離心沉澱方法及應用其的發光二極體與設備的製作方法

2023-05-06 10:33:16

專利名稱：離心沉澱方法及應用其的發光二極體與設備的製作方法
技術領域：
本發明是有關於一種沉澱方法及應用其的發光二極體與設備，且特別是有關於一
種離心沉澱方法及應用其的發光二極體與設備。
背景技術：
目前，發光二極體(Light Emitting Diode， LED)的應用相當地廣泛，例如是應用在看板、交通標誌或是作為顯示裝置的背光源。 一般來說，發光二極體的製程大體上可分為固晶、焊線、點膠及包裝的步驟。固品的步驟是固定晶片在支架的數個碗杯型凹槽內；焊線的步驟是經由焊接導線在晶片上，以電性連接晶片；點膠的步驟是注入膠體到碗杯型凹槽中，以覆蓋晶片；以及包裝的步驟是分割支架上的已完成的數個發光二極體，以進行包裝。
進一步就點膠的步驟來說，點膠的步驟可再細分為數個子步驟，包括混合膠材及螢光粉來取得膠體、脫泡、注入膠體於碗杯型凹槽中、再脫泡、沉澱螢光粉及烘烤。沉澱螢光粉的子步驟往往成為決定發光二極體的發光成效與光、色分布均勻特性的重要關鍵之一。現有的用以沉澱螢光粉的方式包括對膠體加熱與靜置的兩種方式，此兩種方式將分述如下。 在對膠體加熱的方式中，膠材在被加熱後呈現較稀釋的狀態，利用螢光粉的比重相對地大於膠材的比重，使懸浮在膠體中的螢光粉得以沉積在底部。如此，螢光粉可藉由與膠材在比重上的差異來沉澱到碗杯型凹槽的底部。然而，並非每種膠材受熱之後的比重皆可與螢光粉的比重有顯著地差異。因此，螢光粉可能因此而無法順利地沉澱在碗杯型凹槽的底部。 另外，在靜置的方式中，螢光粉藉由重力來慢慢地沉澱至凹槽的底部。然而，螢光粉是否可以沉澱在凹槽的底部往往取決於靜置的時間長短、膠材濃稠度與螢光粉的比重。如此，製造發光二極體的時間成本因此而提高，使得發光二極體的整體產能可能對應地減少。 因此，如何在具有效率的前提下，提出一種可讓螢光粉沉澱在凹槽的底部的方法和設備，以同時對應地提高發光二極體的發光成效與品質，為相關業者努力之課題之一。

發明內容
本發明關於一種離心沉澱方法及應用其的發光二極體與設備，其以轉動發光結構的方式來提供離心力至發光結構中，使得發光結構的膠體中的螢光粒子往凹槽的底面移動，以達到有效率地沉澱螢光粒子的效果。其中，螢光粒子的粒徑以30ym以下有較佳的成效表現，然而，本發明並未限制可應用的螢光粒子的尺寸。此外，發光結構中的膠體的表面可因此而達到平整，且可能存在於膠體中的空氣所集結而成的氣泡亦可同時排出。如此，發光二極體的發光成效、良率以及品質，甚或是產能亦可對應地提升。 根據本發明的第一方面，提出一種離心沉澱方法，包括以下的步驟。提供一發光結構。發光結構包括一支架、一晶片及一膠體。支架具有一凹槽。晶片設置在凹槽的一底面
4上。膠體包括一膠材及多個螢光粒子。膠材填充在凹槽內，且覆蓋晶片。螢光粒子分布在
膠材中。接著，轉動發光結構，藉此使螢光粒子往凹槽的底面的方向移動。 根據本發明的第二方面，提出一種發光二極體，包括一支架、一晶片及一膠體。支
架具有一凹槽。晶片設置在凹槽的一底面上。膠體包括一膠材及多個螢光粒子。膠材填充
在凹槽內，且覆蓋晶片。螢光粒子是以覆蓋在凹槽的底面上以及晶片的出光面上的方式分
布在膠材中。 根據本發明的第三方面，提出一種離心沉澱設備，應用於一發光結構。發光結構包括一支架、一晶片及一膠體。支架具有一凹槽。晶片設置在凹槽的一底面上。膠體包括一膠材及多個螢光粒子。膠材填充在凹槽內，且覆蓋晶片。螢光粒子分布在膠材中。離心沉澱設備包括一旋轉設備及一固定機構。旋轉設備用以帶動發光結構轉動，使得螢光粒子往凹槽的底面的方向移動。固定機構設置在旋轉設備上，用以固定發光結構。
為讓本發明的上述內容能更明顯易懂，下文特舉優選實施例，並配合附圖，作詳細說明如下


