海水淡化電磁分離部件的製作方法

2023-05-23 23:39:31 1

海水淡化電磁分離部件的製作方法
【專利摘要】一種海水淡化電磁分離組件；口磁鐵線圈纏繞在口磁鐵磁芯上、C磁鐵線圈纏繞在C磁鐵磁芯上，口、C磁鐵線圈接交變電源；其特徵是用內外筒相套構成夾層，把夾層分成外柱和內柱；使口磁鐵磁軛在內筒內、C磁鐵的兩磁極緊貼內柱或外柱上下端面，在夾層上下端分別裝上柱管；使上端柱管與進管相接、下端柱管分別與淡管和濃管相接；海水從上端柱管進入夾層、淡化水和濃海水從下端柱管流出。
【專利說明】海水淡化電磁分離部件
[0001]

【技術領域】： 本發明涉及海水淡化設備，具體是海水淡化電磁分離部件。
[0002]

【背景技術】： 海水淡化，又名海水脫鹽。海水中的鹽以離子形式存在於海水中。現今用於海水淡化 設備中的分離部件有：蒸餾、電滲析和反滲透。蒸餾設備可細分為多級閃化(MSF)、多級蒸 餾(MED)和蒸汽壓縮（VC)，其中技術最成熟的多級閃化中的分離部件主要有兩個系統：一 個是加熱區，一般用蒸氣做熱源，蒸氣冷凝後回到鍋爐。另一個為閃化區，一般為一個多級 閃化與熱回收區。電滲析設備中的分離部件由膜堆、極區和夾緊裝置組成。膜堆包括若干 個膜對，一張陽膜、一張濃（或淡）室隔板、一張陰膜、一張淡（或濃）室隔板組成一個膜 對，隔板放在陽、陰膜之間。極區包括電極、極水框和保護室，極區設在膜堆兩端。蓋板和螺 杆把極區和膜堆連成整體。反滲透設備中的分離部件有：板框式、管式、螺旋卷式及中空纖 維式。板框式由若干塊圓形多孔透水板重疊組成。透水板兩面都貼有反滲透膜，膜四周用 膠粘劑和透水板外環密封。透水板外環有密封團支撐。管式是把膜和支撐物製成管狀，將 兩者裝在一起，再將一定數量的管，以一定方式聯成一體。螺旋卷式是把幾個膜元件串聯起 來，裝入圓筒形耐壓容器中。膜元件是在兩層膜中間夾一層多孔的柔性格網，將它們的三邊 粘合密封起來，在下面鋪一層供廢液體通過的多孔透水格網，將另一開放邊與一根多孔集 水管密封連接，以集水管為軸，將膜葉螺旋卷緊而成。中空纖維式是將成束的外徑為50? 100 μ m、內徑為25?42 μ m的中空纖維膜彎成U字形裝入耐壓圓筒容器中，將纖維膜開口 端固定在環氧樹脂管板上。蒸餾、電滲析和反滲透中的分離部件的脫鹽能耗都很高，在這三 種當中，反滲透能耗最低，僅為電滲析的二分之一、蒸餾的四十分之一，但目前世界上有準 確報導的反滲透海水淡化設備脫鹽能耗最低耗電量也達6kwh/噸。
[0003]


【發明內容】
： 111發明目的： 本發明需要解決的技術問題是：克服【背景技術】高淡化能耗的不足，用電磁淡化海水，提 供一種低淡化能耗的海水淡化電磁分離部件。
[0004] [2]技術方案： ①主要構想：用外筒和內筒兩隻中空直稜柱直筒相套構成一環柱狀夾層；兩隻直筒底 面均為矩形、底面環圖形相似、高度相等，相套的兩直筒相對側面平行、夾層中空部分厚度 相等、中軸線重合；把夾層中空部份分成外柱和內柱兩個部分，分面是內外柱的界面，分面 是一橫向截面與內筒底面環外圈相似、由與內筒或外筒等橫向距離點構成的中空直柱體； 外柱在外筒一側，內柱在內筒一側；取一芯體口形電磁鐵，即：口磁鐵，使口磁鐵的一段磁 軛在內筒內；取一兩磁極相對芯體C形電磁鐵，S卩：C磁鐵，使C磁鐵的兩磁極採取下列之 一：甲是兩磁極端面緊貼內柱上下端面、填滿內柱上下端面、成完整環繞內筒內磁軛的環形 面；乙是兩磁極端面緊貼外柱上下端面、填滿外柱上下端面、成完整環繞內筒內磁軛的環形 面；分面、內筒內磁軛、兩磁極間和直筒的中軸線重合；I tl和Etl分別是口磁鐵磁場在甲內乙 外內產生的渦旋電流和感生電場，甲內乙外是指甲時內柱乙時外柱,B是C磁鐵兩磁極間磁 感強度，Itl和B是同頻率、同時為零值、同時改變方向的正弦波；為甲時，Itl與B同相，S卩=I tl 和B的方向使內柱內沿Etl運動的陽離子所受洛侖茲力從內柱內圈指向外柱；為乙時，Itl與B 反相，S卩=Ic^PB的方向使外柱內沿Etl運動的陽離子所受洛侖茲力從外柱外圈指向內柱；在 內外柱上端安裝柱管與進水的進管相接，甲內乙外下端安裝柱管與流淡化水的淡管相接， 甲外乙內下端安裝柱管與流濃海水的濃管相接；甲外乙內是指甲時外柱乙時內柱；海水從 上柱管進入夾層、從下柱管流出夾層，即：軸向通過夾層，流向與B磁感線和直筒中軸線平 行、與I tl渦旋方向垂直；上述內筒內磁軛也可用口磁鐵的磁芯或線圈或磁芯線圈的直柱體 段替代，直筒底面也可改為圓形或多邊形。
[0005] ②具體技術方案：口磁鐵線圈，S卩：口線圈，纏繞在口磁鐵磁芯上，C磁鐵線圈，即： C線圈，纏繞在C磁鐵磁芯上，口、C線圈接交變電源；其特徵是：內外筒高< 20cm、夾層的 中空厚 1500Hz電源替代；用下列方法最終確定直折濃淡閥流量值比：在可變電容量 確定後，不改變直折閥總流量，分次使直閥流量減、折閥流量增，每次改變，同步依改變的直 折閥流量確定濃淡閥流量，直到電導值開始有變化前為止；分次加大直折閥總流量，依上面 最後直折閥流量比確定直折閥流量，每次改變，同步依直折閥流量確定濃淡閥流量，直到電 導值開始有變化且微調可變電容也不能使其恢復到零值前為止；上述過程要交替進行、小 步多次，直到只要進行上面兩過程、電導值就不為零值前停止；電磁分離部件要滿足條件： (I)T1 =(1. 1 ?1·3)ΧΤ2 ;(2)?\ = Θ XD / V; θ = 〇·5Χ ( π - β )，β = 0.05?0· 15JI 弧 度；原水黏度和電阻率越高、β取值越大，普通海水的β = 〇. 05、. 25 ;上述中=T1是C磁 鐵兩磁極間離子Q甲時從內柱內圈移動到外柱乙時從外柱外圈移動到內柱所需時間，T2是 水流通過兩磁極間有效距離P的時間，D是極環寬，極環是指C磁鐵磁極端面環，V是Q因 Itl 的運動速度。
