含有異氰脲酸化合物與苯甲酸化合物的反應生成物的形成防反射膜的組合物的製作方法

2023-05-24 01:41:46 2

專利名稱：含有異氰脲酸化合物與苯甲酸化合物的反應生成物的形成防反射膜的組合物的製作方法
技術領域：
本發明涉及用於形成防反射膜的組合物。詳細地講，涉及在半導體器 件製造的光刻工序中為了減輕曝光照射光從半導體141向塗布在半導體基 板上的光致抗蝕劑層的反射而使用的防反射膜，以及用於形成該防反射膜的組合物。更詳細地說，涉及在使用波長248nm、 193nm和157nm等的 曝光照射光進行的半導體器件製造的光刻工序中使用防反射膜，以及用於 形成該防反射膜的組合物。另外，涉及使用了該防反射膜的光致抗蝕劑圖 形的形成方法。
背景技術：
一直以來，在半導體器件的製造中，人們利用使用了光致抗蝕劑組合 物的光刻法來進行微細加工。上述微細加工，是在矽晶片上形成光致抗蝕 劑組合物的薄膜，在該薄膜上通過繪有半導體器件的圖形的掩模圖形來照 射紫外線等的活性光線，進行顯1象，將獲得的抗蝕劑圖形作為保護膜來蝕 刻處理矽晶片的加工法。但是，近年來器件的高集成化不斷t艮，所使用 的活性光線也存在從i線(波長365nm)、 KrF準分子雷射(波長248nm) 向ArF準分子雷射(波長193nm)轉換的短波長化傾向。與此相伴，活性 光線從基板的漫反射、駐波的影響逐漸成為大的問題。因此，在光致抗蝕 劑與^i4l之間i殳置防反射膜(bottom anti-reflective coating)的方法日益 淨皮廣泛研究。作為防反射膜，已知鈦、二氧化鈦、氮化鈦、氧化鉻、碳、cc-矽等的 無機防反射膜、和由吸光性物質和高分子化合物構成的有機防反射膜。前者在形成膜時需要真空蒸鍍裝置、CVD裝置、賊射裝置等設備，與之相對， 後者不需要特別的設備，在這一點上是有利的，因此進行了很多的研究。 例如，可列舉出美國專利第5919599號說明書中所記載的在同一分子內 具有作為交聯形成取代基的羥基和吸光基的丙烯酸樹脂型防反射膜，美國 專利第5693691號說明書中所記載的在同一分子內具有作為交聯形成取代 基的羥基和吸光基的酚醛清漆樹脂型防反射膜等。作為有機系的防反射膜所期望的物性，有光、放射線具有很大的吸光 度；不產生與光致抗蝕劑層的混合(不溶於光致抗蝕劑溶劑)；在塗布時或 加熱乾燥時沒有低分子化合物從防反射膜材料向上層塗布的光致抗蝕劑中的擴散；具有比光致抗蝕劑大的幹刻速度；等等。近年來，在^f吏用KrF準分子雷射和ArF準分子雷射的光刻工序中， 加工尺寸的微細化即形成的光致抗蝕劑圖形尺寸的微細化不斷1艮。伴隨 著光致抗蝕劑圖形的^i:細化的逸艮，人們期望用於防止光致抗蝕劑圖形的 破壞等而進行的光致抗蝕劑的薄膜化。另外，在以薄膜的形式使用光致抗 蝕劑的情況下，為了抑制一起使用的有機防反射膜的利用蝕刻進行的除去 工序中的光致抗蝕劑層的膜厚的減少，人們期望能夠在較短時間內利用蝕 刻來除去的有機防反射膜。即，為了使蝕刻除去工序短時間化，要求能以 比現有產品的膜厚更薄的薄膜的形式使用的有機防反射膜，或者與光致抗 蝕劑比較，具有比現有產品更大的蝕刻速度的選擇比的有機防反射膜。另外，對防反射膜，要求能夠形成良好的形狀的光致抗蝕劑圖形。特 別要求能夠形成在其下部沒有大的巻邊形狀(根部效應footing)的光致抗 蝕劑圖形。這是因為，如果光致抗蝕劑圖形具有大的巻邊形狀，則會對其 後的加工工序造成壞影響。另外，隨著光刻技術的發展，所使用的光致抗蝕劑的種類也逐漸增加。 因此，為了應對多樣的光致抗蝕劑的使用， 一直期待新的防反射膜的開發。另外，已知將用芳香族化合物或脂環式化合物進行了取代的三(羥基 烷基)異氰脲酸酯用於廣域紫外線吸收劑的技術(例如參照專利文獻1 )、 含有三聚氰酸作為聚合性有機化合物的固化組合物(例如參照專利文獻2)。另外，已知含有三聚氰酸化合物的防反射膜組合物(例如參照專利文 獻3)。另外，公開了將由1，3，5-三(2-羥基乙基)三聚氰酸合成的聚酯用 於防反射膜(例如參照專利文獻4、專利文獻5)。另外，已知含有樹脂粘合劑和光產酸劑等的防反射被膜組合物(參照 例如專利文獻6)。進而，已知含有含氮化合物和通過照射活性光線會產生 酸的化合物等的用於形成防反射膜的組合物(參照例如專利文獻7 )。專利文獻1:特開平11 一 279523號/>才艮專利文獻2:特開平10 — 204110號z〉才艮專利文獻3:國際公開第02/086624號小冊子專利文獻4:歐洲專利申請公開第1298492號i兌明書專利文獻5:歐洲專利申請公開第1298493號說明書專利文獻6:特開平11 - 133618號^^艮專利文獻7:特開平11 - 38622號公報發明內容本發明涉及形成對短波長的光、特別是波長193nm或157nm的光具 有強吸收的防反射膜用的光刻用防反射膜的組合物。另外，本發明的目的 在於提供一種形成防反射膜的組合物，其可以在4吏用ArF準分子雷射(波 長193nm)或F2準分子雷射(波長157nm)的照射光進行的半導體器件制 造的光刻工序中使用。另外，本發明的目的在於提供一種防反射膜和用於 形成該防反射膜的形成防反射膜的組合物，所述的防反射膜有效地吸收在 使用ArF準分子雷射或F2準分子雷射的照射光進行微細加工時從基板的 反射光，不與光致抗蝕劑層發生混合，具有比光致抗蝕劑大的幹蝕刻速度。 另外，本發明的進一步的目的在於提供可以形成在下部不具有大的巻邊形 狀的光致抗蝕劑圖形的防反射膜，以及用於形成該防^Jt膜的形成防反射 膜的組合物。另外，本發明的其他目的是提供使用這樣的形成防反射膜的 組合物的光刻用防反射膜的形成方法，以及光致抗蝕劑圖形的形成方法。