鍍膜基片檢測裝置及鍍膜基片檢測方法
2023-05-29 16:50:26 2
專利名稱：鍍膜基片檢測裝置及鍍膜基片檢測方法
技術領域：
本發明涉及一種鍍膜技術，特別涉及一種鍍膜基片檢測裝置及一種鍍膜基片檢測方法。
技術背景當前，鍍膜工藝在光電產品中，應用極其普遍。較常見的光學鍍膜方法包括真空蒸鍍法 。真空蒸鍍法將基片密封於無汙染物(如粉塵)的真空蒸鍍室內進行蒸鍍，以在基片上形成膜 層。然而，由於技術上的極限，真空蒸鍍室不可能達到完全真空狀態，鍍膜基片通常存在麻 點(粒徑為5-10微米)或白點(粒徑為50-100微米)等不良。因此，需對鍍膜基片進行相關檢測 ，以確定鍍膜基片的質量是否符合要求。目前，常用的檢測方法包括目檢(visual inspection,可能藉助放大鏡偵測麻點)。然而，目檢效率差，標準不一，檢測效果不理想發明內容有鑑於此，有必要提供一種檢測效率高且檢測標準統一的鍍膜基片檢測裝置及鍍膜基片 檢測方法。一種鍍膜基片檢測裝置，其包括一個具有相對兩個端面的暗箱、 一個設置於該暗箱一個 端面的光源、 一個設置於該暗箱另外一個端面的光強度感測器及與一個該光強度感測器電連 接的透過率顯示裝置，該暗箱在該兩個端面之間形成有一個暗箱門及一個與該暗箱門對應的 鍍膜基片收容部，該鍍膜基片收容部用於收容多片由該暗箱門進出的鍍膜基片。一種鍍膜基片檢測方法，其包括提供一個鍍膜基片檢測裝置，該鍍膜基片檢測裝置包括一個具有相對兩個端面的暗箱、 一個設置於該暗箱一個端面的光源、 一個設置於該暗箱另外一個端面的光強度感測器及一個 與該光強度感測器電連接的透過率顯示裝置，該暗箱在該兩個端面之間形成有一個暗箱門及 一個與該暗箱門對應的鍍膜基片收容部，該鍍膜基片收容部用於收容多片由該暗箱門進出的 鍍膜基片；打開該暗箱門；將多片標準鍍膜基片放置於該鍍膜基片收容部；合上該暗箱門；開啟該鍍膜基片檢測裝置；從該透過率顯示裝置讀取透過率作為一個預定透過率； 關閉該鍍膜基片檢測裝置，打開該暗箱門，取出該多片標準鍍膜基片； 將多片鍍膜基片放置於該鍍膜基片收容部； 合上該暗箱門；開啟該鍍膜基片檢測裝置；及從該透過率顯示裝置讀取透過率以判斷該透過率是否高於一個預定透過率；若是，該多 片鍍膜基片合格。利用該鍍膜基片檢測裝置執行該鍍膜基片檢測方法，可同時檢測多片鍍膜基片，檢測效 率高，且檢測標準統一，檢測效果好。
圖l為本發明較佳實施方式的鍍膜基片檢測裝置的立體示意圖。 圖2為圖1的鍍膜基片檢測裝置截面示意圖。 圖3為發明較佳實施方式的鍍膜基片檢測方法的流程圖。
具體實施方式
請一併參閱圖1及圖2，本發明較佳實施方式的鍍膜基片檢測裝置10包括一個暗箱110、 一個光源120、 一個光強度感測器130及一個透過率顯示裝置140。暗箱110包括兩個相對的端 面112、 114。光源120及光強度感測器130分別設置於端面112、 114上。透過率顯示裝置140 與光強度感測器130電連接。暗箱110在兩個端面112、 114之間形成有一個暗箱門116及一個 與暗箱門116對應的鍍膜基片收容部118。鍍膜基片收容部118用於收容多片由暗箱門116進出 的鍍膜基片20(如鍍膜玻璃片)。暗箱110為一個由不透明材料製成的矩形中空箱。端面112、 114為暗箱110與其長度方向 垂直的兩個內表面。暗箱門116形成於矩形中空箱的一個長側面(如頂側面)上。鍍膜基片安 裝部118為形成於矩形中空箱與暗箱門116相對的內表面(如底內表面)上的多個夾持凹槽lla當然，暗箱110並不限於本實施方式，可視檢測需求製成其他形狀，如圓筒狀(用於測試 圓形鍍膜基片)。優選地，光源120為可見光面光源。更加優選地，光源120面積與端面112形狀相配合， 以降低光源120的邊緣現象。光強度感測器130為光度計(Photometer)，用於感測光源120發出的可見光經過多片鍍膜 基片20後的強度，並換算為透過率。透過率顯示裝置140可採用液晶顯示器，其固定於暗箱110上，當然，也可分離設置。透 過率顯示裝置140用於讀取光強度感測器130輸出的透過率(光源120發出的光經過多片鍍膜基 片20的透過率)，並顯示出來。