氮化物系化合物半導體發光元件及其製造方法
2023-05-07 04:25:51 2
專利名稱：氮化物系化合物半導體發光元件及其製造方法
技術領域：
本發明涉及能夠在藍色區至紫外區發光的氮化物系化合物半導體發光元件及其製造方法，特別是涉及被粘著導電性襯底的氮化物系化合物半導體發光元件及其製造方法。
背景技術：
氮化物系化合物半導體例如由InxGayAlzN(其中，x+y+z＝1，0≤x＜1，0＜y≤1，0≤z＜1)表示，其具有大能量帶隙和高的熱穩定性，另外，通過調節其組成可控制帶隙寬度。因此，期待氮化物系化合物半導體可作為應用於以發光元件、高溫器件為首的各種半導體器件的材料。
其中，使用氮化物系化合物半導體的發光二極體中，已開發實用化有在從藍色到綠色的光波長區域具有數cd級的亮度的器件。另外，作為對大容量光碟介質的拾取用光源使用氮化物系化合物半導體的雷射二極體的實用化正成為研究開發的目標。
特開平09-008403號公報中公開有這樣的雷射和發光二極體的元件結構。具體地說，如圖5所示，具有如下結構在形成有正電極107的導電性襯底100上形成第一歐姆電極102和第二歐姆電極101，在其之上依次層積氮化鎵系半導體的P型層103、活性層104及N型層105，在其之上形成負電極106。在此，上述第一歐姆電極102與第二歐姆電極101加熱壓接。
在特開平09-008403號公報所記載的現有技術中，在導電性襯底上形成歐姆電極，使用加熱壓接接合等方法將氮化鎵系半導體層接合。
但是，由於導電性襯底與歐姆電極的密接性差，而存在導電性襯底從歐姆電極剝離的問題。若導電性襯底與歐姆電極完全剝離開，不能除去藍寶石襯底，由此，不能形成發光元件。另外，若局部剝離掉，則電流不能從氮化鎵系半導體層順暢地流嚮導電性襯底，工作電壓增大，由此，存在使發光元件的可靠性惡化的問題。
進而，上述局部剝離時，在過程中滲入溶劑、抗蝕劑、蝕刻液，例如在燈泡發光元件的情況下，樹脂和水分等從剝離過的部分進入，使剝離擴大，另外破壞歐姆電極。由此，發光元件的可靠性惡化。
另外，將Au引線接合在襯墊電極上時，導電性襯底與它上面的歐姆電極的密接性差，則存在在導電性襯底與歐姆電極之間產生剝離，並且工作電壓上升的問題。
發明內容
本發明是為解決上述現有技術問題而研發的，其目的在於提供一種使導電性襯底與歐姆電極的密合性良好、可靠性高的氮化物系化合物半導體發光元件及其製造方法。
本發明的氮化物系化合物半導體發光元件包括支承襯底；形成於該支承襯底上的第一歐姆電極；形成於該第一歐姆電極上的粘接用金屬層；形成於該粘接用金屬層上的第二歐姆電極；形成於該第二歐姆電極上的氮化物系化合物半導體層；形成於該半導體層大致整個上面上的透明電極；形成於上述支承基部的背面的歐姆電極。
理想的是，上述氮化物系化合物半導體層從支承襯底側至少依次層積P型層、發光層及N型層。
理想的是，上述支承襯底是導電性的，並且由Si、GaAs或GaP中的任意一種或多種構成，該支承襯底的電阻率在10Ωcm～10-4Ωcm。
理想的是，上述支承襯底是導電性的，並且由CuW、CuAg或C μMo中的任意一種或多種構成，該支承襯底的導熱率在1.5W/cm·k～2.5W/cm·k的範圍內。
理想的是，上述粘接用金屬層是兩層或兩層以上，這些兩層或兩層以上的金屬層由互不相同的材料或相同材料形成。
理想的是，上述粘接用金屬層由Au、Sn、Au-Sn或Au-Ge中任意一種金屬構成。