[0006] ③口、C磁鐵的具體技術方案：口磁鐵芯體軸向截面是一矩形環，S卩：口環，口環內 高寬=夾層高度+2X (磁極高度+ ξ +￡) + Γ30αιι、（0. 2?1)X 口環內高；倒U由一橫 磁軛和兩端磁軛構成，橫磁軛在橫向、內長=口環內寬，端磁軛在軸向、內長=ri6cm、下端 是連構，兩端磁軛上端與橫磁軛兩端垂直相接；正U由一行磁軛、一側磁軛和一磁芯構成， 行磁軛在橫向、內長=橫磁軛內長、與橫磁軛相對，側磁軛和磁芯在軸向、兩者相對、兩者內 長相等、內長=口環內高一端磁軛內長一連構重疊長，側磁軛和磁芯上端是連構，側磁軛和 磁芯下端與行磁軛兩端垂直相接；C磁鐵磁極是一底面與甲內乙外端面相同矩形環的中空 直稜柱，磁極截面內外長寬=甲內乙外端面內外長寬，磁極軸向分為磁路和極柱兩部分，極 柱非接磁路端面就是磁極端面；磁極高=磁路高+極柱高；原磁路高=L，L是柱線周長，柱 線是極環中位線；極柱高=KT45cm ;在電磁分離部件中，採用重疊加厚降低原磁路高度， 上磁極重疊加厚做法是：在原磁路一外側面的橫向正中位置確定與磁軛相接區，相接區是 一矩形、面積=LXD ;矩形頂角依順時針序是&、X2、X3、X4，極柱上端面外圈頂角依順時針 序是X 7、X8、X9、X1Q，X。和X5分別是X 1Xp X8X9的中心，X。和X5正斜對，X3、X 4和X6在極柱上 端面外圈上；新磁路的軸向截面為矩形；軛路是相接區的新磁路，軛路是一外側面與相接 區相同的等厚矩形塊；輒路厚 =X5到X3柱線長XD / X1X4商；新磁路有斜口和等商兩種， 兩種都是在原磁路上向外加厚；斜口磁路是在原磁路的X 5和Χι、&和\之間同斜度分別畫 一同傾角連直線X5Xp X5X2，去掉X5Xp X5X2和X1X2以上的原磁路，使新磁路厚=軛路厚；等 高磁路是在原磁路的X 1和X2之間畫一不過Xtl的平行於極環外圈的連直線，去掉該連直線 和X 1X2以上的原磁路，再採用下列之一：(-)從X5沿X8X 7X4、X9XltlX3走向移動X 6，使X6點新磁 路厚=X5到X6柱線長XD / X1X4高；e)使新磁路：Χ8Χ9厚=X 5到X9柱線長XD / X1X4高， X8X7厚=X9Xltl厚=X5到X 7柱線長XD / X1X4高，X7X4厚=X3X ltl厚=軛路厚，X7和Xltl轉角 處厚寬=X7X 4厚、X8X7厚，X7處兩外側與x7x 4、X8X7外側齊平、Xltl處兩外側與X3X 1(I、X9Xiq外 偵濟平；χ8和X 9轉角處厚寬=X8X9厚、X8X7厚，X 8處兩外側與x8x9、X8X7外側齊平、X 9處兩 外側與x8x9、X9X1C 1外側齊平；下磁極磁路重疊加厚與上磁極相同；c磁鐵連接兩磁極的磁軛 和磁芯軸向截面是一缺一邊的矩形環，即：C環，C環內高寬=2Χ (磁極內長+ ξ +￡) + 夾層高+ 3?20cm = 口環內高一 2?20cm、（0. 2?I) XC環內高；C磁鐵磁軛截面高寬=軛路 外側面高寬山結構C磁鐵：倒L由一平磁軛、一堅磁軛和一上磁極構成，平磁軛在橫向、內 長=C環內寬一磁路厚+ D，堅磁軛和上磁極在軸向，堅磁軛內長=l~16cm，堅磁軛下端是 連構，堅磁軛和上磁極上端與平磁軛兩端垂直相接；正L由一磁芯、一直磁軛和一下磁極構 成，磁芯和下磁極在軸向、磁芯與磁極相對、磁芯內長=C環內商一堅磁軛內長一連構重疊 長，磁芯上端是連構，直磁軛在橫向、與平磁軛相對、內長=平磁軛內長，磁芯和下磁極下端 與直磁軛兩端垂直相接；π結構C磁鐵：π芯由一磁芯和兩磁軛構成，磁芯在軸向、內長= C環內高，兩磁軛都在橫向、兩磁軛相對、內長=C環內寬一套筒底至極柱外側橫向距離，兩 磁軛一端部為連構端柱，兩磁軛非連構端與磁芯兩端垂直相接；套極由一套筒和一磁極構 成，套筒是四壁等厚、有一底部的中空直稜柱；套極套筒底部與磁路相接，底部有一與軛路 外側部分相配凹缺，凹缺內空深=(〇.8~1) X底部厚，凹缺下上內側面接軛路上下側面、底 接軛路外側面，套筒與磁極垂直相接，套筒中軸線穿過軛路正中心；口、C磁鐵製作材料有 四種方案：㈠ 都用磁粉芯磁，即：粉磁；㈡口磁鐵用薄片疊制磁，即：疊磁；C磁鐵用粉磁；㈢ 口磁鐵磁軛、磁芯、C磁鐵磁芯用疊磁，C磁鐵磁極和與磁極相接的磁軛用粉磁；(四)口、C磁 鐵磁軛、磁芯用疊磁，C磁鐵磁極採用粉磁；連構是相互連接的J和W ;此處的連接是指既 能組裝固定又能拆卸分離J是一軛芯極的連接處，W是與J連接軛芯的連接處，軛芯極是 指磁軛或磁芯或磁極，軛芯是指磁軛或磁芯；相同材料的軛芯和軛芯極連接有三種形式： ㈠ 百葉互疊，JW都是由若干直面板構成，相鄰板分離、側面平行，板厚長寬=0. 01~0. 5cm、 0. 5?15cm、軛芯截面寬，J空缺厚=W要插入板厚，W空缺厚=J要插入板厚；J板插入W空 缺內、W板插入J空缺內，JW板交替地互相疊在一起、截面與軛芯截面完全相同；㈡端筒芯 柱，端筒J是截面外圈與軛芯截面相同、四壁等厚的中空直稜柱，J截面外長寬=軛芯截面 長寬、內長寬=軛芯截面長寬一 〇. l~5cm、內空深=0. 5~15cm，芯柱W是底面與軛芯截面相 似的直稜柱，W截面長寬=J截面內長寬、軸線長=J內空深；W伸進J內，WJ和軛芯中軸 線重合；㈢套筒端柱，端柱W是軛芯端部，套筒J截面內圈與軛芯截面相同、截面內長寬=W 截面長寬、外長寬=W截面長寬+ 0. f 5cm、內空深=0. 