請一併參閱圖3，本發明較佳實施方式的鍍膜基片檢測方法包括以下步驟步驟310:提供鍍膜基片檢測裝置10;步驟320:打開暗箱門116;步驟322:將多片標準鍍膜基片(圖未示)放置於鍍膜基片收容部118;步驟324:合上暗箱門116;步驟326:開啟鍍膜基片檢測裝置10;步驟328:從透過率顯示裝置140讀取透過率作為一個預定透過率(如90%); 步驟330:關閉鍍膜基片檢測裝置IO，打開暗箱門116，取出該多片標準鍍膜基片； 步驟332:將多片鍍膜基片20放置於鍍膜基片收容部118;步驟334:合上暗箱門116;步驟336:開啟鍍膜基片檢測裝置10;及步驟338:從透過率顯示裝置140讀取透過率(光源120發出的光經過多片鍍膜基片20的透過率)以判斷該透過率是否高於該預定透過率(如90%);若是，則多片鍍膜基片20合格；若否，多片鍍膜基片20中存在不合格的鍍膜基片20(此情況下，可將多片鍍膜基片20與其他鍍膜基片配合重新檢測，或進行目檢)。可以理解，多片鍍膜基片20通常經由同批次的蒸鍍工序得到，其鍍膜質量差異較小。利 用鍍膜基片檢測裝置10及鍍膜基片檢測方法30進行檢測，可提高檢測效率，且檢測標準統一，檢測效果好。應該指出，上述實施方式僅為本發明的較佳實施方式，本領域技術人員還可在本發明精 神內做其它變化。這些依據本發明精神所做的變化，都應包含在本發明所要求保護的範圍之 內。
權利要求
1.一種鍍膜基片檢測裝置，其特徵在於包括一個具有相對兩個端面的暗箱、一個設置於該暗箱一個端面的光源、一個設置於該暗箱另外一個端面的光強度感測器及一個與該光強度感測器電連接的透過率顯示裝置，該暗箱在該兩個端面之間形成有一個暗箱門及一個與該暗箱門對應的鍍膜基片收容部，該鍍膜基片收容部用於收容多片由該暗箱門進出的鍍膜基片。
2.如權利要求l所述的鍍膜基片檢測裝置，其特徵在於，該暗箱為 一個由不透明材料製成的矩形中空箱，該兩個端面為該暗箱與其長度方向垂直的兩個內表面 ，該暗箱門形成於該暗箱的一個長側面上，該鍍膜基片安裝部為形成於該暗箱與該暗箱門相 對的內表面上的多個夾持凹槽。
3.如權利要求l所述的鍍膜基片檢測裝置，其特徵在於，該光源為面光源。
4.如權利要求l所述的鍍膜基片檢測裝置，其特徵在於，該光源面 積與其對應的端面面積相配合。
5.如權利要求l所述的鍍膜基片檢測裝置，其特徵在於，該光源為 可見光光源。
6.如權利要求l所述的鍍膜基片檢測裝置，其特徵在於，該光強度 感測器包括光度計。
7.如權利要求l所述的鍍膜基片檢測裝置，其特徵在於，該透過率 顯示裝置包括液晶顯示器。
8.如權利要求l所述的鍍膜基片檢測裝置，其特徵在於，該透過率 顯示裝置固定於該暗箱上。
9. 一種鍍膜基片檢測方法，其包括 提供一個鍍膜基片檢測裝置，該鍍膜基片檢測裝置包括一個具有相對兩個端面的暗箱 、 一個設置於該暗箱一個端面的光源、 一個設置於該暗箱另外一個端面的光強度感測器及一個與該光強度感測器電連接的透過率顯示裝置，該暗箱在該兩個端面之間形成有一個暗箱門 及一個與該暗箱門對應的鍍膜基片收容部，該鍍膜基片收容部用於收容多片由該暗箱門進出 的鍍膜基片；打開該暗箱門；將多片標準鍍膜基片放置於該鍍膜基片收容部；合上該暗箱門；開啟該鍍膜基片檢測裝置；從該透過率顯示裝置讀取透過率作為一個預定透過率； 關閉該鍍膜基片檢測裝置，打開該暗箱門，取出該多片標準鍍膜基片； 將多片鍍膜基片放置於該鍍膜基片收容部； 合上該暗箱門；開啟該鍍膜基片檢測裝置；及從該透過率顯示裝置讀取透過率以判斷該透過率是否高於一個預定透過率；若是，該 多片鍍膜基片合格。
全文摘要
本發明提供一種鍍膜基片檢測裝置。該鍍膜基片檢測裝置包括一個具有相對兩個端面的暗箱、一個設置於該暗箱一個端面的光源、一個設置於該暗箱另外一個端面的光強度感測器及一個與該光強度感測器電連接的透過率顯示裝置，該暗箱在該兩個端面之間形成有一個暗箱門及一個與該暗箱門對應的鍍膜基片收容部，該鍍膜基片收容部用於收容多片由該暗箱門進出的鍍膜基片。利用該鍍膜基片檢測裝置可同時檢測多片鍍膜基片，檢測效率高，且檢測標準統一，檢測效果好。另外，本發明還提供一種鍍膜基片檢測方法。
文檔編號G01N21/01GK101576492SQ20081030152
公開日2009年11月11日 申請日期2008年5月9日 優先權日2008年5月9日
發明者王仲培 申請人:鴻富錦精密工業(深圳)有限公司;鴻海精密工業股份有限公司