層間絕緣膜、布線結構以及它們的製造方法

2023-05-23 16:03:21 1

專利名稱：：層間絕緣膜、布線結構以及它們的製造方法
技術領域：
：本發明涉及半導體元件、半導體晶片搭載基板、布線基板等的多層布線結構，特別是層間絕緣膜的構造，另外，還涉及具有該多層布線結構的半導體裝置、布線基板、以及包含它們的電子裝置。再者，本發明還涉及該多層布線結構的製造方法，以及具有該多層布線結構的半導體裝置、布線基板、以及包含它們的電子裝置的製造方法。
背景技術：
：至今為止，為了對半導體基板上等的多層布線結構中的布線層間進行絕緣，形成有層間絕緣膜。在這種多層布線結構中，布線間的寄生容量及布線電阻導致的信號延遲問題變得越來越不可忽視，逐漸要求採用具有低介電常數(Low-k)的層間絕緣膜。作為這種層間絕緣膜，碳氟膜(以下稱為"CFx膜")由於具有極低的介電常數，可以降低布線間的寄生容量，因此受到矚目。但CFx膜對水非常弱，密著性也差。所以，雖然CF膜被形成在SiCN層、Si3N4或者Si02層等的基底層上，但CF膜的底面及表面(即，膜形成的開始和結束)上存在問題。至今為止，如特許文獻1所示，CFx膜通過等離子體處理裝置進行成膜，採用的是氟碳氣體(稱為CFx氣體，例如C5Fs氣體)。如特許文獻2所示，該CFx氣體原本是用於蝕刻的氣體，當等離子體處理溫度高時，會出現下地層受到蝕刻而產生氟化矽(SiF4)氣體的問題。另外，還存在水分、CFX、SiF4等的氣體從成膜後的CF膜上脫離後成為汙染源的問題。從特許文獻3可知，通過在N2氣氛中40(TC50(TC溫度下，對成膜後的CFJ莫進行退火，成膜後的脫氣少。再者，作為基底金屬，在矽半導體上形成氧化膜、氮化膜、氧氮化膜等時，在採用稀有氣體的等離子體處理中，採用單一的稀有氣體進行處理。在採用單一氣體的情況下，等離子體對後處理造成的損傷小，因此可以採用與電子碰撞截面大的、等離子體的電子溫度低的氪(Kr)氣和氤(Xe)氣(例如參考特許文獻4)。特許文獻1:特開2002-220668號公報特許文獻2:特開2002-16050號公報特許文獻3:特開平11-162962號公報特許文獻4:特開2002-261091號公報
發明內容因此，本發明的一個目的在於，提供一種低介電常數且不會產生CFpSiF4等氣體的、穩定的半導體裝置等的層間絕緣膜。另外，本發明的另一個目的在於，提供一種低介電常數且不會產生CFX、SiF4等氣體的、穩定的半導體裝置等的層間絕緣膜的製造方法。另外，本發明的再另一個目的在於，提供一種具備低介電常數且不會產生CFx、SiF4等氣體的、穩定的半導體裝置等的層間絕緣膜的布線結構。另外，本發明的其他目的在於，提供一種具備低介電常數且不會產生CFX、SiF4等氣體的、穩定的半導體裝置等的層間絕緣膜的布線結構的製造方法。另外，本發明的再另一個目的在於，提供一種所述製造層間絕緣膜和所述布線結構的方法。根據本發明的一種方式，可以獲得一種層間絕緣膜，是具備形成於基底層上的絕緣膜的層間絕緣膜，其特徵在於，有效介電常數為3以下。在此，在本發明的一種方式中，優選為在所述層間絕緣膜中，所述絕緣膜具備形成在所述基底層上的第1碳氟膜；形成在所述第1碳氟膜上的具有比所述第1碳氟膜更低的介電常數的第2碳氟膜。另外，在所述層間絕緣膜中，所述第1碳氟膜的厚度優選為510nm，所述第2碳氟膜的厚度優選為280500rnn。另外，優選為所述第1及第2碳氟膜分別是低介電常數膜。特別是所述第2碳氟膜的介電常數優選為1.52.5。再者，所述基底層優選包含形成在基體上的SiCN層、氮化矽(Si3N4)層、SiCO層以及Si02層中的至少一種。特別是設置所述第l碳氟膜是為了防止與所述基底層反應而生成氟碳氣體。另外，所述第1碳氟膜可以通過CVD法形成，該CVD法中採用Xe氣或Kr氣體產生的等離子體，所述第2碳氟膜可以通過CVD法形成，該CVD法中採用Ar氣產生的等離子體。另外，優選為對所述第2碳氟膜的表面進行氮化，所述表面的氮化膜的厚度為l5nm，優選為23nm。再者，也可以具備由形成在所述絕緣膜上的Si3N4、SiCN以及SiCO中的至少一種構成的膜。另外，根據本發明的另外一種方式，可以獲得一種成膜方法，是採用氟碳氣體和兩種以上的不同稀有氣體，在基底層上形成碳氟膜的方法，其特徵在於，具備通過採用Ar氣以外的稀有氣體產生的等離子體，在所述基底層上形成第1碳氟膜的第1工序；和採用Ar氣產生的等離子體，在所述第1碳氟膜上形成第2碳氟膜的第2工序。在此，在本發明的另外一種方式的所述成膜方法中，優選為將所述第1碳氟膜的成膜厚度為510nm，在其上形成厚度為280500nm的第2碳氟膜。特別優選為所述第2碳氟膜的介電常數低於第1碳氟膜。另外，優選為所述基底層包含形成在基體上的SiCN層、Si3CN4層、Si02層以及SiC0層中的至少一種。所述第1工序採用的稀有氣體優選為Xe氣體。再者，也可以向所述稀有氣體中加入氮化性氣體及氧化性氣體中的至少一種，通入作為反應性氣體的SiH4氣體，形成由Si3N4或SiCN以及SiCO中的至少一種構成的膜。另外，根據本發明的另外其他的方式，可以獲得一種多層布線結構的製造方法，是半導體裝置等的多層布線結構的製造方法，其特徵在於，具備形成作為層間絕緣膜的至少一部分的碳氟膜的工序；和對該碳氟膜進行退火處理的工序；和對所述碳氟膜的表面進行氮化的工序。在本發明中，所述退火工序優選為不暴露在大氣中，而在惰性氣體中進行。另外，所述氮化工序優選為在採用Ar氣及N2氣的等離子體中或者在採用N2氣的等離子體中進行。此時，後者的情況下，優選在200。C以上進行，更優為在30040(TC進行。再者，優選為在所述退火工序前或工序後，設置用稀有氣體等離子體對所述碳氟膜的表面進行照射的工序。另外，根據本發明的其他的一種方式，可以獲得一種布線機構，是具備具有形成在基底層上的絕緣膜的層間絕緣膜；形成在所述層間絕緣膜上的接觸孔；填充在所述接觸孔內的金屬的布線結構，其特徵在於，所述層間絕緣膜的有效介電常數為3以下。