為具有一平 面，而可視為一凹板結構。而若再經過步驟(F)再一次蝕刻，則增加微凹穴的寬度及深度， 而使相鄰的微凹穴間不具有一平面，而可視為一凸板結構。於本發明的形成具有周期結構基板的方法中，所形成的周期結構可為納米級或微 米級的周期結構；其中，周期結構較佳為納米級或次微米級的周期結構，且更佳為納米級周 期結構。於本發明的形成具有周期結構基板的方法中，步驟(A)的多個納米球排列於基板 表面的步驟，包括下列步驟(A1)提供基板、及一位於一容器中的膠體溶液，且膠體溶液包 括多個納米球及一接口活性劑；(A2)放置基板於容器中，且膠體溶液覆蓋於基板的表面； 以及(A3)加入一具揮發性的溶液於容器中，以增加溶液揮發速率，且促使多個納米球於基 板的表面進行排列。其中，多個納米球形成一納米球層，且較佳為一層的納米球層。於本發明的形成具有周期結構基板的方法中，步驟(D)的蝕刻基板的方法可為幹 蝕刻法或溼蝕刻法，較佳為溼蝕刻法。其中，溼蝕刻法是以一緩衝蝕刻液蝕刻基板，而緩衝 蝕刻液可為根據基板及填充層的材質選擇一般常用的酸性或鹼性蝕刻液。其中，酸性蝕刻 液可包含一酸液、一醇類、以及水，而鹼性蝕刻液則包含一鹼液、一醇類、以及水。酸液較佳 為氫氟酸、B0E(HF與NH4F混合溶液)、鹽酸、硝酸、磷酸、硫酸、醋酸、或其混合溶液。或者， 酸液亦可為由乙醇胺(ethanolamine)、五倍子酸(gallic acid)、水、過氧化氫(hydrogenperoxide)、及表面活性劑所混合而成的Amine Callates。此外，鹼液較佳為氫氧化鈉、氫氧 化鉀、氨水、氫氧化鈰、氫氧化銣、氫氧化四甲銨、乙二胺、或聯胺。再者，醇類較佳為乙醇或 異丙醇。由於本發明的方法較佳為使用溼蝕刻法蝕刻基板，因此可達到避免基板損傷的目 的。於本發明的形成具有周期結構基板的方法中，納米球的材質並無特殊限制，較佳 為氧化矽(SiOx)、陶瓷、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、氧化鈦(TiOx)或聚苯乙烯(PS)。此夕卜， 納米球的直徑可介於lOOnm至2. 5iim之間，較佳為介於lOOnm至1. 2 y m之間，且多個納米 球較佳為具有相同的直徑。於本發明的形成具有周期結構基板的方法中，步驟(B)的形成填充層的方法並無 特殊限制，較佳為利用化學氣相沉積法或物理氣相沉積法，以於基板的部分表面及多個納 米球的間隙形成填充層。此外，填充層的厚度是根據所欲形成的微凹穴尺寸來決定，較佳為 小於該多個納米球的直徑。再者，填充層的材質並無特殊限制，可為一般常用的做為蝕刻屏 蔽的材料；且較佳為氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氧化鋁、氧化鋅、氧化銦錫、氧化鋅摻鋁、鉻、 鉭、鎢、釩、鎳、錫、鐵、銅、鉬、鈦、鋁、銀、金、鉬、鈀、或光阻(PR)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、 聚苯乙烯(PS)。於本發明的形成具有周期結構基板的方法中，基板的材質並無特殊限制，可依照 所應用的領域做選擇。其中，基板材質可為P型單晶矽、N型單晶矽、P型多晶矽、N型多晶 矽、P型非晶矽、N型非晶矽、P型砷化鎵、N型砷化鎵、P型磷化銦、N型磷化銦、P型磷化鎵 銦、N型磷化鎵銦、P型氮化鎵、N型氮化鎵、P型硒化銦銅、N型硒化銦銅、氧化銦錫、碳化矽、 氮化矽、石英、或氧化鋅及氧化鋅摻鋁化合物。或者，本發明的方法所使用的基板亦可為藍 寶石基板(單晶氧化鋁)。較佳為，本發明的方法所使用的基板為P型矽基板或藍寶石基 板。此外，本發明的方法所使用的基板亦可為玻璃基板、或表面具有透明導電膜(TC0) 層的玻璃基板。若使用的基板為表面具有透明導電膜(TC0)層的玻璃基板，則周期結構為 形成在透明導電膜(TC0)層；亦可反之。本發明的形成具有周期結構基板的方法，除了利用納米球做為蝕刻屏蔽的模板， 以取代黃光光刻工藝，同時，還利用溼式蝕刻圖案化基板，故可達到均勻的周期結構且避免 基板損傷的目的。因此，本發明的形成具有周期結構基板的方法，可以簡單、成本低、及高產 能的方式圖案化基板。