鑑於這樣的現狀，本發明者們進行深入研究的結果發現，利用含有具有2個或3個2，3 -環氧丙基的異氰脲酸化合物和苯甲酸化合物的反應生成 物的形成防反射膜的組合物，可以形成在使用短波長的光、特別是ArF準 分子雷射和F2準分子雷射的工序中具有優異的性能的防反射膜，從而完 成了本發明。即，本發明中，作為第1觀點，是一種形成防反射膜的組合物，含有 式(1 )所示的化合物與苯曱酸化合物的反應生成物、交聯性化合物和溶劑、 以及光產酸劑或酸化合物中的一方或這兩方，0 丄丄 Q (1) O人N人O1式中，1^表示碳原子數1~6的烷基、爺基、2-丙烯基、2，3-環氧丙 基或苯基；作為第2觀點，是根據第l觀點所述的形成防反射膜的組合物，含有 上述反應生成物、交聯性化合物、溶劑和酸化合物；作為第3觀點，是根據第l觀點所述的形成防反射膜的組合物，含有 上述反應生成物、光產酸劑、交聯性化合物和溶劑；作為第4觀點，是根據第l觀點所述的形成防反射膜的組合物，含有 上述反應生成物、光產酸劑、交聯性化合物、溶劑和酸化合物；作為第5觀點，是根據第1觀點~第4觀點的任一項所述的形成防反 射膜的組合物，上述式(1)所示的化合物是三(2，3-環氧丙基)異氰脲 酸；作為第6觀點，是根據第1觀點~第4觀點的任一項所述的形成防反 射膜的組合物,上述苯甲酸化合物是具有卣素取代基的羥基苯甲酸化合物； 作為第7觀點，是根據第6觀點所述的形成防反射膜的組合物，上述囟素取代基是溴基或碘基；作為第8觀點，是根據第6觀點所述的形成防反射膜的組合物，上述 具有卣素取代基的羥基苯甲酸化合物是選自2,5 - 二氯-3 -羥基-6 -甲氧基苯曱酸、2，4，6-三碘-3-羥基苯甲酸、2，4，6-三溴-3-羥基苯曱酸、 2-溴一4，6-二曱基-3-羥基苯曱酸、2-氟一5-羥基苯曱酸、3，5-二溴 一4一羥基苯甲酸、2，4一二羥基-5-溴苯甲酸、3-碘-5-硝基一4-羥 基苯曱酸、4一氯一2-羥基苯甲酸、3，5-二碘一2-羥基苯甲酸、4一M -3,5-二碘-2-羥基苯甲酸、和3,5-二溴-2-羥基苯甲酸等中的化合 物；
作為第9觀點，是第1觀點~第4觀點的任一項所述的形成防反射膜 的組合物，上式(1)所示的化合物與苯甲酸化合物的反應生成物，是上式 (1)所示的化合物與苯甲酸化合物按照上式(1)所示的化合物:苯甲酸化 合物的摩爾比為1:2~1:3進行反應而獲得的反應生成物；
作為第10觀點，是一種防反射膜，是將上述第1觀點~第9觀點的任 一項所述的形成防反射膜的組合物塗布在半導體^上，進行烘烤而獲得
的；
作為第11觀點，是一種在半導體器件的製造中使用的光致抗蝕劑圖形 的形成方法，包括將第1觀點~第9觀點的任一項所述的形成防反射膜 的組合物塗布在半導體基板上，進行烘烤來形成防反射膜的工序；在該防 反射膜上形成光致抗蝕劑層的工序；對上述防反射膜和上述光致抗蝕劑層 被覆的半導體a進行曝光的工序；在該曝光後對上述光致抗蝕劑層進行 顯影的工序；
作為第12觀點，是一種在半導體器件的製造中使用的光致抗蝕劑圖形 的形成方法，包括將第1觀點~第9觀點的任一項所述的形成防反射膜 的組合物塗布於半導體M上並進行烘烤來形成防反射膜的工序；在該防 反射膜上形成光致抗蝕劑層的工序；將上述防反射膜和上述光致抗蝕劑層
被覆的半導體J41用F2準分子雷射(波長157nm)的照射光進4亍曝光的 工序；在該曝光後對上述光致抗蝕劑層進行顯^^的工序。
本發明是用於形成對短波長的光，特別是ArF準分子雷射(波長 193nm)或F2準分子雷射(波長157nm)具有強吸收的防反射膜的組合物。 由此獲得的防反射膜，有效地吸收來自基板的反射光。根據本發明，可以提供一種防反射膜，其在使用了 ArF準分子雷射或 F2準分子雷射等的微細加工中，可以有效地吸收從半導體J41的反射光， 與光致抗蝕劑層不發生混合。
根據本發明，可以提供一種防反射膜，其能夠形成在下部基本沒有巻 邊形狀的光致抗蝕劑圖形。
另外，通過使用本發明的防反射膜，在使用了 ArF準分子雷射(波長 193nm)等的光刻工序中，可以形成良好的光致抗蝕劑圖形。
具體實施例方式
本發明涉及形成防反射膜的組合物，其特徵在於，含有上式(1)所示 的化合物與苯甲酸化合物的反應生成物、光產酸劑、交聯性化合物、和溶 劑。另外，本發明涉及一種形成防反射膜的組合物，其特徵在於，含有上 式(1)所示的化合物與苯甲酸化合物的反應生成物、光產酸劑、交聯性化 合物、溶劑、和酸化合物。另外，本發明涉及一種形成防反射膜的組合物， 含有上式(1 )所示的化合物與苯曱酸化合物的反應生成物、交聯性化合物、 溶劑、和酸化合物。另外，本發明的形成防反射膜的組合物還可以含有聚 合物成分、吸光性化合物和表面活性劑等。
在本發明的形成防反射膜的組合物中，固體成分的比例，只要可使各 成分均勻溶解在溶劑中，就沒有特別限制，例如為0.5~50質量％、或者 為1~30質量％、或者為10~25質量％。此處所說的固體成分，是指從形 成防反射膜的組合物的總成分中去掉溶劑成分的物質。
本發明的形成防反射膜的組合物含有上式(1)所示的化合物與苯甲酸 化合物的反應生成物。在上式(l)中，Ri表示碳原子數l 6的烷基、苄 基、2-丙烯基、2， 3-環氧丙基、或苯基。作為烷基，可以列舉出甲基、 乙基、異丙基、環己基、和正戊基等。
上式(1)所示的化合物與苯甲酸化合物的反應，優選在溶解在苯、甲 苯、二甲苯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、丙二醇單甲基醚、丙二醇單曱基醚乙 酸酯、和N-曱基吡咯烷酮等的有機溶劑中的溶液狀態下進行。另外，在該反應中，還可以使用爺基三乙基氯化銨、四丁基氯化銨、和四乙基溴化 銨等的季銨鹽作為催化劑。本反應的反應溫度、反應時間依賴於所使用的
