一種高溫氧化爐可更換的加熱裝置的製作方法
2023-05-06 16:18:36 2
專利名稱：一種高溫氧化爐可更換的加熱裝置的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及高溫氧化爐，尤其涉及一種高溫氧化爐可更換的加熱裝置的結構。
背景技術：
節能燈粉特別是綠粉燒成工序中對原材料進行高溫燒成氧化反應，溫度要在 1575°C以上而且有硼酸等助熔劑添加。我們知道硼酸在高溫中，對耐火材料具有較強的腐蝕性。高溫和腐蝕性氣體上行，而現有的氧化爐採用套磚嵌套在塞磚內的配合方式支撐和固定加熱器。這種套磚和塞磚的設計結構，是用塞磚的長度來決定熱阻的大小，但塞磚越長與套磚的接觸面積越大，在高溫度、大溫場的腐蝕性氣氛中燒成，極易造成套磚和塞磚燒溶粘結在一起，塞磚無法拔出。這種結構的致命缺陷就是不能及時更換損壞的加熱裝置，如果出現斷棒只好短接，造成惡性循環。無法滿足工藝溫度要求並直接影響產品的質量，可以說這樣的結構是一次性的，如果損壞只能停爐大修。要保證燒成的工藝溫度，及大生產的連續性，新的燒成爐塞磚和套磚的結構，必須能熱態維修，所以不降溫的情況下可以對加熱裝置更換或維修是新燒成爐結構必須達到的核心目標。
實用新型內容為了克服上述技術的缺點，本實用新型提供一種高溫氧化爐可更換的加熱裝置， 該加熱裝置可以在不降溫的情況下進行更換或維修。為達到上述目的，本實用新型提供一種高溫氧化爐可更換的加熱裝置，其包括塞磚、設置在塞磚上的矽鉬棒加熱器、及與塞磚配合的套磚，其中所述塞磚的下表面與所述套磚的上表面扣合連接。優選的，所述塞磚的下表面設有凹槽，所述套磚的上表面設有與所述凹槽扣合的凸起。優選的，所述套磚的上表面設有兩個凸起，該兩個凸起分別與兩個塞磚的下表面的凹槽扣合。優選的，所述塞磚的下表面設有凸起，所述套磚的上表面設有與所述凸起配合的凹槽。優選的，所述套磚的上表面設有兩個凹槽，該兩個凸起分別與兩個塞磚的下表面的凸起扣合。優選的，所述塞磚設有貫穿其上、下表面的安裝孔，所述矽鉬棒加熱器固定在所述安裝孔內；所述套磚設有貫穿其上、下表面的穿孔，所述矽鉬棒加熱器自所述穿孔穿過並自下表面伸出。優選的，所述矽鉬棒加熱器包括平行設置的兩個固定腳及連接兩個固定腳的U型加熱部，所述塞磚設有兩個安裝孔，所述兩固定腳分別安裝在兩個安裝孔內；所述U型加熱部自所述套磚的穿孔穿過並自套磚的下表面伸出。
3[0011]優選的，所述矽鉬棒加熱器設有若干個，其中各矽鉬棒加熱器的固定腳與相鄰加熱器的固定腳連接。本實用新型具有以下有益效果本實用新型的加熱裝置將現有技術中的塞磚和套磚的塞入鑲嵌結構，改變為上下扣合式安裝結構。這種套磚和塞磚的結構，使得套磚和塞磚的接觸面積由以前的49400mm2 減小到了 18565mm2，有效的解決了塞磚和套磚在高溫下燒溶粘結的問題。而且本實用新型的這種設計結構避免了塞磚「塞入」套磚的配合方式，從而克服了現有技術中塞磚難以拔出套磚的技術問題，從根本上解決了更換矽鉬棒加熱器難的問題，使得高溫氧化爐的燒成溫度得以滿足，生產的連續性得以保證、延長了高溫氧化爐的使用壽命。而且由於結構的改變，使得塞磚和套磚的配裝方式也有了質的改變。現有技術中兩種磚的配裝方式主要是「塞」和「套」，而本實用新型的配裝方式主要是「坐」和「撐」。這種配裝方式對增大熱阻有著很好的作用，與現有技術相比，在相同體積的塞磚、套磚條件下， 本實用新型的加熱裝置的熱阻面積顯著增加，使得加熱器冷段溫度明顯降低，形成良性循環、並提高了機械強度。熱阻面積的增大使爐膛的密封性和保溫能力得到明顯改善。即使在1600°C高溫燒成中，與國內同行業使用的氧化燒成爐相比，具有產品品質高，加熱裝置易更換，增加了加熱體及氧化爐的使用壽命長，減少了由發熱體損壞造成的設備停機率，縮短了維護時間，降低了生產成本。
圖1是符合本實用新型的加熱裝置的結構示意圖；圖2是圖1所示的加熱裝置的塞磚的剖視圖；圖3是圖1所示的加熱裝置的套磚的剖視圖；圖4是符合本實用新型的另一實施例的塞磚的剖視圖；圖5是符合本實用新型的另一實施例的套磚的剖視圖。下面將結合附圖和具體實施方式
對本實用新型做進一步說明。
具體實施方式
