觸摸式液晶顯示器、觸摸方法、陣列基板及其製造方法

2023-04-26 18:47:21

專利名稱：觸摸式液晶顯示器、觸摸方法、陣列基板及其製造方法
技術領域：
本發明涉及一種液晶顯示器、陣列基板及其製造方法，特別是一種觸摸式液晶顯 示器、觸摸方法、陣列基板及其製造方法。
背景技術：
液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點， 現已佔據了平面顯示領域的主導地位。液晶顯示器的主體結構包括對盒在一起並將液晶材 料夾設其間的陣列基板和彩膜基板，陣列基板上形成有提供掃描信號的柵線、提供數據信 號的數據線以及形成像素點的像素電極。液晶顯示器顯示圖像的工作原理是通過向液晶材 料施加電場並控制電場的強度從而調節透射過基板的光量，來獲得期望的圖像信號。液晶顯示器要想實現觸摸功能，通常需要將有觸摸功能的膜即觸摸面板貼附在液 晶面板之上，根據用戶的輸入位置讀取該位置對應的信息。實際使用表明，現有技術將觸摸 面板貼附於液晶面板的液晶顯示器存在如下技術缺陷(1)貼附的觸摸面板會增加液晶面 板的厚度，而且由於需要增加將兩個面板彼此附著的附加工藝，造成製造工藝和生產成本 的增加；(2)由於觸摸面板貼附於液晶面板上，使得液晶面板的透過率下降，發生的光視差 導致圖像過度漂浮，進而影響畫面的品質；(3)暴露在外的觸摸面板會受到外部環境的影 響而降低壽命。另外，現有液晶顯示器要實現觸摸功能還可以通過實時獲取其陣列基板上的前像 素區域的像素電壓，以該像素電壓為參考電壓，與當觸摸事件發生時獲取到的充電電壓的 變化情況來實現對觸摸事件的判斷；但是，該方案中作為參考電壓的像素電壓每一時刻都 是不同的，以該像素電壓作為參考電壓來實現觸摸事件的判斷會使得信號處理過程複雜、 易出錯，並且液晶顯示器的製造工藝複雜等缺陷。

發明內容
本發明的目的是提供一種觸摸式液晶顯示器、觸摸方法、陣列基板及其製造方法， 具有製造工藝簡單和生產成本低等優點。為實現上述目的，本發明提供了一種觸摸式液晶顯示器，包括彩膜基板、陣列基板 以及夾設在所述彩膜基板和陣列基板之間的液晶分子層，在所述陣列基板上形成有柵線和 數據線，所述柵線和數據線限定的像素區域內形成像素電極和第一薄膜電晶體，所述陣列基板還包括與所述第一薄膜電晶體連接、用於間隔獲取當前像素區域 的數據電壓和黑幀電壓的第二薄膜電晶體；與所述第二薄膜電晶體連接、用於將所述數據 電壓和黑幀電壓輸出的信號線，所述信號線與所述數據線平行設置；以及與所述信號線連 接、用於從所述信號線獲取所述黑幀電壓的電壓獲取電路，所述黑幀電壓為在 兩幀數據電 壓之間插入的電壓；外部集成電路，用於從所述電壓獲取電路獲取所述黑幀電壓，並根據所述黑幀電 壓的變化獲得觸摸位置，與所述電壓獲取電路連接。
在同一像素區域內，所述第一薄膜電晶體的第一柵電極與當前像素區域的柵線相 接連，第一源電極與所述數據線相連接，第一漏電極與所述像素電極相連接；所述第二薄 膜電晶體的第二柵電極與前一像素區域的柵線相連接，第二源電極與所述第一漏電極相連 接，第二漏電極與所述信號線相連接。所述電壓獲取電路包括用於獲取所述數據電壓和黑幀電壓的第三薄膜電晶體， 與各個像素區域的所述信號線和所述外部集成電路相連接；用於在所述第三薄膜電晶體獲 取到數據電壓時對所述第三薄膜電晶體進行放電的第四薄膜電晶體，與所述第三薄膜晶體 管相連接；用於控制所述第三薄膜電晶體開關的第一控制信號線；以及用於控制所述第四 薄膜電晶體開關的第二控制信號線。