5?15cm、軸線外長=內空深+ J截 面外內寬差值+ (Tl5cm ;軛芯端部套筒的底部接軛芯；W伸進J內，WJ和軛芯中軸線重合， J外端環寬可縮小至〇. l~〇. 3cm、即：把中空直柱體J變為中空直臺柱J ;芯柱或端柱一般在 磁芯、或與磁芯成一體或連成一體的磁軛端部；端筒或套筒緊挨底部側壁上留有細小通氣 洞；疊磁軛芯與粉磁軛芯極連接有兩種形式：(-)疊磁軛芯與粉磁軛芯極截面積相同，每一 種材料軛芯極磁通密度值 < 所有材料中較小飽和磁通密度值，￠=)疊磁軛芯與粉磁軛芯極截 面積不同：⑴疊磁飽和磁通密度值/粉磁飽和磁通密度值=粉磁軛芯截面積或軛路外側面 面積/疊磁軛芯截面積，⑵每一軛芯極磁通密度值 <該軛芯極材料飽和磁通密度值，⑶採 用套筒端柱連接：1〉粉磁套極與疊磁軛芯連接：端柱頭是一臺柱，臺柱兩側面在軸向、兩側 面在橫向，軸向側面為矩形、高=軛芯截面軸向高，橫向側面為梯形，軸向二側面面積和十 臺柱小底面積=(I. 1~1. 3) X端柱為粉磁端柱時的截面積；2〉粉磁軛芯與疊磁軛芯連接： 疊磁軛芯連接處為端柱，粉磁軛芯連接處為套筒，端柱頭是一臺柱，臺柱小底面與軛芯截面 相似、四側面均為梯形，臺柱四側面面積和+臺柱小底面面積=(1. Γ1. 3) X端柱為粉磁 端柱時的截面積；在1〉2〉中，臺柱大底面是軛芯截面，小底面中心在軛芯中軸線上，套筒底 部內側均改為與臺柱相配的凹臺柱缺，套筒截面外長寬、內長寬、內空深=為粉磁端柱時套 筒外長寬、為疊磁端柱時套筒內長寬、臺柱高+ 〇. 5~15cm ;3〉設計長寬比例軛芯與粉磁套 極連接：在磁極與套筒之間加一長為（〇.5~l. 4) X軛路橫向寬、與磁極垂直相接的粉磁磁 軛，再使套筒與設計長寬比例軛芯端柱連接A1和N2這樣確定：先確定U 1、U2，依據Ic^N1L = U1S ;Ι。= ΦΧ Σ9·6Χ104Χ PkVS / M確定N1 ;Φ = sin3 ;在假定海水中的鹽全是氯化鈉 時，後式改為= 3. 3Χ103Χ δ CDVS ;再依據 α、Y 值確定 N2 ; a = U2 / U1 = 0. 5?1，Y =N1U2 / N2U1 = 0. 4?1. 3, R = Ilm / Itlm ; α、Υ值越大，R值就越大、無用能耗就越高；上 述中：UpU2是口、C線圈兩端電壓，NpN 2是口、C線圈匝數，M是Q的摩爾質量，P是Q的質 量百分含量，k是Q所帶基本電荷數，μ是海水電阻率，S是甲內乙外軸向截面面積，I 1是C 磁鐵磁場在兩磁極間產生的渦旋電流；上述軛芯與軛芯垂直相接是截面形狀和截面尺寸不 變、中軸線相互垂直的軛芯直角彎頭，軛芯或套筒與磁極垂直相接是中軸線相互垂直、通導 磁路截面積不變的帶有軛芯或套筒的磁極，兩者都是一整體設計製作結構；在實際運用中， 粉磁磁芯或磁芯和磁軛內也可拌入相對磁導率高、絲徑在0. l~〇. 5mm的軟磁體絲條，絲條 走向與軛芯極中軸線相同、質量佔比20%?80%。
[0007] ④柱管的具體技術方案：直柱管由一均流板、一內壁、一外壁、一底板、八橫板和兩 坡環構成，折柱管由一均流板、一環板、一端板、一內壁、一外壁、一底板、八橫板和兩坡環構 成；內外壁都是底面內外圈與內筒端面內圈相似的中空直稜柱體，柱管內外壁成內外相套 夾壁，直折柱管橫向過流面積比=濃淡閥流量比；甲外乙內厚=直柱管內外壁間距+￡ ;嶺 面是一界面，嶺面是一在甲內乙外內外圈之間的中空直柱體，嶺面與直筒側面平行、底面相 似；甲時內柱內圈到嶺面乙時外柱外圈到嶺面間的橫向過流面積=折柱管橫向過流面積， 甲時嶺面到內柱外圈乙時嶺面到外柱內圈距離Y = (1?2) XT0VXArctgR / 2 π Θ，Y = 〇 時，嶺面與甲時內柱外側面乙時外柱內側面重合；Ttl是電源周期；串線是一串直線排列穿 孔的中心連線；均流板由均一和一均二組成；均一是環形直面篩板，穿孔孔型相同、孔徑相 等、孔距相等、串線距相等、串線柱管壁距相等、串線距=2X串線柱管壁距、串線與柱線平 行，均一內外長寬=內壁外長寬、夕卜壁內長寬、內外圈接內外壁；均二設置與均一上述設置 相同；均一與底板相對，均一與底板間距=底口時擋一軸向高一均一厚，上柱管均一二穿孔 面積和比=10: 6?20:19,下柱管均二一穿孔面積和比=10: 6?20:19,均一二平行相對，上 柱管均一二間距=(51) X均二孔距；下柱管均一二間距=(51) X均一孔距、或=上柱 管均一二間距，均一厚=均二厚=0. 5~2mm ;底板、環板和端板都是環形面板；底板內外長 寬=內壁外長寬、外壁內長寬，底板內外圈接內外壁埠；底板和均流板側面都在橫向、兩 者側面平行；為甲時：㈠ 底口時，直柱管：內壁內長寬=分面長寬、壁高=極柱高一 〇~25cm， 外壁外長寬=外筒外長寬、壁1? =內壁壁1?+ ξ ;折柱管：內壁外長寬=內筒內長寬一入、 壁高=直柱管外壁高+ ￡，外壁內長寬=內筒內長寬、壁高=直柱管內壁高，環板內外長寬 =內壁外長寬、內筒內長寬，環板內圈接內壁未接底板埠；端板內外長寬=內柱端面內外 長寬，端板內圈接外壁未接底板埠；(二)壁口時，折柱管外壁壁高=極柱高+ X7磁路高+ 3~10cm，折柱管內壁壁1? =折柱管外壁1?+ ξ +￡，其它設置與底口時相同；為乙時：(-)底 口時，直柱管：夕卜壁外長寬=分面長寬、壁1? =極柱1?一 〇~25cm，內壁內長寬=內筒內長 寬、壁高=外壁高+ ξ ;折柱管：內壁內長寬=外筒內長寬、壁高=直柱管外壁高，外壁內 長寬=外筒外長寬+ λ、壁1?