錫烷和氘錫烷的合成的製作方法

2023-05-18 09:10:51 4

專利名稱：錫烷和氘錫烷的合成的製作方法
錫院和m錫院的合成發明背景
本發明涉及用於錫烷(SnH4)和氘錫烷(SnD4)由滷化錫和還原劑分別如氫化鋁鋰和氘化鋁鋰製備的改進方法。錫烷和氘錫烷傳統上通過使氣相、淨液相或分散在溶劑中的滷化錫分別與固體形式或分散在溶劑中的還原劑氫化鋁鋰(LiAlH4)或氘化鋁鋰(LiAlD4)反應製備。氯化錫與這些還原劑之間的反應是放熱的並且反應的產物，錫烷和氘錫烷是自燃的，並且反應混合物可以爆炸性地爆燃。這些程序可以導致低產率和/或雜質的產生，並且需要提純步驟。A.D.Norman 等，無機合成(Inorganic Syntheses),第 11 卷，1968,第 170 頁，通過氯化錫的醚合物漿液至相同溶劑中LiAlH4或LiAlD4的漿液在_70°C的受控加入製備SnH4和SnD4。將反應混合物保持在-60至-70°C。該過程產生約30%的錫烷產率並且對於氘錫烷為約25%。需要額外的提純步驟以將錫烷和氘錫烷從醚溶劑移除。A.E.Finholt等，J.Chem.Soc，1947，69，2692，通過將氯化錫在真空中蒸餾至連接至真空體系的反應容器中，並且在液氮浴中凝固製備SnH4。在將氣態氮倒入至裝置之後，力口A LiAlH4在二乙醚中的溶液。在不攪拌的情況下允許混合物升溫。反應在約_30°C激烈地進行。以十分鐘間隔將揮發性物質從反應區移除。將從而移除的混合物立即冷凝並且凝固在液氮浴中。將揮發性物質分餾數次。SnH4的產率為20.4%。H.J.Emeleus 和 S.F.A.Kettle, J.Chem.Soc.1958, 2444-2448,經由 Finholt 等所述的方法的改進位備SnH4。將氯化錫-二乙醚加合物的醚漿液轉移至反應容器中並且在液氮中凍結。隨後將LiAlHJ^醚溶液加入並凍結。通入抑制錫烷分解的含有0.1 %氧的氮流並且將反應容器升溫至_78°C直至醚成為液體，並且之後升溫至-63.5°C直至溶液為棕色。允許溫度逐漸地(I小時)增加至_20°C，並且之後完成錫烷的析出。作者聲稱在典型的試驗中他們從具有氯化錫和10克的LiAlH4的22.3克的醚加合物回收6.7克的錫烷，我們可以算出其為約78%產率。需要錫烷從二乙醚的進一步提純。G.ff.Schaeffer 等，J.Am.Chem.Soc.(1954)，76 (4)，1203，經由 0.6N 鹽酸溶液中的氯化錫(II)的硼氫化鈉還原在高至84%的產率的情況下製備了錫烷。這是具有高達84%的產率的高效錫烷合成。然而，隨著錫的濃度增加至高於每mL的溶液Img的錫，產率急劇地降低，使得大批製備無法實施。在每mL的溶液3mg的錫，錫烷的產率為37%，並且在每mL的溶液4mg，產率為25%。此外，據信少量的硼氫化物雜質可能存在於錫烷中，使得它不適合作為將要在微電子材料中使用的材料。將粗產物通過經由保持在_112°C的阱的分餾提純。Reifenberg 等 US3, 867，463 ;US3, 708，549 和(3) US3, 654，367 描述了通過使四氯化錫、四溴化錫或四碘化錫在含有約0.1 %氧的氮氛的存在下與LiAlH4反應製備錫烷。滷化錫與LiAlH4反應並且可以在或不在惰性稀釋劑溶劑中進行。開始溫度優選接近-200°C並且緩慢地升高至-70°C。合適的溶劑或稀釋劑可以包括脂族烴、芳族烴和醚。上述可以含有羧酸酯、羧酸醯胺和腈基作為取代基。合適的溶劑是二乙醚和四氫呋喃。將滷化錫與LiAlH4在低溫組合併緩慢地升溫以產生錫烷。每個專利引用相同的用於錫烷製備的實例。這些專利的實施例1描述在沒有溶劑的情況下四氯化錫用LiAlH4的還原，並且報告約87%