圖1A示出發光結構的示意圖的一例。 圖1B示出沿著圖1A中的剖面線1B-1B的未經沉澱的發光二極體的剖面圖。
圖2示出圖1A中的發光結構設置在根據本發明第一實施例的離心沉澱設備上的示意圖。 圖3示出根據本發明第一實施例的離心沉澱方法的流程圖。 圖4示出執行圖3中的離心沉澱方法後的發光二極體的剖面圖的一例。 圖5A示出未經沉澱的發光二極體與施行本實施例的沉澱離心方法後的發光二極
管的CIE-X軸的盒型圖。 圖5B示出未經沉澱的發光二極體與施行本實施例的沉澱離心方法後的發光二極體的CIE-Y軸的盒型圖。 圖6A中示出經過反沉澱的發光二極體與施行本實施例的沉澱離心方法後的發光二極體的CIE-X軸的盒型圖。 圖6B示出經過反沉澱的發光二極體與施行本實施例的沉澱離心方法後的發光二極體的CIE-Y軸的盒型圖。 圖7示出圖1A中的發光結構設置在根據本發明第二實施例的離心沉澱設備上的示意圖。 圖8示出沿著圖7中的剖面線8-8'的剖面圖。 圖9示出根據本發明第二實施例的離心沉澱方法的流程圖。 圖10為以X光照射未經沉澱的發光二極體的照片。 圖11為以X光照射施行本實施例的沉澱離心方法後的發光二極體的照片。 圖12為以X光照射反沉澱的發光二極體的照片。 主要元件符號說明 10 :發光結構 100 :未經沉澱的發光二極體
100':發光二極體 110 :支架 111 :凹槽 llls:底面 120 :晶片 120s :出光面 130 :膠體 131、 131，膠材 131s、131s，表面 200、200':離心沉澱設備 210、210':旋轉設備 2H、211':容置槽 211s :內壁 220 、220':固定機構 230，卡匣 240':加熱器 B :氣泡 D:方向 Dl :第一方向 D2:第二方向 Dxll、 Dxl2、 Dx21、 Dx22、 Dyll、 Dyl2、 Dy21、 Dy22、 Dx31、 Dx32、 Dx41、 Dx42、 Dy31、Dy32、Dy41、Dy42 :數據組 Mxll、 Mxl2、 Mx21、 Mx22、 Myll、 Myl2、 My21、 My22、 Mx31、 Mx32、 Mx41、 Mx42、 My31、My32、My41、My42 :中位數 P、P':螢光粒子 Y :旋轉軸心
具體實施例方式
本發明提供一種離心沉澱方法，包括以下的步驟提供一發光結構。發光結構包括一支架、一晶片及一膠體。支架具有一凹槽。晶片設置在凹槽的一底面上。膠體包括一膠材及多個螢光粒子。膠材填充在凹槽內，且覆蓋晶片。螢光粒子分布在膠材中。接著，轉動發光結構，藉此使螢光粒子往凹槽的底面的方向移動。 以下舉出兩個實施例，配合附圖詳細地說明離心沉澱方法及應用其的發光二極體及設備的特徵。然而，本領域技術人員當可明了，這些附圖與文字僅為說明用，並不會對本發明的欲保護範圍造成限縮。
第一實施例 本實施例將以對圖1A中的發光結構10進行離心沉澱方法來舉例說明本發明。請參照圖1A，其示出發光結構的示意圖的一例。發光結構IO包括多個未經沉澱的發光二極體100，此些未經沉澱的發光二極體100尚未進行分割的步驟。
請參照圖1B，其示出沿著圖1A中的剖面線1B-1B的未經沉澱的發光二極體的剖面圖。未經沉澱的發光二極體100包括一支架110、一晶片120及一膠體130。支架110具有一凹槽111，且凹槽111例如為碗杯型。晶片120設置在凹槽111的一底面Ills上，且晶片120例如是用以發出藍光。膠體130包括兩種膠材131 (例如是混合的A膠與B膠)與數個黃色的螢光粒子P。膠材131填充在凹槽111內，且覆蓋晶片120。螢光粒子P分布在膠材131中。雖然此處是以膠體130包括兩種膠材131及黃色的螢光粒子P來說明，然而，膠體130亦可包括多種不同的螢光粒子與數種相互混合的膠材。 