理想的是，在上述粘接用金屬層兩層或兩層以上時，其由Au、Sn、Au-Sn或Au-Ge中不同的兩種或兩種以上的金屬構成。
理想的是，用於反射來自上述發光層的光的反射層形成於上述第二歐姆電極和上述粘接用金屬層之間。
理想的是，上述第二歐姆電極的層厚在1nm～15nm的範圍內。
理想的是，上述氮化物系化合物半導體層層積形成於藍寶石、尖晶(スピネル)石或鈮酸鋰(ニオブ酸)的任意一種絕緣性襯底上，或碳化矽、矽、氧化亞鉛或鎵砒素的任意一種導電性襯底上。
理想的是，上述絕緣性襯底或上述導電性襯底能夠通過研削並研磨或雷射剝離法而進行除去。
本發明另一方面的氮化物系化合物半導體的製造方法包括在襯底上層積形成氮化物系化合物半導體層的工序；在該氮化物系化合物半導體層上形成第二歐姆電極的工序；在該第二歐姆電極之上形成第二粘接用金屬層的工序；在支承襯底上形成第一歐姆電極的工序；在該第一歐姆電極上形成第一粘接用金屬層的工序；接合上述第一粘接用金屬層和上述第二粘接用金屬層的工序；除去上述襯底使上述氮化物系化合物半導體層的表面露出的工序；在該露出的表面上形成透明電極的工序。
理想的是，在上述襯底上層積形成氮化物系化合物半導體層的工序中包含從襯底側至少依次層積形成N型層、發光層及P型層的工序。
理想的是，在形成上述第二歐姆電極的工序和形成上述第二粘接用金屬層的工序之間具有在上述第二歐姆電極上形成反射層的工序，上述第二粘接用金屬層形成的工序是在該反射層上形成該第二粘接用金屬層的工序。
理想的是，該製造方法還包括除去上述氮化物系化合物半導體層的一部分而使上述第二歐姆電極露出的工序；在該露出的金屬表面照射雷射的工序；在照射有雷射的部分上從支承襯底的背面側形成劃線的工序；沿該劃線進行分割的工序。
根據本發明的氮化物系化合物半導體及其製造方法，由於通過粘接用金屬層來防止短路，工序中的成品率提高。另外，由於能夠降低元件的漏電流，故可靠性也良好。另外，能夠在襯底除去中將氮化物系化合物半導體層的P型層進行P型化，故不需要熱處理工序，使工序簡略化。
通過與參照附圖所理解的本發明相關的詳細說明，可明了本發明的上述及其他目的、特徵、方式以及優點。
圖1是本發明的氮化物系化合物半導體的示意剖面圖；
圖2是本發明的氮化物系化合物半導體的具體例的示意剖面圖；圖3是本發明的氮化物系化合物半導體的具體例的示意剖面圖；圖4是用於說明除去本發明的氮化物系化合物半導體發光元件的襯底的工序的示意剖面圖；圖5是現有的化合物半導體發光元件的示意剖面圖。
具體實施例方式
本發明的氮化物系化合物半導體發光元件包括支承襯底；形成於該支承襯底上的第一歐姆電極；形成於該第一歐姆電極上的粘接用金屬層；形成於該粘接用金屬層上的第二歐姆電極；形成於該第二歐姆電極上的氮化物系化合物半導體層；形成於該半導體層大致整個上面上的透明電極；形成於上述支承基部的背面的歐姆電極。特別是以形成粘接用金屬層為特徵。
這樣，可通過在第一歐姆電極和第二歐姆電極之間形成粘接用金屬層，能夠防止歐姆電極的剝離，得到可靠性高的發光元件。
以下參照附圖詳細說明本發明。圖1是本發明的氮化物系化合物半導體發光元件的示意剖面圖。本發明的氮化物系化合物半導體發光元件在支承襯底11上形成第一歐姆電極12，在該第一歐姆電極12上形成粘接用金屬層20，在該粘接用金屬層20之上形成第二歐姆電極13，在該第二歐姆電極13上形成氮化物系化合物半導體層30，在該氮化物系化合物半導體層30上形成透明電極17，在該透明電極17上形成墊片電極18。在此，理想的是在粘接用金屬層20與第二歐姆電極13之間形成反射金屬層19。