化合物、濃度等，從反應時間0.1~100小時或1~50小時、反應溫度20 。C 200t:或50。C 180'C的範圍中適當選擇。在使用催化劑的情況下，相 對於所使用的化合物的總質量，可以在0.001 ~ 30質量％的範圍內使用。
反應中使用的上式(1)所示的化合物與苯甲酸化合物的比例，以摩爾 比計，上式(1)所示的化合物:苯甲酸化合物例如為5:1 ~ 1:5，或3:1 ~ 1:3， 或1:1 ~ 1:3,或1:2 ~ 1:3，或2:5 ~ 1:3。
本發明的形成防反射膜的組合物中含有的反應生成物例如可以如下那 樣獲得。按照使上式(1)所示的化合物與苯甲酸化合物的摩爾比為1:2 ~ 1:3、濃度為15~35質量％那樣，溶解在適當的有機溶劑中。接著，將千 基三乙基氯化銨等的季銨鹽，按照相對於除去了有機溶劑的所使用的化合 物的總質量為0.5~3質量％的比例進行添加。然後，通過在反應溫度IOO 。C 150。C、反應時間為10~30小時進行反應，可以獲得反應生成物。或 者，按照上式(1)所示的化合物與苯甲酸化合物的摩爾比為1:2~1:3,濃 度為40~60質量％那樣，溶解在適當的有機溶劑中。然後，通過在不添加 季銨鹽的情況下，按照在反應溫度IOO'C 150X:，反應時間為10 30小 時進行反應，可以獲得反應生成物。
在上式(1)所示的化合物與苯曱酸化合物的反應中，上式(1)的環 氧基與苯曱酸化合物的羧基之間，發生環氧開環反應，獲得反應生成物。 在將苯甲酸化合物用A 一 COOH (式中A表示可以具有取代基的苯環)表 示的情況下，上式(1)的氮原子上的2， 3-環氧丙基通過與苯甲酸化合 物的反應，變換為下述的式(2)所示的基團。 H O關 O —。一6 —O—Cl—A (2)
formula see original document page 10
另外，上式(i)的化合物與苯甲酸化合物的反應中，雖然依賴於反應
中使用的這些化合物的比例，但是作為反應生成物，認為有上式(l)的2, 3-環氧丙基的一個變換為上式(2)的基團而成的化合物，和2， 3-環氧丙基的2個變換為上式 (2) 的基團而成的化合物。 另外，在上式(l) 中，R!為2， 3-環氧丙基的情況下，上式(1)的2， 3-環氧丙基的全部 3個變換為上式(2)而成的化合物，也可以作為反應生成物。因此，作為 上式(1)所示的化合物與苯甲酸化合物的反應生成物，認為可以是1種化 合物的情況，和2種以上的化合物的混合物的情況。作為本發明的形成防 反射膜的組合物中含有的上式(1 )所示的化合物與苯甲酸化合物的反應生 成物，可以是一種化合物的情況，也可以是二種以上的化合物的混合物的 情況。
另夕卜，在與上式(1)所示的化合物的反應中使用的苯甲酸化合物為羥 基苯甲酸化合物、具有2個羧基的化合物、例如鄰苯二甲酸化合物的情況 下，認為這些化合物的氛基和羥基、或2個氛基的兩方，與上式(1)的2, 3-環氧丙基發生環氧開環反應。
在將羥基苯甲酸化合物和鄰苯二曱酸化合物用HOOC - B - (C = O) n-OH (式中B表示可以具有取代基的苯環，n為0或l，在n-0時，表 示羥基苯甲酸化合物，在n-l時，表示鄰苯二甲酸化合物)表示的情況 下，l個氛基與上式(1)的2， 3-環氧丙基反應，變換為下式(3)的基 團。另外，在式(3)中的剩餘的羧基或羥基進而與上式(1)的其它的2， 3 -環氧丙基反應的情況下，認為生成具有下式(4)的結構的反應生成物。 另外，認為生成下式(4)的結構為連續的狀態、即低聚物(或聚合物)的 反應生成物。
formula see original document page 11因此，可以考慮作為苯甲酸化合物，使用羥基苯曱酸化合物、具有 2個氛基的化合物的情況；其反應生成物，為一種化合物的情況；為二種 以上的化合物的情況；為低聚物(或聚合物)的情況；或為它們的混合物 的情況。作為本發明的形成防反射膜的組合物中含有的反應生成物，可以 為上述任一種情況。
作為為了產生本發明的形成防反射膜的組合物中含有的反應生成物而 使用的上式(1)所示的化合物，可以列舉出2 -丙烯基-二縮水甘油基異 氰脲酸、苯基二縮水甘油基異氰脲酸和三(2， 3-環氧丙基)異氰脲酸等。
使用的苯甲酸化合物，沒有特別的限定，例如可以使用苯甲酸，另外，可 以使用用下述基團取代了的苯甲酸化合物，所述基團選自甲基、乙基和異 丙基等的烷基、曱氧基、乙氧基和丁氧基等的烷氧基、曱氧基羰基和丙氧 基羰基等的烷氧基羰基、氟原子、溴原子和碘原子等的滷素取代基、節基、 苯基、苯氧基、羥基、硝基、氰基、羧基、甲基硫基和氨基。
作為苯甲酸化合物，可以列舉出例如、苯甲酸、間苯二甲酸單乙基酯、 2， 4-二溴苯甲酸、4-甲基苯曱酸、2-甲氧基苯甲酸、2， 3， 5-三碘苯 甲酸、2-氯-4一硝基苯甲酸、4一氟苯甲酸、4一碘苯甲酸、4-溴苯甲酸、 4-叔丁基苯甲酸、3-三氟曱基苯甲酸、2-硝基苯甲酸、4-異丙氧基苯 甲酸、3-M苯甲酸、4 —M苯甲酸、3-苯基苯甲酸、3-溴一4-甲基 苯甲酸、2， 4， 6-三溴苯甲酸、4一甲基J克代苯甲酸、2-溴-4一氟苯甲 酸、4， 5-二氯-苯一l， 3-二甲酸、5-M-2， 4, 6-三碘-間苯二 甲酸、苯一l， 4一二甲酸、2， 3， 5， 6-四溴-苯一l， 4一二甲酸、4， 5 一二氯鄰苯二甲酸、5-曱氧基-3-甲基—鄰苯二甲酸、和3， 4， 5， 6-四溴鄰苯二甲酸等。另外，作為苯甲酸化合物，可以列舉出羥基苯甲酸化 合物，優選具有卣素取代基的羥基苯甲酸化合物。作為卣素取代基，從對 F2準分子雷射的吸收的觀點出發，優選溴基(-Br)、或碘基(-I )。 作為羥基苯甲酸化合物，可以列舉出例如、4-羥基苯甲酸、3-羥基苯甲 酸、3, 5-二羥基苯甲酸、2-氨基一3-羥基苯甲酸、2, 5-二氯一3-羥基一6-甲氧基苯曱酸、2， 4， 6-三碘-3-羥基苯甲酸、2， 4, 6-三溴 -3-羥基苯甲酸、2-溴-4， 6-二甲基-3-羥基苯甲酸、2-氟-5-羥 基苯甲酸、3-甲氧基—4 —羥基苯甲酸、3， 5 —二溴-4 —羥基苯甲酸、2， 4一二羥基一5-溴苯甲酸、3-碘一5-硝基一4-羥基苯甲酸、2-羥基苯 甲酸、4一氯一2-羥基苯曱酸、3, 5-二碘一2-羥基苯甲酸、3-甲氧基 -2-羥基苯甲酸、2-羥基一6 —異丙基_3_甲基苯甲酸、和4一氨基一3， 5-二硤-2-羥基苯甲酸等。