以下利用圖2中的離心沉澱設備200來執行圖3中的離心沉澱方法的步驟，使得圖1A中的發光結構10的數個未經沉澱的發光二極體100的螢光粒子P可沉澱。然而，此技術領域中具有通常知識者應明了，本發明的離心沉澱方法並不以圖3中的流程步驟及順序為限，且亦不以利用圖2中的離心沉澱設備200執行為限。當然，離心沉澱方法更不以應用於如圖1A中所示的發光結構10為限。舉例來說，離心沉澱方法亦可應用在具有多個晶片或是不同晶片型式的未經沉澱的發光二極體中。 此處先說明離心沉澱設備200的元件的配置及功用。離心沉澱設備200包括一旋轉設備210及一固定機構220。旋轉設備210具有一容置槽211，容置槽211用以轉動。在本實施例中，固定機構220例如是位於容置槽211的一內壁211s上的數個卡合件，用以藉由卡合的方式來固定發光結構。當然，固定機構220的結構及型式並不以此處的例子為限，只要可用以固定發光結構在容置槽211的內壁211s上的機構，均可應用在本實施例中。
以下更進一步配合圖3中的沉澱離心方法來作說明。首先，在步驟301中，提供如圖1A所示的發光結構10。優選地，發光結構10中的螢光粒子P(如圖1B所示)的粒徑小於30微米(ii m)。 接著，在步驟303中，利用固定機構220來固定發光結構10在旋轉設備210的容置槽211的內壁211s上。優選地，發光結構10的膠體130是面向容置槽211的旋轉軸心Y。一般而言，當發光結構10的膠體130是以面向容置槽211的旋轉軸心Y的方式擺置(也就是直立地擺放發光結構10)時，膠體130往往易因重力而流出凹槽111。因此，本實施例是以調整凹槽111以及未經沉澱的發光二極體100的尺寸來避免膠體130流出凹槽111。在本實施例中，凹槽111的長度與寬度調整至小於50毫米，且未經沉澱的發光二極體100的長度與寬度調整至小於7毫米。當然，此處所提的藉由凹槽lll與未經沉澱的發光二極體100的尺寸來避免膠體130流出凹槽111的方式僅為一例子。避免膠體130流出凹槽111亦可例如是藉由帶動未經沉澱的發光二極體IOO擺動，或者，適當地選擇膠體130中的膠材131與其配合的機構來達成(請參照第二實施例)。此外，由於發光結構10所包括的多個未經沉澱的發光二極體100沿著一方向D排列，因此，發光結構10優選地是以方向D實質上平行於容置槽211的旋轉軸心Y的方式固定於內壁211s上，以讓離心力可均勻地提供至未經沉澱的發光二極體100。 然後，在步驟305中，以旋轉設備210的轉動的容置槽211來帶動發光結構10轉動。也就是說，當容置槽211被驅動而例如是以3000rpm(revolutions per minute)的轉速轉動時，轉動的容置槽211經由固定機構220來帶動發光結構10轉動。由於發光結構IO的支架110為撓性結構，因此，受帶動的發光結構10因離心力而呈現貼附在容置槽211的內壁211s的狀態。此外，由於發光結構10的膠體是以面向容置槽211的旋轉軸心Y的方式固定，因此，各未經沉澱的發光二極體100的膠體130中的螢光粒子P藉由轉動時所產生的離心力來往凹槽111的底面llls移動，使得膠體130內的螢光粒子P呈現如圖4中所示的分布方式。 如圖4所示，發光二極體100'的螢光粒子P'覆蓋在凹槽111的底面Ills上以及晶片120的出光面120s上。 一般來說，如圖IB所示，膠材131往往在注入凹槽111的過程中產生氣泡B或膠材131的表面131s呈現不平整的情況，使得晶片120發出的光線在通過氣泡B或是不平整的表面131s時易產生折射或是散射。因此，相比較之下，經過離心沉澱方法後的圖4中的膠材131'的表面131s'可同樣藉由離心力來呈現較為平整的分布，且同時排出可能存於膠材131'中的氣泡，以提升發光二極體100'的發光成效。