圖1A至圖1F是現有以幹蝕刻法製作具有周期結構基板的流程的剖面示意圖。圖2A至圖2F是現有以非等向性溼蝕刻法製作具有周期結構基板的流程的剖面示 意圖。圖3A至圖3F是本發明一較佳實施例中，納米球排列於基板表面的步驟示意圖。圖4A至圖4E是本發明一較佳實施例中，形成具有周期結構基板的剖面示意圖。圖5A是本發明一較佳實施例中，納米球排列於單晶矽基板的SEM圖。圖5B是本發明一較佳實施例的具有周期結構的單晶矽基板的SEM圖。圖6是本發明一較佳實施例的具有周期結構基板的示意圖。
圖7是本發明另一較圖8是本發明再一較圖9是本發明更一較主要元件符號說明
較佳實施例的具有周期結構基板示意圖。 較佳實施例的具有周期結構基板示意圖。 較佳實施例的具有周期結構基板示意圖。10基板102 微凹穴12光罩202 微凹穴22納米球24蝕刻屏蔽26容器
101表面
11光阻層
201表面
21基板
23填充層
25 膠體溶液 27 揮發性溶液
具體實施例方式如圖3A至圖3F所示，此為本發明一較佳實施例中，納米球排列於基板表面的步驟 示意圖。首先，如圖3A所示，提供一基板21及一位於一容器26中的膠體溶液25，其中此膠 體溶液25是由多個納米球(圖中未示)及一界面活性劑(圖中未示)混合而成。接著，將 此基板21放置於容器26中並使得基板21完全浸入於膠體溶液25中，如圖3B所示。在靜 置數分鐘以後，納米球22便逐漸有序地排列於基板21表面，即形成所謂的「納米球層」，如 圖3C所示。而後，將一揮發性溶液27倒入容器26中，以將前述的膠體溶液25揮發掉，如 圖3D所示。最後，如圖3E所示，等到前述的膠體溶液25完全被揮發後，便將基板21從容 器26中取出並得到一具有多個納米球22有序地排列於其表面的基板21，如圖3F。於本實施例中，納米球22的材質為聚苯乙烯(PS)，但是在不同的應用場合中，這 些納米球22的材質亦可為陶瓷、如氧化鈦(TiOx)的金屬氧化物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) 或玻璃(SiOx)等材質。此外，於本實施例中，納米球22的直徑是介於lOOnm至2.5 iim之 間，且絕大多數納米球22具有相同的直徑，但是在不同的應用場合時，這些納米球22的尺 寸不僅限於前述的範圍。此外，於本實施例中，基板的材質為單晶矽基板。然而，基板的材質是依照不同的 應用場合作選擇，可為P型單晶矽、N型單晶矽、P型多晶矽、N型多晶矽、P型非晶矽、N型 非晶矽、P型砷化鎵、N型砷化鎵、P型磷化銦、N型磷化銦、P型磷化鎵銦、N型磷化鎵銦、P 型氮化鎵、N型氮化鎵、P型硒化銦銅、N型硒化銦銅、氧化銦錫、碳化矽、氮化矽、石英、或氧 化鋅及氧化鋅摻鋁化合物；且亦可為藍寶石基板(單晶氧化鋁)、玻璃基板、表面具有透明 導電膜(TC0)層的玻璃基板。接下來，請參閱圖4A至圖4E，此為本發明一較佳實施例中，形成具有周期結構基 板的剖面示意圖。此外，並同時參考圖5A至圖5B，此為本發明一較佳實施例中，形成具有周 期結構基板的SEM圖。首先，如圖4A所示，提供一基板21及多個納米球22，並依照上述的方法，使多個納 米球22排列於基板21的表面，而形成一納米球層。其中，納米球22可以多層堆疊於基板 21表面，而於本實施例中，納米球22是以一層的方式排列於基板21表面。由圖5A的SEM 圖顯示，納米球的確可以一層的方式排列於基板的表面。
