一種樹脂鏡片鍍膜材料的製作方法

2023-05-21 20:38:01

本發明涉及鍍膜材料領域，尤其涉及一種樹脂鏡片鍍膜材料。

背景技術：

隨著攝像技術和通訊技術的發展，鏡片的使用範圍越來越廣，人們對鏡片的質量要求也越來越高，為了提升鏡片的各項性能，需要對鏡片進行鍍膜，起到保護等作用，一般的鍍膜材料使用的均為二氧化矽材料，材料較為單一，且二氧化矽材料在樹脂鏡片表面鍍膜形成膜的附著力較小，容易脫落，為了解決這個問題，現有技術中部分引入了添加劑改變二氧化矽的性能，使其能有效附著在鏡片上。

鍍膜材料一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發出來，並且沉降在基片表面，通過成膜過程形成薄膜，但是多種材料混合的鍍膜材料在鍍膜過程中容易造成分層現象，導致鍍膜質量較低，且鍍膜後鏡片的透光率較低，影響鏡片的使用。

技術實現要素：

為解決上述問題，本發明提供一種鍍膜後鏡片的透光率較高，且在鍍膜過程中不易分層，鍍膜更均勻的樹脂鏡片鍍膜材料。

本發明所採用的技術方案是：一種樹脂鏡片鍍膜材料，所述鍍膜材料包括純度為99.9％的二氧化矽和三氧化二鋁，所述二氧化矽和三氧化二鋁的成分比為85～92:8～15，所述鍍膜材料通過壓鑄模具進行壓鑄成型，壓鑄壓力為500～1000公斤，所述鍍膜材料的形狀為至少包括一平面的多面體或曲面體。

優選的，所述鍍膜材料的形狀為圓柱體或立方體。

其中，所述鍍膜材料的蒸發溫度為1000～1200℃。

其中，所述鍍膜材料的表面為粗糙面。

優選的，所述鍍膜材料二氧化矽和三氧化二鋁的成份比為87～90:8～13。

優選的，所述壓鑄壓力為700～800公斤。

本發明的有益效果為:

本發明選用高純度的原材料製備，有效提高成品的鍍膜性能和外觀，且將兩種原材料混合後通過壓鑄成型，增加了材料的密度和原材料間的間隙，達到成膜穩定和不分層的效果；壓鑄成型後，蒸發鍍膜時會在成型材料的平面上形成一個液面，電子束的能量無法滲透到深一層的材料中，從而保證了混合材料的穩定性，防止二氧化矽和三氧化二鋁由於沸點不同，導致二氧化矽和三氧化二鋁的蒸發比例與混合比例不同，導致鍍膜分層，影響鏡片的質量。

具體實施方式

為了便於本領域技術人員的理解，下面結合實施例對本發明作進一步的說明，實施方式提及的內容並非對本發明的限定。

實施例1：

一種樹脂鏡片鍍膜材料，鍍膜材料包括純度為99.9％的二氧化矽和三氧化二鋁，二氧化矽和三氧化二鋁的成分比為92:8，鍍膜材料通過壓鑄模具進行壓鑄成型，壓鑄壓力為900公斤，鍍膜材料的形狀為至少包括一平面的多面體或曲面體。

本發明選用高純度的原材料製備，有效提高成品的鍍膜性能和外觀，且將兩種原材料混合後通過壓鑄成型，增加了材料的密度和原材料間的間隙，達到成膜穩定和不分層的效果；壓鑄成型後，蒸發鍍膜時會在成型材料的平面上形成一個液面，電子束的能量無法滲透到深一層的材料中，從而保證了混合材料的穩定性，防止二氧化矽和三氧化二鋁由於沸點不同，導致二氧化矽和三氧化二鋁的蒸發比例與混合比例不同，導致鍍膜分層，影響鏡片的質量。

本實施例中，鍍膜材料的形狀為正方體，由於正方體是由6個正方形面組成的正多面體，在鍍膜過程中，無須定位材料的方向，可任意放置，加工效率更高。

本實施例中，鍍膜材料鍍膜時的蒸發溫度為1000℃，使鍍膜材料穩定蒸發，防止溫度過高蒸發過快導致蒸發不穩定，或溫度過低鍍膜材料蒸發不完全，影響鍍膜質量。

本實施例中，鍍膜材料的表面為粗糙面，使材料表面呈不規則狀，以減少電子束蒸發時產生的二次電子發射，便於電子束聚焦，提高蒸發效率。

實施例2：

一種樹脂鏡片鍍膜材料，鍍膜材料包括純度為99.9％的二氧化矽和三氧化二鋁，二氧化矽和三氧化二鋁的成分比為87:13，鍍膜材料通過壓鑄模具進行壓鑄成型，壓鑄壓力為750公斤。

本發明選用高純度的原材料製備，有效提高成品的鍍膜性能和外觀，且將兩種原材料混合後通過壓鑄成型，增加了材料的密度和原材料間的間隙，達到成膜穩定和不分層的效果；壓鑄成型後，蒸發鍍膜時鍍膜材料會在成型材料的平面上形成一個液面，電子束的能量無法滲透到深一層的材料中，從而保證了混合材料的穩定性，防止二氧化矽和三氧化二鋁由於沸點不同，導致二氧化矽和三氧化二鋁的蒸發比例與混合比例不同，導致鍍膜分層，影響鏡片的質量。

本實施例中，鍍膜材料的形狀為圓柱體，在鍍膜時，使圓柱體的平面朝上，在蒸發時，材料熔化在圓柱體的上平面形成液面，使電子束的能量無法滲透到深一層的材料中，從而保證了混合材料的穩定性，使材料按混合比例均勻蒸發，使鏡片鍍膜不易因材料比例與混合比例不同導致分層。

本實施例中，鍍膜材料鍍膜時的蒸發溫度為1100℃，使鍍膜材料穩定蒸發，防止溫度過高蒸發過快導致蒸發不穩定，或溫度過低鍍膜材料蒸發不完全，影響鍍膜質量。

本實施例中，鍍膜材料的表面為粗糙面，使材料表面呈不規則狀，以減少電子束蒸發時產生的二次電子發射，便於電子束聚焦，提高蒸發效率。

以上所述實施例僅表達了本發明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但並不能因此而理解為對本發明專利範圍的限制。應當指出的是，對於本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬於本發明的保護範圍。因此，本發明專利的保護範圍應以所附權利要求為準。