在此，在本發明的其他的一種方式中，優選為所述填充在所述接觸孔內的金屬包含銅，在所述層間絕緣膜和所述銅之間存在至少包含鎳的氟化物層的阻擋層。所述鎳的氟化物例如可以是二氟化鎳，但並不限定於此。該鎳的氟化物，可以通過MOCVD法形成，或者在通過PVD(PhysicalVaporDeposition)法成膜後對鎳進行氟化處理而成。所述層間絕緣膜優選為碳氟膜。另外，優選為所述絕緣膜具備形成在所述基底層上的第1碳氟膜；形成在所述第1碳氟膜上的介電常數低於第1碳氟膜的第2碳氟膜。所述第1碳氟膜的厚度優選為510nm，所述第2碳氟膜的厚度優選為280500nm。特別是所述第2碳氟膜的介電常數優選為1.52.5。另外，優選為所述基底層包含SiCN層、Si3CN4層以及Si02層中的至少一種。在此，設置所述第1碳氟膜的目的在於，防止因與所述基底層的反應而生成氟化矽氣體。再者，優選具備包含形成在所述碳氟膜上的Si3N4或SiCN以及SiCO中的至少一種的膜。優選在所述第2碳氟膜的表面部分上具有受到氮化處理的膜。另外，根據本發明的另外其他的一種方式，可以獲得一種布線結構的製造方法，其特徵在於，具備採用氟碳氣體和等離子體的電子溫度低於Ar的稀有氣體，在基底層上形成第1碳氟膜的工序；通過採用Ar氣所產生的等離子體，在所述第1碳氟膜上形成第2碳氟膜的工序。在此，優選為所述第1碳氟膜的膜厚度被形成為510nm，所述第2碳氟膜的膜厚被形成為280500nm。另外，優選為所述第1及第2碳氟膜的介電常數低，特別優選將第2碳氟膜的介電常數調整為1.52.5。另外，優選為所述基底層包含形成在基體上的SiCN層、Si3N4層、SiCO層以及Si02層中的至少一種。所述第1工序採用的稀有氣體優選為Xe氣。另外，也可以向所述稀有氣體中加入氮化性氣體及氧化性氣體中的至少一種，通入作為反應性氣體的SiH4氣體，形成由Si3N4或SiCN以及SiCO中的至少一種構成的膜。另外，優選為對所述第2碳氟膜的表面進行氮化處理。另外，在本發明的另外其他的一種方式中，優選為除了具備所述第1工序、所述第2工序之外，還具備在所述碳氟膜上形成接觸孔的工序和向所述接觸孔中填充金屬的工序。另外，優選為再具備形成阻擋層的工序，該阻擋層用於防止填充到所述接觸孔中的金屬的擴散。再者，根據本發明的其他方式，還可以獲得一種清洗方法，其特徵在於，使減壓後的腔內產生等離子體，在設置於所述腔內的基板上形成碳氟膜後，在所述腔內通過氫氣和氧氣的混合氣體生成等離子體，對所述腔內壁進行清洗。根據本發明，可以提供一種具備低介電常數且不會產生CFX、Si&等氣體的、穩定的半導體裝置等的層間絕緣膜及其製造方法。另外，根據本發明，可以提供一種具備所述層間絕緣膜的布線結構及其製造方法。再者，根據本發明，通過採用Xe氣或Kr氣的等離子體CVD處理，形成碳氟膜，不僅可以減少SiF類氣體的脫氣，還可以防止碳氟膜的剝離。而且，以採用Ar氣的等離子體中的CVD處理形成碳氟膜的主體部分，可以降低碳氟膜的有效介電常數。另外，根據本發明，通過對碳氟膜的表面進行氮化，不僅可以大幅降低脫氣，而且還具有能夠防止碳氟膜上形成的絕緣膜剝離的效果。另外，根據本發明，通過在通孔或接觸孔內面上設置二氟化鎳的阻擋層，可以防止孔內的Cu擴散到阻擋層。圖1是表示根據現有技術的半導體裝置的層間絕緣膜構造的圖。圖2是表示根據本發明的實施例的布線結構的圖。圖3是表示用於圖2的布線結構的層間絕緣膜的構造的概略截面圖。圖4是表示根據本發明的實施例的等離子體處理裝置的概略截面圖。圖5是表示Ar等離子體、Kr等離子體、Xe等離子體的淋浴盤，和與電極之間的距離，和與電子密度(ev)的關係的圖。圖6是表示脫氣測量實驗裝置的概略構成的圖。圖7是表示SiFx脫氣的基底依存性的圖，(a)表示在Si基底上形成的CFJ莫(CFX/Si);(b)表示在Si02基底上形成的CFj莫(CFx/Si02);(c)表示在Si3N4基底上形成的CFx膜(CFx/Si3N4)。圖8是表示SiF類氣體量的溫度依存性的圖。圖9是表示SiF4光譜的經時變化的圖。圖10是表示SiF類脫氣量的溫度依存性的圖，(a)、(b)分別表示在Ar中成膜和在Xe中成膜時的脫氣量的溫度依存性。圖11是表示以Si為基底時的SiFx氣體量的溫度依存性的圖。圖12是表示SiFx類脫氣量的溫度依存性的圖，(a)表示在C5F8/Xe26.6Pa(200mTorr)下進行5秒處理和在C5F8/Xe26.6Pa(200mTorr)條件處理後，退火後在Ar26.6Pa(200mTorr)下進行5秒處理後的CF,膜的脫氣量；(b)表示啟動Xe等離子體處理，導入C5Fs進行處理工藝(5秒)，停止導入C5Fs，停止Xe等離子體處理後，進行3分鐘Ar/CsF8工藝處理，5秒Ar+N2處理後從CF,膜產生的脫氣量。圖13是表示以Si為基底時的SiFj兌氣量的溫度依存性的圖。圖14是表示在Si基底上形成120nm的CFj莫，其TDS游離氣體光譜的圖。圖15是表示在Si02基底層上形成的CF膜的退火後的CFJ兌氣量的溫度依存性的圖。圖16是表示同樣在Si02基底層上形成的CF膜的CF膜退火後的脫水量的溫度依存性的圖。圖17是表示釆用圖5的裝置的Ar/N2等離子體處理後的氟碳氣體脫氣特性和熱脫附譜(TDS)測量結果的圖。圖18是表示在Ar等離子體處理中導入C5F8，在等離子體處理中停止導入，停止Ar等離子體處理時的CFx類脫氣量的溫度依存性的圖，(a)表示CFX脫氣的相對強度和時間的關係；(b)表示脫水的H20濃度(ppb/cm2)與時間的關係。圖9是表示CFJ莫的脫氣量的退火溫度依存性的圖，(a)表示CF類氣體的脫氣量；(b)H20氣體的脫氣量。圖20是表示因CFx膜的放置時間的差異造成的各種游離氣體的光譜的圖，(a)表示40(TC退火後在大氣中放置12小時後的測量結果；(b)表示不進行退火在大氣中放置48小時後的測量結果。圖21是表示Si類脫氣量的溫度依存性的圖，(a)表示CFJ兌氣的溫度依存性；(b)表示脫水的溫度依存性。圖22是表示表面氮化效果的圖，(a)、(b)分別表示退火後進行5秒Ar/N2等離子體處理時的CFx脫氣效果和脫水效果。