=直柱管內壁_+￡;環板內外長寬=外筒外長寬、夕卜壁內長 寬，環板外圈接外壁未接底板埠；端板內外長寬=外柱端面內外長寬，端板外圈接內壁 未接底板埠；(二)壁口時，直柱管外壁壁高=極柱高+ X7磁路高+ 3~10cm，直柱管內壁壁 高=直柱管外壁高+ ξ，其它設置與底口時相同；除均流板與內外壁相接外，上述板和壁 相接是板側面與壁埠橫向齊平；水口是矩形開口，水口數量=擋一數量；底口：兩相對口 邊垂直於內外壁，底口一口邊與底擋齊平，底口口面與中擋相對，底口中心在底板環中位線 上；管構時，底口長寬=內外壁間距、〇. 5~4cm，板構時，底口長寬=內外壁間距+ 2￡、ηΧ底 口長；壁口 ：上柱管的四個壁口分別在四外壁左上角，壁口口面與擋一垂直，管構時，右口 邊與擋一左側面齊平、壁口上口邊與底板下側面齊平、左口邊與壁口同角不同面的左側外 壁內側面齊平，壁口長寬=〇. 5~4cm、內外壁間距；板構時，右口邊與擋一右側面齊平、壁口 上口邊與底板上側面齊平、左口邊與壁口同角不同面的左側外壁外側面齊平，壁口寬長= 內外壁間距+ 2 ￡、nX底口寬；上述中的左和右也可互換；下柱管壁口與上柱管壁口相同； 底口和壁口可同時使用；接構分為管構和板構兩種；管構是一內空水口端與水口相同、水 管端與水管相同、中間是變口管的結構，水口端壁厚=(1~1. 5) X ￡、與口邊相接為一整體、 內側與口邊齊平，水管端是一有與水管相配鎖扣紋或外螺紋管、或法蘭盤；板構是一由η個 相同正方塊拼成的矩形金屬板，板構長寬=水口長寬，板構放置在水口內、側面與底板或同 角同面側壁側面齊平、兩邊與內外壁或底板和同角不同面側壁齊平；每一正方塊都有一圓 孔，孔直徑=水口寬一 2~4mm，孔有與接管相配內螺紋，孔中心與方塊中心重合；板構是柱 管上的鑲件、在與柱管壁板擋一相接部分都接有若干寬=1~4_、長=2~5_、厚=1~2_的 固定用爪片，爪片鑲嵌在柱管壁板擋一內；在柱管上端板下側和下端板上側可都設四橫板 和一坡環；橫板是直條板、寬=D + 2 ￡、高=ξ，橫板與端板垂直相接、兩端與十字位線上 的兩擋二矩形條側邊軸向相接、側面與相接擋二共面；下坡環是一由等高、外正、內倒兩矩 形底面直臺體相套構成的環狀結構；外臺體上內長寬、下外長寬=嶺面長寬、極環外長寬+ 2 ￡ ;內臺體上內長寬、下內長寬=嶺面長寬、極環內長寬一 2 ￡ ;兩直臺體上端相接、下端底 側接端板兩側柱管壁端、下端橫側與兩下柱管擋二相挨，坡環軸向截面為Λ形，下坡環高 =橫板高，橫板穿過相遇坡環並與相遇坡環相接，橫板與擋板相接是一體化相接；上下坡環 相同；橫板和坡環板厚=(〇.4~1) X ￡、橫板厚=擋板厚、用非導體非磁體材料製作。
[0008] [3]有益效果： 海水淡化就是把發生淡化的空間分成I和II兩個部分，再採取下列之一：㈠ 是使海水 同時進入I和II，再使I內的離子運動到II內；㈡是讓海水只進入到II內、再只使水分子運 動到I內；使I內成為不含離子的淡化水，II內變成富集離子的濃海水。由【背景技術】可知： 在已有的分離部件中，反滲透淡化能耗最低，反滲透淡化就是採用上述㈡，由於海水滲透壓 很高，所以反滲透淡化能耗還是很高。本發明採用上述㈠ ，利用相互垂直的Etl和B的共同作 用，使I內變成淡化水、II內變成濃海水。在開啟的電磁分離部件中，Q受到EpEpB和水流 流動的共同作用；E 1是C磁鐵磁場在甲內乙外產生的感生電場；由於E1理論值大約是Etl理 論值的萬分之一；另外，淡化過程的影響可用一些設置加以規避和消除；所以E 1在此可 不予考慮；物理教科書現成結論是：在相互垂直Etl和B中的Q，將沿著若干條鐘擺軌跡線運 動到甲外乙內，軌跡線在垂直於B的平面內，上一條軌跡線終點為下一條軌跡線始點；軸向 流動水流對Q橫向運動沒有影響；所以甲外乙內會積聚Q而變成濃海水，甲內乙外會移去Q 而變成淡化水。以甲電磁分離部件為例，假定電源採用50Hz、220伏市電,N1 = 4400匝、P = 10cm、L = 0· 5m、D = lcm、B = 0· 8 特、Θ = L 47、Φ = 0· 1、R 視為零值；I。= 10000 安；V =8. 54 / 0· 1 = 85. 4cm/s J1 = L 47X0. 012 = 0· 018s ;假定此時直折閥流量為 10kg/s， 水流夾層軸向流速=2m/s，即：T2 = 0. 05s ;如果將直折閥流量比設置為1:1，就可實現淡化 能力432噸/日。不包括口磁鐵磁損和線損，口磁鐵所耗電功率理論值是500W ;C磁鐵是儲 能元件、磁損和線損都非常低，I1耗能非常少。所以，本發明淡化水量特大、淡化效果特好、 淡化能耗特低。本發明淡化能耗是現今反滲透設備淡化能耗的〇. 1%
[0009]

【專利附圖】

【附圖說明】： 圖1是甲電磁分離部件結構主視圖 圖2是圖1中A -A剖面圖 圖3是圖1直柱管、折柱管和內外筒組合結構主視圖 圖4是套極主視圖 圖5是套極左視圖 圖6是套極俯視圖 具體實施： 下面結合實施例附圖對本發明作進一步描述。