接著，如圖4B所示，利用化學氣相沉積法形成一填充層23於基板21的部分表面 及多個納米球22的間隙。其中，填充層23的厚度小於該多個納米球的直徑，且填充層的材 質為氮化矽。然而，除了可以化學氣相沉積法形成填充層23外，還可以物理氣相沉積法形 成，且填充層23的材質亦可為其它常用於做為蝕刻屏蔽的金屬，如氧化矽、氧氮化矽、氧化 鋁、氧化鋅、氧化銦錫、氧化鋅摻鋁、鉻、鉭、鎢、釩、鎳、錫、鐵、銅、鉬、鈦、鋁、銀、金、鉬、鈀、或 光阻(PR)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)。而後，使用四氫啡喃溶液(THF)移除多個納米球22，並將填充層23做為一蝕刻屏 蔽24，如圖4C所示。在此注意的是，不同材質的納米球需使用不同的溶液才能將這些納米 球自基板移除。舉例來說，若使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)材質的納米球，則是使用甲酸 (formic acid)移除納米球；若使用玻璃(SiOx)材質的納米球，則是所使用含氫氟酸(HF) 溶液移除納米球。接著，如圖4D所示，將填充層做為一蝕刻屏蔽24，以溼蝕刻法蝕刻基板21。於本 實施例中，溼蝕刻法所使用的緩衝蝕刻液包含氫氧化鈉、異丙醇、以及水。然而，依照基板 與填充層的材質，亦可選擇不同的緩衝蝕刻液，如鹼性緩衝蝕刻液或酸性緩衝蝕刻液。於 鹼性緩衝蝕刻液中，可包含如氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨水、氫氧化鈰、氫氧化銣、氫氧化四甲 銨、乙二胺或聯胺等鹼液；如乙醇或異丙醇等醇類；以及水。而於酸性緩衝蝕刻液中，可包 含如酸液為氫氟酸、B0E(HF與NH4F混合溶液)、鹽酸、硝酸、磷酸、硫酸、醋酸、或其混合溶 液。或者，酸液亦可為由乙醇胺(ethanolamine)、五倍子酸(gallic acid)、水、過氧化氫 (hydrogen peroxide)、及表面活性劑所混合而成的Amine Callates ；以及如乙醇或異丙醇 等醇類；以及水。此外，可通過調整緩衝蝕刻液的組成及濃度、蝕刻溫度、以及時間，以得到 不同的蝕刻結構。同時，隨著蝕刻溫度上升，所需的時間隨的減少。移除蝕刻屏蔽24後，可於基板21表面201形成多個微凹穴202，即所謂的「周期 結構」，如圖4E所示。其中，這些微凹穴202呈陣列狀排列，且因基板21的材質為單晶矽基 板，蝕刻液為氫氧化鈉、異丙醇、以及水，故所形成的微凹穴202的形狀為倒四角錐，即四角 錐的底部位於基板21表面201，而四角錐的頂部自基板21表面201凹陷。同時，請參考圖 5B，此為經蝕刻並移除蝕刻屏蔽後，所得的具有周期結構基板的SEM圖。由圖5B可明確得 知，本實施例所製得的基板其微凹穴的外形確實為倒四角錐形。為更加清楚了解本實施例所製得的基板表面上的周期結構，請參考圖6，此為本發 明一較佳實施例的具有周期結構基板的示意圖。利用上述方法所形成的具有周期結構基 板，於基板21表面201形成有以陣列狀排列的多個微凹穴202，且此些微凹穴202的形狀為 倒四角錐(倒金字塔形狀)。上述實施例是使用單晶矽基板，故可形成形狀為倒四角錐的微凹穴，其原因在於 微凹穴的形狀是由蝕刻基板過程中產生的自然晶格面所圍繞形成。不同材質的基板與不同 蝕刻液，會產生不同形狀的微凹穴。接下來，本發明的另一較佳實施例是使用上述相同製作方法製作，除了使用藍寶 石基板取代單晶矽基板，其中，蝕刻液是使用硫酸、磷酸混合溶液。經蝕刻後，可形成角錐形 微凹穴，如圖7所示。其中，相鄰的微凹穴202間具有一表面201，且平面位於同一高度上。 在此，可製得凹板的具有周期結構的藍寶石基板。經SEM量測後，角錐頂部於底部的投影點 至底邊的長度約為310nm，而角錐的長度約為410nm。故本實施例所製得的凹板藍寶石基板其周期結構為納米級周期結構。此外，本發明更提供再一較佳實施例，其是將本發明另一較佳實施例所製得的藍 寶石基板，進行再一次蝕刻，以凸顯藍寶石基板表面粗操度。經第二次蝕刻後，可將微凹穴 202的範圍擴張、深度加深，相鄰微凹穴202間平面也通過蝕刻而消除。故相鄰的微凹穴202 間則不再具有一平面，因此，而可製得凸板的具有周期結構的藍寶石基板，如圖8所示。