另外，理想的是，在上述圖1的氮化物系化合物半導體發光元件中，在支承襯底11的背面，如圖2所示還形成歐姆電極14，在墊片電極18上形成接合引線10。
本發明中，粘接用金屬層20形成兩層或兩層以上為好。此時，如圖2所示，例如能夠由第一粘接用金屬層21和第二粘接用金屬層22構成。
另外，本發明中，氮化物系化合物半導體層30如圖2所示，從支承襯底側依次形成P型層33、發光層32以及N型層31，其作為發光元件而起作用。
本發明中，作為支承襯底11，能夠使用CuW、CuAg或CμMo等。此時，該支承襯底的熱傳導性在小於或等於2.5W/cm·k的範圍內為好。如果超過2.5W/cm·k，則存在在發光元件上流動大電流時產生熱並且發光元件的可靠性惡化的問題。進而，1.5W/cm·k附近的CuW、CuAg或CμMo等材料更加理想。
另外，在本發明中支承襯底11能夠使用Si、GaAs或GaP等。此時，該支承襯底的電阻率在小於或等於10Ωcm且大於或等於10-4Ωcm的範圍內為好。製作不到10-4Ωcm的襯底是困難的，而如果超過10Ωcm，則會產生如下問題與歐姆電極的歐姆性惡化，使此時的電壓上升，使發光元件的驅動電壓上升。進而，在大於或等於10-3Ωcm且小於或等於10-2Ωcm的範圍內更加理想。
另外，支承襯底的厚度大於或等於50μm且小於或等於500μm為好。超過500μm，則晶片分割時恐怕會產生困難；不到50μm時，則晶片處理等有困難。
本發明中，第一歐姆電極能夠使用Al、Cr、Ti、In、Ti-Al，但並不限定於此。
如後所述，本發明的粘接用金屬層，是用於使第二歐姆電極與第一歐姆電極的粘接性良好。這樣的粘接用金屬層能夠使用Au、Sn、Au-Sn或Au-Ge中任意一種。另外，粘接用金屬層是兩層或兩層以上時，各層可以相同也可以不同，能夠適當組合使用上述材料中相同的材料或不同的材料。
在此，所謂粘接用金屬層是兩層或兩層以上的情況例如在粘接用金屬層的形成過程中，預先形成在第一歐姆電極上形成的第一粘接用金屬層和在第二歐姆電極上形成的第二粘接用金屬層，通過將這兩個粘接用金屬層接合而形成兩層的情況等。
本發明中，第二歐姆電極能夠使用Pd、Ni、Ni-Au，但並不限定於此。另外，第二歐姆電極的厚度在大於或等於1nm且小於或等於15nm的範圍內為好。這是因為超過15nm，則存在發光的透射減少的問題；不到1nm，則存在歐姆性接觸惡化的問題。
本發明中，氮化物系化合物半導體能夠發出藍色區～紫外區的光。這樣的氮化物系化合物半導體例如InxAlyGa1-x-y(0≤x，0≤y，x+y≤1)，但並不限定於此。另外，本發明的氮化物系化合物半導體層從襯底側形成N型層、發光層和P型層。N型層、發光層以及P型層的製作方法可使用本領域公知的方法，例如MOCVD法、MBE法等。
另外，在本發明中，氮化物系化合物半導體層在與第一歐姆電極接合之前，預先層積形成N型層、發光層以及P型層為好。即，如圖3所示，在襯底35上依次層積生長緩衝層36、N型層31、發光層32以及P型層33，形成有氮化物系化合物半導體層。然後，在P型層上利用蒸鍍法等依次形成第二歐姆電極13、反射層19、勢壘層15、第二粘接用金屬層22。然後，將第二粘接用金屬層22與第一粘接用金屬層21接合。
