金屬柵極結構及其製造方法
2023-04-30 12:21:11 2
專利名稱：金屬柵極結構及其製造方法
技術領域：
本發明涉及一種半導體元件及其製造方法，且特別是涉及一種金屬柵極結構及其製造方法。
背景技術：
傳統半導體工藝中，大多是使用氧化矽(SiO2)為柵介電層，但隨著集成電路產業的快速發展，為了提高元件的集成度並增加其驅動能力，必須將整個電路元件大小的設計往尺寸縮小的方向前進。當柵極的線寬設計縮小時，而柵介電層的厚度也必須隨之變薄， 如此會造成直接隧穿(direct tunneling)機率的增加，進而引起柵極漏電流(leakage current)急遽增加。為解決此問題，具有高介電常數(high_k)的介電層，成了眾所矚目的柵介電層材料。但是，因為高介電常數材料的使用會降低遷移率及元件可靠度，目前要將高介電常數的介電層整合入電晶體，仍然遭遇到一些技術性的困難。另外，隨著柵介電層的厚度的變薄，硼原子隧穿(B penetration)與多晶矽柵極耗層(poly depletion)的現象更加嚴重。其中，硼原子隧穿可通過摻雜少量氮於氧化層中予以緩和，但多晶矽柵極耗層的影響卻難以避免。再加上，由於高介電常數的介電層的使用會使元件的臨界電壓增加，而使高介電常數的介電層無法與多晶矽柵極整合在一起。因此，有人提出以金屬柵極(metal gate)取代多晶矽的作法，除了可以免除多晶矽柵極耗層外，亦可降低柵極寄生電阻。圖1為已知金屬柵極結構的局部剖面示意圖。請參照圖1，金屬柵極結構100是堆疊於半導體基底101上，其包括柵介電層110、金屬柵極120以及多晶矽層130，且其形成方法是在半導體基底101上依序沉積具有高介電常數的介電材料層、金屬層以及多晶矽材料層，之後再對這些膜層進行圖案化工藝，以形成由柵介電層110、金屬柵極120以及多晶矽層130堆疊而成的柵極結構100。然而，在將多晶矽層沉積於金屬材料層上時，由於金屬層對多晶矽材料層的沉積有催化作用，使得多晶矽材料層因沉積速率不均而產生缺陷，導致在後續的圖案化工藝中因曝光失焦而無法精準地形成所需尺寸的柵極結構100。此外，具有缺陷的多晶矽層130在後段蝕刻工藝中也會產生蝕刻輪廓不佳的問題。
發明內容
有鑑於此，本發明提供一種金屬柵極結構的製造方法，其可避免矽層產生缺陷，以提高工藝良率。本發明再提供一種金屬柵極結構，以同時兼顧元件效能與工藝良率。本發明提出一種金屬柵極結構的製造方法，其先在半導體基底上形成具有高介電常數的柵介電層，接著在柵介電層上方形成第一含金屬層(metal-containing layer)，其中此第一含金屬層具有遠離柵介電層的表面。然後，對第一含金屬層的上述表面進行表面處理，以提高此表面的含氮量。接續，在第一含金屬層的上述表面上形成矽層。之後，圖案化柵介電層、第一含金屬層及矽層，以形成堆疊結構。在本發明的優選實施例中，上述表面處理為快速高溫氮化(rapid thermalnitridation, RTN)處理工藝。在本發明的優選實施例中，上述快速高溫氮化處理工藝的工作溫度大於攝氏500度。在本發明的優選實施例中，上述快速高溫氮化處理工藝的工作氣體包括氮氣或氨氣。在本發明的優選實施例中，上述表面處理包括乾式處理或溼式處理。在本發明的優選實施例中，上述表面處理是採用等離子體進行乾式處理。在本發明的優選實施例中，上述表面處理是採用含銨的液體進行溼式處理。在本發明的優選實施例中，上述第一含金屬層的材料包括氮化鈦、氮化鉭或氮化鋁。在本發明的優選實施例中，形成上述第一含金屬層的方法包括物理氣相沉積、化學氣相沉積或原子層沉積。在本發明的優選實施例中，還包括在形成上述第一含金屬層時，改變含氮氣體的通入濃度，以使所形成的第一含金屬層中的含氮量在垂直其表面的方向上非均化。在本發明的優選實施例中，上述金屬柵極結構的製造方法還包括在半導體基底上形成具有開口的介電層，其中此開口暴露出上述堆疊結構。接著，移除矽層以暴露出第一含金屬層的表面。然後，此開口內填入第二含金屬層，以使其覆蓋開口的側壁及第一含金屬層的表面，之後再於第二含金屬層上形成導電層。在本發明的優選實施例中，上述金屬柵極結構的製造方法還包括在形成上述柵介電層前，在半導體基底上形成中介層(inter layer)。在本發明的優選實施例中，上述金屬柵極結構的製造方法還包括在形成上述第一含金屬層之前，在上述柵介電層上形成頂蓋層(cap layer)，而此第一含金屬層形成於此頂