的產率。我們在重現這些方法的實驗室經歷產生低產率並且周期性地導致失控、不受控的反應，這導致了試劑的爆燃以及，在一些情況下，爆震。發明概述本發明涉及關於用於錫烷和氘錫烷由滷化錫和還原劑的直接合成的方法的改進。本文描述的分批合成以高產率和純度產生錫烷或氘錫烷。該方法還以避免產物歸因於熱生成和/或滷化錫的局部過量濃度的降解並避免爆震和爆燃的方式控制放熱反應和試劑的混合。本發明涉及一種合成錫烷或氘錫烷的方法，所述方法包括:將滷化錫溶解在冷卻的溶劑中以形成低溫溶液；形成還原劑和溶劑的混合物；將溶劑混合物中的還原劑冷卻到約0°C至約溶劑的熔點；
·
向溶劑中的還原劑緩慢地加入滷化錫溶液，同時在加入的過程中將滷化錫溶液在真空下繼續冷卻，從而形成反應混合物；以及形成反應產物；在滷化錫溶液的加入的過程中將反應產物從反應混合物移除；在將所有的滷化錫溶液加入並且反應產物的形成完成之後，繼續移除反應產物；和將反應產物收集在一個或多個冷阱中；其中所述還原劑選自氫化鋁鋰或氘化鋁鋰並且所述一個或多個冷阱的溫度低於反應產物的沸點。產物的收集可以藉助於從最後一個冷阱的出口抽真空。收集也可以通過允許反應產物從反應容器流至一個或多個冷阱進行。發明詳述本發明涉及一種合成錫烷或氘錫烷的方法，所述方法包括:將滷化錫溶解在冷卻的溶劑中以形成低溫溶液；形成還原劑和溶劑的混合物；冷卻還原劑溶劑混合物；向溶劑中的還原劑緩慢地加入滷化錫溶液，同時在加入的過程中繼續冷卻滷化錫溶液和還原劑混合物，從而形成反應混合物；形成反應產物；在滷化錫溶液的加入的過程中將反應產物從反應混合物移除；在將全部滷化錫溶液加入並且反應產物的形成完成之後，繼續移除反應產物；和將反應產物收集在一個或多個冷阱中；其中所述還原劑選自氫化鋁鋰或氘化鋁鋰；並且其中所述冷阱的至少一個的溫度低於反應產物的沸點。一種合成錫烷或氘錫烷的優選方法，所述方法包括:將滷化錫溶解在冷卻的溶劑中以形成低溫溶液；形成還原劑和溶劑的混合物；
將還原劑冷卻到約0°C至約溶劑的熔點；將滷化錫溶液在真空下緩慢地加入至還原劑混合物；從而形成反應混合物和錫烷或氘錫烷；以及在將滷化錫溶液加入至溶劑中的還原劑的過程中冷卻滷化錫溶液和還原劑混合物；在滷化錫溶液的加入的過程中，將反應產物從反應混合物移除；在將所有的滷化錫溶液加入並且反應產物的形成完成之後繼續移除反應產物；將反應產物收集在一個或多個冷阱中；並且其中還原劑選自氫化鋁鋰或氘化鋁鋰，並且將至少一個或多個冷阱的溫度冷卻至低於反應產物的沸點，並且在滷化錫至還原劑的加入的過程以及直至反應完成之前攪拌反應混合物。滷化錫產物的收集可以藉助於從最後一個冷阱的出口抽真空。收集也可以通過允許反應產物從反應容器流動至一個或多個冷阱進行。當LiAlH4是還原劑時，產物是錫烷。當LiAlD4是還原劑時，廣物是氣錫燒。冷阱可以是靜態真空阱或流通(動態真空)阱。優選地冷阱的一個或多個在約-190°C並且更優選在液氮浴溫度。當使用多於一個冷阱時，最後一個冷阱具有低於產物的沸點的溫度，優選在約_190°C以下。