上述襯底能夠使用藍寶石、尖晶石或鈮酸鋰等絕緣性襯底，或碳化矽、矽、氧化亞鉛或鎵砒素等導電性襯底。另外，這樣的襯底能夠能夠通過研削並且研磨或者雷射剝離法進行除去。
上述反射層用於將來自發光層的光向上方反射。該反射層能夠使用在Ag、Al、Ag中混入稀土類(例如Nd等)的材料，但不限於此。
上述勢壘層用於防止粘接用金屬進入反射層。該勢壘層可使用Mo、Ni、Ti、Ni-Ti材料，但不限於此。另外，勢壘層的厚度可形成大於或等於5nm。這是因為若不到5nm則會產生如下問題勢壘層厚度不均，出現不形成層的區域，粘接金屬進入發射層。
本發明中，透明電極可使用Pd、Ni、Ni-Au，其厚度可設為大於或等於1nm且小於或等於15nm。這是因為，超過15nm存在發光不向上方透射的問題；而不到1nm則存在歐姆性接觸惡化的問題。另外，還可以使用ITO等透明導電體膜。
接下來說明本發明的氮化物系化合物半導體發光元件的製作方法。本發明的氮化物系化合物半導體發光元件的製造方法包括在襯底上層積形成氮化物系化合物半導體層的工序；在該氮化物系化合物半導體層上形成第二歐姆電極的工序；在該第二歐姆電極之上形成第二粘接用金屬層的工序；在支承襯底上形成第一歐姆電極的工序；在該第一歐姆電極上形成第一粘接用金屬層的工序；將上述第一粘接用金屬層與上述第二粘接用金屬層接合的工序；除去上述襯底而使上述氮化物系化合物半導體層的表面露出的工序；在該露出的表面上形成透明電極的工序。
本發明的製造方法，如上所述，其特徵在於，在襯底上預先形成氮化物系化合物半導體層、第二歐姆電極以及第二粘接用金屬層，將其與支承襯底側的結構、即含有支承襯底、第一歐姆電極以及第一粘接用金屬層的結構相組合。
由此，能夠在元件的上下形成電極，通過粘接用金屬層將二者接合，因此，歐姆電極不發生剝離，粘接性也得良好，所得到的發光元件的可靠性提高。
本發明的製造方法中，在支承襯底上形成第一歐姆電極、第一粘接用金屬層時能夠使用電子束蒸鍍法(EB法)、濺射法、電阻加熱蒸鍍法。另外，在氮化物系化合物半導體層上形成第二歐姆電極的工序中也能夠使用上述EB法等。
另外，本發明的製造方法中，將第一粘接用金屬層與第二粘接用金屬層接合時可以使用共晶接合法。此時，可根據所使用的材料適當設定溫度及壓力。
本發明的製造方法中，除去氮化物系化合物半導體的一部分而使第二歐姆電極露出的工序，例如可使用RIE來進行。另外，在該露出的表面上照射雷射的工序可利用照射雷射波長355nm或1064nm的雷射的方法來進行。在照射有雷射的部分上從支承襯底的背面側形成劃線的工序，可使用紅外線透射型劃線裝置通過與照射雷射而形成的槽相對向的劃線形成方法來進行。另外，沿劃線進行分割的工序可通過斷裂的方法來進行。
以下列舉實施例詳細說明本發明，但本發明不限定於此。
(實施例1)在作為支承襯底11的Si襯底上由電子束蒸鍍法(EB法)依次形成作為第一歐姆電極12的Ti(15nm)/Al(150nm)層，以使作為第一粘接用金屬層21的Au(3μm)層。
然後，作為襯底35，在藍寶石襯底上依次生長緩衝層36、N型氮化物系化合物半導體層31、發光層32、P型氮化物系化合物半導體層33。在此，使用MOCVD法(有機金屬氣相生長法)來製作。另外，依次層積形成厚度20nm的GaN緩衝層作為緩衝層36、厚度7μm的N型氮化物系化合物半導體層31、厚度50nm的MQW發光層作為發光層32以及厚度200μm的P型氮化物系化合物半導體層33。