蓋層上。在本發明的優選實施例中，上述矽層可以是多晶矽層、非晶矽層或摻雜矽層。本發明還提出一種金屬柵極結構，包括柵介電層、第一含金屬層以及矽層。其中， 柵介電層是設置於半導體基底上，並具有高介電常數。第一含金屬層是設置於柵介電層上方，並具有遠離柵介電層的表面，且此表面的含氮量高於50%。矽層是設置於第一含金屬層的上述表面上。本發明又提出一種金屬柵極結構，包括柵介電層、第一含金屬層、第二含金屬層以及導電層。其中，柵介電層是設置於半導體基底上，並具有高介電常數。第一含金屬層是設置於柵介電層上方，且其具有遠離柵介電層的表面，而此表面的含氮量高於50%。第二含金屬層是設置於第一含金屬層的表面上，並具有中央凹陷部。導電層則是填於第二含金屬層的中央凹陷部內。在本發明的優選實施例中，上述第一含金屬層的材料包括氮化鈦、氮化鉭或氮化鋁。在本發明的優選實施例中，上述金屬柵極結構還包括中介層，其設置於上述半導體基底與上述柵介電層之間。
在本發明的優選實施例中，上述金屬柵極結構還包括頂蓋層，其設置於上述柵介電層與上述第一含金屬層之間。在本發明的優選實施例中，上述第一含金屬層中的含氮量在垂直上述表面的方向上非均化。在本發明的優選實施例中，上述矽層可以是多晶矽層、非晶矽層或摻雜矽層。本發明還提出一種金屬柵極結構的製造方法，其先在半導體基底上形成具有高介電常數的柵介電層，接著在柵介電層上方形成第一含金屬層，其中此第一含金屬層具有遠離柵介電層的表面。然後，在第一金屬層的表面上形成矽層。之後，圖案化柵介電層、第一含金屬層及矽層，以形成堆疊結構。其中，在形成第一含金屬層或矽層的步驟中包括表面處理步驟，以對第一含金屬層的表面進行處理，以提高此表面的含氮量。在本發明的優選實施例中，上述第一含金屬層的材料包括氮化鈦、氮化鉭或氮化
ρ O在本發明的優選實施例中，形成上述第一含金屬層的方法包括物理氣相沉積、化學氣相沉積或原子層沉積。在本發明的優選實施例中，形成上述第一含金屬的方法包括提供金屬前驅物，而上述表面處理步驟包括在形成此第一含金屬層時，臨場停止供應此金屬前驅物，並在大於攝氏500度的環境下，通入含氮氣體。舉例來說，此時所通入的氣體可以是氮氣或氨氣。在本發明的優選實施例中，上述表面處理步驟例如是在形成上述矽層時，臨場 (in-situ)氮化上述第一含金屬層的表面。在本發明的優選實施例中，上述金屬柵極結構的製造方法還包括在半導體基底上形成具有開口的介電層，其中此開口暴露出上述堆疊結構。接著，移除矽層以暴露出第一含金屬層的表面。然後，此開口內填入第二含金屬層，以使其覆蓋開口的側壁及第一含金屬層的表面，之後再於該第二含金屬層上形成導電層。在本發明的優選實施例中，上述金屬柵極結構的製造方法還包括在形成上述柵介電層前，在半導體基底上形成中介層。在本發明的優選實施例中，上述金屬柵極結構的製造方法還包括在形成上述第一含金屬層之前，在上述柵介電層上形成頂蓋層，而此第一含金屬層形成於此頂蓋層上。在本發明的優選實施例中，上述矽層可以是多晶矽層、非晶矽層或摻雜矽層。本發明是將金屬柵極結構的第一含金屬層的表面含氮量提高，以使後續沉積在此表面上的矽層能具有良好的均勻性，進而避免矽層在沉積過程中產生缺陷而影響元件效能或降低工藝良率。為讓本發明的上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉優選實施例， 並配合附圖，作詳細說明如下。