在與上式(1)所示的化合物的反應中，這些苯曱酸化合物可以僅使用 一種。另外，也可以適當組合使用二種以上的苯甲酸化合物。例如，可以 組合使用4-硝基苯甲酸與3， 5-二碘-2-羥基苯甲酸。另夕卜，例如可以 組合使用4 —羥基苯甲酸和4 —氰基苯甲酸。另夕卜，例如可以組合使用4 — 羥基苯甲酸和2， 3， 5-三碘苯甲酸。
作為本發明的形成防反射膜的組合物中含有的上式(1)所示的化合物 與苯甲酸化合物的反應生成物的含有量，在固體成分中，例如為50~99 質量％，或60~95質量％，或65~卯質量％。
本發明的形成防反射膜的組合物可含有光產酸劑。光產酸劑，在光致 抗蝕劑膝光時產生酸，因此可以調節防反射膜的酸度。這是用於使防反射 膜的晚變與上層的光致抗蝕劑的晚復一致的方法之一。另外，通過調整防 反射膜的i^變，可以調整上層形成的光致抗蝕劑的圖形的形狀。作為光產 酸劑，可列舉出鑰鹽化合物、磺醯亞胺化合物和二磺醯基重氮甲烷化合物 等。
作為鐵鹽化合物，可列舉出，二苯基六氟磷酸碘鑰鹽、二苯基三氟甲 烷磺酸硤鑰鹽、二苯基九氟正丁烷磺酸碘鑰鹽、二苯基全氟正辛烷磺酸碘 総鹽、二苯基樟腦磺酸硪総鹽、雙(4 -叔丁基苯基)樟腦磺酸碘鐵鹽和雙 (4 -叔丁基苯基)三氟甲烷磺酸碘総鹽等碘鎗鹽化合物、及三苯基六氟銻 酸鋶鹽、三苯基九氟正丁烷磺酸鋶鹽、三苯基樟腦磺酸鋶鹽、及三苯基三 氟曱烷磺酸鋶鹽等鋶鹽化合物等。
作為磺醯亞胺化合物，可列舉出例如N-(三氟甲烷磺醯氧基)琥珀醯亞胺、N-(九氟正丁烷磺醯氧基)琥珀醯亞胺、N-(樟腦磺醯氧基) 琥珀醯亞胺及N-(三氟甲烷磺醯氧基)萘醯亞胺等。作為二磺醯基重氮曱烷化合物，可列舉出例如，雙(三氟甲基磺醯基) 重氮甲烷、雙(環己基磺醯基)重氮甲烷、雙(苯基磺酖基)重氮甲烷、 雙(對甲M醯基)重氮甲烷、雙(2，4-二甲基M醯基)重氮甲烷、及 曱基磺醯基-對甲M醯基重氮曱烷等。另外，作為光產酸劑，可以列舉出，苯偶姻甲笨璜酸酯、連苯三酚甲 磺酸三酯和硝基千基-9， 10 - 二乙氧基蒽-2 -磺酸酯和苯基-二 (三氯 甲基)一 s -三嗪等。這些光產酸劑可以僅4吏用一種，也可以組合^使用二種以上。作為本發明的形成防反射膜的組合物中的光產酸劑的含有量，在固體 成分中，例如為0.01~10質量％，或0.1~5質量％,或0.5~3質量％。本發明的形成防反射膜的組合物可以含有交聯性化合物。作為這樣的 交聯性化合物，沒有特別的限定，但是優選使用具有至少2個交聯形成取 代基的交聯性化合物。例如可以列舉出，具有2個以上的用羥基甲基或烷 氧基甲基進行了取代的氮原子的含氮化合物。例如是具有2個以上的被羥 基曱基、甲氧基甲基、乙氧基曱基、丁氧基甲基、和己氧基甲基等的基團 取代了的氮原子的含氮化合物。作為上述含氮化合物的例子，可以列舉出，具有羥甲基、甲氧基曱基 這樣的交聯形成取代基的三聚氰胺系化合物、苯胍胺化合物和取代脲系化 合物等。另外，可以列舉出甲氧基曱基化甘脲、曱ft^甲基化苯胍胺和甲 氧基甲基化三聚氰胺等的化合物。具體來說，可以列舉出六曱氧基甲基三 聚氰胺、四甲氧基甲基苯胍胺、1, 3， 4, 6-四(丁氧基甲基)甘脲、1， 3， 4， 6-四(羥基甲基)甘脲、1， 3-雙(羥基甲基)脲、1， 1， 3， 3 -四(丁氧基甲基)脲、1， 1， 3， 3-四(甲氧基甲基)脲、1， 3-雙(羥 基甲基)-4， 5-二羥基一2 —p米峻啉酮、和l， 3-雙(甲氧基甲基)一4， 5-二甲氧基-2 -咪唑啉酮等的含氮化合物。另外，作為交聯性化合物，可以使用用N-羥基甲基丙烯醯胺、N-曱氡基甲基甲基丙烯醯胺、N-乙氡基曱基丙烯醯胺、N-丁氧基曱基甲基 丙烯醯胺等的用羥基甲基或烷氧基甲基取代了的丙烯醯胺化合物或甲基丙 烯醯胺化合物製造的聚合物。作為這樣的聚合物，可以列舉出例如，聚(N -丁氧基甲基丙烯醯胺)、N-丁氧基甲基丙烯醯胺與苯乙烯的共聚物、N -羥基甲基甲基丙烯醯胺與甲基丙烯酸甲酯的共聚物、N-乙氧基甲基甲 基丙烯醯胺與甲基丙烯酸爺酯的共聚物、和N-丁氧基曱基丙烯醯胺與甲 基丙烯酸節酯與甲基丙烯酸2 -羥基丙基酯的共聚物等。這些交聯性化合物可以通過自身縮合來發生交％1應。另外，可以與 上式(1)所示的化合物與苯曱酸化合物的反應生成物中的羥基發生交聯反 應。另外，通過這樣的交聯反應，所形成的防反射膜變得強固。另外，成 為對有機溶劑的溶解性低的防反射膜。交聯性化合物可以僅4吏用一種，另 外，也可以組合^f吏用二種以上。作為本發明的形成防反射膜的組合物中的交聯性化合物的含有量，在 固體成分中，例如為0.1~40質量％，或0.1~35質量％，或5~30質量％。本發明的形成防反射膜的組合物可以含有酸化合物。作為酸化合物， 可以列舉出，對甲苯磺酸、三氟甲磺酸、對甲笨璜酸吡咬鑥、水楊酸、樟 腦磺酸、磺基7jc楊酸、檸檬酸、苯甲酸、和羥基苯甲酸等的酸化合物。作 為酸化合物，另外可以使用芳香族磺酸化合物。作為芳香族磺酸化合物的 具體例，可以列舉出對甲苯磺酸、對甲苯磺酸吡啶錄、磺基水楊酸、4-氯笨璜酸、4 —羥基笨璜酸、苯二磺酸、1 -蓁晴酸、和1 一 M酸吡啶錄等。 這些酸化合物可以僅使用一種，或組合使用二種以上。