再者，本發明的更一較佳實施例是使用上述相同製作方法製作，除了使用玻璃基 板取代單晶矽基板。其中，蝕刻液是使用氫氟酸溶液，因氫氟酸蝕刻液本身是等向性蝕刻， 故可形成形狀為倒截頭圓錐體的微凹穴202，如圖9所示。相較於以往使用黃光顯影加上溼蝕刻法形成具周期結構的矽基板，無法達到納米 級的尺寸。雖然使用幹蝕刻法可形成納米級尺寸周期結構，然而花費相當昂貴且工藝相當 複雜，一片要價約30萬元。此外，以現有方法製作具周期結構的藍寶石基板，往往無法形成 納米級尺寸周期結構。反觀本發明的以納米球製備具有周期結構的基板，是利用納米球自 組裝的特性，而可整齊排列於基板的表面。同時，通過選擇不同直徑的納米球，可輕易的形 成具有任何尺寸微凹穴的基板，以應用於不同領域；且通過選用具納米尺寸的納米球，而可 輕易達成具納米尺寸微結構。此外，相較於以往以電子束光刻形成周期結構，本發明的方法 可大幅降低製作成本；且相較於以往以黃光光刻工藝(曝光及顯影)形成蝕刻屏蔽，由於本 發明是以納米球所排列而成的納米球層做為形成蝕刻屏蔽的模板，而不需使用次微米曝光 屏蔽，故可大幅減少製作成本且提升工藝速度。再者，相較於幹蝕刻所使用的RIE或ICP機 臺昂貴且高危險，本發明是使用價格較低且危險性低的溼蝕刻槽進行溼蝕刻；且相較於易 損傷基板的幹蝕刻法，本發明使用溼蝕刻法形成周期結構，可避免基板受到損傷。因此，通 過本發明的方法，可以快速且便宜的方式，形成具有周期結構的基板。上述實施例僅是為了方便說明而舉例而已，本發明所主張的權利範圍自應以申請 專利範圍所述為準，而非僅限於上述實施例。
權利要求
一種形成一具有周期結構基板的方法，其特徵在於，包括下列步驟(A)提供一基板及多個納米球，其中該多個納米球排列於該基板的表面；(B)形成一填充層於該基板的部分表面及該多個納米球的間隙；(C)移除該多個納米球；(D)將該填充層做為一蝕刻屏蔽並蝕刻該基板；以及(E)移除該蝕刻屏蔽，以形成一周期結構於該基板的表面。
2.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，步驟(E)後還包括一步驟(F)再蝕刻該基 板表面。
3.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，其中該周期結構為納米級周期結構。
4.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，其中步驟(A)的該多個納米球排列於該基板 的表面，包括(A1)提供該基板、及一位於一容器中的膠體溶液，且該膠體溶液包括該多個納米球及 一接口活性劑；(A2)放置該基板於該容器中，且該膠體溶液覆蓋於該基板的表面；以及(A3)加入一具揮發性的溶液於容器中，以增加溶液揮發速率，且促使多個納米球於基 板的表面進行排列。
5.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，其中該填充層是利用化學氣相沉積法或物 理氣相沉積法形成於該基板的部分表面及該多個納米球的間隙。
6.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，其中步驟(D)是以一緩衝蝕刻液蝕刻該基板。
7.如權利要求6所述的方法，其特徵在於，其中該緩衝蝕刻液包含一鹼液、一醇類、以 及水。
8.如權利要求6所述的方法，其特徵在於，其中該緩衝蝕刻液包含一酸液、一醇類、以 及水。
9.如權利要求7所述的方法，其特徵在於，其中該鹼液為氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨水、氫 氧化鈰、氫氧化銣、氫氧化四甲銨、乙二胺、或聯胺。