具體地，所述第三薄膜電晶體的第三柵電極連接所述 第一控制信號線，第三源電極連接所述信號線，第三漏電極連接所述外部集成電路；所述第 四薄膜電晶體的第四柵電極連接所述第二控制信號線，第四源電極連接所述第三漏電極， 第四漏電極接地。所述外部集成電路包括存儲單元，用於存儲從所述電壓獲取電路獲取的黑幀電 壓；放大過濾單元，用於放大所述存儲單元的所述黑幀電壓，並對所述黑幀電壓中的噪聲信 號進行過濾；比較單元，用於將經過所述放大過濾單元獲取處理後的所述黑幀電壓與預先 設定的標準黑幀電壓進行比較，根據比較結果確定所述黑幀電壓所指示的觸摸式液晶顯示 器的位置是否被觸摸。本發明還提供了一種觸摸式液晶顯示器的觸摸方法，其中觸摸式液晶顯示器包括 彩膜基板、陣列基板以及夾設在所述彩膜基板和陣列基板之間的液晶分子層，在所述陣列 基板上形成有柵線和數據線，所述柵線和數據線限定的像素區域內形成像素電極和第一薄 膜電晶體，包括步驟1、所述柵線對前一像素區域進行掃描時，當前像素區域中的第二薄膜電晶體 間隔獲取所述當前像素區域的數據電壓和黑幀電壓；步驟2、由與所述第二薄膜電晶體連接的信號線將所述第二薄膜電晶體獲取的所 述數據電壓和黑幀電壓輸出至電壓獲取電路；步驟3、所述電壓獲取電路將所述黑幀電壓輸出至外部集成電路；步驟4、所述外部集成電路根據所述黑幀電壓的變化計算得到觸摸液晶顯示器時 的觸摸位置。其中所述步驟3還包括所述電壓獲取電路對其接收的數據電壓進行放電的步
馬聚ο所述外部集成電路包括存儲單元、放大過濾單元以及比較單元，則所述步驟4具 體包括存儲單元存儲從所述電壓獲取電路獲取的黑幀電壓；放大過濾單元放大所述存儲 單元的所述黑幀電壓，並對所述黑幀電壓中的噪聲信號進行過濾；比較單元將經過所述放 大過濾單元獲取處理後的所述黑幀電壓與預先設定的標準黑幀電壓進行比較，根據比較結 果確定所述黑幀電壓所指示的觸摸式液晶顯示器的位置是否被觸摸。本發明還提供了一種觸摸式液晶顯示器的陣列基板，在所述陣列基板上形成有柵 線和數據線，所述柵線和數據線限定的像素區域內形成像素電極和第一薄膜電晶體，還包 括與所述第一薄膜電晶體連接、用於間隔獲取當前像素區域的數據電壓和黑幀電壓的第 二薄膜電晶體；與所述第二薄膜電晶體連接、用於將所述數據電壓和黑幀電壓輸出的信號線，所述信號線與所述數據線平行設置在同一像素區域的兩側；以及與所述信號線連接、用 於從所述信號線獲取所述黑幀電壓的電壓獲取電路，所述黑幀電壓為在兩幀數據電壓之間 插入的電壓。其中在同一像素區域內，所述第一薄膜電晶體的第一柵電極與當前像素區域的柵 線相接連，第一源電極與所述數據線相連接，第一漏電極與所述像素電極相連接；所述第二 薄膜電晶體的第二柵電極與前一像素區域的柵線相連接，第二源電極與所述第一漏電極相 連接，第二漏電極與所述信號線相連接。用於獲取所述數據電壓和黑幀電壓的第三薄膜電晶體；用於在所述第三薄膜晶體 管獲取到數據電壓時對所述第三薄膜電晶體進行放電的第四薄膜電晶體；用於控制所述第 三薄膜電晶體開關的第一控制信號線；以及用於控制所述第四薄膜電晶體開關的第二控制 信號線。所述第三薄膜電晶體的第三柵電極連接所述第一控制信號線，第三源電極連接所 述信號線；所述第四薄膜電晶體的第四柵電極連接所述第二控制信號線，第四源電極連接 所述第三薄膜電晶體的第三漏電極，第四漏電極接地。