更進一步來說，請參照圖10 圖ll，其分別為以X光照射未經沉澱的發光二極體與施行本實施例的沉澱離心方法後的發光二極體的照片。在圖io中，未經沉澱的發光二極體中的黑色區塊所構成的凹槽中，多個螢光粒子分布在膠材中。在圖11中，經過沉澱的發光二極體中的黑色區塊所構成的凹槽中，螢光粒子沉澱在凹槽的底面上以及晶片的出光面上。因此，由圖10及圖ll可知，施行本實施例的沉澱離心方法後的發光二極體的螢光粒子可有效地沉澱在凹槽的底面上以及晶片的出光面上。 另外，當發光二極體欲設置在背光模塊中作為光源時，發光二極體的軸向光強與發光二極體設置在背光模塊時經由積分球所測量出的光通量優選地相互接近，以讓發光二極體設置在背光模塊時的光色分布均勻特性穩定。請參照圖5A與圖5B，其分別示出未經沉澱的發光二極體與施行本實施例的沉澱離心方法後的發光二極體的CIE-X軸與CIE-Y軸的盒型圖。 在圖5A中，縱軸表示在CIE-X軸的顏色座標值，橫軸表示未經沉澱的發光二極體的軸向光強的數據組Dxll與經由積分球所測量出光通量的數據組Dx12，以及施行本實施例的沉澱離心方法後的發光二極體的軸向光強的數據組Dx21與經由積分球所測量出光通量的數據組Dx22。數據組Dxll、Dxl2、Dx21、Dx22的中位數分別以Mxll、 Mxl2、 Mx21、 Mx22標示。經由計算，可得出圖5A中的中位數Mxll與Mxl2的差值為0. 0097，且中位數Mx21、Mx22的差值為0. 002。由於中位數Mx21、Mx22的差值(0. 002)小於中位數Mxll與Mxl2的差值(0. 0097)，因此，由圖5A的CIE-X軸的盒型圖可知，施行本實施例的沉澱離心方法後的發光二極體的軸向光強與光通量較未經沉澱的發光二極體的軸向光強與光通量相互接近，以讓發光二極體設置在背光模塊時的光色分布均勻特性穩定。 在圖5B中，縱軸表示在CIE-Y軸的顏色座標值，橫軸表示未經沉澱的發光二極體的軸向光強的數據組Dyll與經由積分球所測量出光通量的數據組Dy12，以及施行本實施例的沉澱離心方法後的發光二極體的軸向光強的數據組Dy21與經由積分球所測量出光通量的數據組Dy22。數據組Dyll、Dyl2、Dy21、Dy22的中位數分別以Myll、 Myl2、 My21、 My22標示。經由計算，可得出圖5B中的中位數Myll與Myl2的差值為0. 012，且中位數My21、My22的差值為0. 0035。由於中位數My21、My22的差值(0. 0035)小於中位數Myll與Myl2的差值(0. 012)，因此，由圖5B的CIE-Y軸的盒型圖可知，施行本實施例的沉澱離心方法後的發光二極體的軸向光強與光通量較未經沉澱的發光二極體的軸向光強與光通量相互接近，以讓發光二極體設置在背光模塊時的光色分布均勻特性穩定。 —般來說，發光二極體的白光是藉由晶片所發出的光線激發螢光粒子中的材質來
8達成。如圖4與圖ll所示，施行本實施例的沉澱離心方法後，發光二極體中的螢光粒子沉澱在凹槽的底面上以及晶片的出光面上，因此，晶片所發出的光線可視為一次激發螢光粒子中的材質來發光白光。在同樣為一次激發螢光粒子的材質下，為了進一步驗證螢光粒子的沉澱位置亦為影響發光成效的因素之一，因此，此處進一步在圖12中提出將螢光粒子分布在凹槽的頂面(以下稱為反沉澱)時的照片，且在圖6A與圖6B中分別示出經過反沉澱的發光二極體與施行本實施例的沉澱離心方法後的發光二極體的CIE-X軸與CIE-Y軸的盒型圖。 在圖12中，螢光粒子分布在凹槽的頂面。在圖6A中，縱軸表示在CIE-X軸的顏色座標值，橫軸表示反沉澱的發光二極體的軸向光強的數據組Dx31與經由積分球所測量出光通量的數據組Dx32，以及施行本實施例的沉澱離心方法後的發光二極體的軸向光強的數據組Dx41與經由積分球所測量出光通量的數據組Dx42。