[0010] 本發明實施例設定電源為50Hz、220伏市電，B設置採用同相㈠ ；設定D、P、 L，通過D、P和設計的淡化量得到T2，依T2得T1，依T1得V ;依V、D和P等得Itl = 10000安， 再依D、P、U1, L和I。得N1 = 5360匝、N2 = 5000匝；再設置：夾層中空厚=3cm，內柱（15) 厚=2cm、外柱（43)厚=Icm;直筒（18) (19)和柱管（12) (14) (13) (37)用醛類塑料制 作，直筒（18) (19)、柱管（12) (14) (13) (37)壁板厚=Imm;磁軛（4) (5) (6)、磁芯（3)、 磁軛（8) (10)、磁芯（9)和磁極（11) (7)採用坡莫合金粉磁製作；外筒（18)內長寬高= 36. 4cm、23. 4cm、IOcm ;內筒（19)外長寬=28. 4cm、15. 4cm、高=IOcm ;磁極（11) (7)端面內 長寬=28. 4cm、15. 4cm，外長寬外長寬=32. 4cm、19. 4cm，高=10cm，兩端面距離=10. 2cm ; 磁軛（5)橫截面長寬=26cm、13cm ;均流板（36)距底板（39) = 2. 5cm ;均流板（45)距底板 (30) = 2. 5cm ;均流板（32)距底板（27) = 2. 5cm ;均流板（35)距底板（29) = 2. 5cm ;直 柱管（13) (37):外壁（20) (40)內長寬高=36.6cm、23.6cm、llcm，內壁（38) (21)外長寬 高=34. 6cm、21. 6cm、10cm，均流板（36) (45)外長寬=36. 6cm、23. 6cm，內長寬=34. 6cm、 21. 6cm，底板（39) (30)外長寬=36. 6cm、23. 6cm，內長寬=34. 6cm、21. 6cm ;折柱管（12) (14):外壁（26) (23)外長寬高=28. 4cm、15. 4cm、10cm，內壁（28) (22)外長寬高=26. 2cm、 13. 2cm、11. lcm，均流板（32) (35)外長寬=28. 2cm、15. 2cm，內長寬=26. 2cm、13. 2cm，底 板（27) (29)外長寬=28. 2cm、15. 2cm，內長寬=26. 2cm、13. 2cm ;端板（25) (24)內長寬 =28. 4cm、15. 4cm，外長寬=34. 4cm、21. 4cm ;環板（41) (42)內長寬=26. 2cm、13. 2cm，外 長寬=28. 2cm、15. 2cm ;其它尺寸依據上面的表述推算得到。
[0011] 本發明實施例見圖1至圖6 ;在圖1至圖6中，直柱管（37)由均流板（45)、內壁 (38) 、外壁（40)和底板（39)構成，直柱管（13)由均流板（36)、內壁（21)、外壁（20)和底板 (30)構成；折柱管（12)由均流板（32)、環板（41)、端板（25)、內壁（28)、外壁（26)和底板 (27)構成，折柱管（14)由均流板（35)、環板（42)、端板（24)、內壁（22)、外壁（23)和底板 (29)構成；內筒（19)兩埠接環板（41) (42)外圈、外筒（18)兩埠接外壁（40) (20); 內壁（38) (21)接端板（25) (24)外圈；底板（39) (30) (27) (29)接內外壁（38) (40)、 (21) (20)、（28) (26)、（22) (23)，底板（39)側面與壁（38) (40)埠齊平，底板（30)側 面與壁（21) (20)埠齊平，底板（27)側面與壁（28) (26)埠齊平，底板（29)側面與壁 (22) (23)埠齊平；均流板（45) (36) (32) (35)接內外壁（38) (40)、（21) (20)、（28) (26)、（ 22) (23)，均流板（45)與底板（39)側面平行，均流板（36)與底板（30)側面平行，均 流板（32)與底板（27)側面平行，均流板（35)與底板（29)側面平行；上下磁極（11) (7)緊 貼內柱（15)上下兩端的端板外側；在內外壁（38) (40)、（21) (20)、外柱（43)內有軸向側 面擋板（16)，內外壁（28) (26)、（22) (23)、內柱（15)與內壁（28) (22)之間有軸向側面擋 板（17);底板（39) (27) (29) (30)上都有底口，底口均接一接構，接構均接一水管，接底板 (39) (27)接構的水管與進管相接、接底板（29)接構的水管與淡管相接、接底板（30)接構 的水管與濃管相接；磁軛（4)是倒U，磁軛（5) (6)和磁芯（3)構成的正U ;Π 芯由磁芯（9) 和磁軛（10) (8)構成；上套極由磁極（11)和套筒（46)構成；下套極由磁極（7)和套筒（47) 構成；在圖4至圖6中，極柱（33)外長寬比=2 : 1，磁路（31) (34) (44)採用等高磁路 ㈡，磁路（31)橫向厚=極柱（33)厚，磁路（31) (34) (44)高度=極柱（33)外寬、橫向厚比 =1 : 2 : 2. 4;套筒（46)底部厚=0、底部接磁路（44)上軛路外側面、上下凸條內側接磁 路（44)上下兩端、外側與套筒（46)上下外側面齊平；在圖4至圖6中的磁路（44)與套筒 (46)之間加一平磁軛和一堅磁軛就是一倒L，把倒L中堅磁軛換成磁芯（9)、平磁軛換成直 磁軛就是一正L。
[0012] 本發明實施例裝配。把口線圈（2)纏繞在磁芯（3)、C線圈（1)纏繞在磁芯（9)上； 使磁極（7)對準直柱管（13)和折柱管（14)間的凹缺，從下往上把磁極（7)放入直柱管（13) 和折柱管（14)間凹缺內、頂住端板（24)，從上往下把磁極（11)放入直柱管（37)和折柱管 (12)間的凹缺、頂住端板（25)，把磁軛（10) (8)外端分別伸進磁極（11)上的套筒（46)和 磁極（7)上的套筒（47)內、固定連接好；從下往上把磁軛（5)伸進磁極（7)內，並穿過磁極 (7)、內筒（19)和磁極（11)，從上往下把磁軛（4)套筒（49) (48)扣在磁軛（5)和磁芯（3) 上固定連接起來，把底板（39) (27) (29) (30)接構上的水管接進管、濃管和淡管，在接直 閥總進管、接折閥總進管、總濃管、總淡管的管路上安裝上直閥、折閥、濃閥和淡閥。
【權利要求】