所述第一薄膜電晶體、第二薄膜電晶體、第三薄膜電晶體和第四薄膜電晶體各自 的柵電極、所述柵線、第一控制信號線和第二控制信號線設置在同一層，且在同一次構圖工 藝中形成，並且所述第一薄膜電晶體、第二薄膜電晶體、第三薄膜電晶體和第四薄膜電晶體 各自的源電極和漏電極設置在同一層，且在同一次構圖工藝中形成。所述數據線與所述信 號線平行設置。所述信號線與所述數據線設置在同一層，且與所述第一薄膜電晶體、第二薄 膜電晶體、第三薄膜電晶體和第四薄膜電晶體各自的源電極和漏電極在同一次構圖工藝中 形成。本發明還提供了一種觸摸式液晶顯示器的陣列基板的製造方法，包括以下步驟步驟10、在基板上形成包括柵線、數據線、第一薄膜電晶體和第二薄膜電晶體各自 的柵電極、源電極和漏電極，以及信號線和電壓獲取電路的圖形，其中，所述第一薄膜晶體 管和第二薄膜電晶體形成在所述柵線和數據線限定的像素區域內，所述數據線與所述信號 線平行設置，所述電壓獲取電路形成在所述像素區域以外；步驟20、在完成步驟10的基板上沉積鈍化層，通過構圖工藝在所述第一薄膜晶體 管的第一漏電極位置和所述電壓獲取電路上形成鈍化層過孔；步驟30、在完成步驟20的基板上沉積透明導電層，通過構圖工藝形成包括像素電 極和連接條的圖形，所述連接條用於連接所述電壓獲取電路和外部集成電路。其中，若所述電壓獲取電路包括用於獲取所述數據電壓和黑幀電壓的第三薄膜 電晶體；用於在所述第三薄膜電晶體獲取到數據電壓時對所述第三薄膜電晶體進行放電的 第四薄膜電晶體，則所述步驟10具體包括步驟11、在基板上沉積柵金屬層，通過構圖工藝對柵金屬層進行構圖，在基板上形 成柵線、所述第一薄膜電晶體的第一柵電極、所述第二薄膜電晶體的第二柵電極、所述第三 薄膜電晶體的第三柵電極、所述第四薄膜電晶體的第四柵電極、第一控制信號線和第二控 制信號線的圖形，所述第一柵電極和所述第二柵電極與所述柵線相接連，所述第三柵電極 連接所述第一控制信號線，所述第四柵電極連接所述第二控制信號線； 步驟12、在完成步驟11的基板上連續沉積柵絕緣層、半導體薄膜和摻雜半導體薄 膜，通過構圖工藝在所述第一柵電極、所述第二柵電極、所述第三柵電極和所述第四柵電極上形成有源層的圖形，所述有源層包括半導體層和摻雜半導體層；步驟13、在完成步驟12的基板上沉積源漏金屬薄膜，通過構圖工藝形成所述第 一薄膜電晶體的第一源電極和第一漏電極、所述第二薄膜電晶體的第二源電極和第二漏電 極、所述第三薄膜電晶體的第三源電極和第三漏電極和所述第四薄膜電晶體的第四源電極 和第四漏電極、所述數據線、TFT溝道區域以及所述信號線圖形，其中所述第一源電極與所 述數據線相連接，所述第一漏電極通過所述鈍化層過孔與所述像素電極相連接，所述第二 源電極與所述第一漏電極相連接，所述第二漏電極與所述信號線相連接，所述第三源電極 連接所述信號線，所述第四源電極連接所述第三漏電極，所述第四漏電極接地。在步驟10包括如上具體步驟時，所述步驟20具體包括在完成步驟13的基板上 沉積鈍化層，通過構圖工藝在所述第一漏電極位置形成第一鈍化層過孔，在所述第三漏電 極位置或者所述第四源電極位置或者所述第三漏電極和第四源電極的連接部分上形成第 二鈍化層過孔；所述步驟30具體包括在完成步驟20的基板上沉積透明導電層，通過構圖 工藝形成包括像素電極和連接條的圖形，通過所述第一鈍化層過孔連接所述第一漏電極和 所述像素電極，通過所述第二鈍化層過孔和所述連接條連接所述第三漏電極、所述第四源 電極以及所述外部集成電路。