圖23是表示與圖17相同，對形成了CFx膜的試料進行退火後，照射了Ar/N2等離子體的試料的化學分析光電子能譜(ESCA:ElectronSpectroscopyforChemicalAnalysis)的領!j量結果。圖24是表示CFx膜脫氣量的成膜條件依存性的圖，(a)表示CF類脫氣；(b)H20類脫氣。圖25是表示成膜400nm的CFx膜，進行退火後的Ar/N2等離子體處理時的脫氣結果，(a)表示一般條件即無氮化的情況，(b)表示進行氮化的情況，可知通過進行Ar/N2的氮化處理，脫氣量減少。圖26是表示在形成於Si基底上的CFJ莫上，通過In-Situ形成的SiCN膜(SiCN/CFx)的游離氣體TDS光譜的圖。圖27是表示將在20(TC下成膜的CFx膜，在35(TC下進行退火時的CF類的脫氣量的溫度依存性的圖。圖28是表示表示將在20(TC下成膜後，在350。C下退火後，再在200'C下通過Ar/N2等離子體對表面進行氮化處理時的脫氣量的溫度依存性的圖。圖29是表示在35(TC下在Si基板上形成CFJ莫，不進行退火時的脫氣量的圖。圖30是表示在35(TC下在Si基板上形成CFx膜，在35(TC下進行退火後，在20(TC下通過Ar/N2等離子體進行表面氮化處理時的脫氣量的圖。圖31是表示在40(TC下在Si基板上形成CFJ莫，不進行退火時的脫氣量的圖。圖32是表示表示在40(TC下在Si基板上形成CFx膜，不進行退火，在40(TC下時通過Ar/N2等離子體進行表面氮化處理的脫氣量的圖。圖33的(a)及(b)是分別表示NiF2膜的形成方法及用於對比的Ni膜的形成方法的圖。圖34的(a)及(b)是分別表示Ni膜及NiFj莫的組成的曲線圖。圖35的(a)及(b)是表示成膜50nm的Ni作為阻擋金屬層，在其上形成Cu膜時的退火前後的狀況圖。圖36的(a)及(b)是表示成膜50nm的NiF2膜作為阻擋(金屬)層時的退火前後的Cu及Ni等的擴散圖。圖37是表示NiF2成膜後的厚度方向的元素分析結果圖。圖38是表示在NiF2層上形成Cu層後的金屬組織結構的截面SEM照片，右側的照片是左側照片的部分擴大。圖39的的(a)及(b)是表示成膜10nm的NiF2膜作為阻擋層的樣品的相互擴散評估結果的曲線圖，(a)是表示相互擴散試驗前(350'C退火前)的圖；(b)是表示相互擴散試驗後(35(TC退火後)的圖。符號說明1阻擋伺隙層(Barriergap)2第l層間絕緣膜2aCFJ莫2bCFJ莫3第l粘接層4第2層間絕緣膜5第2粘接層6硬質掩膜7通孔(ViaHole)8電極10布線結構11布線導體(Cu)12天線13氣體導入管14矽晶圓21絕緣體板22下段淋浴盤23上段淋浴盤24處理室26導入管30脫氣測量裝置31處理室32放電電極33配管34、35配管36a、36b配管37a、37b真空泵38排氣管39箭頭40加熱爐41加熱用電熱器42光離子檢測器44質量流量控制器45箭頭46試料47導入配管48配管管閥排閥125554閥56配管57質量流量控制器58質量流量控制器59箭頭61可變容量控制閥62a、62b質量流量計63箭頭64箭頭65配管66箭頭71阻擋間隙層72SiOC膜73PAR(低介電常數Si層)74硬質掩膜100布線結構102等離子體處理裝置103脫氣測量系統具體實施方式對本發明的實施例進行說明前，為了易於理解本發明，參考圖l對現有技術的半導體裝置的層間絕緣膜構造進行說明。參考圖1，在現有技術的半導體裝置中，在形成有多個半導體元件的半導體基板(未圖示)上設置的層間絕緣膜構造(僅表示布線層間的連接部分的1處)100具備由碳化矽(SiC)等構成的阻擋間隙層71、形成在阻擋間隙層71上的含碳氧化矽(SiOC)膜72、設在該SiOC膜72上的通(VIA)孔8、設在PAR(低介電常數矽(Si)層73)上的槽9、覆蓋這些的由氧化矽(Si02)構成的硬質掩膜74。在通孔8中填充有Cu等金屬，形成電極或布線8，另外在它們的上端在槽9內填充有Cu等金屬，形成有布線11。以下，參考附圖對本發明的實施例進行說明。如圖2所示，在本發明的實施例的半導體裝置中，形成有多個半導體元件的半導體基板(未圖示)上設置的多層布線結構(僅表示布線層間的連接部分的l處)10，在由碳氮化矽(SiCN)構成的阻擋間隙層l之上，形成有由碳氟膜(以下稱為CFx膜)構成的第1層間絕緣膜2。貫通第1層間絕緣膜2和阻擋間隙層1形成通孔7。在該通孔7中形成有由Cu構成的電極或者布線8。再者，在第1層間絕緣膜2上，經由SiCN構成的第l粘接層3，形成由碳氟膜構成的第2層間絕緣膜4。再者，在第2層間絕緣膜4上，經由經由SiCN構成的第2粘接層5，形成由氧化矽(Si02)構成的硬質掩膜6。另外，從硬質掩膜6到層間絕緣膜2為止設有槽9，在該槽9中埋入由Cu構成的布線導體11。此處，阻擋間隙層1及第1和第2粘接層3、5的介電常數為4.0，但作為阻擋間隙層1，也可以採用k小於2.5的炭化氫，以及作為粘接層也可以釆用更薄的、！^3.0的SiCO膜。另外，層間絕緣膜2、4由k^2.0的碳氟(CFX)膜構成，但也可以由1^1.7左右的碳氟膜形成。另外，作為硬質掩膜6採用k=4.0的Si02膜，但也可以採用k小於3.0的SiCO膜。參考圖3，可知在由SiCN層構成的基底層l上，通過Xe等離子體分解CsF8氣體，CVD形成薄的CFJ莫2a，在其上氬(Ar)等離子體分解C5F8氣體，CVD形成厚的CFx膜2b。再者，成膜CFx膜2b後或退火後，通過向Ar氣等離子體中導入N2氣體生成的氮自由基對CFJ莫2b的表面進行氮化處理，降低CFx膜的脫氣。因此，可以消除膜的剝離，能夠將介電常數控制在1.72.2的範圍內。參考圖4，可知微波自徑向線縫隙天線(RLSA)21透過其下的絕緣體板和淋浴盤23，被放射到等離子體生成領域。該徑向線縫隙天線(RLSA)21經絕緣體板被設置在等離子體處理裝置102的上部上。使Xe氣或Ar氣經氣體導入管13均勻地從上段淋浴盤23吹向等離子體生成領域，在被放射到該處的微波的作用下，等離子體受到激發。