數據組Dx31、Dx32、Dx41、Dx42的中位數系分別以Mx31 、 Mx32 、 Mx41 、 Mx42標示。經由計算，可得出圖6A中的中位數Mx31與Mx32的差值為0. 0097，且中位數Mx41、Mx42的差值為0. 002。由於中位數Mx41、Mx42的差值(0.002)小於中位數Mx31與Mx32的差值(0. 0097)，因此，由圖6A的CIE-X軸的盒型圖可知，施行本實施例的沉澱離心方法後的發光二極體的軸向光強與光通量較反沉澱的發光二極體的軸向光強與光通量相互接近，以讓發光二極體設置在背光模塊時的光色分布均勻特性穩定。 在圖6B中，縱軸表示在CIE-Y軸的顏色座標值，橫軸表示反沉澱的發光二極體的軸向光強的數據組Dy31與經由積分球所測量出光通量的數據組Dy32，以及施行本實施例的沉澱離心方法後的發光二極體的軸向光強的數據組Dy41與經由積分球所測量出光通量的數據組Dy42。數據組Dy31 、 Dy32、 Dy41 、 Dy42的中位數分別以My31 、 My32、 My41 、 My42標示。經由計算，可得出圖6B中的中位數My31與My32的差值為0. 0135，且中位數My41、My42的差值為0. 0035。由於中位數My41、My42的差值(0. 0035)小於中位數My31與My32的差值(0. 0135)，因此，由圖6B的CIE-Y軸的盒型圖可知，施行本實施例的沉澱離心方法後的發光二極體的軸向光強較光通量與反沉澱的發光二極體的軸向光強與光通量相互接近，以讓發光二極體設置在背光模塊時的光色分布均勻特性穩定。
第二實施例 本實施例與第一實施例的不同之處在於離心沉澱設備的卡匣、加熱器與固定機構的設計，其餘相同的元件與步驟沿用相同標號，在此不再贅述。此外，本實施例同樣以圖1A中的發光結構10的未經沉澱的發光二極體100來作說明。 請參照圖7，其示出圖1A中的發光結構設置在根據本發明第二實施例的離心沉澱設備上的示意圖。與第一實施例相比較，本實施例的離心沉澱設備200'還包括一卡匣230'與一加熱器240'，卡匣230'與加熱器240'將進一步說明如下。 卡匣230'用以容置且固定數個如圖1A中所示的發光結構10，以同時沉澱此些發光結構10中的未沉澱的發光二極體100的螢光粒子P(如圖1B所示)。各發光結構10的膠體130是以面向容置槽211'的旋轉軸心Y的方式固定在卡匣230'內，且發光結構10彼此相互疊設。因此，固定機構220'經由卡匣230'來固定發光結構10在容置槽211'的內壁211s上。假設發光結構10所包括的多個未經沉澱的發光二極體100沿著方向D排列，則發光結構10優選地是以方向D實質上平行於容置槽211'的旋轉軸心Y的方式設置在卡
9匣230'內，以讓離心力可均勻地提供至未經沉澱的發光二極體100上。
加熱器240'用以提高各發光結構10的溫度。本實施例藉由提高容置槽211'的腔體內的溫度來對應地提高各發光結構10的溫度。由於本實施例的膠體130中的膠材131選用熱固材料，因此，當加熱器240'提高容置槽211'的腔體內的溫度，且對應地增加各發光結構10的溫度時，各發光結構10的膠材131的表面暫時地硬化，以減少凹槽111內的膠體130因各發光結構IO直立地擺放而外流的機率。當然，加熱器240'亦可設置在如圖2所示的離心沉澱設備200中。 此外，本實施例的固定機構220'可擺動地設置在旋轉設備210'的容置槽211'上，用以固定且帶動各發光結構10沿著一第一方向Dl擺動。如此，膠體130可均勻地分布在凹槽111內，以避免凹槽111內的膠體130因各發光結構IO直立地擺放而外流。更進一步來說，請同時參照圖8，其示出沿著圖7中的剖面線8-8'的剖面圖。固定機構220'可更帶動各發光結構10沿著一第二方向D2擺動，且固定機構220'可根據旋轉設備210'的容置槽211'的轉速來決定是否帶動各發光結構10沿著第二方向D2擺動。