作為本發明的形成防反射膜的組合物中的酸化合物的含有量，在固體 成分中，例如為0.01~10質量％,或0.1~5質量％，或0.5~3質量％。本發明的形成防反射膜的組合物還可以含有聚合物成分、吸光性化合 物和表面活性劑等。作為聚合物成分，沒有特別的限定，優選具有選自羥基、羧基、M 和硫醇基中的至少 一個交聯形成取代基的聚合物。通過添加這樣的聚合物， 可以調節由本發明的形成防反射膜的組合物形成的防反射膜的折射率、衰減係數、蝕刻速度等的特性。作為這樣的聚合物，可以列舉出含有丙烯酸2-羥基乙基酯、丙烯酸2-羥基丙基酯、甲基丙烯酸2-羥基乙基酯、甲 基丙烯酸2-羥基丙基酯、乙烯醇、2-羥基乙基乙烯基醚、丙烯酸、甲基 丙烯酸等作為構成單元之一的聚合物。作為這樣的聚合物的重均分子量(標 準聚苯乙烯校準)，可以為500 ~ 1000000，優選為500 ~ 500000，另外，為 1000 100000。本發明的形成防反射膜的組合物中含有聚合物的情況下， 其含有量在固體成分中，為0.1 ~ 20質量％或0.1 ~ 10質量％ 。作為這樣的聚合物，可以列舉出例如，聚2-羥基乙基曱基丙烯酸酯、 聚乙烯醇、聚丙烯酸、丙烯酸2-羥基丙基酯與曱基丙烯酸曱酯的共聚物、 丙烯酸2 -羥基丙基酯與甲基丙烯酸蒽基甲基酯的共聚物、丙烯酸2 -羥基 丙基酯與甲基丙烯酸爺酯的共聚物、甲基丙烯酸2-羥基丙基酯與甲基丙 烯酸2， 2， 2-三氯乙基酯的共聚物、甲基丙烯酸2-羥基丙基酯與苯乙烯 的共聚物、甲基丙烯酸2-羥基丙基酯與甲基丙烯酸2-氯乙基酯的共聚 物、甲基丙烯酸2-羥基丙基酯與乙烯醇的共聚物、甲基丙烯酸2-羥基丙 基酯與丙烯酸的共聚物、甲基丙烯酸2-羥基丙基酯與馬來醯亞胺的共聚 物、甲基丙烯酸2-羥基丙基酯與馬來醯亞胺與丙埽酸爺基酯的共聚物、 乙烯醇與馬來醯亞胺的共聚物、乙烯醇與甲基丙烯酸甲酯的共聚物、2-羥 基乙基乙烯基醚與甲基丙烯酸乙基酯的共聚物、2 -羥基乙基乙烯基醚與甲 基丙烯酸2 一羥基丙基酯的共聚物和甲基丙烯酸與馬來醯亞胺的共聚物 等。另外，作為上述聚合物，可以列舉出例如，苯酚酚醛清漆、甲酚酚醛 清漆、萘酚酚醛清漆等。作為吸光性化合物，只要是對防反射膜的上設置的光致抗蝕劑層中的 感光成分的感光特性波長區域的光具有高的吸收能，就可以沒有特別限制 地使用。作為吸光性化合物，可以列舉出例如，二苯甲酮化合物、苯並三 唑化合物、偶氮化合物、萘化合物、蒽化合物、蒽醌化合物、三溱化合物、 三溱三酮化合物、奮啉化合物等。作為具體的例子，可以列舉出例如，1-萘甲酸、2-萘曱酸、l-萘酚、2-萘酚、萘基乙酸、l-羥基-2-萘曱酸、3-羥基_2-萘甲酸、3，7-二羥基-2-萘曱酸、6-溴-2-羥基萘、2，6-萘二甲酸、9-蒽甲酸、 10-溴-9-蒽甲酸、蒽-9，10-二甲酸、l-蒽甲酸、l-羥基蒽、1,2，3-蒽三酚、9-羥基曱基蒽、2，7，9-蒽三酚、苯甲酸、4-羥基苯曱酸、4-溴苯曱酸、3-碘苯 曱酸、2，4，6-三溴苯酚、2，4，6-三溴間苯二酚、3，4，5-三碘苯曱酸、2，4，6-三碘 -3-氨基苯甲酸、2，4，6-三碘-3-羥基苯甲酸和2，4，6-三溴-3-羥基苯甲酸等。本 發明的形成防反射膜的組合物中含有吸光性化合物的情況下，其含有量在 固體成分中，為0.1~20質量％或0.1~10質量％。作為表面活性劑，可以列舉出例如，聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯十 八烷基醚、聚氧乙烯十六烷基醚、聚氧乙烯油基醚等的聚氧乙烯烷基醚類， 聚氧乙烯辛基苯酚醚、聚氧乙烯壬基苯酚醚等的聚氧乙烯烷基烯丙基醚類， 聚氧乙烯 聚氧丙烯嵌段共聚物類，失水山梨糖醇單月桂酸酯、失水山梨 糖醇單棕櫚酸酯、失水山梨糖醇單硬脂酸酯、失水山梨糖醇單油酸酯、失 水山梨糖醇三油酸酯、失水山梨糖醇三硬脂酸酯等的失水山梨糖醇脂肪酸 酯類，聚氧乙烯失水山梨糖醇單月桂酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇單棕櫚 酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇單硬脂酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇三油酸 酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇三硬脂酸酯等的聚氧乙烯失水山梨糖醇脂肪酸 酯類等的非離子類表面活性劑，商品名工7卜、;/:/EF301、 EF303、 EF352 ((林)^工厶〕制)、商品名乂^:77、;/夕F171、 F173、 R-08、 R-30 (大 日本O年化學工業(林)制)、7口，一KFC430、 FC431(住友只y — 工厶(林)制)、商品名7步匕；^一 F" AG710、步一:7口y S-382、 SC-lOl、 SC-102、 SC-103、 SC-104、 SC畫105、 SC-106 (旭硝子(林)制)等的氟類 表面活性劑，以及有機法氧烷聚合物KP341 (信越化學工業(林)制)等。 這些表面活性劑可以單獨添加，也可以將2種以上組合使用。在本發明的 形成防反射膜的組合物中含有表面活性劑的情況下，其含量在固體成分中， 例如為0.0001 ~ 5質量％或0.001 ~ 2質量％ 。表面活性劑可以有效地抑制 在塗布形成防反射膜的組合物時的針孔、條紋等的發生。本發明的形成防反射膜的組合物中，除了上述之外，可以根據需要， 添加流變調節劑和粘結輔助劑。流變調節劑可以有效地提高形成防反射膜的組合物的流動性，特別是在烘烤工序中，可以有效地提高形成防反射膜 的組合物向孔內部的填充性。