圖1為已知金屬柵極結構的局部剖面示意圖。圖2A至圖2D為本發明的實施例中的金屬柵極結構在部分工藝中的剖面示意圖。圖3為本發明的實施例中的金屬柵極結構製作流程方塊圖。圖4為本發明的另一實施例中的金屬柵極結構製作流程方塊圖。
圖5為本發明的另一實施例中的金屬柵極結構製作流程方塊圖。圖6為本發明的另一實施例中的金屬柵極結構製作流程方塊圖。圖7為本發明的另一實施例中的金屬柵極結構製作流程方塊圖。圖8A至圖8D為本發明的另一實施例中的金屬柵極結構在工藝中的剖面示意圖。附圖標記說明100、800 金屬柵極結構101、210 半導體基底110、220:柵介電層120 金屬柵極130、240 矽層200 堆疊結構(金屬柵極結構)215:中介層225 頂蓋層230 第一含金屬層232 表面250 第二含金屬層252:中央凹陷部洸0:導電層810:介電層812:開口820 蝕刻終止層S310 S350、S430、S530、S620、S740 步驟
具體實施例方式圖2A至圖2D為本發明的實施例中的金屬柵極結構在部分工藝中的剖面示意圖。 圖3則為本發明的實施例中的金屬柵極結構製作流程方塊圖。請先參照圖2A及圖3，如步驟S310所述，首先在半導體基底210上方形成具有高介電常數的柵介電層220。值得一提的是，為避免柵介電層220與半導體基底210之間的界面特性對後續所形成的元件的效能及操作造成不良的影響，如步驟S305所述，本實施例是在形成柵介電層220之前，先於半導體基底210上形成一層中介層(inter layer) 215，之後再於中介層215上形成柵絕緣層 220。其中，中介層215的材料例如是氧化物、氮化物或氮氧化物。請參照圖2B及圖3，如步驟S320所述，接著在柵介電層220上方形成第一含金屬層230，其中第一含金屬層230具有表面232，其相對遠離柵介電層220。在本實施例中，第一含金屬層230的材料可以是氮化鈦、氮化鉭或氮化鋁，且其例如是以物理汽相沉積 (physical vapor deposition, PVD)、化學汽相沉禾只(chemical vapor deposition, CVD)或原子層沉積(atomic layerdeposition, ALD)的方式形成，但本發明不限於此。特別的是，如步驟S315所述，本實施例還可以在形成第一含金屬層230之前，先於柵介電層220上形成一層頂蓋層(cap layer) 225，之後再於頂蓋層225上形成第一含金屬層230。其中，頂蓋層225的材料可以是氧化鋁或鑭系元素的氧化物(LaO)，用以調整改變第一含金屬層230的功函數(workfunction)。值得一提的是，在利用物理汽相沉積的方式將氮化鈦沉積於柵介電層220上方以作為第一含金屬層230的工藝中，通常是以鈦金屬作為靶材，並通入氬氣及氮氣，利用反應性濺鍍(reactive sputtering)的方式，通過氮氣氮化鈦靶材。由此可知，第一含金屬層 230中的含氮量是由沉積工藝中所通入的氮氣濃度來決定。而本發明可於第一含金屬層 230的沉積工藝中維持所通入的氮氣濃度，以形成含氮量均勻的第一含金屬層230。或者， 也可以於第一含金屬層230的沉積工藝中改變所通入的氮氣濃度，以形成在垂直表面232 的方向上的含氮量非均化的第一含金屬層230。也就是說，第一含金屬層230的含氮量可以在遠離柵介電層220的方向上遞增、遞減或呈不規則變化。請參照圖2B及圖3，如步驟S330所述，對第一含金屬層230的表面232進行表面處理，以提高表面232的含氮量。舉例來說，本實施例是在形成第一含金屬層230之後，接著進行快速高溫氮化處理工藝，以提高表面232的含氮量。在本實施例中，表面232的含氮量例如是被提高至50%。具體而言，本實施例是在溫度大於攝氏500度的環境下，利用氮氣或氨氣來氮化表面232。