然後，在上述P型氮化物系化合物半導體層33上蒸鍍形成第二歐姆電極13、反射金屬層19、勢壘金屬層15以及第二粘接用金屬層22。具體地說，從P型氮化物系化合物半導體層33側依次以3nm的厚度形成Pd作為第二歐姆電極13，以150nm的厚度形成Ag作為反射金屬層19，以50nm的厚度形成Mo作為勢壘金屬層15，分別以100nm及3μm的厚度形成Au及AuSn作為第二粘接用金屬層22。該形成由EB法蒸鍍形成。在此，AuSn的Sn為20％質量。
接著，將上述第一粘接用金屬層21與P型氮化物系化合物半導體層33上的第二粘接用金屬22接合。具體地說，使Au與AuSn相對，使用共晶接合法以290℃的溫度、200N/cm2的壓力進行粘著。
之後，如圖4所示，除去作為上述襯底35的藍寶石襯底。具體地說，從藍寶石襯底側照射圖4箭頭所示的YAG-THG雷射(波長355nm)，使藍寶石襯底、GaN緩衝層36以及N型氮化物系化合物半導體層31局部熱分解，以此除去藍寶石襯底。
在除去了上述藍寶石襯底而露出的N型氮化物系化合物半導體層31上在透明電極17(以厚度150nm形成ITO)與透明電極17的大致中心形成接合焊盤18。在該接合焊盤18上作為接合引線10接合有Au引線。由此，完成發光元件的製造工序。
然後，使用RIE槽形狀地除去在上述工序中製作的氮化物系化合物半導體層，使第二歐姆電極露出，通過在上述露出的金屬表面照射上述雷射而形成貫通上述金屬層到達支承襯底的槽(深20μm、寬15μm)。之後，相對上述雷射照射部從支承襯底的背面側形成劃線(分割線)，沿上述劃線進行分割，以此而晶片化。
如上所述製作的本發明的氮化物系化合物半導體發光元件，由於為了在使用Si材料的支承襯底上形成膜厚較厚的N型氮化物系化合物半導體層、發光層以及P型氮化物系化合物半導體層，而利用粘接用金屬層防止短路，故工序中的成品率提高，另外，因為可降低元件的漏電流，而能夠製作可靠性良好的氮化物系化合物半導體發光元件。另外，為了將P型氮化物系化合物半導體層P型化以往需要進行熱處理，而本發明能夠在除去藍寶石襯底中照射雷射期間進行P型化，不需要熱處理工序，進而使工序簡略化。
(實施例2)在作為支承襯底11的CuW襯底上由電子束蒸鍍法(EB法)依次形成作為第一歐姆電極12的Ti(15nm)/Al(150nm)層作為第一粘接用金屬層21的Au(3μm)層。
然後，作為襯底35在藍寶石襯底上依次生長緩衝層36、N型氮化物系化合物半導體層31、發光層32、P型氮化物系化合物半導體層33。在此，使用MOCVD法(有機金屬氣相生長法)來製作。另外，依次層積形成厚度20nm的GaN緩衝層作為緩衝層36、厚度5μm的N型氮化物系化合物半導體層31、厚度50nm的MQW發光層作為發光層32以及厚度200nm的P型氮化物系化合物半導體層33。
然後，在上述P型氮化物系化合物半導體層33上蒸鍍形成第二歐姆電極13、反射金屬層19、勢壘金屬層15以及第二粘接用金屬層22。具體地說，從P型氮化物系化合物半導體層33側依次以3nm的厚度形成Pd作為第二歐姆電極13，以150nm的厚度形成Ag-Nd作為反射金屬層19，以50nm的厚度形成Ni-Ti作為勢壘金屬層15，以3μm的厚度形成AuSn作為第二粘接用金屬層22。該形成由EB法蒸鍍形成。