當固定機構220'帶動各發光結構10沿著第二方向D2擺動時，各發光結構10由其膠體130朝上的位置(如圖8中虛線所示的之位置)轉變成其膠體130面向容置槽211'的旋轉軸心Y的位置(如圖8中實線所示的位置)，或由其膠體130面向容置槽211'的旋轉軸心Y的位置轉變成其膠體130朝上的位置。 為了配合離心沉澱設備200'的卡匣230'、加熱器240'與固定機構220'的設計，如圖9所示，本實施例的離心沉澱方法的流程圖包括步驟301、步驟303'與步驟305。由於圖6中的步驟301與步驟305與圖3中的步驟301及305相同，因此，此處並不再詳細地說明。 步驟301提供數個如圖1A中所示的發光結構10。 接著，步驟303'包括步驟303a與步驟303b，以固定發光結構10在旋轉設備210'上。在步驟303a中，擺置數個發光結構10在卡匣230'內。接著，在步驟303b中，利用固定機構220'來固定卡匣230'在旋轉設備210的容置槽211'的內壁211s上。
本實施例的容置槽211'的直徑為100cm，且在步驟305中是以1500rpm的轉速轉動容置槽211'，以經由固定機構220'與卡匣230'來帶動發光結構IO轉動。由於發光結構10的膠體是以面向容置槽211'的旋轉軸心Y的方式固定在卡匣230'內，因此，各未經沉澱的發光二極體100的膠體130中的螢光粒子P藉由轉動時所產生的離心力來往凹槽111的底面Ills移動，使得膠體130內的螢光粒子P呈現如圖4中所示的分布方式。
本實施例的離心沉澱方法可在步驟305中還包括利用加熱器240'來提高容置槽211'的腔體內的溫度，以對各發光結構IO進行加熱。如此，可藉由固化膠材131的表面來避免膠體130流出凹槽111之外。另外，步驟305亦可還包括沿著圖7中的第一方向Dl或沿著圖8中的第二方向D2來擺動各發光結構10。舉例來說，當步驟305中以旋轉設備210'的轉動的容置槽211'來帶動各發光結構10轉動時，可同時利用固定機構220'的擺動來帶動各發光結構10沿著第一方向Dl擺動，使得膠體130可均勻地分布在凹槽111中，並避免流出到凹槽111之外。再以利用固定機構220'的擺動來帶動各發光結構10沿著第二方向擺動來舉出另一例子。擺動的步驟中可根據轉動的容置槽211'轉動各發光結構10的轉速來決定是否擺動各發光結構10。更進一步來說，各發光結構10可在容置槽211'剛開始轉
10動時，位於如圖8中的虛線所示的位置。然後，待容置槽211'的轉速達到例如是最大轉速的一半時，方將各發光結構10擺動至如圖8中的實線所示的位置。如此，亦可用以避免凹槽111內的膠體130外流。 本實施例藉由卡匣230'的使用來提高同時處理髮光結構10的個數，以在具有第一實施例的優點之外，更進一步具備提高產能的優點。此外，加熱器240'的設置與固定機構220'的可擺動的設計亦可用以避免凹槽lll內的膠體130外流。 本發明上述實施例所公開的離心沉澱方法及應用其的發光二極體與設備，其以提供離心力至發光結構的方式來讓膠體中的螢光粒子可往凹槽的底面的方向移動。如此，螢光粒子可快速地沉澱在晶片的發光面與凹槽的底面上。此外，發光結構中的膠體的表面可達到平整，且可能存在於膠體中的空氣亦可同時排出。如此，發光二極體的發光成效、良率以及品質亦可對應地提升。再者，藉由卡匣的應用，上述實施例更進一步具備提高產能的優點。 綜上所述，雖然本發明已以優選實施例公開如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作各種的更動與潤飾。因此，本發明的保護範圍當視後附的權利要求書所界定的為準。
1權利要求