在微波激發等離子體處理裝置的擴散等離子體領域上，設有下段淋浴盤22。在此，如果將Xe、Kr或Ar氣，經導入管13導入到上段淋浴盤23，將SiH4氣體從導入管26導入到下段淋浴盤22，即可在基板例如晶圓14的表面上形成矽(Si02)膜。另夕卜，如果自上段淋浴盤23通入Kr、Xe或Ar氣，自下段淋浴盤22通入CxFy(C5F8、C4F8)，可以形成碳氟膜。為了進行氧化或氮化處理，只要將氧氣或N2/H2或NH3氣體從上段淋浴盤23通入即可；氧氮化工藝的場合，只要將02/^3或02^20、02/NO氣體等氧化性氣體和氮化性氣體的混合氣體從上段淋浴盤23通入即可。被處理物的基板(例如晶圓)14被設置在處理室24內等離子體被擴散後直接照射的位置上，被等離子體激發的氧自由基等氧化。此時，即使在處理室24內，也優選將被處理物設置在等離子體被擴散的空間內，而非等離子體被激發的空間內。另外，處理室31內的排氣，經未圖示的排氣孔，通過排氣管道，從通向小型泵的任何一個流入口，被分別導向小型泵。如圖5所示，當淋浴盤和電極間的距離變為30mm以上時，電子溫度變得大致恆定，按Ar、Kr、Xe的順序，電子溫度變低。以上的任何一種情況下，與Ar相比，Kr、Xe氣的電子溫度低時，與電子的碰撞界面小，離子化能量也小，因此微波被照射到Xe(或Kr)氣時，等離子體的電子溫度變低，不僅可以抑制在成膜中對形成的各種膜造成的損傷，也可以抑制CsF8氣體的蝕刻作用。參考圖6，可知脫氣測量系統103具備脫氣測量裝置30和光離子測量裝置。在光離子測量裝置的加熱爐40內部配置有樣品46。作為載氣的Ar，被質量流量控制器44調整到100sccm的流量，如箭頭45所示，經導入配管47，導入到加熱爐40中。在加熱爐40中設有加熱用電熱器41和光離子檢測器42。從試料46游離出的氣體，經設在閥53上的配管48被導入到脫氣測量裝置30的內部。此外，配管48上分叉有用於排氣的排氣管52，該排氣管52設有閥51。在脫氣測量裝置30上設有放電電極32。另外，脫氣測量裝置30內部的氣體，與分別設有真空泵37a、37b的配管36a、36b連通，該配管36a、36b合流後變為排氣管38，該氣體沿箭頭39所示方向排出。另一方面，在脫氣測量裝置30內部及與其相鄰的設有放電電極32的位置上，分別設有配管34及35，配管34經可變容量控制閥61及質量流量控制器63，如箭頭63所示，以600sccm的流量進行排氣。另一方面，配管35經質量流量控制器62b，沿箭頭64所示方向以550sccm流量進行排氣，兩個配管34、35合流後變為配管65，沿箭頭66所示方向進行排氣。在長度方向上與脫氣測量裝置30的配管34部位相同的、而外周不同的位置上連接有配管33，如箭頭59所示，該配管33設有為了以1SLM導入Ar氣的質量流量控制器58。另外，在比配管48的排氣用配管52更下遊一側上設有閥53，再在下遊一側上經閥54連接有配管56，該配管56設有為了以500sccm導入Ar氣的質量流量控制器57。配管48被連接在與設有脫氣測量裝置30的排氣用配管35的部位在長度方向上的相同位置，而在外周方向上的不同位置上。接著，對本發明的實施方式的CFx成膜工藝進行詳細說明。如圖3所示，在本發明的實施方式的CFx成膜工藝中，採用圖4所示的裝置，首先通過採用SiH4/C2H4/N2或02等的等離子體處理形成SiCN或SiCO的基底層。此外，也可以採用有機矽垸替代矽烷氣體(S恥)/乙烯(C2H4)。其次，用氟碳氣體作為反應氣體，通過Xe等離子體在該基底層1上形成厚度為510nm的、薄的第lCFx膜2a。在此，作為反應氣體的氟碳氣體，可以採用用一般式CnFh(但，n為28的整數)，或者用CnF2n.2(n為28的整數)表示的不飽和脂肪族氟化物，但優選採用用一般式C5Fs表示的碳氟化合物，該碳氟化合物包括乂、氣戊'塊(Octafluoropentyne)、乂〈氣戊二稀(Octafluoropentadiene)、乂V氣環戊烯(Octafluorocyciopentene)、八氟甲基丁二烯(Octafluoromethylbutadiene)、八氟甲基丁'炔(Octafluoromethylbutyne)、包含氟環丙稀(Fluorocyclopropene)或氟環丙烷(Fluorocyclopropane)的氟化碳、包含氟環丁烯(Fluorocyclobutene)或氟環丁烷(Fluorocyclobutane)的氟化碳等。將Xe氣切換為Ar氣，通過用C5Fs氣體作為反應性氣體的Ar等離子體，再在其上形成厚度為380500nm的第2CFj莫2b。通過Ar氣的等離子體進行成膜時，CFx膜的介電常數變低，因此可以將CFJ莫2的介電常數調低到1.72.2。在基板上形成碳氟膜後，可以在腔內通過氫和氧的混合氣體生成等離子體，對所述腔內壁進行清洗。再者，成膜後或者退火後，通過Ar/N2等離子體或者N2等離子體對CFx膜進行表面氮化。由此可以減少CFx膜的脫氣。優選為在成膜後表面氮化前進行退火。在本說明書中，退火處理時無需將基板暴露在大氣中，既可以在等離子體腔內進行處理，也可以通過其他的退火處理裝置進行。不管在何種情況下，均採用惰性氣體氣氛，壓力可以是大氣壓，但優選在1Torr左右的減壓條件下進行。另外，如後所述，優選在退火前或退火後，用Ar等離子體對碳氟膜進行照射。對圖2的布線結構的製造方法進行說明。如圖2所示，以阻擋間隙層1作為基底層，形成圖3所示的第1層間絕緣膜2。通過對該第1層間絕緣膜2進行蝕刻，形成通孔7。其次，在該通孔7的內壁上，通過PCD法對鎳進行成膜，或者通過對鎳進行氟化處理，或通過MOCVD法直接形成鎳的氟化物膜，優選為二氟化鎳(用NiF2表示)膜，作為防止電極金屬向層間絕緣膜擴散的阻擋層。其次，同樣形成SiCN層或含碳氧化矽(SiCN)層，作為由粘接層構成的基底層3，與圖3所示相同，在其上形成由第1及第2CFJ莫構成的層間絕緣膜4。在該層間絕緣膜4上，再形成作為粘接用基底層3的SiCN層或SiCO層，在該基底層3上，形成作為硬質掩膜6的Si02或SiCO層。