飽和聚酯空心體的加熱晶化裝置及其加熱方法
2023-05-17 23:14:56 2
專利名稱：飽和聚酯空心體的加熱晶化裝置及其加熱方法
技術領域：
本發明涉及的是飽和聚酯空心體的加熱晶化裝置及其加熱方法，進而詳細說明的話，所涉及的是將由聚對苯二甲酸乙二酯等的飽和聚酯形成的有底預塑形坯(preform)或瓶、杯等的應利用蓋體等密封的口頸部進行加熱並晶化的飽和聚酯空心體的加熱晶化裝置及其加熱方法。
背景技術：
由飽和聚酯形成的瓶，是通過將通常由注射模塑成形等而形成的非晶形組織的有底預塑形坯留下應成為口頸部的部分後，進行雙軸延伸吹塑成形而製造出來的。
這種瓶，其凸緣部、主體部及底部被分子定向，其透明性、氣密性、強度、耐衝擊性等的容器特性出色；進而，將這些凸緣部、主體部及底部熱定形的瓶具有，在熱充填時這些部分難以發生因收縮而引起的變形的優點。
然而，由於容器的口頸部仍舊為非晶形組織的狀態，因此在進行熱充填時口頸部整體或螺釘部等發生變形，密封性容易受損。
為了克服該缺點，建議通過將預塑形坯或容器的口頸部加熱並晶化，使口頸部的硬度及耐熱性提高的技術(專利文獻1)。
另外，為了不使口頸部發生變形、且使其有效地晶化，建議將口頸部在第一階段以低溫進行加熱後，接著提高加熱溫度進行加熱·晶化的技術(專利文獻2)。
進而，建議利用沿著預塑形坯輸送通路排列的多個近紅外線加熱裝置，將口頸部加熱晶化的晶化方法的技術；如果採用該技術的話，能夠均勻地加熱口頸部的內外面(專利文獻3)。
另外，現有的加熱器組是，由反照射側半面上實施了陶瓷塗層的近紅外線加熱器和反射板構成的。
該近紅外線加熱器並設於反射板曲面領域的大致中央部的上下方向兩處上。另外，反射板採用將圓筒沿著中心軸對開的曲面和從該曲面的兩端部起在切線方向上延長的隧道形狀。
通過採用這種形狀，從近紅外線加熱器照射出的照射光被陶瓷塗層和反射板反射，或不被反射而直接放射到被加熱部(專利文獻4)。
進而，公開有將除下端膨脹部以外的未延伸的口栓部作為白化部分，同時，將口栓部下端的未延伸的膨脹部作為未白化部分的聚對苯二甲酸乙二酯瓶的技術(專利文獻5)。如果採用該技術的話，口栓部的白化部分，在耐熱性提高的同時具有充分的耐衝擊性；進而，通過口栓部下端的未白化部分，可以得到適度的柔性，從而能夠防止在充填作業等中，被施加過度的力而破損的不良情況的發生。
專利文獻1特公平3-67499號公報專利文獻2特公平3-26646號公報專利文獻3特公平5-9261號公報專利文獻4特公平6-22876號公報專利文獻5特公平4-79901號公報發明內容發明所要解決的課題但是，現有的加熱器組雖然陶瓷塗層和反射板將照射光反射，但是由於大致放射狀地向照射側進行照射，因此偏離口頸部而被照射的照射光多，難以將照射光僅聚光於需要加熱·晶化的部分上。
另外，飽和聚酯空心體的口頸部，在口頸部的底部外周上設有螺紋和頸環等，具有壁厚不一定的複雜形狀，上述問題進一步明顯化。進而，也必須在圓周方向上均勻地進行加熱。
另外，從能源有效利用的點來看，也要求進行改良。
本發明是為了解決上述諸問題，其目的在於提供一種，通過在使飽和聚酯空心體自轉的狀態下，將照射光聚光於欲加熱·晶化的部分，能夠根據由口頸部的形狀、壁厚、物性及光吸收率而決定的升溫特性進行加熱，從而實現均勻晶化的飽和聚酯空心體的加熱晶化裝置及其加熱方法。