請參照圖1，高溫氧化爐可更換的加熱裝置包括塞磚1、設置在塞磚1上的矽鉬棒加熱器2、及與塞磚1配合的套磚3。其中塞磚1的下表面11與套磚3的上表面31扣合連接。請結合參閱圖1、圖2和圖3，塞磚1設有貫穿其上、下表面的安裝孔110，矽鉬棒加熱器2固定在所述安裝孔110內；套磚3設有貫穿其上、下表面的穿孔310，矽鉬棒加熱器2 自所述穿孔310穿過並自套磚3的下表面伸出。請參照圖1，所述矽鉬棒加熱器2包括平行設置的兩個固定腳21及連接兩個固定腳21的U型加熱部22 (對矽鉬棒加熱器的描述是否正確？)，所述塞磚1設有兩個安裝孔 110，所述兩固定腳21分別安裝在兩個安裝孔110內；所述U型加熱部22自所述套磚3的穿孔310穿過並自套磚3的下表面伸出。所述矽鉬棒加熱器2設有若干個，其中各矽鉬棒加熱器2的固定腳21與相鄰加熱器2的固定腳21連接。請參照圖2和圖3，在第一實施例中，塞磚1的下表面11設有凹槽111，套磚3的上表面31設有與所述凹槽111扣合的凸起311。在本實施例中，套磚3的上表面31設有兩個凸起311，該兩個凸起311分別與兩個塞磚1的下表面11的凹槽111扣合。其中所述凹槽111的深度為10毫米，所述凸起的高度為5毫米。請參照圖4和圖5，在第二實施例中，塞磚1，的下表面11，設有凸起111，，套磚3， 的上表面31』設有與所述凸起111』配合的凹槽311』。在本實施例中，套磚3』的上表面 31，設有兩個凹槽311，，該兩個凹槽311，分別與兩個塞磚1，的下表面11，的凸起111，扣合。其中所述凹槽311』的深度為10毫米，所述凸起111』的高度為5毫米。所述塞磚1和套磚3均採用密度為1. 4的氧化鋁空心球製成。以上所述不是本實用新型全部或唯一的實施方式，本領域普通技術人員通過閱讀本實用新型說明書而對本實用新型技術方案採取的任何等效的變換，均為本實用新型的權利要求所涵蓋。
權利要求1.一種高溫氧化爐可更換的加熱裝置，其包括塞磚(1、1』)、設置在塞磚上的矽鉬棒加熱器O)、及與塞磚配合的套磚(3、3』)，其特徵在於所述塞磚的下表面(11、11』 )與所述套磚的上表面(31,31')扣合連接。
2.如權利要求1所述的高溫氧化爐可更換的加熱裝置，其特徵在於所述塞磚的下表面設有凹槽(111)，所述套磚的上表面設有與所述凹槽扣合的凸起(311)。
3.如權利要求2所述的高溫氧化爐可更換的加熱裝置，其特徵在於所述套磚的上表面設有兩個凸起，該兩個凸起分別與兩個塞磚的下表面的凹槽扣合。
4.如權利要求1所述的高溫氧化爐可更換的加熱裝置，其特徵在於所述塞磚的下表面設有凸起(111』)，所述套磚的上表面設有與所述凸起配合的凹槽(311』)。
5.如權利要求4所述的高溫氧化爐可更換的加熱裝置，其特徵在於所述套磚的上表面設有兩個凹槽，該兩個凸起分別與兩個塞磚的下表面的凸起扣合。
6.如權利要求1、2、3、4或5所述的高溫氧化爐可更換的加熱裝置，其特徵在於所述塞磚設有貫穿其上、下表面的安裝孔(110)，所述矽鉬棒加熱器固定在所述安裝孔內；所述套磚設有貫穿其上、下表面的穿孔(310)，所述矽鉬棒加熱器自所述穿孔穿過並自下表面伸出ο
7.如權利要求6所述的高溫氧化爐可更換的加熱裝置，其特徵在於所述矽鉬棒加熱器包括平行設置的兩個固定腳及連接兩個固定腳的U型加熱部(22)，所述塞磚設有兩個安裝孔，所述兩固定腳分別安裝在兩個安裝孔內；所述U型加熱部自所述套磚的穿孔穿過並自套磚的下表面伸出。
8.如權利要求7所述的高溫氧化爐可更換的加熱裝置，其特徵在於所述矽鉬棒加熱器設有若干個，其中各矽鉬棒加熱器的固定腳與相鄰加熱器的固定腳連接。
專利摘要本實用新型涉及一種高溫氧化爐可更換的加熱裝置，其包括塞磚、設置在塞磚上的矽鉬棒加熱器、及與塞磚配合的套磚，其中所述塞磚的下表面與所述套磚的上表面扣合連接。本實用新型所述的加熱裝置可以在不降溫的情況下進行更換或維修。
文檔編號F27D11/02GK202229604SQ201120260000
公開日2012年5月23日 申請日期2011年7月22日 優先權日2011年7月22日
發明者劉衛華, 史建雲, 安書明, 王喜濤, 王大偉 申請人:彩虹集團電子股份有限公司