除此之外，在其他實施例中，還可以使用乾式的等離子體工藝來氮化表面232，如圖4的步驟S430所述。或者，也可以採用含銨的液體來進行溼式的表面處理來氮化表面 232，如圖5的步驟S530所述，但本發明不以此為限。之後，請參照圖2C及圖3，如步驟S340所述，在第一含金屬層230的表面232 上形成矽層對0。矽層240可以是非晶矽層、多晶矽層、經摻雜的矽層或具有其他形態 (morphology)的矽層。之後，請參照圖2D及圖3，如步驟S350所述，圖案化堆疊在半導體基底210上的這些膜層。在本實施例中，即是圖案化中介層215、柵介電層220、頂蓋層225、 第一含金屬層230及矽層M0，以形成堆疊結構200，而此堆疊結構200即是本實施例所製成的金屬柵極結構。值得注意的是，由於表面232已透過前述表面處理工藝來提高其含氮量以降低金屬分子的比例，因此形成於表面232上的矽層240均勻度佳，進而能夠避免在圖案化這些膜層的曝光工藝中發生失焦的問題。此外，上述柵介電層220、第一含金屬層230以及矽層MO的工藝可以不破真空的方式依序進行。具體來說，本實施例例如是使用具有不同工藝室的集束型工藝設備 (cluster tool)來進行形成柵介電層220、第一含金屬層230以及矽層240的工藝，但本發明不以此為限。特別的是，上述實施例在形成第一含金屬層230之後，對其表面232進行表面處理以提高含氮量，但本發明不限於此。圖6為本發明的金屬柵極結構在另一實施例中的製作流程方塊圖，以下將針對本實施例與前述實施例的相異處加以說明。請同時參照圖2B及圖6，如步驟S620所述，本實施例在形成第一含金屬層230的工藝中還包括實行表面改質(surface-modifying)步驟，以便於提高表面232的含氮量。具體來說，本實施例例如是以化學汽相沉積或原子層沉積的方式形成第一含金屬層230，且在沉積工藝中會提供金屬前驅物並通入含氮氣體，如氮氣或氨氣。而本實施例的表面改質步驟即是在第一含金屬層230的沉積工藝中，停止提供金屬前驅物，並於溫度大於攝氏500度的環境下通入含氮氣體，以形成高含氮量的表面232。此外，請參照圖2B及圖7，如步驟S740所述，本發明還可以是在形成矽層240的工藝中，在高溫環境下臨場(in-situ)氮化處理第一含金屬層230的表面232，以提高其含氮量。舉例來說，其例如是在溫度大於攝氏500度的環境下，在矽層240的工藝中臨場氮化處理第一含金屬層230的表面232。需要知道的是，雖然前述實施例均以先柵極(gate-first)工藝為例做說明，但本領域一般技術人員應該知道，本發明亦適用於後柵極(gate-last)的工藝與結構。圖8A至圖8D為本發明的另一實施例中的金屬柵極結構在工藝中的剖面示意圖。請參照圖8A及圖 8B，在通過前述任一實施例的工藝來形成堆疊結構200後，接著即在半導體基底210上形成具有開口 812的介電層810，而開口 812是暴露出矽層M0。具體來說，如圖8A所示，本實施例例如是先在半導體基底210上共形地形成蝕刻終止層820覆蓋堆疊結構200，然後再於蝕刻終止層820上形成一層介電材料811。其中，蝕刻終止層820例如是由單層或多層氮化物所構成，並且可以選擇性地對後續所形成的金屬氧化物半導體提供應力。接著，如圖8B所示，對介電材料811進行平坦化工藝，並同時將位於堆疊結構 200上的部分蝕刻終止層820移除，以形成具有開口 812的介電層810而暴露出矽層M0。 在本實施例中，介電材料811的平坦化工藝可以是化學機械拋光(chemical mechanical polishing, CMP)工藝，但不以此為限。值得一提的是，本領域一般技術人員應該知道，在利用後柵極工藝形成半導體元件時，通常會在完成堆疊結構200後，先在堆疊結構200兩側的半導體基底210中形成源極 S與漏極D，並且在堆疊結構200兩側形成間隙壁802，之後才進行形成蝕刻終止層820工藝。