1. 一種海水淡化電磁分離部件；口磁鐵線圈，即：口線圈，纏繞在口磁鐵磁芯上，C磁鐵 線圈，g卩：C線圈，纏繞在C磁鐵磁芯上，口、C線圈接交變電源；其特徵在於用外筒和內筒兩 只中空直稜柱直筒相套構成一環柱狀夾層；兩隻直筒底面均為矩形、底面環圖形相似、高度 相等，相套的兩直筒相對側面平行、夾層中空部分厚度相等、中軸線重合；把夾層中空部份 分成外柱和內柱兩個部分，分面是內外柱的界面，分面是一橫向截面與內筒底面環外圈相 似、由與內筒或外筒等橫向距離點構成的中空直柱體；外柱在外筒一側，內柱在內筒一側； 取一芯體口形電磁鐵，即：口磁鐵，使口磁鐵的一段磁軛在內筒內；取一兩磁極相對芯體c 形電磁鐵，即：C磁鐵，使C磁鐵的兩磁極採取下列之一：甲是兩磁極端面緊貼內柱上下端 面、填滿內柱上下端面、成完整環繞內筒內磁軛的環形面；乙是兩磁極端面緊貼外柱上下端 面、填滿外柱上下端面、成完整環繞內筒內磁軛的環形面；分面、內筒內磁軛、兩磁極間和直 筒的中軸線重合；I。和E。分別是口磁鐵磁場在甲內乙外內產生的渦旋電流和感生電場，甲 內乙外是指甲時內柱乙時外柱，B是C磁鐵兩磁極間磁感強度，Ic^PB是同頻率、同時為零 值、同時改變方向的正弦波；為甲時，1〇與B同相，即：IdPB的方向使內柱內沿^運動的陽 離子所受洛侖茲力從內柱內圈指向外柱；為乙時，L與B反相，即：Ic^PB的方向使外柱內 沿^運動的陽離子所受洛侖茲力從外柱外圈指向內柱；在內外柱上端安裝柱管與進水的進 管相接，甲內乙外下端安裝柱管與流淡化水的淡管相接，甲外乙內下端安裝柱管與流濃海 水的濃管相接；甲外乙內是指甲時外柱乙時內柱；海水從上柱管進入夾層、從下柱管流出 夾層，即：軸向通過夾層，流向與B磁感線和直筒中軸線平行、與^渦旋方向垂直；上述內筒 內磁軛也可用口磁鐵的磁芯或線圈或磁芯線圈的直柱體段替代，直筒底面也可改為圓形或 多邊形。
2. 根據權利要求1所述的海水淡化電磁分離部件；其特徵在於內外筒高< 20cm、夾 層的中空厚 1500Hz電源替代；用下列方法最終確定直折濃淡閥流量值比：在可變電容量 確定後，不改變直折閥總流量，分次使直閥流量減、折閥流量增，每次改變，同步依改變的直 折閥流量確定濃淡閥流量，直到電導值開始有變化前為止；分次加大直折閥總流量，依上面 最後直折閥流量比確定直折閥流量，每次改變，同步依直折閥流量確定濃淡閥流量，直到電 導值開始有變化且微調可變電容也不能使其恢復到零值前為止；上述過程要交替進行、小 步多次，直到只要進行上面兩過程、電導值就不為零值前停止；電磁分離部件要滿足條件： (1)1\ =(1. 1 ?1.3)XT2 ;(2)!\ = 0 XD / V; 0 = 0.5X ( 31 - 3 )，3 = 0.05?0? 15JI 弧 度；原水黏度和電阻率越高、0取值越大，普通海水的0 = 〇. 05、. 25 ;上述中是C磁 鐵兩磁極間離子Q甲時從內柱內圈移動到外柱乙時從外柱外圈移動到內柱所需時間，'是 水流通過兩磁極間有效距離P的時間，D是極環寬，極環是指C磁鐵磁極端面環，V是Q因 L 的運動速度。
3.根據權利要求1所述的海水淡化電磁分離部件，其特徵在於口磁鐵芯體軸向截 面是一矩形環，即：口環，口環內高寬=夾層高度+2X (磁極高度+ I +￡) + r30cm、 (0. 2~1)X 口環內高；倒U由一橫磁軛和兩端磁軛構成，橫磁軛在橫向、內長=口環內寬，端 磁軛在軸向、內長=l~16cm、下端是連構，兩端磁軛上端與橫磁軛兩端垂直相接；正U由一 行磁軛、一側磁軛和一磁芯構成，行磁軛在橫向、內長=橫磁軛內長、與橫磁軛相對，側磁軛 和磁芯在軸向、兩者相對、兩者內長相等、內長=口環內1? 一端磁軛內長一連構重疊長，側 磁軛和磁芯上端是連構，側磁軛和磁芯下端與行磁軛兩端垂直相接；C磁鐵磁極是一底面 與甲內乙外端面相同矩形環的中空直稜柱，磁極截面內外長寬=甲內乙外端面內外長寬， 磁極軸向分為磁路和極柱兩部分，極柱非接磁路端面就是磁極端面；磁極高=磁路高+極 柱高；原磁路高=L，L是柱線周長，柱線是極環中位線；極柱高=l(T45cm ;在電磁分離部 件中，採用重疊加厚降低原磁路高度，上磁極重疊加厚做法是：在原磁路一外側面的橫向正 中位置確定與磁軛相接區，相接區是一矩形、面積=LXD ;矩形頂角依順時針序是Xp X2、 X3、X4，極柱上端面外圈頂角依順時針序是 x5正斜對，x3、x4和x6在極柱上端面外圈上；新磁路的軸向截面為矩形；軛路是相接區的新 磁路，軛路是一外側面與相接區相同的等厚矩形塊；軛路厚=&到&柱線長XD / X:X4高； 新磁路有斜口和等商兩種，兩種都是在原磁路上向外加厚；斜口磁路是在原磁路的乂5和父1、 x5和X2之間同斜度分別畫一同傾角連直線X5Xp X5X2，去掉X5Xp X5X2和x:x2以上的原磁路， 使新磁路厚=輒路厚；等商磁路是在原磁路的\和X2之間畫一不過Xu的平行於極環外圈 的連直線，去掉該連直線和x:x2以上的原磁路，再採用下列之一：㈠ 從x5沿X8X7X4、X9X 1(IX3走 向移動x6，使X6點新磁路厚=X5到X6柱線長XD / XA高；(二)使新磁路：X8X9厚=x5到x9柱線長 XD / XiX4 高，X8X7 厚=X9X1(I 厚=X5 到 X7 柱線長 XD / XiX4 高，X7X4 厚=X3X1(I 厚= 軛路厚，x7和x1(l轉角處厚寬=X7X4厚、X 8X7厚，x7處兩外側與X7X4、X 8X7外側齊平、x1(l處兩 外側與X3x1(l、x9x1(l外側齊平；x 8和x9轉角處厚寬=X8X9厚、X8X 7厚，x8處兩外側與X8X9、X8X 