當使用多於一個冷阱時，將最後一個阱之前的阱設定在捕捉具有比錫烷或氘錫烷的沸點更高沸點的任何化學品的溫度。優選地一個或多個阱將具有約-60°C至約_80°C的溫度，以捕獲任意更高沸點物質如溶劑。這些阱或收集器所保持的溫度依賴於任意給定溶劑的物理性質`。本發明的滷化錫選自由氟化錫、氯化錫、溴化錫和碘化錫組成的組。滷化錫優選選自由氯化錫、溴化錫和碘化錫組成的組。最優選滷化錫是氯化錫。本發明的溶劑是多齒溶劑，其在約-10°C是液體，在其中滷化錫可溶並且LiAlH4和LiAlD4至少部分地可溶。部分溶解性定義為約0.1克以上的還原劑將溶解在一升的溶劑中。優選約I克以上的還原劑將溶解在一升的溶劑中，並且更優選約3克以上的還原劑將溶解在一升的溶劑中。優選的溶劑是聚-醚、甘醇二甲醚(乙二醇二甲醚)、丁基甘醇二甲醚、二丙二醇二甲醚(proglyme)和冠醚。優選的乙二醇二甲醚選自由以下各項組成的組:單甘醇二甲醚、二甘醇二甲醚、三甘醇二甲醚、四甘醇二甲醚和丁基甘醇二甲醚。二甘醇二甲醚是優選的乙二醇醚。據信這些溶劑與滷化錫形成路易斯酸鹼配合物，其穩定化滷化錫並且優化滷化錫與還原劑之間的反應。本文描述的批次合成以高產率和高純度產生錫烷或氘錫烷。該方法還以避免產物因為高熱降解的方式控制放熱反應並且還避免爆震和爆燃。本發明的方法包括在約0°C至溶劑的熔點的低溫將滷化錫溶解在溶劑中以形成溶液。溶劑保持在其液體狀態。優選將滷化錫溶解在具有約0°c至約-64°c的溫度的溶劑中以形成溶液。將滷化錫溶液在真空下加入至溶劑中的還原劑以形成反應混合物。備選地，該反應可以在環境壓力下在惰性氣氛下運行。還原劑以化學計量比至相對氫化(還原)所有要加入的滷化錫所需的還原劑的量過量約50摩爾％存在。優選地還原劑以化學計量比至相對氫化(還原)所有要加入的滷化錫所需的還原劑的量過量約30摩爾％存在。優選地，將反應混合物在滷化錫至還原劑的加入的過程中攪拌，並且繼續攪拌直至反應完成並且錫烷或氘錫烷不再由反應混合物產生。使滷化錫溶液至還原劑的加入緩慢地進行以避免反應混合物的過度加熱，並且也避免滷化錫相對於還原劑的局部過量。優選地，將滷化錫溶液在一段時間內均勻地加入。典型地，將滷化錫溶液以均勻速率或以大約均勻的增量加入，以避免過量加熱或滷化錫的局部過量。在本文所報告的批次大小中，該加入可以花費約30分鐘至一小時或兩小時以上。當間隔地加入時，間隔為相隔約0.1分鐘至約10分鐘。優選間隔為相隔約0.1至約5分鐘。本領域技術人員可以調節加入的速率以避免反應混合物的過度加熱並避免反應混合物中局部過量的滷化錫。當反應在真空下運行時，系統中的真空為約I託至約100託。優選將滷化錫溶液在加入至還原劑的過程中冷卻到約0°C至約-40°c。更優選將滷化錫溶液在加入至還原劑的過程中冷卻到約-30°C至約-40°C。優選的是，通過使反應器中的氣體物種暴露至一個或多個在靜態或動態真空下冷卻至低於錫烷或氘錫烷的沸點的溫度的阱，將錫烷或氘錫烷當其形成時立即移除。將還原劑冷卻到約(TC至約溶劑的熔點，並且溶劑必須不凝固。優選在滷化錫溶液的加入過程中將還原劑冷卻到約0°C至約-70°c。更優選，在滷化錫溶液的加入過程中將還原劑冷卻至約-60°C至約-70°C。加入至還原劑的滷化錫形成反應混合物。錫烷和氘錫烷當滷化錫與還原劑混合時形成。用於滷化錫與還原劑之間的反應優選的反應溫度為約_70°C至約室溫。