在此，Si02層將Ar和02的混合氣體從圖4所示的等離子體處理裝置102的上段淋浴盤23導入，將SiH4氣體從下段淋浴盤22導入即可。另外，SiCO層與所述的相同。其次，通過蝕刻形成槽9，在槽9的內壁面上形成未圖示的NiF2阻擋層，向該槽9中填充金屬Cu形成布線導體11，完成布線結構10。在此，對將矽化合物作為基底層1，在其上形成CFx膜時的SiFx氣體的脫除進行說明。SiFx氣體通過在Si、Si02、Si3N4等的層與CFj莫的界面上發生的反應而生成。下述表1所示為脫除氣體的電離電勢。如表1所示，可知SiFx的電離電勢按SiF、SiF3、SiF2、SiF4的順序依次變高。[表1]__tableseeoriginaldocumentpage23該SiFx氣體的脫除依存於初期成膜時的基底。圖7是表示不同基底的SiFx脫氣的溫度依存性的圖，(a)、(b)、(c)分別表示隨著時間的推移，向在Si基底上形成的CFx膜(CFX/Si)、在Si02基底上形成的CFj莫(CFx/Si02)、在Si3N4基底上形成的CFx膜(CF^Si3N4)施加右縱軸所示的溫度時的脫氣量，該脫氣量如左縱軸所示。如圖7(a)、(b)、(c)所示，可知通過變更基底，SiFx的脫氣發生變化。在CFx/基底的界面上發生的反應中，脫氣按Si、Si02、Si3N4的順序變少。圖8是表示SiF類脫氣量的溫度依存性的圖。如圖8所示，可知在Si02和CFx的界面上發生反應，生成SiFx脫氣。因此可知必須抑制界面反應。再者，針對SiF4進行了具體調查。圖9是表示SiF4光譜的經時變化的圖。參考圖9可知在釆用標準CFX膜進行的脫氣測量中，對CFx/Si02界面升溫時會連續16小時產生SiF4。所以，必須對CFJ莫/Si02界面上的反應進行抑制。其次，對在這種基底層上形成的CFx膜的SiF類的脫氣量的溫度依存性進行了調査。圖10是表示SiF類脫氣量的溫度依存性的圖，(a)、(b)分別表示在Ar中成膜和在Xe中成膜時的脫氣量的溫度依存性。在壓力為4Pa(30mTorr)、900W、X射線衍射裝置(SSY-1)/Ar(Xe)=10/240(210)sccm的條件下進行。從圖10(a)、圖10(b)可知，通過Xe稀釋氣體進行成膜，較用Ar作為稀釋氣體進行成膜，可以減少SiF類的脫氣。g卩，降低電子溫度是減少脫氣的必須條件。其次，對在Si基底上進行初期成膜時，先使用Xe，然後切換為Ar的SiFj兌氣量的溫度依存性進行了調查。圖11是表示以Si為基底時的SiFx氣體量的溫度依存性的圖。條件是以CsF8為反應氣體，採用Xe在26.6Pa(200mTorr)壓力下通過5秒的等離子體處理進行成膜，接著，採用Ar在26.6Pa(200mTorr)壓力下通過等離子體處理進行成膜，退火後，採用Ar在26.6Pa(200mTorr)壓力下進行5秒處理。如圖11所示，通過在初期成膜時使用Xe，可以減少SiFx氣體。圖12是表示SiFx類脫氣量的溫度依存性的圖，(a)表示在C5F8/Xe26.6Pa(200mTorr)下進行5秒處理和在C5F8/Xe26.6Pa(200mTorr)條件處理後，退火後在Ar26.6Pa(200mTorr)下進行5秒處理後的CFj莫的脫氣量；(b)表示啟動Xe等離子體處理，導入CsF8進行處理工藝(5秒)，停止導入C5Fs，停止Xe等離子體處理後，進行3分鐘Ar/C5Fs工藝處理，5秒Ar+N2處理後從CFj莫產生的脫氣量。從圖12(a)及圖12(b)可知，通過在初期成膜時使用Xe氣，並對界面進行控制，可以減少SiFx氣體。其次，改變條件在Si基底層上同樣形成CFx膜，對其SiF4脫氣量的溫度依存性進行了調查。圖13是表示以Si為基底時的SiFx脫氣量的溫度依存性的圖。其過程為開啟Xe等離子體，導入C5Fs氣體，進行5秒鐘處理，關閉CsF8氣體，停止Xe等離子體，進行3分鐘的Ar/C5F8工藝，接著進行了5秒鐘的Ar+N2表面氮化處理。從圖13可知通過變更程序，可以減少SiFx的脫氣量。另外，對通過Ar等離子體生成的CFx膜的TDS脫氣光譜進行了調查。圖14是表示在Si基底上形成120nm的CFx膜，其TDS游離氣體光譜的圖。如圖14所示，可知當以60"C/min的升溫速度，從室溫升高到400'C時，會產生CF類等的脫氣。圖15是表示在Si02基底層上形成的CF膜的退火後的CFx脫氣量的溫度依存性的圖。如圖15所示，可知通過退火除去對於結合不充分的成分，不會在其後產生分解反應，而且確認到需要進行退火。圖16同樣表示在Si02基底層上形成的CF膜的CF膜退火後的脫水量的溫度依存性的圖。如圖16所示，可知在進行一次升溫時，在In-Situ工藝中不會產生水分，並且In-Situ工藝是必須的。圖17是表示採用圖5的裝置的Ar/N2等離子體處理後的氟碳氣體脫氣特性和熱脫附譜(TDS)測量結果的圖。此外，升溫率為0.17X:/秒。圖5所示的試料，表示採用直鏈CsF8作為圖4所示的反應氣體，在220'C進行成膜，在330。C下通過In-Situ進行退火後的CFx膜的脫氣特性。如圖17所示，可知在開始升溫40秒後停止升溫，保持在40(TC的恆定溫度上。在35(TC附近脫離顯著增加，在比400。C略低的溫度下脫離量變為最大。其次，在Ar等離子體處理中導入C5F8的CFJ莫的脫氣量的溫度依存性進行了調查。圖18是表示在Ar等離子體處理中導入C5F8，在等離子體處理中停止導入，停止Ar等離子體處理時的CFx類脫氣量的溫度依存性的圖，(a)表示CFX脫氣的相對強度和時間的關係；(b)表示脫水的H20濃度(ppb/cm2)與時間的關係。如圖18(a)及圖18(b)所示，可知通過在等離子體處理中通入原料氣體，使未結合的成分減少。另外，脫水量和有效表面積也得到減少。通過在CFx膜形成後進行退火處理，對該CFJ莫的脫氣特性進行了調査。圖19是表示CFx膜的脫氣量的退火溫度依存性的圖，(a)表示CF類氣體的脫氣量；(b)H20氣體的脫氣量。