解決課題的手段為了達成該目的，本發明的飽和聚酯空心體的加熱晶化裝置是，通過在使上述飽和聚酯空心體自轉的狀態下，將來自加熱器組的光照射於飽和聚酯空心體的口頸部並進行加熱，使上述口頸部晶化的飽和聚酯空心體的加熱晶化裝置；並構成為，上述加熱器組設有加熱口頸部的加熱燈、使從該加熱燈照射出的光聚光的聚光手段、以及將從上述聚光手段照射出的光以規定的光強度照射於上述口頸部的規定位置的照射光控制手段。
這樣的話，由於能夠有效地將光照射於口頸部上，因此能夠有效地利用加熱燈主體的能量，從而能夠降低耗散功率。另外，由於能夠重點加熱想加熱的點，因此能夠高精度地控制加熱條件。進而，由於在使飽和聚酯空心體自轉的狀態下光被照射，因此能夠在圓周方向上進行均勻的加熱。
另外，本發明構成為，上述加熱器組根據由上述口頸部的形狀、壁厚及光吸收率而決定的升溫特性照射上述光。
這樣的話，由於對於僅照射大致均勻光強度的光的話晶化會發生不均的口頸部，能夠根據升溫特性重點加熱想加熱的點，因此能夠實現進一步均勻的晶化。另外，能夠高精度地控制結晶度，從而可以得到所希望的特性。
另外，本發明構成為，將上述聚光手段作為具有一定焦距的反射板，並且，將上述照射光控制手段作為可調整上述加熱燈及聚光手段的設置位置及/或設置方向的位置調整手段。
這樣的話，能夠將加熱器組的構造簡單化，同時，能夠以規定的光強度容易地將照射光照射於口頸部的規定位置上。而且，設置位置的調整，通常是通過向垂直方向及/或水平方向的移動而進行的。
另外，本發明構成為，將上述加熱器組沿著上述飽和聚酯空心體的輸送路徑並設(同時設置)有多個。
這樣的話，通過使飽和聚酯空心體的口頸部連續通過多個加熱器組的前面，能夠連續地進行加熱，從而實現了飽和聚酯空心體的連續晶化，使生產效率提高。
另外，本發明構成為，使上述多個加熱器組的光照位置在水平方向及垂直方向上不同。
這樣的話，由於各加熱器組能夠加熱口頸部的規定部分，因此能夠高精度且容易地控制口頸部各部分的結晶度。
另外，本發明的飽和聚酯空心體的加熱方法是，通過在使上述飽和聚酯空心體自轉的狀態下，將來自加熱器組的光照射於飽和聚酯空心體的口頸部並進行加熱，使上述口頸部晶化的飽和聚酯空心體的加熱方法；是通過將來自上述加熱器組的光以規定的光強度聚光於上述口頸部的規定位置上，從而加熱上述口頸部的方法。
這樣，本發明作為加熱方法也是有效的，而且由於能夠有效地將光照射於口頸部上，因此能夠有效地利用加熱燈的能量，能夠降低耗散功率。進而，由於在使飽和聚酯空心體自轉的狀態下光被照射，因此能夠在圓周方向上進行均勻的加熱。
另外，本發明為，根據由上述口頸部的形狀、壁厚及光吸收率而決定的升溫特性，照射上述光的方法。
這樣的話，即使飽和聚酯空心體的口頸部形狀等變得複雜，也能夠有效且均勻地使口頸部晶化。另外，可以高精度地控制結晶度，從而能夠得到所希望的特性。
另外，本發明為，將聚光焦點對在接近上述口頸部軸中心的部分上，接著在比該焦點前方的部分上對焦並進行加熱的方法。
這樣的話，可以從接近軸中心的部分開始白化，可以防止因光被遮住而升溫特性降低這樣的不良情況的發生。
另外，本發明為，將聚光焦點對在上述口頸部的頸環部上進行加熱的方法。
這樣，通過使光優先聚光於光不易到達的頸環部，能夠有效地進行加熱。
發明內容
如以上詳細說明，如果採用本發明的飽和聚酯空心體的加熱晶化裝置及其加熱方法的話，由於能夠有效地將光照射於口頸部上，因此能夠改善能源效率。進而，由於在使飽和聚酯空心體自轉的狀態下光被照射，因此能夠在圓周方向上進行均勻的加熱。
進而，由於能夠根據由口頸部的形狀、壁厚及光吸收率而決定的升溫特性容易地調整光強度，因此能夠使口頸部進一步均勻地晶化。另外，也能夠高精度且容易地控制口頸部各部分的結晶度。