本發明提供一種觸摸式液晶顯示器、觸摸方法、陣列基板及其製造方法，通過形成 第二薄膜電晶體、信號線以及電壓獲取電路，以及對輸入信號的控制，使得在輸入黑幀信號 時由信號線及電壓獲取電路獲得黑幀電壓，並通過外部集成電路對黑幀電壓和固定值的參 考電壓即標準黑幀電壓的比較，從而獲得觸摸位置以實現觸摸功能，本發明提供的技術方 案可以簡化觸摸位置的判斷方法，簡化觸摸式液晶顯示器的製造工藝，降低生產成本。


圖1所示為本發明液晶面板沒有被觸摸時的液晶排布示意圖；圖2所示為本發明液晶面板被觸摸時的液晶排布示意圖；圖3為本發明觸摸式液晶顯示器實施例的陣列基板的等效電路結構圖；圖4為本發明外部集成電路實施例的結構示意圖；圖5為本發明觸摸式液晶顯示器的觸摸方法實施例的流程示意圖；圖6為本發明觸摸式液晶顯示器的陣列基板實施例的結構示意圖；圖7為圖6中A-A向剖視圖；圖8為圖6中B-B向剖視圖；圖9為本發明觸摸式液晶顯示器的陣列基板的製造方法第一實施例的流程圖；圖10為本發明觸摸式液 晶顯示器的陣列基板的製造方法第二實施例的流程圖；圖11為本發明觸摸式液晶顯示器的陣列基板的製造方法實施例的第一次構圖工 藝後的平面圖；圖12為圖11中Al-Al向的剖面圖；圖13為圖11中Bl-Bl向的剖面圖；圖14為本發明觸摸式液晶顯示器的陣列基板的製造方法實施例的第二次構圖工 藝後的平面圖；圖15為圖14中A2-A2向的剖面圖16為圖14中B2-B2向的剖面圖；圖17為本發明觸摸式液晶顯示器的陣列基板的製造方法實施例的第三次構圖工 藝後的平面圖；圖18為圖17中A3-A3向的剖面圖； 圖19為圖17中B3-B3向的剖面圖；圖20為本發明觸摸式液晶顯示器的陣列基板的製造方法實施例的第四次構圖工 藝後的平面圖；圖21為圖20中A4-A4向的剖面圖；圖22為圖20中B4-B4向的剖面圖。附圖標記說明1-柵線；2-數據線；3-基板；4-柵絕緣層；51-半導體薄膜；52-摻雜半導體薄膜；6-鈍化層；7-第一鈍化層過孔；71-第二鈍化層過孔；8-像素電極；81-連接條；9-信號線；11-第一柵電極；12-第一源電極；13-第一漏電極；21-第二柵電極； 22-第二源電極；23-第二漏電極；31-第三柵電極； 32-第三源電極；33-第三漏電極；41-第四柵電極； 42-第四源電極；43-第四漏電極；50-電壓獲取電路；501-第一控制信號線；502-第二控制信號線；60-外部集成電路；61-存儲單元；62-放大過濾單元；63-比較單元。
具體實施例方式下面通過附圖和實施例，對本發明的技術方案做進一步的詳細描述。圖1所示為本發明液晶面板沒有被觸摸時的液晶排布示意圖，圖2所示為本發明 液晶面板被觸摸時的液晶排布示意圖，如圖1和圖2所示，液晶材料被填充在像素電極和公 共電極之間，當液晶面板被觸摸時，液晶盒間隙會改變，進而使得液晶的取向改變，由於液 晶具有各向異性的特性，即其垂直的介電常數和水平的介電常數互不相同，所以液晶的取 向改變會導致液晶介電常數的變化；而根據液晶電容的計算等式Clc = aA/d，其中，Clc為 液晶電容，a為液晶的介電常數，A為像素的剖面面積，d為液晶盒間隙。因此，當液晶面板 被觸摸時由於介電常數a和液晶盒間隙d的變化會導致液晶電容Clc的值改變。