一種離心沉澱方法，包括以下的步驟(a)提供一發光結構，該發光結構包括一支架、一晶片及一膠體，該支架具有一凹槽，該晶片設置在該凹槽的一底面上，該膠體包括一膠材及多個螢光粒子，該膠材填充在該凹槽內，且覆蓋該晶片，該些螢光粒子分布在該膠材中；以及(b)轉動該發光結構，藉此使該些螢光粒子往該凹槽的該底面的方向移動。
2. 根據權利要求1所述的離心沉澱方法，其中該步驟(b)包括 (bl)固定該發光結構在一旋轉設備上；以及(b2)以該旋轉設備帶動該發光結構轉動。
3. 根據權利要求2所述的離心沉澱方法，其中該旋轉設備具有一容置槽，該步驟(bl) 固定該發光結構在該容置槽的一內壁上，該步驟(b2)利用轉動的該容置槽來帶動該發光 結構轉動。
4. 根據權利要求3所述的離心沉澱方法，其中該步驟(bl)是以該膠體面向該容置槽的 旋轉軸心的方式固定該發光結構在該內壁上。
5. 根據權利要求3所述的離心沉澱方法，其中該步驟(bl)包括 (bll)擺置多個發光結構在一卡匣內；以及(bl2)固定該卡匣在該容置槽的該內壁上。
6. 根據權利要求5所述的離心沉澱方法，其中該步驟(bll)是以相互疊設的方式擺 置該些發光結構在該卡匣內，且以各該膠體面向該容置槽的旋轉軸心的方式擺置該發光結 構。
7. 根據權利要求1所述的離心沉澱方法，還包括 對該發光結構進行加熱。
8. 根據權利要求1所述的離心沉澱方法，還包括 擺動該發光結構。
9. 根據權利要求8所述的離心沉澱方法，其中該擺動的步驟中是根據該轉動該發光結 構的轉速來決定是否擺動該發光結構。
10. —種發光二極體，包括 一支架，具有一凹槽； 一晶片，設置在該凹槽的一底面上；以及 一膠體，包括一膠材，填充在該凹槽內，且覆蓋該晶片；及多個螢光粒子，以覆蓋在該凹槽的該底面上以及該晶片的出光面上的方式分布在該膠 材中。
11. 一種離心沉澱設備，應用於一發光結構，該發光結構包括一支架、一晶片及一膠體， 該支架具有一凹槽，該晶片設置在該凹槽的一底面上，該膠體包括一膠材及多個螢光粒子， 該膠材填充在該凹槽內，且覆蓋該晶片，該些螢光粒子分布在該膠材中，該離心沉澱設備包 括一旋轉設備，用以帶動該發光結構轉動，使得該些螢光粒子往該凹槽的該底面的方向 移動；以及一固定機構，設置在該旋轉設備上，用以固定該發光結構。
12. 根據權利要求11所述的離心沉澱設備，其中該旋轉設備具有一容置槽，該固定機 構設置在該容置槽的一內壁上，該容置槽用以轉動。
13. 根據權利要求12所述的離心沉澱設備，其中該固定機構是以該膠體面向該容置槽 的旋轉軸心的方式固定該發光結構。
14. 根據權利要求12所述的離心沉澱設備，還包括一卡匣，用以容置且固定多個發光結構在其內，該固定機構是經由該卡匣來固定該些 發光結構。
15. 根據權利要求14所述的離心沉澱設備，其中各該發光結構的該膠體是以面向該容 置槽的旋轉軸心的方式固定於該卡匣內，且該些發光結構相互疊設。
16. 根據權利要求11所述的離心沉澱設備，還包括 一加熱器，用以加熱該發光結構。
17. 根據權利要求11所述的離心沉澱設備，其中該固定機構可擺動地設置在該旋轉設 備上，用以固定且帶動該發光結構擺動。
18. 根據權利要求17所述的離心沉澱設備，其中該固定機構根據該旋轉設備的轉速來 決定是否帶動該發光結構擺動。
全文摘要
一種離心沉澱方法，包括以下的步驟。提供一發光結構。發光結構包括一支架、一晶片及一膠體。支架具有一凹槽。晶片設置在凹槽的一底面上。膠體包括一膠材及多數個螢光粒子。膠材填充在凹槽內，且覆蓋晶片。螢光粒子分布在膠材中。接著，轉動發光結構，藉此使螢光粒子往凹槽的底面的方向移動。
文檔編號H01L33/00GK101752476SQ20081018672
公開日2010年6月23日 申請日期2008年12月12日 優先權日2008年12月12日
發明者呂銘倫, 蘇耀慶, 鄧嘉玲 申請人:威力盟電子股份有限公司