附圖的簡單說明
圖1表示本發明實施形態涉及的飽和聚酯空心體的加熱晶化裝置的概略俯視圖。
圖2a表示用於說明本發明實施形態涉及的飽和聚酯空心體的加熱晶化裝置的加熱器組的概略正視圖。
圖2b表示包括圖2a的部分剖面A-A的加熱器組的概略側面圖。
圖3a表示說明第一加熱器組的照射狀態的概略側面圖。
圖3b表示說明第二加熱器組的照射狀態的概略側面圖。
圖3c表示說明第三加熱器組的照射狀態的概略側面圖。
圖3d表示說明第四加熱器組的照射狀態的概略側面圖。
圖3e表示說明第五及第六加熱器組的照射狀態的概略側面圖。
圖3f表示說明第七及第八加熱器組的照射狀態的概略側面圖。
符號說明1 加熱晶化裝置9 照射光10 預塑形坯11 口部12 頸環13 螺紋14 階梯部20 輸送手段21 轉臺22 鏈式輸送機23 供料機24 排出機25、26 加熱領域30(30a～30f) 加熱器組31 滷素燈32 反射板33 筐體40 位置調整手段41 基體板42 垂直方向移動板43a、45a、47a 螺栓43b、45b 鎖緊螺母44 水平方向移動板46 連結部件210 支架發明的最佳實施形態以下，參照附圖對本發明適宜的各實施形態進行說明。
(飽和聚酯空心體的加熱晶化裝置)圖1表示本發明實施形態涉及的飽和聚酯空心體的加熱晶化裝置的概略俯視圖。
在圖1中，加熱晶化裝置1構成為，設有輸送作為飽和聚酯空心體的PET瓶的預塑形坯10的輸送手段20，和通過將照射光9照射於作為飽和聚酯空心體的口頸部的預塑形坯10的口部11並進行加熱，使口部11晶化的多個加熱器組30a～30f。
另外，加熱晶化裝置1通常作為預塑形坯晶化裝置(未圖示)的加熱部而被使用。而且，本發明涉及的加熱晶化裝置1並不限定於使用於預塑形坯晶化裝置的情況。
(輸送手段)輸送手段20構成為，設有一對轉臺21、掛在該轉臺21上的鏈式輸送機22、以及自轉自如地連接於鏈式輸送機22、且插入預塑形坯10的支架210。
轉臺21通過電動機(未圖示)旋轉，連續地輸送連接於鏈式輸送機22上的支架210。然後，供料機23將預塑形坯10以口部11露出的狀態插入到被輸送來的空支架210，排出機24將通過了相對的加熱領域25、26的預塑形坯10從支架取出。
另外，輸送手段20雖然未圖示，但是使用周知的手段。例如，支架210上設有小齒輪，加熱領域25、26的規定位置上設有齒條。由此，在預塑形坯10通過加熱領域25、26時，由於小齒輪與齒條嚙合而旋轉，因此預塑形坯10以以縱向軸為中心自轉的狀態被輸送，並在圓周方向上被均勻地加熱。而且，自轉機構並不限定於上述機構。
(加熱器組)圖2a表示用於說明本發明實施形態涉及的飽和聚酯空心體的加熱晶化裝置的加熱器組的概略正視圖。
另外，圖2b表示包括圖2a的部分剖面A-A的加熱器組的概略側面圖。
在圖2a、2b中，加熱器組30構成為，在細長矩形箱狀的筐體33內收容有作為加熱燈的棒狀滷素燈31和反射板32，並通過位置調整手段40被支持。而且，各加熱器組30a～30f的光照位置不同，而其他構成大致相同。
另外，所謂的「滷素燈」是指，在密封氣體中添加了惰性氣體及微量滷素物質的紅外線燈，在本實施形態中，使用照射近紅外線的滷素燈31。
而且，所使用的加熱燈並不限定於滷素燈31，例如，也可以使用通過光照射進行加熱的一般的紅外線燈等。另外，加熱燈並不限定於棒狀形狀。