接著，將上述第一粘接用金屬層21與P型氮化物系化合物半導體層33上的第二粘接用金屬22接合。具體地說，使Au與AuSn相對，使用共晶接合法以320℃的溫度、200N/cm2的壓力進行粘著。
之後，如圖4所示，除去作為上述襯底35的藍寶石襯底。具體地說，從藍寶石襯底側照射圖4箭頭所示的YAG-THG雷射(波長355nm)，使藍寶石襯底、GaN緩衝層36以及N型氮化物系化合物半導體層31局部熱分解，以此除去藍寶石襯底。
在除去了上述藍寶石襯底而露出的N型氮化物系化合物半導體層31上在透明電極17(以厚度150nm形成ITO)與透明電極17的大致中心形成接合焊盤18。在該接合焊盤18上作為引線接合10接合有Au引線。由此，完成發光元件的製造工序。
然後，使用RIE槽形狀地除去在上述工序中製作的氮化物系化合物半導體層，使第二歐姆電極露出，通過在上述露出的金屬表面照射上述雷射而形成通過上述金屬層到達支承襯底的槽(深20μm、寬15μm)。之後，相對上述雷射照射部從支承襯底的背面側形成劃線(分割線)，沿上述劃線進行分割，以此而晶片化。
如上所述製作的本發明的氮化物系化合物半導體發光元件，代替Si使用導熱率良好的CuW作為支承襯底。CuW、CuAg、CuMo等由於熱傳導良好，可以在從該支承襯底的相反側照射雷射而剝離藍寶石襯底時，能夠使雷射照射所產生的熱量高效地逃逸，因此具有由雷射照射引起的對發光層的熱損傷減少的優點。另外，與實施例1相同，為了將P型氮化物系化合物半導體層P型化以往需要進行熱處理，而本發明能夠在除去藍寶石襯底中照射雷射期間進行P型化，不需要熱處理工序，進而使工序簡略化。另外，由於熱量的發散良好，能夠流過大電流，故能夠形成高輸出的氮化物系化合物半導體發光元件。
以上詳細地說明了本發明，但其只是示例並不進行限定，可以明了本發明的精神和範圍只由所述的權利要求來限定。
權利要求
1.一種氮化物系化合物半導體發光元件，其包括支承襯底(11)、形成於該支承襯底(11)上的第一歐姆電極(12)、形成於該第一歐姆電極(12)上的粘接用金屬層(20)、形成於該粘接用金屬層(20)上的第二歐姆電極(13)、形成於該第二歐姆電極(13)上的氮化物系化合物半導體層(30)、形成於該半導體層(30)的大致整個上面的透明電極(17)、形成於上述支承襯底(11)的背面的歐姆電極(14)。
2.如權利要求1所述的氮化物系化合物半導體發光元件，其特徵在於，上述氮化物系化合物半導體層(30)從支承襯底(11)側至少依次層積有P型層(33)、發光層(32)以及N型層(31)。
3.如權利要求2所述的氮化物系化合物半導體發光元件，其特徵在於，用於反射來自上述發光層(32)的光的反射層(19)形成於上述第二歐姆電極(13)與上述粘接用金屬層(20)之間。
4.如權利要求1所述的氮化物系化合物半導體發光元件，其特徵在於，上述支承襯底(11)是導電性的，並且由Si、GaAs或GaP中的任意一種或多種構成，該支承襯底(11)的電阻率在10-4Ωcm～10Ωcm的範圍內。
5.如權利要求1所述的氮化物系化合物半導體發光元件，其特徵在於，上述支承襯底(11)是導電性的，並且由CuW、CuAg或CμMo中的任意一種或多種構成，該支承襯底(11)的導熱率在1.5W/cm·k～2.5W/cm·k的範圍內。