從圖19(a)及(b)可知，通過在40(TC下由退火去除結合不充分的成分，可以使其後不產生分解反應過程。另夕卜，進行一次升溫時，在In-Situ工藝中不會產生水分，退火中In-Situ工藝是必須的。圖20是表示因CFx膜的放置時間的差異造成的各種游離氣體的光譜的圖，(a)表示400'C退火後在大氣中放置12小時後的測量結果；(b)表示不進行退火在大氣中放置48小時後的測量結果。從圖30(a)、(b)的比較可知，大氣放置使游離氣體增加。這表明大氣中的水分與CFJ莫發生了反應。圖21是表示Si類脫氣量的溫度依存性的圖，(a)表示C&脫氣的溫度依存性；(b)表示脫水的溫度依存性。參考圖21(a)及圖21(b)，可知在工藝後照射5秒鐘的Ar等離子體，其後進行了退火。由於在退火前進行了Ar等離子體照射，CFx脫氣減少到2/3，結合不充分的CFx減少。另外，如圖21(b)所示，脫水也減少到1/2，有效表面積也得到減少。再者，在40(TC下對CFx膜進行退火後，用Ar等離子體進行5秒鐘的照射，對其表面進行了氮化。圖22是表示表面氮化效果的圖，(a)、(b)分別表示退火後進行5秒Ar/N2等離子體處理時的CFx脫氣效果和脫水效果。參考圖22(a)及圖22(b)，可知通過退火後的Ar/N2等離子體照射，使CFx氣體減少，變為標準條件的1/3。另外，脫水也減少到1/3，有效表面積也得到減少。圖23是表示與圖17相同，對形成了CFx膜的試料進行退火後，照射Ar/N2等離子體後的試料的化學分析光電子能譜(ESCA:ElectronSpectroscopyforChemicalAnalysis)的測量結果。從圖23的結果可知，僅在表面數nm厚度檢測出N原子，通過退火進行表面改性，使脫氣減少。此外，CFx膜的介電常數在脫氣前為2.04，在脫氣後為2.08，沒有出現大的變化。圖24是表示CFx膜脫氣量的成膜條件依存性的圖，(a)表示CF類脫氣；(b)H20類脫氣。如圖24所示，可知通過在40(TC下進行退火後，用Ar/N2等離子體進行5秒鐘的照射，對其表面進行Ar/N2處理(表面氮化)，使CFJ兌氣減少。該值減少到無退火處理時的1/3。圖25是表示成膜400nm的CFx膜，退火後進行Ar/N2等離子體處理時的脫氣結果，(a)表示一般條件即無氮化的情況，(b)表示進行氮化的情況，可知通過進行Ar/N2的氮化處理，脫氣量減少。圖26是表示在形成於Si基底上的CFJ莫上，通過In-Situ形成的SiCN膜(SiCN/CFx)的游離氣體TDS光譜的圖。如圖26所示，可知通過在CFx膜上形成SiCN膜作為Cap層，可以減少游離氣體。其次，通過圖2731對退火及其後的氮化處理迸行的表面改性進行說明。圖27是表示將在200'C下在Si02上形成CFx膜，在Ar氣中350。C下進行30分鐘退火時的CF類的脫氣量的溫度依存性的圖。參考圖27，可知通過退火除去結合不充分的成分，其後即使升溫到40(TC,也不會產生分解反應，CF類氣體的脫氣量減少。圖28是表示將在200。C下成膜後，在350。C下退火後，再在200。C下通過Ar/N2等離子體對表面進行氮化處理時的脫氣量的溫度依存性的圖。如圖28所示，可知在Si02上形成CFx膜，接著在350'C下進行退火後，再在20(TC下照射Ar/N2等離子體的情況下，脫氣顯著下降，膜表面的改性效果大。圖29是表示在350'C下在Si基板上形成CFx膜，不進行退火時的脫氣量的圖。圖30是表示在35(TC下在Si基板上形成CFx膜，在35(TC下進行退火後，在200'C下通過Ar/N2等離子體進行表面氮化處理時的脫氣量的圖。將圖30與圖29進行比較時，可知通過退火後對表面進行氮化處理，不僅可以抑制脫氣，還可以實現表面改性。圖31是表示在400'C下在Si基板上形成CFJ莫，不進行退火時的脫氣量的圖。如圖31所示，可知在40(TC下在Si上形成CFj莫，接著在350"C下進行退火後，脫氣量減少。圖32是表示表示在40(TC下在Si基板上形成CFJ莫，不進行退火，照射Ar/N2等離子體時的脫氣量的圖。如圖32所示，當在40(TC下通過Ar/N2等離子體進行氮化處理時，脫氣量增加。因此，從圖27到圖32的結果可知進行退火的效果大，另外，用200。C左右的Ar/N2等離子體進行表面氮化，可以減少脫氣，使表面得到改質。還有，確認到密著力增加。再者，從另外的實驗結果可知，當在超過200。C的高溫下(優選為30(TC40(TC)進行氮化時，密著力變大；還有當不採用Ar氣，僅採用N2進行等離子體處理時，不僅可以提高密著力，而且表面的粗糙變少，脫氣量也減少。其次，參考圖33到圖39，對用NiF2膜作為阻擋層的構造及其效果進行說明。圖33的(a)及(b)是分別表示NiFj莫的形成方法及用於對比的Ni膜的形成方法的圖。圖34的(a)及(b)是分別表示Ni膜及NiF2膜的組成的曲線圖。如圖34的(a)及(b)所示，分別表示在Si02上形成Ni膜(350。C退火後)及NiFj莫的情況。圖35的(a)及(b)是表示成膜50nm的Ni作為阻擋金屬層，在其上形成Cu膜時的退火前後的情況。分別表示Ni擴散到Cu膜內和Cu擴散到M內的情況。圖36的(a)及(b)是表示成膜50nm的NiF2膜作為阻擋(金屬)層時的退火前後，Cu及Ni均無擴散的情況，可知將NiF2膜作為阻擋層時，對Cii具有充分的阻擋功能。圖37是表示NiF2成膜後的厚度方向的元素分析結果圖。圖38是表示在NiF2層上形成Cu層後的金屬組織結構的截面SEM照片，右側的照片是左側照片的部分擴大。圖39的(a)及(b)是表示成膜10nm的NiF2膜作為阻擋層的樣品的相互擴散評估結果的曲線圖，(a)是表示相互擴散試驗前(350'C退火前)的圖；(b)是表示相互擴散試驗後(35(TC退火後)的圖。如圖39的(a)及(b)所示，即使在退火後的情況下，也沒有出現Cu或Ni的擴散現象，表明NiF2膜對Cu具有充分的阻擋功能。產業上的利用可能性如上所述，本發明涉及的由CFJ莫構成的層間絕緣膜及其製造方法，和布線機構及其製造方法，適用於具備低介電常數的層間絕緣膜及布線結構的半導體裝置、布線基板或者含有它們的電子裝置。