反射板32如圖2b所示，形成為具有一定焦距的彎曲狀，二維上呈將從滷素燈31照射出的照射光9反射，並聚光於口部11的任意F點(光照點)上的形狀。從而，三維上如圖2a所示，呈將從棒狀滷素燈31照射出的照射光9反射為線狀。
這樣的話，加熱器組30能夠將除從滷素燈31照射出的一部分光以外的大部分光照射於口部11，從而能源效率被改善、能夠降低耗散功率。
另外，通過降低耗散功率，例如，不將加熱器組30進行水冷也可以，能夠使構造簡單化，能夠謀求設備費用的降低。
進而，通過有效地將照射光9照射於口部11，例如，不進行利用熱風的加熱也可以，因此能夠使構造進一步簡單化。
而且，雖未圖示，但也可以在反射板32上形成散熱片，由此能夠使冷卻效率提高。
筐體33呈細長的四角柱狀的形狀，具有從照射側的側面收容反射板32及滷素燈31的構造。而且，筐體33的形狀並不限定於本例子。
該筐體33支持滷素燈31的兩端部，且雖未圖示，但從兩端面引出滷素燈31的電源電纜。
位置調整手段40由，立設於上方的基體板41、在垂直方向上可滑動地支持於基體板41的垂直方向移動板42、進行垂直方向移動板42的垂直方向移動及定位的螺栓43a及鎖緊螺母43b、在水平方向上可滑動地支持於垂直方向移動板42頂部的水平方向移動板44、進行水平方向移動板44的水平方向移動及定位的螺栓45a及鎖緊螺母45b、支持可向上下方向轉動地安裝於水平方向移動板44上的筐體33的連結部46、以及進行連結部件46的轉動方向定位的螺栓47a構成。由此，加熱器組30相對於預塑形坯10的口部11，能夠自如地調整水平及垂直方向的距離、和上下方向的照射角度。
這樣，加熱器組30a～30f設有上述構成的位置調整手段40，並通過該位置調整手段40能夠容易地設定筐體33和口部11的位置關係，能夠以規定的光強度將照射光9照射於口部11的規定位置上。另外，加熱器組30a～30f由於構造被簡單化，因此能夠謀求製造成本費的降低。
而且，位置調整手段40並不限定於上述構成，只要是通過以規定的光強度聚光於口部11的規定位置上，能夠加熱口部11的機構即可。另外，光強度的調整不僅僅是控制加熱器組的位置關係，例如，也可以控制滷素燈31的電壓。
加熱晶化裝置1，如圖1所示，在沿著預塑形坯10的輸送路徑的加熱領域25、26上，並設有合計八個加熱器組30a～30f。這樣的話，通過使預塑形坯10的口部11連續通過多個加熱器組30a～30f的前面，能夠連續地進行加熱，實現了口部11的連續晶化，從而能夠使生產效率提高。
而且，在本實施形態中，將加熱器組的數目作為八個進行了說明，但是並不限於此。另外，雖然在右側的轉臺21的外周部上未設有加熱器組，但是也可以將該領域作為加熱領域而利用，從而能夠謀求節省空間。
另外，加熱晶化裝置1構成為，使利用加熱器組30a～30f的光照位置不同。這樣的話，由於各加熱器組30a～30f能夠加熱口部11的規定部分，因此能夠高精度且容易地控制口部11各部分的結晶度。
在此，以各加熱器組30a～30f，根據由預塑形坯10的口部11的形狀、壁厚及光吸收率而決定的升溫特性，以規定的光強度將照射光9照射於口部11的規定位置上為佳；這樣的話，對於僅照射大致均勻光強度的光的話晶化會發生不均的口部11，能夠根據升溫特性重點加熱想加熱的點，因此可以實現進一步均勻的晶化。另外，在欲使結晶度部分不同的情況下，能夠高精度地控制結晶度，可以得到所希望的特性。
另外，所謂的「升溫特性」是指，將光照射於口頸部進行了加熱時的口頸部各部的溫度上升率。例如，PET瓶的預塑形坯10，在口部11的頂部上形成有螺紋13，中段部上形成有階梯部14，底部形成有頸環12。因此，壁厚厚的部分的升溫特性變小，溫度不易上升。