優選地反應在低溫開始並且在將全部的滷化錫加入至還原劑之後允許反應容器的溫度升高。初始反應溫度為優選約_70°C至約0°C，並且更優選約-60°C至約-10°C。在將所有的滷化錫加入至反應容器之後，可以將反應混合物的溫度保持恆定或者允許其緩慢地升高至室溫。溫度升高至約20°C的環境室溫的速率不是關鍵的，並且可以通過受控的加熱或通過將反應容器從冷浴移除並且允許溫度升高至環境溫度獲得。優選的是連續攪拌反應混合物直至反應完成並且不再產生錫烷或氘錫烷。將反應中形成的錫烷(或氘錫烷)連續地或以約0.1分鐘至約10分鐘的間隔從反應混合物移除。優選該間隔在整個加入步驟中為相隔約I分鐘至約5分鐘。更優選該間隔為相隔約5分鐘。連續移除是優選的。將錫烷(或氘錫烷)在低於產物的沸點的溫度收集在一個或多個冷阱中。優選地，將意圖收集產物的冷阱浸潰在液氮中。將任何排出的氫或氘氣通過使其穿過冷阱至真空泵連續地移除，或者如果使用靜態阱通過周期性地排空系統移除。典型的產率在70-89% (基於滷化錫)的範圍內並且經由氣體樣品的FTIR光譜分析未觀察到滷化氫雜質。多齒溶劑的使用是有用的，因為它們具有相對高的沸點，這允許錫烷或氘錫烷當它們在反應過程中形成之時的便利的提純和分離。據信多齒溶劑對滷化錫展現穩定化效果，並且抑制在現有技術中描述的更傳統的批次合成中發現的不穩定的中間體的形成。此外，當將滷化錫在與還原劑接觸之前溶解在多齒溶劑中時，抑制了不穩定的中間體如導致元素錫的迅速凝聚的Sn(II)氧化態的形成。優選的多齒溶劑是甘醇二甲醚，並且優選的甘醇二甲醚是二甘醇二甲醚。實施例1本發明的批次合成:將氯化錫( 8.20g，31.5mmol)在0°C溶解在30mL的無水二甘醇二甲醚中。之後將該溶液加入至具有冷卻套的60mL加液漏鬥。向500mL，3頸(24/40接口 )圓底燒瓶裝入3.60g(85.9mmol)的氘化鋁鋰(LiAlD4)，以及PTFE塗布的磁力攪拌子。之後使LiAlD4粉末在大約IOOmL的無水二甘醇二甲醚中形成漿液並且將加液漏鬥連接至燒瓶。將加液漏鬥冷卻到-30°C至_40°C並且貫穿整個加入保持在該溫度範圍。在反應過程中將底部燒瓶冷卻至-65°C至_72°C。將每種組分通過使用異丙醇中的乾冰漿液冷卻。將反應裝置連接至硼矽酸鹽玻璃Schlenk歧管系統並且將環境氮在真空中移除至大約5託的最終壓力。將反應裝置連接至一系列在開放至下遊的真空泵的液氮中冷卻至-196°C的雙U阱。將氯化錫在大約40分鐘的過程內逐滴加入。持續監控內部反應器壓力並且將揮發物在U阱中周期性地冷凝以使得壓力不超過30託。在加入完成之後將底部冷浴移除，並且在將氣體連續地移除的情況下允許緩慢地升溫至大約-1o°c。將大部分產物收集在第一阱中並且分餾冷凝至冷卻到-78°C和-196°C的兩個阱中。-78°C阱含有數滴的二甘醇二甲醚，而_196°C阱含有3.56§的51104(28.1mmol，基於作為限制試劑的氯化錫89%產率)。歸因於其與SnD4比較更低的沸點收集_196°C阱的「尖」以便檢查任意HCl雜質。獲得樣品「尖」的FTIR氣體分析，其顯示沒有HCl以及SnD4的預期光譜。(樣品的「尖」通過移除液氮並且允許SnD4熔化並液化，收集其中最初15託的 氣體獲得)。實施例2本發明的批次合成:向容納有PTFE塗布的磁力攪拌棒的500mL3頸圓底燒瓶裝入1.93g的氘化鋁鋰(34.5毫摩爾；50摩爾％過量)和200mL的無水二甘醇二甲醚。