7外側齊平、x9處兩外側與X8x9、X9X 1(I外側齊平；下磁極磁路重疊加厚與上磁極相同；C磁鐵 連接兩磁極的磁軛和磁芯軸向截面是一缺一邊的矩形環，即：C環，C環內高寬=2X (磁極 內長+ € +￡)+夾層高+3?20cm = 口環內高一 2?20cm、（0.2?1)XC環內高；C磁鐵磁軛 截面高寬=軛路外側面高寬；L結構C磁鐵：倒L由一平磁軛、一堅磁軛和一上磁極構成，平 磁軛在橫向、內長=C環內寬一磁路厚+ D，堅磁軛和上磁極在軸向，堅磁軛內長=l~16cm， 堅磁軛下端是連構，堅磁軛和上磁極上端與平磁軛兩端垂直相接；正L由一磁芯、一直磁軛 和一下磁極構成，磁芯和下磁極在軸向、磁芯與磁極相對、磁芯內長=C環內高一堅磁軛內 長一連構重疊長，磁芯上端是連構，直磁軛在橫向、與平磁軛相對、內長=平磁軛內長，磁芯 和下磁極下端與直磁軛兩端垂直相接；n結構c磁鐵：n芯由一磁芯和兩磁軛構成，磁芯 在軸向、內長=c環內高，兩磁軛都在橫向、兩磁軛相對、內長=c環內寬一套筒底至極柱 外側橫向距離，兩磁軛一端部為連構端柱，兩磁軛非連構端與磁芯兩端垂直相接；套極由一 套筒和一磁極構成，套筒是四壁等厚、有一底部的中空直稜柱；套極套筒底部與磁路相接， 底部有一與軛路外側部分相配凹缺，凹缺內空深=(〇.8~1) x底部厚，凹缺下上內側面接 軛路上下側面、底接軛路外側面，套筒與磁極垂直相接，套筒中軸線穿過軛路正中心；口、c 磁鐵製作材料有四種方案：(-)都用磁粉芯磁，即：粉磁；￠=)口磁鐵用薄片疊制磁，即：疊磁； c磁鐵用粉磁；曰口磁鐵磁軛、磁芯、c磁鐵磁芯用疊磁，c磁鐵磁極和與磁極相接的磁軛用 粉磁；㈣口、c磁鐵磁軛、磁芯用疊磁，c磁鐵磁極採用粉磁；連構是相互連接的j和w;此 處的連接是指既能組裝固定又能拆卸分離；J是一軛芯極的連接處，w是與j連接軛芯的連 接處，軛芯極是指磁軛或磁芯或磁極，軛芯是指磁軛或磁芯；相同材料的軛芯和軛芯極連接 有三種形式：(-)百葉互疊，jw都是由若干直面板構成，相鄰板分離、側面平行，板厚長寬= 0. 01、. 5cm、0. 5?15cm、軛芯截面寬，J空缺厚=W要插入板厚，W空缺厚=J要插入板厚； J板插入W空缺內、W板插入J空缺內，JW板交替地互相疊在一起、截面與軛芯截面完全相 同；(二)端筒芯柱，端筒J是截面外圈與軛芯截面相同、四壁等厚的中空直稜柱，J截面外長寬 =軛芯截面長寬、內長寬=軛芯截面長寬一 0. l~5cm、內空深=0. 5~15cm，芯柱W是底面與 軛芯截面相似的直稜柱，W截面長寬=J截面內長寬、軸線長=J內空深；W伸進J內，WJ和 軛芯中軸線重合；曰套筒端柱，端柱W是軛芯端部，套筒J截面內圈與軛芯截面相同、截面內 長寬=W截面長寬、外長寬=W截面長寬+ 0. f 5cm、內空深=0. 5?15cm、軸線外長=內空 深十J截面外內寬差值十(Tl5cm ;軛芯端部套筒的底部接軛芯；W伸進J內，WJ和軛芯中軸 線重合，J外端環寬可縮小至〇. l~〇. 3cm、即：把中空直柱體J變為中空直臺柱J;芯柱或端 柱一般在磁芯、或與磁芯成一體或連成一體的磁軛端部；端筒或套筒緊挨底部側壁上留有 細小通氣洞；疊磁軛芯與粉磁軛芯極連接有兩種形式：(-)疊磁軛芯與粉磁軛芯極截面積相 同，每一種材料軛芯極磁通密度值 < 所有材料中較小飽和磁通密度值，(二)疊磁軛芯與粉磁 軛芯極截面積不同：⑴疊磁飽和磁通密度值/粉磁飽和磁通密度值=粉磁軛芯截面積或軛 路外側面面積/疊磁軛芯截面積，⑵每一軛芯極磁通密度值<該軛芯極材料飽和磁通密度 值，⑶採用套筒端柱連接：1〉粉磁套極與疊磁軛芯連接：端柱頭是一臺柱，臺柱兩側面在軸 向、兩側面在橫向，軸向側面為矩形、高=軛芯截面軸向高，橫向側面為梯形，軸向二側面面 積和+臺柱小底面積=(1. 1~1.3)X端柱為粉磁端柱時的截面積；2〉粉磁軛芯與疊磁軛芯 連接：疊磁軛芯連接處為端柱，粉磁軛芯連接處為套筒，端柱頭是一臺柱，臺柱小底面與軛 芯截面相似、四側面均為梯形，臺柱四側面面積和+臺柱小底面面積=(1. 1~1.3) X端柱 為粉磁端柱時的截面積；在1〉2〉中，臺柱大底面是軛芯截面，小底面中心在軛芯中軸線上， 套筒底部內側均改為與臺柱相配的凹臺柱缺，套筒截面外長寬、內長寬、內空深=為粉磁端 柱時套筒外長寬、為疊磁端柱時套筒內長寬、臺柱高+ 〇. 5~15cm ;3〉設計長寬比例軛芯與 粉磁套極連接：在磁極與套筒之間加一長為（〇.5~l. 4) X軛路橫向寬、與磁極垂直相接的 粉磁磁軛，再使套筒與設計長寬比例軛芯端柱連接A和N2這樣確定：先確定仏、U2，依據 10剛山=%5;1。= 〇X29.6X104XpkVS / M確定N1;〇 =sin3 ;在假定海水中的鹽全 是氯化鈉時，後式改為：IQ = 3. 3X103X SOVS;再依據a、Y值確定N2;a =U2 / U1 = 0. 5?1，Y =叩2 / N2Ui = 0. 4?1. 3, R = Ilm / IQm ; a、Y值越大，R值就越大、無用能耗就 越高；上述中即、U2是口、C線圈兩端電壓，&、N2是口、C線圈匝數，M是Q的摩爾質量，P 是Q質量百分含量，k是Q所帶基本電荷數，P是海水電阻率，S是甲內乙外軸向截面面積，L 是C磁鐵磁場在兩磁極間產生的渦旋電流；上述軛芯與軛芯垂直相接是截面形狀和截面尺 寸不變、中軸線相互垂直的軛芯直角彎頭，軛芯或套筒與磁極垂直相接是中軸線相互垂直、 通導磁路截面積不變的帶有軛芯或套筒的磁極，兩者都是一整體設計製作結構；在實際運 用中，粉磁磁芯或磁芯和磁軛內也可拌入相對磁導率高、絲徑在0. l~〇. 5mm的軟磁體絲條， 絲條走向與軛芯極中軸線相同、質量佔比20%?80%。