另外，相對於晶化前的預塑形坯10無色透明，被晶化後變化為白色、光吸收率發生變化。因此，從無色透明狀態白化的部分升溫特性變大且溫度急劇上升，而另一方面，通過白化的部分照射光9被遮住的部分，利用照射光9的升溫特性急劇變小。
也就是說，所謂的「根據升溫特性」是指，「考慮升溫特性，以可以均勻晶化的照射條件」的意思。
接下來，參照附圖對各加熱器組30a～30f的照射條件及加熱晶化裝置1的動作進行說明。而且，本發明涉及的加熱晶化裝置的照射條件及動作並不限定於此。
(第一加熱器組)首先，圖3a表示說明第一加熱器組30a的照射狀態的概略側面圖。
在圖3a中，第一加熱器組30a被調整為，照射光9聚光於口部11的頂部中央。也就是說，加熱器組30a以朝向水平方向的狀態，被設定於口部11的上方且接近於口部11的位置上。
加熱晶化裝置1通過從加熱器組30a照射出的照射光9整體地加熱口部11，同時，特別是加熱口部11上方的螺紋13。
接下來，圖3b表示說明第二加熱器組30b的照射狀態的概略側面圖。
在圖3b中，第二加熱器組30b被調整為，照射光9聚光於口部11的頂部外周上。也就是說，加熱器組30b與加熱器組30a相比，被設定於在水平方向上從口部11遠離的位置上。
加熱晶化裝置1通過從加熱器組30b照射出的照射光9，重點加熱並晶化口部11的螺紋13。
接下來，圖3c表示說明第三加熱器組30c的照射狀態的概略側面圖。
在圖3c中，第三加熱器組30c被調整為，照射光9聚光於口部11的中段部中央。也就是說，加熱器組30c與加熱器組30b相比，被設定於在水平方向上接近口部11、且向下方移動的位置上。
加熱晶化裝置1通過從加熱器組30c照射出的照射光9整體地加熱口部11，同時，特別是加熱口部11中段的階梯部14。
接下來，圖3d表示說明第四加熱器組30d的照射狀態的概略側面圖。
在圖3d中，第四加熱器組30d被調整為，照射光9聚光於口部11的中段部外周上。也就是說，加熱器組30d與加熱器組30c相比，被設定於在水平方向上從口部11遠離的位置上。
加熱晶化裝置1通過從加熱器組30d照射出的照射光9，重點加熱並晶化口部11的階梯部14。
接下來，圖3e表示說明第五及第六加熱器組30e的照射狀態的概略側面圖。
在圖3e中，第五及第六加熱器組30e被調整為，照射光9從斜上方聚光於口部11的下段部外周上。也就是說，加熱器組30e與加熱器組30d相比，被設定於在水平方向上從口部11遠離並向上方移動、且向下方轉動的位置上。
加熱晶化裝置1通過從加熱器組30e照射出的照射光9重點地加熱並晶化口部11下段的頸環12。而且，加熱器組30e並設有兩個。
接下來，圖3f表示說明第七及第八加熱器組30f的照射狀態的概略側面圖。
在圖3f中，第七及第八加熱器組30f被調整為，照射光9從斜上方聚光於口部11的下段部中央。也就是說，加熱器組30f與加熱器組30e相比，被設定於在水平方向上接近口部11的位置上。
加熱晶化裝置1通過從加熱器組30f照射出的照射光9，整體地加熱口部11的頂面及外周面，並促進晶化。而且，加熱器組30f並設有兩個。
這樣，本實施形態的飽和聚酯空心體的加熱晶化裝置1，由於能夠將從滷素燈31照射出的光聚光，因此能夠有效地將照射光9照射於作為加熱對象的口部11上，從而能夠提高能源效率。