再根據電 荷不變原則Q = C*V，液晶電容的變化會導致像素電極上的像素電壓的變化，而像素電壓 的變化是一種電信號的變化，本發明的目的即可以通過某種方式將此電信號的變化進行收 集和分析，通過將液晶電容Clc的改變轉換成在數據線輸入黑幀信號時產生的電壓信號的 變化來實現觸控螢幕的功能。圖3為本發明觸摸式液晶顯示器實施例的陣列基板的等效電路結構圖。如圖3所 示，本發明實施例提供的觸摸式液晶顯示器包括彩膜基板、陣列基板以及夾設在彩膜基板 和陣列基板之間的液晶分子層。其中陣列基板又包括行方向上的多條柵線1，列方向上的多 條數據線2，以及柵線1和數據線2限定的像素區域，在像素區域內形成有像素電極8和第一薄膜電晶體Tl，第一薄膜電晶體Tl形成在柵線1和數據線2的交叉處。陣列基板上還包 括有與第一薄膜電晶體Tl連接的、用於間隔獲取當前像素區域的數據電壓和黑幀電壓的 第二薄膜電晶體T2 ；與第二薄膜電晶體T2連接、用於將數據電壓和黑幀電壓輸出的信號線 9，信號線9與數據線2平行設置，可以如圖中所示位於同一像素區域的兩側；用於從信號線 9獲取數據電壓和黑幀電壓的電壓獲取電路50，電壓獲取電路50與信號線9連接；以及外 部集成電路60，用於從電壓獲取電路50獲取黑幀電壓，並根據黑幀電壓的變化獲得觸摸位 置，與電壓獲取電路50連接。其中黑幀電壓為在兩幀數據電壓之間插入的電壓，即數據線2上輸入一幀數據電 壓，再輸入一幀黑幀電壓，再輸入一幀數據電壓，再輸入一幀黑幀電壓，如此循環；在兩幀用 於正常顯示的數據電壓之間插入黑幀電壓可以在動態畫面顯示時，使得「拖尾」的現象不易 被人眼所察覺，提高動態畫面的顯示效果，且當插入黑幀時，液晶面板上的全部像素電壓均 相同。在圖3中，第一薄膜電晶體Tl和第二薄膜電晶體T2的具體連接可以為在同一像 素區域內，第一薄膜電晶體Tl的第一柵電極11與當前像素區域的柵線1相接連，第一源電 極12與數據線2相連接，第一漏電極13與像素電極8相連接；第二薄膜電晶體T2的第二 柵電極21與前一像素區域的柵線1相連接，第二源電極22與第一漏電極13相連接，第二 漏電極23與信號線9相連接。其中，電壓獲取電路50可以具體包括與各個像素區域內的各條信號線9和外部 集成電路60相連接、用於分別獲取各個信號線9上的數據電壓和黑幀電壓的與各個信號線 9對應的第三薄膜電晶體T3 ；用於在第三薄膜電晶體T3獲取到數據電壓時對第三薄膜晶體 管T3進行放電的第四薄膜電晶體T4，與第三薄膜電晶體T3相連接；用於控制第三薄膜晶 體管T3開關的第一控制信號線501，該第一控制信號線接有控制電壓Vdd ；以及用於控制第 四薄膜電晶體T4開關的第二控制信號線502，該第二控制信號線接有時鐘信號CLK。具體 地，第三薄膜電晶體T3的第三柵電極31連接第一控制信號線501，第三源電極32連接信 號線9，第三漏電極33連接外部集成電路60 ；第四薄膜電晶體T4的第四柵電極41連接第 二控制信號線502，第四源電極42連接第三漏電極33，第四漏電極43接地Gnd。通過調節 第一控制信號線501上所加的控制電壓Vdd和第二控制信號線502上所加的時鐘信號CLK 可以實現當與信號線9連接的第三薄膜電晶體T3的第三源電級32接收到數據電壓信號 時，控制電壓Vdd加到第三薄膜電晶體T3的第三柵電極31，打開該第三薄膜電晶體T3，且 時鐘信號CLK加到第四薄膜電晶體T4的第四柵電極41，打開該第四薄膜電晶體T4，從而對 接收到的數據電壓信號進行放電；當與信號線9連接的第三薄膜電晶體T3的第三源電級 32接收到黑幀電壓信號時，此時通過控制電壓Vdd和時鐘信號CLK使得第三薄膜電晶體T3 打開，第四薄膜電晶體T4關閉，從而將接收到的黑幀電壓信號輸出到外部集成電路60。