粘結輔助劑，可以有效地提高半導體基板或 光致抗蝕劑與防^Jt膜的密合性，特別是在顯影中可以有效的抑制光致抗 蝕劑的剝離。作為流變調節劑的具體例，可以列舉出，鄰苯二甲酸二甲基酯、鄰苯 二甲酸二乙基酯、鄰苯二甲酸二異丁基酯、鄰苯二甲酸二己基酯、鄰t 曱酸丁基異癸基酯、己二酸二正丁基酯、己二酸二異丁基酯、己二酸二異 辛基酯、己二酸辛基癸基酯、馬來酸二正丁基酯、馬來酸二乙基酯、馬來 酸二壬基酯、油酸甲基酯、油酸丁基酯、油酸四氬糠基酯、硬脂酸正丁基 酯、和硬脂酸甘油基酯等。作為粘結輔助劑的具體例，三甲基氯矽烷、二甲基乙烯基氯矽烷、甲 基二苯基氯矽烷、氯甲基二甲基氯矽烷三曱基甲氧M烷、二曱基二乙氧基矽烷、甲基二甲氧M烷、二甲基乙烯基乙li^矽烷、二苯基二曱氧基矽烷、苯基三乙IU^烷、六曱基二矽氮烷、N， N，-雙(三甲基甲矽烷 基)脲、二甲基三曱基曱矽烷基胺、三甲基甲矽烷基咪唑、乙烯基三氯矽 烷、Y-氯丙基三甲氧基矽烷、Y-氨基丙基三乙氧基矽烷、Y-環氧丙氧基 丙基三甲氧M烷等的矽烷類，苯並三唑、苯並咪唑、吲唑、咪唑、2-巰 基苯並咪唑、2-巰基苯並噻唑、2-巰基苯並喁唑、尿唑、硫尿嘧啶、巰基 咪唑、巰基嘧啶、l，l-二甲基脲、1，3-二甲基脲和硫脲化合物等。作為本發明的形成防反射膜的組合物中使用的溶劑，只要是能夠溶解 上述固體成分的溶劑，就可以沒有特別限制地4吏用。作為這樣的溶劑，可 以使用例如，乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、甲基溶纖劑乙酸酯、乙 基溶纖劑乙酸酯、二甘醇單甲基醚、二甘醇單乙基醚、丙二醇、丙二醇單 甲基醚、丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇丙基醚乙酸酯、甲苯、二曱苯、 曱基乙基酮、環戊酮、環己酮、2-羥基丙酸乙酯、2-羥基-2-甲基丙酸乙酯、 乙氧基乙酸乙酯、羥基乙酸乙酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、3-甲氧基丙酸 甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、丙酮酸 曱酯、丙酮酸乙酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯等。這些溶劑可以單獨使用或將2種以上組合使用。進而，可以混合使用丙二醇單 丁基醚、丙二醇單丁基醚乙酸酯等的高沸點溶劑。下面，對本發明的形成防反射膜的組合物的使用進行說明。通過在半導體基板(例如，矽/二氧化矽淨ii^基板、氮化矽勤良、矽晶片a、玻璃皿和ITOl4l等)上，利用旋塗、塗層等的適當的塗布方法來塗布本發明的形成防反射膜的組合物，然後，進行烘烤，來形成防反射膜。作為烘烤條件，可以從烘烤溫度為80'C ~250匸，烘烤時間為0.3~ 60分鐘中適當選擇。優選烘烤溫度為130"C 250X:，烘烤時間為0.5~5 分鐘。這裡，作為形成的防^^射膜的膜厚，例如為0.01 ~ 3.0 iam，優選例 :i口為0.03 ~ 1.0 或者為0.05 ~ 0.5 p m，或者0.05~0.2 |i m。接著，在防^Jt膜上形成光致抗蝕劑層。光致抗蝕劑層的形成可以採 用周知的方法，即，通過光致抗蝕劑組合物溶液在防反射膜上的塗布和烘 烤來進行。作為在本發明的防反射膜上塗布、形成的光致抗蝕劑，只要是對啄光 照射光感光的物質，就沒有特別的限定。另外，可以^使用負型光致抗蝕劑 和正型光致抗蝕劑的任意一種。可以列舉出，含有酚醛清漆樹脂和1，2-萘 醌二疊氮J^磺酸酯的正型光致抗蝕劑、含有具有通過酸分解來提高鹼溶解 速度的基團的粘合劑和光產酸劑的化學放大型光致抗蝕劑、含有通過酸分 解來提高光致抗蝕劑的鹼溶解速度的低分子化合物和鹼可溶性粘合劑和光 產酸劑的化學放大型光致抗蝕劑、含有具有通過酸分解來提高鹼溶解速度 的基團的粘合劑和通過酸分解來提高光致抗蝕劑的鹼溶解速度的低分子化 合物和光產酸劑的化學放大型光致抗蝕劑等。可以列舉出例如，Proc.SPIE， Vo1.3999， 330-334 (2000)、 Proc.SPIE, Vol.3999， 357-364 (2000)、 Proc.SPIE, Vol.3999， 365-374 (2000)中記載的那樣的含氟原子的聚合 物系光致抗蝕劑。接著，通過規定的掩模進行曝光。對於曝光，可以使用KrF準分子激 光(波長248nm)、 ArF準分子雷射(波長193nm)和F2準分子雷射(波長 157nm)等。爆光後，也可以根據需要進行曝光後加熱(PEB: Post ExposureBake)。膝光後加熱，其加熱溫度可以從~ 150匸中適當選擇，其加熱 時間可以從0.3 ~ 10分鐘中適當選擇。接著，利用顯影液進行顯影。由此，例如在4吏用正型光致抗蝕劑的情 況下，膝光部分的光致抗蝕劑;R除去，從而形成光致抗蝕劑的圖形。作為顯影液，可以列舉出，氫氧化鉀、氫氧化鈉等的鹼金屬氫氧化物 的水溶液、氫氧化四曱基銨、氫氧化四乙基銨、膽鹼等的氫氧化季銨的水 溶液、乙醇胺、丙胺、1，2-乙二胺等的胺水溶液等的鹼性水溶液。作為顯 影液，可以使用通用的2.38質量％的氫氧化四甲基銨水溶液。進而，也可 以向這些顯影液中添加表面活性劑等。作為顯影的條件，溫度可以從5~ 50匸中適當選擇，時間可以從10~300秒鐘中適當選擇。接著，將這樣形成的光致抗蝕劑的圖形作為保護膜，進行防反射膜的 除去和半導體基板的加工。防反射膜的除去，可以使用例如四氟甲烷、全 氟環丁烷(C4Fs)、全氟丙烷(C3Fs)、三氟甲烷、 一氧化碳、氬氣、氧氣、 氮氣、六氟化硫、二氟甲烷、三氟化氮和三氟化氯等的氣體來進行。