將冷指形冷凝器和含有溶解在25mL的無水二甘醇二甲醚中的6.0g的氯化錫(23.0毫摩爾)的60mL加液漏鬥連接至反應燒瓶。將燒瓶和具有冷卻杯的加液漏鬥分別冷卻至_60°C和_45°C。將冷指形冷凝器用乾冰/異丙醇雪浴在_78°C冷卻，以將溶劑保持在反應燒瓶中。之後將頂部空間氮在真空中移除至大約I託的反應器壓力。之後將氯化錫以大約150mg SnCl4/分鐘的速率在40分鐘的過程內連續地滴加至氘化鋁鋰/ 二甘醇二甲醚混合物。在SnCl4的加入過程中使反應燒瓶開放至在液氮中冷卻的玻璃阱用於所形成的揮發性氣體(氘和氘錫烷氣體)的連續移除。貫穿反應監控燒瓶中的壓力並且使其在任意給定時間不超過5託。之後在氯化錫的加入完成之後在殘留的氘錫烷和可忽略量的氘氣體的連續移除的情況下，允許燒瓶升溫至室溫。產生總計2.51g的SnD4 (19.8毫摩爾；基於SnCl4為86%產率)。將一部分的氘錫烷氣體經由氣相FTIR光譜儀使用具有ZnSe板的10_cm氣體池分析。FTIR光譜顯示SnD4排他性地存在。實施例3非本發明的氘錫烷由氯化錫(淨)與LiAlD4在二甘醇二甲醚中的製備:向容納有PTFE塗布的磁力攪拌棒的1000mL3頸圓底燒瓶裝入12.90g的氘化鋁鋰(288毫摩爾；50摩爾％過量)和500mL的無水二甘醇二甲醚。將冷指形冷凝器和含有50.0g的氯化錫(192毫摩爾)的60mL加液漏鬥連接至反應燒瓶。將燒瓶冷卻至_55°C並且將頂部空間氮在真空中移除至大約I託的反應器壓力。之後將氯化錫在75分鐘的過程中(大約700mg/分鐘的速率)在將所形成的揮發性氣體(氘和氘錫烷氣體)周期性移除的情況下加入至氘化鋁鋰/ 二甘醇二甲醚混合物。將冷指形冷凝器用乾冰/異丙醇雪浴在_78°C冷卻，以將溶劑保持在反應燒瓶中。將揮發性產物收集在一系列冷卻至_196°C的2U阱。在氯化錫的加入過程中形成顯著量的氘氣，將其送至真空泵，並且在整個反應過程中監控燒瓶中的壓力。不允許反應裝置的內部壓力在任何給定時間超過50託。將氯化錫以大約3分鐘間隔的增量加入，之後將氘錫烷冷凝。通過關閉至加液漏鬥的隔離閥將餘下的氯化錫與收集的氘錫烷隔離。之後，在氯化錫的加入完成之後在殘留氘錫烷和氘氣的連續移除的情況下允許燒瓶升溫至室溫。產生總計3.52g的SnD4(27.8毫摩爾；基於SnC14為14%產率)。將氘錫烷氣體的一部分經由氣相FTI光譜儀使用具有ZnSe板的10-cm氣體池分析。FTIR光譜顯示氯化氫雜質以及歸因於SnD4的吸收帶的存在。使用該方法的重複批次合成顯示產物產率相當地不同，並且很少達到15%。使用該方法4-10%的產率是更普通的。在不首先將氯化錫溶解在多齒溶劑如二甘醇二甲醚中的情況下加入氯化錫導致差的產率。實施例4非本發明的氘錫烷由氯化錫(淨)與LiAlD4在二乙醚中的製備。向容納有PTFE塗布的磁力攪拌棒的250mL3頸，圓底燒瓶裝入3.8g的LiAlD4 (90.6毫摩爾)和125mL的無水二乙醚。燒瓶配備有冷指形冷凝器和含有19.6g的SnCl4 (75.2毫摩爾)的加液漏鬥。使用粉末化的乾冰/異丙醇雪浴將燒瓶和冷指形冷凝器冷卻至_78°C，並將頂部空間氮在真空中移除至大約I託的最終壓力。在40分鐘的過程中，在通過使反應器暴露至一系列在液氮中冷卻的三U阱周期性收集所產生的揮發性氣體的情況下，加入氯化錫。