在此，蝕刻終止層820還可以用來保護源極S/漏極D，避免其在後續於介電層810中形成與源極S/漏極D電性連接的接觸栓時發生過度蝕刻而損壞。請參照圖8C，移除矽層MO以暴露出第一含金屬層230的表面232。接著請參照圖8D，在開口 812內填入第二含金屬層250，以使其覆蓋在開口 812的側壁及第一含金屬層 230的表面232上。換言之，第二含金屬層250具有中央凹陷部252。詳細來說，本實施例例如是先在介電層810上形成一層共形的含金屬材料(圖未示)，之後再移除未填入開口 812 內的部分含金屬材料，即可形成具有中央凹陷部252的第二含金屬層250。之後，在第二含金屬層250的中央凹陷部252內填入導電層沈0，即完成後柵極型式的金屬柵極結構800。綜上所述，本發明是將金屬柵極結構的第一含金屬層的表面含氮量提高，以使後續沉積在此表面上的矽層能具有良好的均勻性，進而避免矽層在沉積過程中產生缺陷而影響元件效能或降低工藝良率。而且，本發明僅提高第一含金屬層的表面含氮量，可使第一含金屬層維持其原有的操作效能。雖然本發明已以優選實施例披露如上，然其並非用以限定本發明，任何本領域一般技術人員，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許更動與潤飾，因此本發明的保護範圍當視權利要求所界定為準。
權利要求
1. 一種金屬柵極結構的製造方法，包括於半導體基底上形成柵介電層，其中該柵介電層具有高介電常數；於該柵介電層上方形成第一含金屬層，其中該第一含金屬層具有遠離該柵介電層的表對該第一含金屬層的該表面進行表面處理，以提高該表面的含氮量；於該第一含金屬層的該表面上形成矽層；以及圖案化該柵介電層、該第一含金屬層以及該矽層，以形成堆疊結構。
2.如權利要求1所述的金屬柵極結構的製造方法，其中該表面處理為快速高溫氮化處理工藝。
3.如權利要求2所述的金屬柵極結構的製造方法，其中該快速高溫氮化處理工藝的工作溫度大於攝氏500度。
4.如權利要求2所述的金屬柵極結構的製造方法，其中快速高溫氮化處理工藝的工作氣體包括氮氣或氨氣。
5.如權利要求1所述的金屬柵極結構的製造方法，其中該表面處理包括乾式處理或溼式處理。
6.如權利要求5所述的金屬柵極結構的製造方法，其中該表面處理採用等離子體進行乾式處理。
7.如權利要求5所述的金屬柵極結構的製造方法，其中該表面處理採用含銨的液體進行溼式處理。
8.如權利要求1所述的金屬柵極結構的製造方法，其中該第一含金屬層的材料包括氮化鈦、氮化鉭或氮化鋁。
9.如權利要求1所述的金屬柵極結構的製造方法，其中形成該第一含金屬層的方法包括物理氣相沉積、化學氣相沉積或原子層沉積。
10.如權利要求1所述的金屬柵極結構的製造方法，還包括在形成該第一含金屬層時， 改變含氮氣體的通入濃度，以使所形成的該第一含金屬層中的含氮量在垂直該表面的方向上非均化。
11.如權利要求1所述的金屬柵極結構的製造方法，還包括在該半導體基底上形成介電層，其中該介電層具有開口，暴露出該堆疊結構；移除該矽層以暴露出該第一含金屬層的該表面；在該開口內填入第二含金屬層，使其覆蓋該開口的側壁及該第一含金屬層的該表面；以及於該第二含金屬層上形成導電層。
12.如權利要求1所述的金屬柵極結構的製造方法，還包括在形成該柵介電層前，在該半導體基底上形成中介層。
13.如權利要求1所述的金屬柵極結構的製造方法，還包括在形成該第一含金屬層之前，在該柵介電層上形成頂蓋層，而該第一含金屬層形成於該頂蓋層上。
14.如權利要求1所述的金屬柵極結構的製造方法，其中該矽層包括多晶矽層、非晶矽層或摻雜矽層。
15.一種金屬柵極結構，包括柵介電層，設置於半導體基底之上，並具有高介電常數；第一含金屬層，設置於該柵介電層的上方，且該第一含金屬層具有遠離該柵介電層的表面，且該表面的含氮量高於50% ；以及矽層，設置於該第一含金屬層的該表面上。