圖4為本發明外部集成電路實施例的結構示意圖。如圖4所示，本實施例中的外部集成電路60可以包括存儲單元61，用於從存儲電壓獲取電路50獲取黑幀電壓，即圖3 中的電壓獲取電路50的第三薄膜電晶體T3的第三漏電極33發來的黑幀電壓；放大過濾單 元62，用於放大存儲單元61的黑幀電壓，並對該黑幀電壓中的噪聲信號進行過濾；比較單 元63，用於將經過放大過濾單元62獲取處理後的黑幀電壓與預先設定的標準黑幀電壓進 行比較，根據比較結果確定黑幀電壓所指示的觸摸式液晶顯示器的位置是否被觸摸。
另外，在圖3中，陣列基板的像素電極8和彩膜基板的公共電極之間形成液晶電容Clc，且在陣列基板的公共電極和像素電極8之間形成存儲電容Cst。在發生觸摸的情況下， 由於液晶盒間隙的變化會導致液晶電容Clc的改變，從而通過外部集成電路60可以獲取到 觸摸式液晶顯示器被觸摸的位置。下面將結合圖3和圖4詳細描述本發明觸摸式液晶顯示器的工作原理。如圖3和 圖4所示，柵線1負責開啟電路，柵線驅動器送出脈衝波形，在某一行的柵線1處於高電平 時，其與數據線2限定的像素區域內的第一薄膜電晶體Tl打開的同時，下一像素區域的第 二薄膜電晶體T2也會打開，此時數據線2負責給像素電極8充電。例如，在「插黑」技術中， 在數據線2輸入正常顯示幀時，柵線1進行掃描，數據線2對掃描行進行正常的充電，而在 數據線2輸入黑幀時，柵線1進行掃描，數據線2對掃描行充入黑幀電壓。當第N條柵線和 第N+1條柵線之間和數據線2限定的像素區域的第二薄膜電晶體T2開啟時，若將該像素區 域的第一薄膜電晶體Tl的第一漏電極13處存儲的數據電壓輸送給信號線9，則通過調節 使得第一控制信號線501上所加的控制電壓Vdd輸出高電平，第二控制信號線502上所加 的時鐘信號CLK也輸出高電平，將所有第四薄膜電晶體T4開啟，同時Vdd持續開啟第三薄 膜電晶體T3，即將信號線9接地Gnd ；若將該像素區域的第一薄膜電晶體Tl的第一漏電極 13處存儲的黑幀電壓輸送給信號線9，則通過調節使得第一控制信號線501上所加的控制 電壓Vdd輸出高電平，第二控制信號線502上所加的時鐘信號CLK輸出低電平，將所有第四 薄膜電晶體T4關閉，同時Vdd持續開啟第三薄膜電晶體T3，即可以由信號線9輸出黑幀電 壓至外部集成電路60。由上述過程可知，外部集成電路60僅接收由第二薄膜電晶體T2輸 出的黑幀電壓，該黑幀電壓會在存儲單元61中存儲，然後發送至放大過濾單元62對獲取的 黑幀電壓進行放大並對其中的噪聲信號進行過濾，最後由比較單元63將經過放大過濾單 元62獲取處理後的黑幀電壓與預先設定的標準黑幀電壓進行比較，若處理後的黑幀電壓 為正常的、固設的黑幀電壓，即標準黑幀電壓，則說明產生該黑幀電壓的像素區域沒有被觸 摸，若處理後的黑幀電壓與標準黑幀電壓相比有變化，例如變小，則說明產生該黑幀電壓的 像素區域被觸摸，液晶電容Clc變大，輸出的黑幀電壓變小；然後，根據柵線1的掃描時間得 出觸摸發生的坐標Y值，根據信號線9的序列得出觸摸發生的坐標X值，且可以根據標準黑 幀電壓和黑幀電壓的差值得到坐標Z值，其中Z值描述的是觸摸力度的大小。