在半導體基板上，在形成本發明的防反射膜之前或之後，可以形成平 坦化膜、添隙材料層。在使用具有大的臺階差、孔的半導體基板的情況下， 優選在形成本發明的防反射膜之前，形成平坦化膜、添隙材料層。另外，塗布了本發明的形成防反射膜的組合物的半導體基板只要是在 其表面具有用CVD法等形成的無機系防反射膜的基板即可，也可以在其 上面形成本發明的防反射膜。進而，本發明的防反射膜，也可以作為下述層而使用，即，用於防止 J45L與光致抗蝕劑的相互作用的層、具有防止在光致抗蝕劑中使用的材料 或對光致抗蝕劑膝光時生成的物質對^L的壞影響的機能的層、具有防止 加熱烘烤時由M生成的物質向上層光致抗蝕劑的擴散的機能的層，和用 於減少半導體M電介質層導致的光致抗蝕劑層的中毒效應的阻擋層等。另外，利用形成防反射膜的組合物來形成的防反射膜，適用於在雙鑲 嵌工藝中使用的形成有過孔的J4SL，可以作為能夠無空隙地填充過孔的填 埋材料來使用，另外，也可以作為用於使具有凹凸的半導體a表面平坦化的平坦化材料來使用。下面，通過實施例進一步具體地說明本發明，但是並不以此限定本發明。實施例合成例1在將三(2, 3-環氧丙基)異氰脲酸(日產化學工業(林)制、商品 名TEPIC)175g、 3， 5-二碘-2-羥基苯甲酸628g 、和節基三乙基氯 化銨9,2g，溶解在丙二醇單甲基醚3250g後，在130X:反應24小時，獲 得含有>^應生成物的溶液。另外認為，在反應生成物中含有2， 3-環氧丙 基轉變為式(5)的基團而成的異氰脲酸化合物和具有式(6)的結構的低 聚物(或聚合物)。formula see original document page 21(5)formula see original document page 21、(6)合成例2將三(2， 3-環氧丙基)異氰脲酸(日產化學工業(林)制、商品名 TEPIC) 457g、 4一羥基苯甲酸407g、 4 - fj^苯甲酸136 g溶解在丙二 醇單曱基醚1000 g中，然後在130。C反應24小時，獲得含有反應生成物的 溶液。另外認為，在反應生成物中含有2, 3-環氧丙基變換為式(7)或 式(8)的基團而成的異氰脲酸化合物。formula see original document page 22實施例1在含有合成例l中獲得的反應生成物4.7 g的溶液23.3 g中加入丙二醇 單甲基醚9.6 g、乳酸乙酯65.8 g、作為光產酸劑的三苯基六氟銻酸鋶鹽 0.11 g、四甲猛甲基甘脲(日本甘一亍:y夕W夕、7卜y—X、(林)(舊 三井步一於:x夕(株))制、商品名八》歹一y 乂夕1174) 1.2g和對甲苯 磺酸吡啶総0.06g，形成溶液。然後，使用孔徑0.10jum的聚乙烯制微孔 過濾器，進行過濾，接著，使用孔徑0.05Mm的聚乙烯制微孔過濾器，進 行過濾，調製形成防反射膜的組合物的溶液。實施例2~9作為光產酸劑，代替實施例l中使用的三苯基六氟銻酸鋶鹽，分別使 用下述的化合物，除此之外，用與實施例l同樣的方法，調製形成防反射 膜的組合物的溶液。三苯基三氟甲磺酸鋶鹽(實施例2)、三苯基九氟正丁磺酸鋶鹽(實施 例3)、 N-(三氟甲磺醯氧基)琥珀醯亞胺(實施例4)、 二苯基三氟甲磺 酸碘鎗(實施例5)、雙(苯基磺醯基)重氮甲烷(實施例6)、苯基-雙(三 氯甲基)-s -三嗪(實施例7)、 N-(三氟甲磺醯氧基)萘醯亞胺(實 施例8)、和雙(4-叔丁基苯基)三氟甲磺酸碘鎗(實施例9)。實施例10在含有合成例l中獲得的反應生成物4.7 g的溶液23.3 g中，加入丙二 醇單甲基醚9.6g、乳酸乙酯65,8g、四甲氧基甲基甘脲(日本，一 f 、;/夕 一yy、卜y—x、(林)(舊三井廿一於y夕(林))制、商品名A夕夂一 y y夕1174) 1.2 g 、和對甲苯磺酸吡啶総0.06 g ，形成溶液。然後，使用 孔徑0.10pm的聚乙烯制微孔過濾器，進行過濾，接著，使用孔徑0.05mm的聚乙烯制微孔過濾器，進行過濾，調製形成防反射膜的組合物的溶液。 實施例11在合成例2中獲得的反應溶液19.8 g中，添加丙二醇單曱基醚95 g 、 四甲氧基甲基甘脲(日本步—於、乂夕0歹7卜U—乂(林)(舊三井廿一 亍、7夕(林))制、商品名^，^一y:/夕1174) 1.00 g、對甲M酸吡咬錄o.osg和表面活性劑^;^:7:r:y夕R-30(大日本一 乂年化學工業(林)制)0.002 g ，形成溶液。然後，4吏用孔徑0.10 JJ m的聚乙烯制孩i孔過濾器， 進行過濾，接著，使用孔徑0.05nm的聚乙烯制微孔過濾器，進行過濾， 調製形成防反射膜的組合物的溶液。 在光致抗蝕劑溶劑中的溶出試驗將實施例1~11中調製的形成防反射膜的組合物的溶液通過旋塗，分 別塗布在半導體基仗(矽晶片)上。在電熱板上，在205"C烘烤1分鐘， 形成防反射膜(膜厚0.08 ji m )。將這些防反射膜浸漬在光致抗蝕劑中使用 的溶劑即乳酸乙酯和丙二醇單曱基醚中，確認不溶於這些溶劑。與光致抗蝕劑的混合試驗將實施例1~11中調製的形成防反射膜的組合物的溶液通過旋塗，分 別塗布在矽晶片上。在電熱板上、在205X:烘烤1分鐘，形成防反射膜(膜 厚0.08 jLi m )。在這些防反射膜上通過旋塗塗布市售的光致抗蝕劑溶液(住 友化學工業(林)社制、商品名PAR710)，在電熱板上、在90。C加熱1 分鐘，形成光致抗蝕劑層。在^f吏光致抗蝕劑露光後，在90"C進行1.5分鐘 的露光後加熱(post exposure bake )。在4吏光致抗蝕劑顯影后，測定防反 射膜的膜厚，確認沒有發生防反射膜與光致抗蝕劑層的混合。光學參數的試驗將實施例1~11中調製的形成防反射膜的組合物的溶液通過旋塗，分 別塗布在矽晶片上。