在收集SnD4和不凝氘氣的移除之前，允許內部反應器壓力增加至大約100託。在每種情況下在恢復SnCl4加入之前將壓力降低至大約10託。之後，在完成SnCl4加入之後將冷浴從反應燒瓶移除，並且在所產生的揮發性氣體的連續移除的情況下允許燒瓶升溫至大約-10°C。之後將冷凝的SnD4通過經由使用冷卻至-100( 二乙醚溶劑阱)和-196°C (SnD4阱)的雙U阱的分餾冷凝(無泵送)移除小量的溶劑提純。-1oo°c阱含有少量的二乙醚(少於ImL)，並且-196°C阱含有SnD4 (1.43g，11.3毫摩爾，15%產率)。SnD4的典型的分批合成通常產生大約10-12%的較低產率。該實施例證實了由Norman等報導的低產率。實施例5非本發明的氘 錫烷由氯化錫(淨)與LiAlD4在沒有溶劑的情況下的製備:向容納有PTFE塗布的磁力攪拌棒的500mL，2頸圓底燒瓶在氮下在手套箱中裝入
2.36g的LiAlD4 (56.3毫摩爾)。在真空中將氮從燒瓶移除並且將10.Hg SnCl4(41.3毫摩爾)經由通過將反應燒瓶在液氮(_196°C)中冷卻的冷凝加入。之後將液氮浴移除並且允許內含物緩慢地升溫至環境溫度。在數分鐘之後沒有反應發生的指示。之後將氯化錫經由冷凝從反應燒瓶移除至另一個玻璃Schlenk管中。(完成這步以便將更多的LiAlD4加入至手套箱中的燒瓶)。將餘下的LiAlD4固體用殘留的SnCl4潤溼。之後將燒瓶封閉至真空源，並且振動以敲落粘附至攪拌棒的固體，以期望材料在真空下的進一步乾燥。潤溼的固體之後猛烈地爆燃。實施例6非本發明的氘錫烷由氯化錫(淨)與LiAlD4在二甘醇二甲醚中使用頂部空間覆蓋氣體的製備:向具有PTFE塗布的磁力攪拌棒的500mL2頸圓底燒瓶裝入3.50g的LiAlD4(83.5毫摩爾)和IOOmL的無水二甘醇二甲醚。之後將燒瓶裝上冷卻至_78°C的冷指形冷凝器。之後將反應燒瓶經由冷凍脫氣並且將反應漿液解凍。之後將氯化錫(10.58，40.3毫摩爾)冷凝至在液氮浴中冷卻的反應燒瓶中，之後將體系用由氮中的IOOOppm O2組成的頂部空間覆蓋氣體升壓至I個大氣壓。將液氮浴移除並且將燒瓶浸潰在_78°C乾冰/異丙醇雪浴中。之後允許燒瓶緩慢地升溫至大約-1o°c，在該過程中燒瓶的內部壓力迅速增加。壓力增加的開始出現在大約_60°C並且將揮發物收集在一系列冷卻至_196°C的2U阱中。通過使全部氣體混合物緩慢地通過U阱，將相當量的不凝氣體送至真空泵。通過斷開具有開放至下遊的真空泵的冷凝序列的相鄰的U阱的入口閥，將當燒瓶升溫時在反應過程中壓力上的積累保持在大約I個大氣壓。當燒瓶的溫度接近-10°C時揮發物被完全移除。該實驗未產生回收的SnD4，並且顯著量的元素錫留在反應罐中。雖然已經具體給出並參考其優選實施方案描述了本發明，本領域技術人員將明白的是可以在不脫離由所附權利要求涵蓋的本發明的範圍的情況下可以進行形式和細節上的多種 變更。
權利要求
1.一種合成錫烷或氘錫烷的方法，所述方法包括: 將滷化錫溶解在冷卻的溶劑中以形成低溫溶液； 形成還原劑和溶劑的混合物； 冷卻所述還原劑溶劑混合物； 向溶劑中的所述還原劑緩慢地加入所述滷化錫溶液，同時在加入的過程中繼續冷卻所述滷化錫溶液和所述還原劑混合物，從而形成反應混合物； 形成反應產物； 在所述滷化錫溶液的加入的過程中，將反應產物從所述反應混合物移除； 在加入全部所述滷化錫溶液並且所述反應產物的形成完成之後，移除反應產物；和 將所述反應產物收集在一個或多個冷阱中； 其中所述還原劑選自氫化鋁鋰或氘化鋁鋰，並且所述一個或多個冷阱中的至少一個的溫度低於所述反應產物的沸點。
