氮化鋁陶瓷基板20瓦2dB衰減片的製作方法
2023-05-07 06:57:01 2
專利名稱：氮化鋁陶瓷基板20瓦2dB衰減片的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種氮化鋁陶瓷衰減片，特別涉及一種氮化鋁陶瓷基板20瓦2dB衰減片。
背景技術：
衰減片是把大電壓信號根據實際要求衰減到一定的比例倍數(一般指功率衰減)，達到安全或理想的電平值，方便測試工作，尤其在射頻和微波中運用廣泛目前大多數通訊基站都是應用大功率陶瓷負載片來吸收通信部件中反向輸入功率，大功率陶瓷負載片只能單純地消耗吸收多餘的功率，而無法對基站的工作狀況做實時的監控，當基站工作發生故障時無法及時地作出判斷，對設備沒有保護作用。衰減片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向輸入的功率，而且能夠抽取通信部件中部分信號，對基站進行實時監控，對設備有保護作用。衰減片是一種能量消耗元件，功率消耗後變成熱量。可以想像，材料結構確定後，衰減器的功率容量就確定了，如果讓衰減器承受的功率超過設計的極限值，衰減器就會被燒毀，所以材料的選擇和線路結構的設計，以及尺寸的大小，生產工藝對功率的影響很大，市場對環保和尺寸小型化的要求越來越高，之前的使用的氧化鈹作為基板材料，不符合環保的要求.目前國內20W_2dB的氮化鋁陶瓷衰減片的衰減精度大多只能做到IG頻率以內，少數能做到2G，且衰減精度和設備配備的VSWR較難控制。而市場對衰減精度的要求很高，我們希望的衰減器是一個功率消耗元件，不能對兩端電路有影響，也就是說，與兩端電路都是匹配的。當衰減精度或VSWR達不到要求時，輸出端得到的信號不符合實際要求。目前市場上的衰減片當使用頻段高於2G時，其衰減精度達不到要求，回波損耗變大，滿足不了 2G 以上的頻段應用要求。
發明內容
針對上述現有技術的不足，本發明要解決的技術問題是提供一種阻抗滿足 50 士 1. 5Ω，在3G頻段以內衰減精度為2 士 0. 5dB，駐波要求滿足市場實際需求，能夠滿足目前3G網絡的應用要求的氮化鋁陶瓷基板20瓦2dB衰減片。為解決上述技術問題，本發明採用如下技術方案一種氮化鋁陶瓷基板20瓦2dB衰減片，其包括一 5*5*1MM的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導層，所述氮化鋁基板的正面印刷有導線及電阻，所述導線連接所述電阻連接形成衰減電路，所述衰減電路沿所述氮化鋁基板的中心線對稱，所述衰減電路的輸出端、輸入端分別與一焊盤連接，所述兩個焊盤沿所述氮化鋁基板的中心線對稱，。 本產品基於先進的厚膜工藝生產。優選的，所述電阻上印刷有玻璃保護膜。優選的，所述導線及玻璃保護膜的上表面還印刷有一層黑色保護膜。優選的，所述衰減電路採用了 π型電路設計
上述技術方案具有如下有益效果該氮化鋁陶瓷基板20瓦2dB衰減片讓衰減電路處於一個完全對稱的狀態，使得電路的穩定性得到提升，同時客戶在使用時不需要刻意的區分輸入端和輸出端，極大的方便了客戶，也減少了客戶在生產中因為輸入輸出端焊接錯誤導致不良品的產生。同時這種設計儘可能增大了的電阻面積，使其抗高低溫衝擊性能增加，避免了在輸出端焊接引線時，高溫對電阻的淬傷，避免了因電阻被淬傷，在實際使用過程中會壞掉的風險，使得衰減片的性能大為改善，打破了原來衰減片只能應用於低頻的局面，使得衰減片能應用於2G-3G的網絡。上述說明僅是本發明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發明的技術手段， 並可依照說明書的內容予以實施，以下以本發明的較佳實施例並配合附圖詳細說明如後。 本發明的具體實施方式
由以下實施例及其附圖詳細給出。
圖1為本發明實施例的結構示意圖。