16.如權利要求15所述的金屬柵極結構，其中該第一含金屬層的材料包括氮化鈦、氮化鉭或氮化鋁。
17.如權利要求15所述的金屬柵極結構，還包括中介層，其設置於該半導體基底與該柵介電層之間。
18.如權利要求15所述的金屬柵極結構，還包括頂蓋層，其設置於該柵介電層與該第一含金屬層之間。
19.如權利要求15所述的金屬柵極結構，其中該第一含金屬層中的含氮量在垂直該表面的方向上非均化。
20.如權利要求15所述的金屬柵極結構，其中該矽層包括多晶矽層、非晶矽層或摻雜矽層。
21.一種金屬柵極結構，包括柵介電層，設置於半導體基底上，並具有高介電常數；第一含金屬層，設置於該柵介電層的上方，且該第一含金屬層具有遠離該柵介電層的表面，而該表面的含氮量高於50% ；第二含金屬層，設置於該第一含金屬層的該表面上，且該第二含金屬層具有中央凹陷部；以及導電層，填於該中央凹陷部內。
22.如權利要求21所述的金屬柵極結構，其中該第一含金屬層的材料包括氮化鈦、氮化鉭或氮化鋁。
23.如權利要求21所述的金屬柵極結構，其中該第一含金屬層中的含氮量在垂直該表面的方向上非均化。
24.一種金屬柵極結構的製造方法，包括於半導體基底上形成柵介電層，其中該柵介電層具有高介電常數； 於該柵介電層上方形成第一含金屬層，其中該第一含金屬層具有遠離該柵介電層的表於該表面上形成矽層；以及圖案化該柵介電層、該第一含金屬層以及該矽層，以形成堆疊結構； 其中形成該第一含金屬層或該矽層的步驟包括表面改質步驟，以提高該第一含金屬層的該表面的含氮量。
25.如權利要求M所述的金屬柵極結構的製造方法，其中該第一含金屬層的材料包括氮化鈦、氮化鉭或氮化鋁。
26.如權利要求M所述的金屬柵極結構的製造方法，其中形成該第一含金屬層的方法包括化學氣相沉積或者原子層沉積。
27.如權利要求沈所述的金屬柵極結構的製造方法，其中形成該第一含金屬層的方法包括提供金屬前驅物，而該表面改質步驟包括在形成該第一含金屬層時臨場停止供應該金屬前驅物，並在溫度大於攝氏500度的環境下，通入含氮氣體。
28.如權利要求27所述的金屬柵極結構的製造方法，其中該含氮氣體為氮氣或者氨氣。
29.如權利要求M所述的金屬柵極結構的製造方法，其中該表面改質步驟包括在形成該矽層時，臨場氮化該第一含金屬層的該表面。
30.如權利要求M所述的金屬柵極結構的製造方法，還包括在該半導體基底上形成介電層，其中該介電層具有開口，暴露出該矽層； 移除該矽層以暴露出該第一含金屬層；在該開口內填入第二含金屬層，使其覆蓋該開口的側壁及該第一含金屬層的該表面；以及於該第二含金屬層上形成導電層。
31.如權利要求M所述的金屬柵極結構的製造方法，還包括在形成該柵介電層前，在該半導體基底上形成中介層。
32.如權利要求M所述的金屬柵極結構的製造方法，還包括在形成該第一含金屬層之前，在該柵介電層上形成頂蓋層，而該第一含金屬層形成於該頂蓋層上。
33.如權利要求M所述的金屬柵極結構的製造方法，其中該矽層包括多晶矽層、非晶矽層或摻雜矽層。
全文摘要
一種金屬柵極結構及其製造方法，此方法是先在半導體基底上形成具有高介電常數的柵介電層，接著在柵介電層上方形成第一含金屬層，其中此第一含金屬層具有遠離柵介電層的表面。然後，對第一含金屬層的上述表面進行表面處理，以提高此表面的含氮量。之後，在第一含金屬層的上述表面上形成矽層。由於矽層是形成在含氮量高的表面上，因此可避免第一含金屬層內的金屬材料催化矽層的沉積，進而提升工藝良率。
文檔編號H01L21/28GK102237270SQ20101016717
公開日2011年11月9日 申請日期2010年4月23日 優先權日2010年4月23日
發明者李宗穎, 楊玉如, 林進富, 許啟茂 申請人:聯華電子股份有限公司