2.權利要求1所述的方法，其中所述還原劑是氫化鋁鋰並且所述反應產物是錫烷。
3.權利要求1所述的方法，其中所述還原劑是氘化鋁鋰，並且所述反應產物是氘錫烷。
4.權利要求1所述的方法，其中所述滷化錫選自由氟化錫、氯化錫、溴化錫和碘化錫組成的組。
5.權利要求1所述的方法，其中所述還原劑以化學計量的量至比氫化所述滷化錫所需的量過量約50摩爾％存在。
6.權利要求1所述的方法，其中將所述滷化錫在約0°C至溶劑的熔點的溫度溶解在所述溶劑中。
7.權利要求1所述的方法，其中將所述還原劑溶劑混合物冷卻到約0°C至約所述溶劑的熔點。
8.權利要求1所述的方法，其中將所述滷化錫溶液加入至所述還原劑混合物以形成所述反應混合物是在真空下進行的。
9.權利要求1所述的方法，其中將所述滷化錫在約0°C至約_64°C的溫度溶解在溶劑中。
10.權利要求1所述的方法，其中在滷化錫的加入的過程中所述反應混合物的溫度為約(TC至約-70°C。
11.權利要求1所述的方法，其中在所述滷化錫至所述還原劑中的加入完成之後使所述反應混合物的溫度升高至約20°C。
12.權利要求1所述的方法，其中將所述反應混合物連續地攪拌。
13.權利要求1所述的方法，其中將所述滷化錫溶液以均勻速率加入至溶劑中的所述還原劑，使得加入全部的所述滷化錫溶液歷時約30分鐘至約I小時。
14.權利要求1所述的方法，其中將所述滷化錫溶液歷時約30分鐘至約I小時遞增地加入至溶劑中的所述還原劑。
15.權利要求1 所述的方法，其中將所述滷化錫溶液歷時約30分鐘至約I小時以約0.1分鐘至約5分鐘的間隔遞增地加入至溶劑中的所述還原劑。
16.權利要求1所述的方法，其中所述溶劑是多齒溶劑。
17.權利要求1所述的方法，其中所述溶劑選自由以下各項組成的組:單甘醇二甲醚、二甘醇二甲醚、三甘醇二甲醚、四甘醇二甲醚、冠醚以及它們的混合物。
18.權利要求1所述的方法，其中所述溶劑是二甘醇二甲醚。
19.權利要求1所述的方法，其中所述一個或多個冷阱是靜態阱。
20.權利要求1所述的方法，其中所述一個或多個冷阱是流通阱。
21.權利要求1所述的方法，其中所述一個或多個冷阱中的至少一個具有低於所述反應產物的沸點的溫度。
22.權利要求1所述的方法，其中所述一個或多個冷阱中的至少一個具有約_190°C的溫度。
23.權利要求1所述的方法，其中存在多於一個的冷阱，最後一個冷阱的溫度為約-190。。。
24.權利要求1所述的方法，其中存在多於一個的冷阱，第一個冷阱的溫度為約_60°C至約-80°C。
25.權利要求1所述的方法，其中將所述反應產物連續地或間隔地移除。
26.權利要求1所述的方法，其中將所述反應產物以約5分鐘的間隔移除。
27.權利要求1所述的 方法，其中藉助於從最後一個冷阱的出口抽吸的真空將所述反應產物移除。
全文摘要
本發明涉及一種用於通過使滷化錫分別與氫化鋁鋰或氘化鋁鋰在多齒溶劑中反應製備錫烷和氘錫烷的方法。
文檔編號C01B6/02GK103153866SQ201180048872
公開日2013年6月12日 申請日期2011年8月10日 優先權日2010年8月11日
發明者科爾·J·裡特三世 申請人:伏太斯有限責任公司