權利要求1.一種層間絕緣膜，是具備形成在基底層上的絕緣膜的層間絕緣膜，其特徵在於，有效介電常數為3以下。2.根據權利要求1所述的層間絕緣膜，其特徵在於，所述絕緣膜具備形成在所述基底層上的第1碳氟膜；形成在所述第1碳氟膜上，具有比所述第1碳氟膜低的介電常數的第2碳氟膜。3.根據權利要求2所述的層間絕緣膜，其特徵在於，所述第l碳氟膜的厚度為510nm，所述第2碳氟膜的厚度優選為280500nm。4.根據權利要求2或3所述的層間絕緣膜，其特徵在於，所述第2碳氟膜的介電常數為1.52.5。5.根據權利要求14中任一項所述的層間絕緣膜，其特徵在於，所述基底層由形成在基體上的SiCN層、SisCN4層、SiCO層以及Si02層中的至少一種構成。6.根據權利要求2所述的層間絕緣膜，其特徵在於，所述第l碳氟膜是為了防止與所述基底層反應而生成的氟碳氣體的產生而設置的。7.根據權利要求2所述的層間絕緣膜，其特徵在於，所述第1及第2的碳氟膜為低介電常數膜。8.根據權利要求17中任一項所述的層間絕緣膜，其特徵在於，還具備由形成在所述絕緣膜上的Si3N4、SiCN以及SiCO中的至少一種構成的膜。9.根據權利要求17中任一項所述的層間絕緣膜，其特徵在於，所述第1碳氟膜採用使用Xe氣體或Kr氣體產生的等離子體CVD形成，所述第2碳氟膜採用使用Ar氣體產生的等離子體CVD形成。10.根據權利要求19中任一項所述的層間絕緣膜，其特徵在於，所述第2碳氟膜的表面被氮化。11.根據權利要求IO所述的層間絕緣膜，其特徵在於，所述表面被氮化的部分的厚度為15nm，優選為23nm。12.—種成膜方法，是採用氟碳氣體和稀有氣體，在基底層上形成碳氟膜的方法，其特徵在於，具備通過採用Ar氣體以外的稀有氣體產生的等離子體，在所述基底層上形成第1碳氟膜的第1工序；通過採用Ar氣體產生的等離子體，在所述第1碳氟膜上形成第2碳氟膜的第2工序。13.根據權利要求12所述的成膜方法，其特徵在於，所述第l碳氟膜成膜厚度為510nm，在其上形成厚度為280500nm的第2碳氟膜。14.根據權利要求12或13所述的成膜方法，其特徵在於，所述基底層包含形成在基體上的SiCN層、Si3CHt層、Si02層以及SiCO層中的至少一種。15.根據權利要求1214中任一項所述的成膜方法，其特徵在於，所述第1工序採用的稀有氣體為Xe氣體。16.根據權利要求1215中任一項所述的成膜方法，其特徵在於，向所述稀有氣體中加入氮化性氣體及氧化性氣體，通入作為反應性氣體的SiH4氣體，形成SisN4、SiCN以及SiCO中的至少一種的膜。17.根據權利要求1216中任一項所述的成膜方法，其特徵在於，在對所述第2碳氟膜進行退火處理後，對其表面進行氮化。18.—種多層布線結構的製造方法，其特徵在於，具備形成作為層間絕緣膜的至少一部分的碳氟膜的工序；對該碳氟膜進行退火處理的工序；對所述碳氟膜的表面進行氮化的工序。19.根據權利要求18所述的多層布線結構的製造方法，其特徵在於，所述退火工序不將所述多層布線結構不暴露在大氣中，而在惰性氣體中進行。20.根據權利要求18或19所述的多層布線結構的製造方法，其特徵在於，所述氮化工序在採用Ar氣體而產生的等離子體中，使用N2氣體進行。21.根據權利要求18或19所述的多層布線結構的製造方法，其特徵在於，所述氮化工序在採用N2氣體產生的等離子體中進行。22.根據權利要求21所述的多層布線結構的製造方法，其特徵在於，所述氮化工序在20(TC以上的溫度進行。23.根據權利要求1822中任一項所述的多層布線結構的製造方法，其特徵在於，在所述退火工序之前或之後，具有用稀有氣體等離子體對所述碳氟膜的表面進行照射的工序。24.—種布線機構，其具備具有形成在基底層上的絕緣膜的層間絕緣膜；形成在所述層間絕緣膜上的接觸孔；填充在所述接觸孔內的導電性布線材料，其特徵在於，所述層間絕緣膜的有效介電常數為3以下。25.根據權利要求24所述的布線機構，其特徵在於，所述導電性布線材料包含銅，使至少包含由鎳的氟化物層構成的層的阻擋層介於所述布線材料和所述層間絕緣膜之間。26.根據權利要求24或25所述的布線機構，其特徵在於，所述絕緣膜具備形成在所述基底層上的第1碳氟膜；形成在所述第l碳氟膜上，具有比所述第1碳氟膜低的介電常數的第2碳氟膜。27.根據權利要求26所述的布線機構，其特徵在於，所述第l碳氟膜的厚度為510nm，所述第2碳氟膜的厚度為280500nm。28.根據權利要求25所述的布線機構，其特徵在於，所述第2碳氟膜的介電常數為1.52.5。29.根據權利要求2428中任一項所述的布線機構，其特徵在於，所述基底層包含形成在基體上的SiCN層、SbCN4層以及Si02層中的至少一種。30.根據權利要求26所述的布線機構，其特徵在於，所述第1碳氟膜是為了防止與所述基底層發生反應生成的氟化矽氣體的產生而設置的。31.根據權利要求2430中任一項所述的布線機構，其特徵在於，還具備包含形成在所述碳氟膜上的Si3N4、SiCN、以及SiCO中的至少一種的膜。32.根據權利要求26所述的布線機構，其特徵在於，在所述第2碳氟膜的表面部分上具有被氮化處理的膜。33.—種布線結構的製造方法，其特徵在於，具備採用氟碳氣體和等離子體的電子溫度低於Ar的稀有氣體，在基底層上形成第1碳氟膜的第l工序；通過採用Ar氣體產生的等離子體，在所述第l碳氟膜上形成第2碳氟膜的第2工序。34.根據權利要求33所述的布線機構的製造方法，其特徵在於，所述第1碳氟膜的厚度形成為510nm，所述第2碳氟膜的膜厚形成為280500nm。35.根據權利要求33或34所述的布線機構的製造方法，其特徵在於，將第2碳氟膜的介電常數調整為1.52.5。36.根據權利要求3335中任一項所述的布線機構的製造方法，其特徵在於，所述基底層包含形成在基體上的SiCN層、Si3Hf層、SiCO層以及Si02層中的至少一種。37.根據權利要求3336中任一項所述的布線機構的製造方法，其特徵在於，所述第1工序採用的稀有氣體為Xe氣體。38.