4.根據權利要求1所述的海水淡化電磁分離部件，其特徵在於直柱管由一均流板、一 內壁、一外壁、一底板、八橫板和兩坡環構成，折柱管由一均流板、一環板、一端板、一內壁、 一外壁、一底板、八橫板和兩坡環構成；內外壁都是底面內外圈與內筒端面內圈相似的中 空直稜柱體，柱管內外壁成內外相套夾壁，直折柱管橫向過流面積比=濃淡閥流量比；甲外 乙內厚=直柱管內外壁間距+￡;嶺面是一界面，嶺面是一在甲內乙外內外圈之間的中空 直柱體，嶺面與直筒側面平行、底面相似；甲時內柱內圈到嶺面乙時外柱外圈到嶺面間的 橫向過流面積=折柱管橫向過流面積，甲時嶺面到內柱外圈乙時嶺面到外柱內圈距離Y = (廣2) XTQVXArctgR / 2ji 0，Y = 0時，嶺面與甲時內柱外側面乙時外柱內側面重合；Tq是電源周期；串線是一串直線排列穿孔的中心連線；均流板由均一和一均二組成；均一是 環形直面篩板，穿孔孔型相同、孔徑相等、孔距相等、串線距相等、串線柱管壁距相等、串線 距=2X串線柱管壁距、串線與柱線平行，均一內外長寬=內壁外長寬、外壁內長寬、內外 圈接內外壁；均二設置與均一上述設置相同；均一與底板相對，均一與底板間距=底口時 擋一軸向高一均一厚，上柱管均一二穿孔面積和比=10:6?20:19,下柱管均二一穿孔面積 和比=10:6?20:19,均一二平行相對，上柱管均一二間距=(51) X均二孔距；下柱管均 一二間距=(5、）X均一孔距、或=上柱管均一二間距，均一厚=均二厚=0. 5?2mm ;底板、 環板和端板都是環形面板；底板內外長寬=內壁外長寬、外壁內長寬，底板內外圈接內外 壁埠；底板和均流板側面都在橫向、兩者側面平行；為甲時：(-)底口時，直柱管：內壁內長 寬=分面長寬、壁高=極柱高一 〇~25cm，外壁外長寬=外筒外長寬、壁高=內壁壁高+ € ; 折柱管：內壁外長寬=內筒內長寬一入、壁_=直柱管外壁_+￡，外壁內長寬=內筒內長 寬、壁高=直柱管內壁高，環板內外長寬=內壁外長寬、內筒內長寬，環板內圈接內壁未接 底板埠；端板內外長寬=內柱端面內外長寬，端板內圈接外壁未接底板埠；(二)壁口時， 折柱管外壁壁高=極柱高+X7磁路高+3~10cm，折柱管內壁壁高=折柱管外壁高+ € + ￡，其它設置與底口時相同；為乙時：(-)底口時，直柱管：外壁外長寬=分面長寬、壁_ =極 柱高一 0~25cm，內壁內長寬=內筒內長寬、壁高=外壁高+ I ;折柱管：內壁內長寬=外 筒內長寬、壁高=直柱管外壁高，外壁內長寬=外筒外長寬+ A、壁高=直柱管內壁高+ ￡ ;環板內外長寬=外筒外長寬、外壁內長寬，環板外圈接外壁未接底板埠；端板內外長 寬=外柱端面內外長寬，端板外圈接內壁未接底板埠；(二)壁口時，直柱管外壁壁高=極柱 高+ X7磁路高+ 3~10cm，直柱管內壁壁高=直柱管外壁高+ €，其它設置與底口時相同； 除均流板與內外壁相接外，上述板和壁相接是板側面與壁埠橫向齊平；水口是矩形開口， 水口數量=擋一數量；底口 ：兩相對口邊垂直於內外壁，底口一口邊與底擋齊平，底口口面 與中擋相對，底口中心在底板環中位線上；管構時，底口長寬=內外壁間距、0. 5~4cm，板構 時，底口長寬=內外壁間距+ 2 ￡、nX底口長；壁口 ：上柱管的四個壁口分別在四外壁左上 角，壁口口面與擋一垂直，管構時，右口邊與擋一左側面齊平、壁口上口邊與底板下側面齊 平、左口邊與壁口同角不同面的左側外壁內側面齊平，壁口長寬=0. 5~4cm、內外壁間距； 板構時，右口邊與擋一右側面齊平、壁口上口邊與底板上側面齊平、左口邊與壁口同角不同 面的左側外壁外側面齊平，壁口寬長=內外壁間距+ 2 ￡、nX底口寬；上述中的左和右也可 互換；下柱管壁口與上柱管壁口相同；底口和壁口可同時使用；接構分為管構和板構兩種； 管構是一內空水口端與水口相同、水管端與水管相同、中間是變口管的結構，水口端壁厚= (1~1. 5) X ￡、與口邊相接為一整體、內側與口邊齊平，水管端是一有與水管相配鎖扣紋或 外螺紋管、或法蘭盤；板構是一由n個相同正方塊拼成的矩形金屬板，板構長寬=水口長 寬，板構放置在水口內、側面與底板或同角同面側壁側面齊平、兩邊與內外壁或底板和同角 不同面側壁齊平；每一正方塊都有一圓孔，孔直徑=水口寬一 2~4_，孔有與接管相配內螺 紋，孔中心與方塊中心重合；板構是柱管上的鑲件、在與柱管壁板擋一相接部分都接有若干 寬=l~4mm、長=2飛mm、厚=l~2mm的固定用爪片，爪片鑲嵌在柱管壁板擋一內；在柱管上 端板下側和下端板上側可都設四橫板和一坡環；橫板是直條板、寬=D + 2 ￡、高=€，橫板 與端板垂直相接、兩端與十字位線上的兩擋二矩形條側邊軸向相接、側面與相接擋二共面； 下坡環是一由等高、外正、內倒兩矩形底面直臺體相套構成的環狀結構；外臺體上內長寬、 下外長寬=嶺面長寬、極環外長寬+ 2 ￡ ;內臺體上內長寬、下內長寬=嶺面長寬、極環內長 寬一 2 ￡ ;兩直臺體上端相接、下端底側接端板兩側柱管壁端、下端橫側與兩下柱管擋二相 挨，坡環軸向截面為A形，下坡環高=橫板高，橫板穿過相遇坡環並與相遇坡環相接，橫板 與擋板相接是一體化相接；上下坡環相同；橫板和坡環板厚=(〇. 4~1) X ￡、橫板厚=擋板 厚、用非導體非磁體材料製作。
【文檔編號】C02F103/08GK104445536SQ201310420641
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2013年9月16日 優先權日:2013年9月16日
【發明者】羅國平 申請人:羅國平