在電熱板上，在205'C烘烤1分鐘，形成防反射膜(膜 厚0.06iam)。另外，將這些防反射膜，使用分光橢圓計(J.A.Woollam社 制、VUV - VASE VU _ 302 )，測定波長193nm和157nm下的折射率(n 值)和衰減係數(k值)。其結果，由實施例1 10製得的防反射膜在波長193nm下的折射率(n值)為1.81，衰減係數(k值)為0.44。另外，由 實施例1 ~ 10獲得的防反射膜在波長157mn下的折射率(n值)為1.60, 衰減係數(k值)為0.44。實施例11的防反射膜在波長193nm下的折射 率(n值)為1.69,衰減係數(k值)為0.47。 光致抗蝕劑圖形形狀的評價將實施例1~11中調製的形成防反射膜的組合物的溶液通過旋塗分別 塗布在矽晶片上。在電熱板上，在205'C烘烤1分鐘，形成防反射膜(膜 厚0.08jum)。在這些防反射膜的上層，通過旋塗，塗布市售的光致抗蝕劑 溶液(東京應化工業(林)制、商品名TARF-P6111)，在電熱板上，在 90"C加熱1分鐘，形成光致抗蝕劑的層(膜厚0.33 y m )。另外，使用ASML 社制PAS5500/990掃描儀(波長193nm、 NA、 a: 0.63、 0.87/0,57 (Annuler))，在顯影后，光致抗蝕劑的線寬度和該線間的寬度為0.09 ja m， 即0.09nmL/S (密集線)，另外，按照形成9根這樣的線那樣，通過已 設定的掩模，進行曝光。然後，在電熱板上，在130r進行1分鐘的曝光 後加熱，冷卻後，在工業g的60秒單漿片(paddle)式工序中，使用 0.26當量的四甲基氫氧化銨顯影液，進行顯影，形成光致抗蝕劑的圖形。將所獲得的光致抗蝕劑的圖形的截面用掃描型電子顯樣i鏡(SEM)進 行觀察。在由實施例IO和實施例ll形成的防反射膜的情況下，在光致抗 蝕劑的下部，觀察到若干的巻邊形狀。在由實施例1~實施例9形成的防 反射膜的情況下，在光致抗蝕劑的下部，沒有發現巻邊形狀。
權利要求
1.一種形成防反射膜的組合物，含有式(1)所示的化合物與苯甲酸化合物的反應生成物、交聯性化合物和溶劑、以及光產酸劑或酸化合物中的一方或這兩方，式中，R1表示碳原子數1～6的烷基、苄基、2-丙烯基、2，3-環氧丙基或苯基。
2. 根據權利要求l所述的形成防反射膜的組合物，含有上述反應生成 物、交聯性化合物、溶劑和酸化合物。
3. 根據權利要求1所述的形成防反射膜的組合物，含有上述反應生成 物、光產酸劑、交聯性化合物和溶劑。
4. 根據權利要求1所述的形成防反射膜的組合物，含有上述反應生成 物、光產酸劑、交聯性化合物、溶劑和酸化合物。
5. 根據權利要求1 4的任一項所述的形成防反射膜的組合物，上述 式(1)所示的化合物是三(2,3-環氧丙基)異氰脲酸。
6. 根據權利要求1~4的任一項所述的形成防反射膜的組合物，上述 苯甲酸化合物是具有滷素取代基的羥基苯甲酸化合物。
7. 根據權利要求6所述的形成防反射膜的組合物，上述滷素取代基是 溴基或碘基。
8. 根據權利要求6所述的形成防反射膜的組合物，上述具有閨素取代 基的羥基苯甲酸化合物是選自2，5-二氯-3-羥基_6-甲氧基苯甲酸、 2，4，6-三碘-3-羥基苯甲酸、2，4，6-三溴-3-羥基苯甲酸、2-溴-4,6一二甲基一3-羥基苯甲酸、2-氟一5-羥基苯甲酸、3，5_二溴一4-羥基苯曱酸、2，4一二羥基一5-溴苯甲酸、3-碘-5-硝基一4一羥基苯甲酸、 4一氯一2-羥基苯甲酸、3,5-二碘一2-羥基苯甲酸、4一^J^一3，5-二碘 - 2 -羥基苯甲酸、和3,5 - 二溴-2 -羥基苯甲酸等中的化合物。
9. 根據權利要求1~4的任一項所述的形成防反射膜的組合物，上式 (1)所示的化合物與苯甲酸化合物的反應生成物，是上式(1)所示的化合物與苯甲酸化合物按照上式(1)所示的化合物:苯甲酸化合物的摩爾比為1:2 1:3進行反應而獲得的反應生成物。
10. —種防反射膜，是通過將權利要求1~9的任一項所述的形成防反 射膜的組合物塗布在半導體基板上，進行烘烤而獲得的。
11. 一種在半導體器件的製造中使用的光致抗蝕劑圖形的形成方法， 包括:將權利要求1 ~ 9的任一項所述的形成防反射膜的組合物塗布在半導 體^1上，進行烘烤來形成防反射膜的工序；在該防反射膜上形成光致抗 蝕劑層的工序；對用上述防^Jt膜和上述光致抗蝕劑層,皮覆的半導體J^L 進行曝光的工序；在該曝光後對上述光致抗蝕劑層進^f於顯影的工序。
12. —種在半導體器件的製造中使用的光致抗蝕劑圖形的形成方法， 包括:將權利要求1 ~ 9的任一項所述的形成防反射膜的組合物塗布於半導體J4l上並進行烘烤來形成防反射膜的工序；在該防反射膜上形成光致抗 蝕劑層的工序；對用上述防反射膜和上述光致抗蝕劑層祐覆的半導體1^L用F2準分子雷射(波長157nm)的照射光進行曝光的工序；在該曝光後 對上述光致抗蝕劑層進行顯^^的工序。
全文摘要
本發明的課題在於提供一種防反射膜，其顯示很高的防反射效果、不與光致抗蝕劑發生混合、可以形成在下部沒有大的卷邊形狀的光致抗蝕劑圖形、可以在使用了ArF準分子雷射和F2準分子雷射等的照射光的光刻工序中使用；還提供用於形成該防反射膜的形成防反射膜的組合物。本發明通過提供下述形成防反射膜的組合物而解決了上述課題，即，一種形成防反射膜的組合物，含有下述反應生成物，即，由具有2個或3個2，3-環氧丙基的異氰脲酸化合物與苯甲酸化合物進行反應而獲得的反應生成物。
文檔編號H01L21/02GK101268419SQ200580051639
公開日2008年9月17日 申請日期2005年9月27日 優先權日2005年9月27日
發明者丸山大輔, 坂本力丸, 岸岡高廣 申請人:日產化學工業株式會社