具體實施例方式下面結合附圖對本發明的優選實施例進行詳細介紹。如圖1所示，該氮化鋁陶瓷基板20瓦2dB衰減片包括一 5*5*1MM的氮化鋁基板1， 氮化鋁基板1的背面印刷有背導層，氮化鋁基板1的正面印刷有導線2及電阻Rl、R2、R3， 電阻Rl、R2、R3通過導線連接形成衰減電路，衰減電路通過銀漿與背導層電連接，從而使衰減電路接地導通。該衰減電路沿氮化鋁基板的中心線對稱，衰減電路的輸出端與一焊盤5 連接，輸入端與一焊盤6連接，兩個焊盤5、6沿氮化鋁基板的中心線對稱。電阻Rl、R2、R3 上印刷有玻璃保護膜3，導線2及玻璃保護膜3的上表面還印刷有一層黑色保護膜4，這樣可對導線2及電阻Rl、R2、R3形成保護。所有工藝基於先進的厚膜工藝生產。該氮化鋁陶瓷基板20瓦IdB衰減片要求輸入端和接地的阻抗為50 士 1.5Ω，輸出端和接地端的阻抗為50士 1. 5Ω。信號輸入端進入衰減片，經過電阻R1、R3、R2對功率的逐步吸收，從輸出端輸出實際所需要的信號。該氮化鋁陶瓷基板20瓦2dB衰減片以5*5*1MM的氮化鋁基板作為基板，讓衰減電路處於一個完全對稱的狀態，使得電路的穩定性得到提升，同時客戶在使用時不需要刻意的區分輸入端和輸出端，兩個焊盤5、6均可作為輸入端或輸出端，極大的方便了客戶，也減少了客戶在生產中因為輸入輸出端焊接錯誤導致不良品的產生。同時這種設計儘可能增大了的電阻面積，使其抗高低溫衝擊性能增加，避免了在輸出端焊接引線時，高溫對電阻的淬傷，避免了因電阻被淬傷，在實際使用過程中會壞掉的風險，使得衰減片的性能大為改善， 打破了原來衰減片只能應用於低頻的局面，使得衰減片能應用於2G-3G的網絡。以上對本發明實施例所提供的一種氮化鋁陶瓷基板20瓦2dB衰減片進行了詳細介紹，對於本領域的一般技術人員，依據本發明實施例的思想，在具體實施方式
及應用範圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內容不應理解為對本發明的限制，凡依本發明設計思想所做的任何改變都在本發明的保護範圍之內。
權利要求
1.一種氮化鋁陶瓷基板20瓦2dB衰減片，其特徵在於其包括一 5*5*1MM的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導層，所述氮化鋁基板的正面印刷有導線及電阻，所述導線連接所述電阻連接形成衰減電路，所述衰減電路沿所述氮化鋁基板的中心線對稱，所述衰減電路的輸出端、輸入端分別與一焊盤連接，所述兩個焊盤沿所述氮化鋁基板的中心線對稱。
2.根據權利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板20瓦2dB衰減片，其特徵在於所述電阻上印刷有玻璃保護膜。
3.根據權利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板20瓦2dB衰減片，其特徵在於所述導線及玻璃保護膜的上表面還印刷有一層黑色保護膜。
4.根據權利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板20瓦2dB衰減片，其特徵在於所述衰減電路採用η型電路結構。
5.根據權利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板20瓦2dB衰減片，其特徵在於所述銀漿導線與所述導體層通過接地銀漿連接。
全文摘要
本發明公開了一種氮化鋁陶瓷基板20瓦2dB衰減片，其包括一5*5*1mm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導層，所述氮化鋁基板的正面印刷有導線及電阻，所述導線連接所述電阻連接形成衰減電路，所述衰減電路沿所述氮化鋁基板的中心線對稱，所述衰減電路的輸出端、輸入端分別與一焊盤連接，所述兩個焊盤沿所述氮化鋁基板的中心線對稱。通過改變衰減電路中阻值的尺寸大小和表面電阻率來獲得需要的衰減值，通過導線的設計，來獲得較好的駐波特性。該衰減片增大了的電阻面積，使其抗高低溫衝擊性能增加，避免了在輸出端焊接引線時，高溫對電阻的淬傷，避免了因電阻被淬傷，在實際使用過程中會壞掉的風險，使得衰減片的性能大為改善，打破了原來衰減片只能應用於低頻的局面，使得衰減片能應用於2G-3G的網絡。
文檔編號H01P1/22GK102361133SQ201110278100
公開日2012年2月22日 申請日期2011年9月16日 優先權日2011年9月16日
發明者郝敏 申請人:蘇州市新誠氏電子有限公司