另外，由於根據口部11的升溫特性將規定光強度的照射光照射於口部11的規定位置上，因此，即使例如對於壁厚不同、形狀複雜的口部11，也可以實現進一步均勻的晶化。
進而，由於能夠一邊使預塑形坯10自轉，一邊將照射光9照射於口部11上，因此能夠在圓周方向上進行均勻的加熱。
第一實施例接下來，對上述加熱晶化裝置1的第一實施例進行說明。
在本實施例中，使用加熱晶化裝置1(加熱器組的數目為20個)，加熱預塑形坯10的口部11，並使口部11晶化。此時，加熱晶化裝置1被最適合地設定為光照位置在水平及垂直的兩方向上變化，並使口部11的大致整體晶化為，平均結晶度為大約35體積百分比。而且，最初預塑形坯溫度為約35℃，加熱時間為約兩分鐘。
上述加熱晶化裝置1中，加熱器組30的耗散功率合計為40KW。相對於此，在使用現有的加熱晶化裝置以大致相同的條件使口部11晶化的情況下，加熱器組的耗散功率合計為120kW。也就是說，加熱晶化裝置1可以將加熱器組30的耗散功率節電大約67％。
第二實施例接下來，對上述加熱晶化裝置1的第二實施例進行說明。
在本實施例中，使用被最適合地設定為光照位置在水平方向上變化的加熱晶化裝置1，加熱預塑形坯10的口部11，並使口部11晶化。而且，其他條件與第一實施例大致相同。
上述加熱晶化裝置1中，加熱器組30的耗散功率合計為45KW。也就是說，加熱晶化裝置1能夠將加熱器組30的耗散功率節電約63％。
另外，本實施例的加熱晶化裝置1，被最適合地設定為光照位置在水平方向上變化，但是並不限定於該構成，例如，也可以採用設定為使光照位置在垂直方向上變化的構成。
(飽和聚酯空心體的加熱方法)本實施形態的加熱方法，是通過一邊使預塑形坯10自轉，一邊將來自加熱器組30的照射光9照射於預塑形坯10的口部11並進行加熱，從而使口部11晶化的飽和聚酯空心體的加熱方法；是通過將來自加熱器組30的光以規定的光強度聚光於口部11的規定位置上，從而加熱口部11的方法。
這樣，由於通過將從滷素燈31照射出的光聚光於口部11，能夠減少不入射口部11的光，因此能夠改善能源效率，從而能夠降低耗散功率。
另外，通過調整相對於口部11的焦距，可以調整光強度。也就是說，若將焦距調整為照射光9的照射面積變小的話，則光強度變強；相反，若將焦距調整為照射面積變大的話，則光強度變弱。這樣，能夠容易地調節口部11的規定位置的光強度，能夠高精度地控制加熱能。
另外，一般來說，形狀複雜、壁厚不同或光吸收率不同的口部11，在各部中的升溫特性不同。例如，在通過如太陽光那樣的均勻光強度的光被加熱的情況下，壁厚厚的部分，其接近熱源的部分容易升溫，越遠離熱源越難以升溫。
這樣，若加熱條件不穩定的話，晶化不充分的部分機械強度變低；另外，過於晶化的部分變脆且發生變形，由此要求進一步均勻地晶化。
因此，以根據口部11的各部中的升溫特性控制照射於各部的光的光強度為佳；若這樣的話，例如，即使對於複雜形狀的口部11，也能夠使各部的溫度曲線一致，因此能夠均勻地晶化。
例如，若相對於熱源前方部分白化的話，則光被遮住的後方部分通過熱傳導而升溫，升溫特性變小。這種情況下，為了光不被遮住，以首先將聚光的焦距對在後方部分，並從後方慢慢地向前方進行加熱為佳。
另外，以使光優先聚光於口部11的光不易到達的部分為佳，由此在口部11通過加熱白色化或變色而光吸收率發生變化的情況下，能夠根據光吸收率的變化或利用該變化，有效地進行加熱。
進而，如上所述，以作為聚光手段使用具有一定焦距的反射板32，調整滷素燈31及反射板32的設置位置及/或設置方向的方法為佳，這樣的話，能夠容易地將照射光9以規定的光強度照射於口部11的規定位置上。