根據權利要求3337中任一項所述的布線機構的製造方法，其特徵在於，所述第1及第2碳氟膜為低介電常數膜。39.根據權利要求3338中任一項所述的布線機構的製造方法，其特徵在於，向所述稀有氣體中加入氮化性氣體及氧化性氣體中的至少一種，通入作為反應性氣體的SiH4氣體，形成Si3N4或SiCN、以及SiCO的至少一種的膜。40.根據權利要求3339中任一項所述的布線機構的製造方法，其特徵在於，對所述第2碳氟膜的表面進行氮化處理。41.根據權利要求3340中任一項所述的布線機構的製造方法，其特徵在於，還具備在所述碳氟膜上形成接觸孔的工序；向所述接觸孔中填充金屬的工序。42.根據權利要求3341中任一項所述的布線機構的製造方法，其特徵在於，具備向所述接觸孔中至少填充銅的工序；為了防止所述銅的擴散，至少在所述接觸孔側面上形成鎳的氟化物層作為阻擋層的工序。43.—種電子裝置，其具有多層布線結構，其特徵在於，至少具備作為所述多層布線結構的層間絕緣膜而基底層上形成的第1碳氟膜；形成在所述第1碳氟膜上，具有比所述第1碳氟膜低的介電常數的第2碳氟膜。44.根據權利要求43所述的電子裝置，其特徵在於，所述第l碳氟膜的厚度為510nm，所述第2碳氟膜的厚度為280500nm。45.根據權利要求43或44所述的電子裝置，其特徵在於，所述基底層包含SiCN層、ShCN4層、SiC0層以及Si02層中的至少一種。46.根據權利要求4345中任一項所述的電子裝置，其特徵在於，還具備形成在所述第2碳氟膜上的SisN4層、SiCN層以及SiCO層中的至少一種。47.根據權利要求4346中任一項所述的電子裝置，其特徵在於，所述第1碳氟膜採用使用Xe氣體或Kr氣體產生的等離子體CVD形成，所述第2碳氟膜採用使用Ar氣體產生的等離子體CVD形成。48.根據權利要求4347中任一項所述的電子裝置，其特徵在於，所述第2碳氟膜的表面被氮化。49.根據權利要求48所述的電子裝置，其特徵在於，所述表面被氮化的部分的厚度為15nm，優選為23nm。50.根據權利要求4349中任一項所述的電子裝置，其特徵在於，所述層間絕緣膜上具有接觸孔，在所述接觸孔內填充有至少包含銅的金屬，在所述接觸孔側面，在所述第1及第2碳氟膜和所述金屬之間存在阻擋層。51.—種電子裝置，其具有多層布線結構，其特徵在於，在所述多層布線結構的層間絕緣膜上具有接觸孔，在所述接觸孔內填充有至少包含銅的金屬，在所述金屬和所述層間絕緣膜之間設有至少包含鎳的氟化物層的阻擋層。52.根據權利要求51所述的電子裝置，其特徵在於，所述鎳的氟化物為二氟化鎳。53.根據權利要求51或52所述的電子裝置，其特徵在於，所述阻擋層包含由MOCVD形成的鎳的氟化物。54.根據權利要求51或52所述的電子裝置，其特徵在於，所述阻擋層包含經PVD成膜後鎳被氟化處理的層。55.—種電子裝置的製造方法，是具有多層布線結構的電子裝置的製造方法，其特徵在於，包括釆用氟碳氣體和稀有氣體在基底層上形成碳氟膜的工序，所述工序至少具備通過採用Ar以外的稀有氣體產生的等離子體，在所述基底層上形成第1碳氟膜的第1工序；通過採用Ar氣體產生的等離子體，在所述第1碳氟膜上形成第2碳氟膜的第2工序。56.根據權利要求55所述的電子裝置的製造方法，其特徵在於，形成510nm的所述第1碳氟膜，在其上形成280500nm的所述第2碳氟膜。57.根據權利要求55或56所述的電子裝置的製造方法，其特徵在於，所述基底層包含SiCN層、SisCN4層、Si02層以及SiCO層中的至少一種。58.根據權利要求5557中任一項所述的電子裝置的製造方法，其特徵在於，用於所述第1工序的稀有氣體為Xe氣體。59.根據權利要求5558中任一項所述的電子裝置的製造方法，其特徵在於，具有對所述第2碳氟膜的表面進行氮化的第3工序。60.根據權利要求5559中任一項所述的電子裝置的製造方法，其特徵在於，在形成所述碳氟膜的工序之後，具有在腔內通過氫和氧的混合氣體產生等離子體對所述腔內壁進行清洗的工序。61.—種腔的清洗方法，其特徵在於，使減壓後的腔內產生等離子體而在設置於所述腔內的基板上形成碳氟膜後，在所述腔內通過氫和氧的混合氣體產生等離子體，對所述腔內壁進行清洗。62.—種電子裝置的製造方法，是具有多層布線結構的電子裝置的製造方法，其特徵在於，具有形成作為層間絕緣膜的至少一部分的碳氟膜的工序；對該碳氟膜進行退火的工序；對所述碳氟膜的表面進行氮化的工序。63.根據權利要求62所述的電子裝置的製造方法，其特徵在於，所述退火工序不將所述多層布線結構暴露在大氣中，而是在惰性氣體中進行。64.根據權利要求62或63所述的電子裝置的製造方法，其特徵在於，所述氮化工序在包含N2氣體的等離子體中進行。65.根據權利要求6264中任一項所述的電子裝置的製造方法，其特徵在於，在所述退火工序之前或之後，具有用稀有氣體等離子體對所述碳氟膜的表面進行照射的第4工序。66.根據權利要求6265中任一項所述的電子裝置的製造方法，其特徵在於，具備在所述碳氟膜上形成接觸孔的工序；向所述接觸孔中填充金屬的工序。67.根據權利要求6266中任一項所述的電子裝置的製造方法，其特徵在於，具備向所述接觸孔中填充至少包含銅的導電材料的工序；為了防止所述銅的擴散而在所述接觸孔的側面上形成阻擋層的工序。68.根據權利要求67所述的電子裝置的製造方法，其特徵在於，所述阻擋層包含鎳的氟化物。全文摘要提供一種低介電常數且不會產生CFx、SiF4等氣體的、穩定的半導體裝置的層間絕緣膜和具備該層間絕緣膜的布線結構。在具備形成在基底層上的絕緣膜的層間絕緣膜中，所述層間絕緣膜的有效介電常數為3以下。布線結構具備層間絕緣膜和形成在層間絕緣膜上的接觸孔以及被填充在所述接觸孔內的金屬。所述絕緣膜具備形成在所述基底層上的第1碳氟膜和形成在所述第1碳氟膜上的第2碳氟膜。文檔編號H01L21/3205GK101238555SQ20068002231公開日2008年8月6日申請日期2006年6月20日優先權日2005年6月20日發明者大見忠弘申請人:國立大學法人東北大學;財團法人國際科學振興財團