6.如權利要求1所述的氮化物系化合物半導體發光元件，其特徵在於，上述粘接用金屬層(20)是兩層或兩層以上，這些兩層或兩層以上的各層由互不相同的材料或相同材料構成。
7.如權利要求6所述的氮化物系化合物半導體發光元件，其特徵在於，上述粘接用金屬層(20)是兩層或兩層以上時，由Au、Sn、Au-Sn或Au-Ge不同的兩種或兩種以上的金屬構成。
8.如權利要求1所述的氮化物系化合物半導體發光元件，其特徵在於，上述粘接用金屬層(20)由Au、Sn、Au-Sn或Au-Ge中的任意一種金屬構成。
9.如權利要求1所述的氮化物系化合物半導體發光元件，其特徵在於，上述第二歐姆電極(13)的層厚在1nm～15nm的範圍內。
10.如權利要求1所述的氮化物系化合物半導體發光元件，其特徵在於，上述氮化物系化合物半導體層(30)層積形成在藍寶石、尖晶石或鈮酸鋰中任意一種絕緣性襯底上，或碳化矽、矽、氧化亞鉛或鎵砒素中任意一種導電性襯底上。
11.如權利要求10所述的氮化物系化合物半導體發光元件，其特徵在於，上述絕緣性襯底或上述導電性襯底能夠通過研削和研磨或雷射剝離法進行除去。
12.一種氮化物系化合物半導體的製造方法，其包括在襯底上層積形成氮化物系化合物半導體層(30)的工序；在該氮化物系化合物半導體層(30)上形成第二歐姆電極(13)的工序；在該第二歐姆電極(13)之上形成第二粘接用金屬層(22)的工序；在支承襯底(11)上形成第一歐姆電極(12)的工序；在該第一歐姆電極(12)上形成第一粘接用金屬層(21)的工序；接合上述第一粘接用金屬層和上述第二粘接用金屬層的工序；除去上述襯底使上述氮化物系化合物半導體層(30)的表面露出的工序；在該露出的表面上形成透明電極(17)的工序。
13.如權利要求12所述的氮化物系化合物半導體發光元件的製作方法，其特徵在於，在上述襯底上層積形成氮化物系化合物半導體層(30)的工序包括從襯底側至少依次層積形成N型層(31)、發光層(32)以及P型層(33)的工序。
14.如權利要求12所述的氮化物系化合物半導體發光元件的製作方法，其特徵在於，在形成上述第二歐姆電極(13)的工序與形成上述第二粘接用金屬層的工序之間，包括在上述第二歐姆電極(13)上形成反射層(19)的工序，形成上述第二粘接用金屬層(22)的工序是在該反射層(19)上形成該第二粘接用金屬層的工序。
15.如權利要求12所述的氮化物系化合物半導體發光元件的製作方法，其特徵在於，還包括除去上述氮化物系化合物半導體層(30)的一部分使上述第二歐姆電極(13)露出的工序；在該露出的表面照射雷射的工序；在照射雷射的部分上從支承襯底(11)的一側形成劃線的工序；沿該劃線進行分割的工序。
全文摘要
一種氮化物系化合物半導體發光元件，其包括支承襯底(11)、形成於該支承襯底(11)上的第一歐姆電極(12)、形成於該第一歐姆電極(12)上的粘接用金屬層(20)、形成於該粘接用金屬層(20)上的第二歐姆電極(13)、形成於該第二歐姆電極(13)上的氮化物系化合物半導體層(30)、形成於該半導體層(30)的大致整個上面的透明電極(17)、形成於該支承襯底(11)的背面的歐姆電極(14)。
文檔編號H01S5/02GK1719634SQ200510081938
公開日2006年1月11日 申請日期2005年7月8日 優先權日2004年7月8日
發明者幡俊雄 申請人:夏普株式會社