10.如權利要求7所述的方法，其特徵在於，其中該醇類為乙醇或異丙醇。
11.如權利要求8所述的方法，其特徵在於，其中該酸液為氫氟酸、B0E(HF與NH4F 混合溶液)、鹽酸、硝酸、磷酸、硫酸、醋酸、或其混合溶液。或者，酸液亦可為由乙醇胺 (ethanolamine)、五倍子酸(gallic acid)、水、過氧化fi (hydrogen peroxide)、及表面夕舌 性劑所混合而成的Amine Callates。
12.如權利要求8所述的方法，其特徵在於，其中該醇類為乙醇或異丙醇。
13.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，其中於該基板的表面的該周期結構具有多 個微凹穴。
14.如權利要求13所述的方法，其特徵在於，其中該多個微凹穴呈陣列狀排列。
15.如權利要求14所述的方法，其特徵在於，其中該多個微凹穴的形狀為倒角錐、倒圓 錐、圓柱體、倒截頭角錐、倒截頭圓錐。
16.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，其中該基板的材質為P型單晶矽、N型單晶 矽、P型多晶矽、N型多晶矽、P型非晶矽、N型非晶矽、P型砷化鎵、N型砷化鎵、P型磷化銦、N型磷化銦、P型磷化鎵銦、N型磷化鎵銦、P型氮化鎵、N型氮化鎵、P型硒化銦銅、N型硒化 銦銅、氧化銦錫、碳化矽、氮化矽、石英、氧化鋅及氧化鋅摻鋁化合物。
17.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，其中該基板為一藍寶石基板。
18.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，其中該基板為一玻璃基板、或一表面具有 透明導電膜(TC0)層的玻璃基板。
19.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，其中該填充層的材質為氧化矽、氮化矽、氧 氮化矽、氧化鋁、氧化鋅、氧化銦錫、氧化鋅摻鋁、鉻、鉭、鎢、釩、鎳、錫、鐵、銅、鉬、鈦、鋁、銀、 金、鉬、鈀、或光阻(PR)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)。
20.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，其中該納米球的材質為氧化矽、陶瓷、聚甲 基丙烯酸甲酯、氧化鈦或聚苯乙烯。
21.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，其中該填充層的厚度小於該多個納米球的 直徑。
22.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，其中該多個納米球的直徑介於lOOnm至 2. 5iim 之間。
23.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，其中該多個納米球具有相同的直徑。
全文摘要
本發明涉及一種形成一具有周期結構基板的方法，包括下列步驟(A)提供一基板及多個納米球，其中多個納米球排列於基板的表面；(B)形成一填充層於基板的部分表面及多個納米球的間隙；(C)移除多個納米球；(D)將填充層做為一蝕刻屏蔽並蝕刻基板；以及(E)移除蝕刻屏蔽，以形成一周期結構於基板的表面。由於本發明是利用納米球做為形成蝕刻屏蔽的模板，而無需經由黃光光刻工藝，故可使工藝更加快速，並達到降低製作成本的目的。
文檔編號G02B6/122GK101876725SQ20091013790
公開日2010年11月3日 申請日期2009年4月30日 優先權日2009年4月30日
發明者李升儒, 李崇華 申請人:和椿科技股份有限公司