以上，對本發明的飽和聚酯空心體的加熱晶化裝置及其加熱方法，示以理想的實施形態進行了說明，但是本發明並不僅限定於上述實施形態，當然可以在本發明的範圍內進行各種變更實施。
例如，上述實施形態的加熱晶化裝置1根據預塑形坯10的口部11的形狀設定了加熱器組30a～30f，但是並不限定於上述設定，也可以替換加熱器組30a、30b和加熱器組30c、30d，或增減各加熱器組的數目。
工業上的利用可能性本發明的飽和聚酯空心體的加熱晶化裝置及其加熱方法，其加熱對象並不限定於PET瓶的預塑形坯10的口部11，例如，也可以適當地利用於PET瓶以外的容器等的口頸部上。
權利要求
1.一種飽和聚酯空心體的加熱晶化裝置，是通過在使上述飽和聚酯空心體自轉的狀態下，將來自加熱器組的光照射於飽和聚酯空心體的口頸部並進行加熱，從而使上述口頸部晶化的裝置，其特徵在於，所說的加熱器組設有加熱燈、將從該加熱燈照射出的光聚光的聚光手段、以及將從上述聚光手段照射出的光以規定的光強度照射於上述口頸部的規定位置上的照射光控制手段。
2.如權利要求1所述的飽和聚酯空心體的加熱晶化裝置，其特徵在於，所說的加熱器組構成為，根據由上述口頸部的形狀、壁厚及光吸收率而決定的升溫特性照射上述光。
3.如權利要求1或2所述的飽和聚酯空心體的加熱晶化裝置，其特徵在於，將所說的聚光手段作為具有一定焦距的反射板，並且，將所說的照射光控制手段作為可調整上述加熱燈及聚光手段的設置位置及/或設置方向的位置調整手段。
4.如權利要求1～3中任意一項所述的飽和聚酯空心體的加熱晶化裝置，其特徵在於，將所說的加熱器組沿著上述飽和聚酯空心體的輸送路徑並設有多個。
5.如權利要求4所述的飽和聚酯空心體的加熱晶化裝置，其特徵在於，使所說的多個加熱器組的光照位置，在水平方向及垂直方向上不同。
6.一種飽和聚酯空心體的加熱方法，是通過在使上述飽和聚酯空心體自轉的狀態下，將來自加熱器組的光照射於飽和聚酯空心體的口頸部並進行加熱，從而使上述口頸部晶化的加熱方法，其特徵在於，通過將來自所說的加熱器組的光以規定的光強度聚光於上述口頸部的規定位置上，加熱上述口頸部。
7.如權利要求6所述的飽和聚酯空心體的加熱方法，其特徵在於，根據由上述口頸部的形狀、壁厚及光吸收率而決定的升溫特性，照射所說的光。
8.如權利要求6或7所述的飽和聚酯空心體的加熱方法，其特徵在於，使聚光焦點對在接近所說的口頸部軸中心的部分，接著在比該焦點前方的部分上對焦並進行加熱。
9.如權利要求6～8中任意一項所述的飽和聚酯空心體的加熱方法，其特徵在於，使聚光焦點對在所說的口頸部的頸環部而進行加熱。
全文摘要
通過將照射光聚光於欲晶化的部分，改善能源效率，同時，一邊使飽和聚酯空心體自轉，一邊根據由口頸部的形狀、壁厚及光吸收率而決定的升溫特性進行加熱，從而可以均勻地晶化；加熱晶化裝置(1)是，通過將來自加熱器組(30)的光照射於自轉的預塑形坯(10)的口部(11)並進行加熱，從而使口部(11)晶化的飽和聚酯空心體的加熱晶化裝置；並構成為，加熱器組(30)設有滷素燈(31)、反射板(32)、以及以規定的光強度將照射光(9)照射於口部(11)的規定位置上的位置調整手段(40)。
文檔編號B29C71/02GK1984766SQ200480043529
公開日2007年6月20日 申請日期2004年7月28日 優先權日2004年7月28日
發明者鷲崎祐樹, 根本悟, 石川昌廣 申請人:東洋制罐株式會社