綜上所述，本發明實施例的觸摸式液晶顯示面板，在插黑顯示技術中，通過信號線 9可以獲取黑幀電壓，並發送至外部集成電路60，外部集成電路60隻需要將獲取的黑幀電 壓與固定的標準黑幀電壓進行比較，即可得出是否有觸摸時間的發生。本發明提供的觸摸式液晶顯示器，通過形成第二薄膜電晶體、信號線以及電壓獲 取電路，以及對輸入信號的控制，使得在輸入黑幀信號時由信號線及電壓獲取電路獲得黑 幀電壓，並通過外部集成電路對黑幀電壓和固定值的參考電壓即標準黑幀電壓的比較，從 而獲得觸摸位置以實現觸摸功能。本發明提供的技術方案和現有技術中用像素電壓作為 參考電壓的觸摸式液晶顯示器相比，結構簡單，獲得的黑幀信號易於處理，出錯率低，穩定 性高；將電壓獲取電路集成在液晶顯示器的陣列基板上，提高了集成度，降低了生產成本， 且電壓獲取電路起到了清空陣列基板形成的電路當中的殘留電荷的作用，減小了電路中噪 聲對觸摸產生的電壓信號的影響，本發明提供的觸摸式液晶顯示器在提高工作穩定性的同 時，又能提高畫面的品質，減小「殘像」現象的出現。
圖5為本發明觸摸式液晶顯示器的觸摸方法實施例的流程示意圖，參考如圖3和 圖4所示的觸摸式液晶顯示器的結構，該方法包括如下步驟步驟501、柵線對前一像素區域進行掃描時，當前像素區域中的第二薄膜電晶體間 隔獲取當前像素區域的數據電壓和黑幀電壓；步驟502、由與第二薄膜電晶體連接的信號線將第二薄膜電晶體獲取的數據電壓 和黑幀電壓輸出至電壓獲取電路；步驟503、電壓獲取電路將黑幀電壓輸出至外部集成電路；步驟504、外部集成電路根據黑幀電壓的變化計算得到觸摸液晶顯示器時的觸摸位置。其中步驟503可以進一步包括電壓獲取電路對其接收的數據電壓進行放電的步
馬聚ο另外步驟504還可以進一步具體包括步驟5041、存儲單元存儲從電壓獲取電路 獲取的黑幀電壓；步驟5042、放大過濾單元放大存儲單元的黑幀電壓，並對黑幀電壓中的 噪聲信號進行過濾；步驟5043、比較單元將經過放大過濾單元獲取處理後的黑幀電壓與預 先設定的標準黑幀電壓進行比較，根據比較結果確定黑幀電壓所指示的觸摸式液晶顯示器 的位置是否被觸摸。本實施例提供的觸摸式液晶顯示器的觸摸方法的具體過程描述與上述介紹觸摸 式液晶顯示器時所描述的工作過程相同，在此不再贅述。本實施例提供的觸摸式液晶顯示器的觸摸方法，通過形成第二薄膜電晶體、信號 線以及電壓獲取電路，以及對輸入信號的控制，使得在輸入黑幀信號時由信號線及電壓獲 取電路獲得黑幀電壓，並通過外部集成電路對黑幀電壓和固定值的參考電壓即標準黑幀電 壓的比較，從而獲得觸摸位置以實現觸摸功能。本發明提供的技術方案和現有技術中用像 素電壓作為參考電壓的觸摸式液晶顯示器相比，結構簡單，獲得的黑幀信號易於處理，出錯 率低，穩定性高；將電壓獲取電路集成在液晶顯示器的陣列基板上，提高了集成度，降低了 生產成本，且電壓獲取電路起到了清空陣列基板形成的電路當中的殘留電荷的作用，減小 了電路中噪聲對觸摸產生的電壓信號的影響，本發明提供的觸摸式液晶顯示器在提高工作 穩定性的同時，又能提高畫面的品質，減小「殘像，，現象的出現。圖6為本發明觸摸式液晶顯示器的陣列基板實施例的結構示意圖，圖7為圖6中 A-A向剖視圖，圖8為圖6中B-B向剖視圖。如圖6 圖8所示，本實施例觸摸式液晶顯示 器的陣列基板包括柵線1和數據線2，以及柵線1和數據線2限定的像素區域，在像素區域 內形成有像素電極8和第一薄膜電晶體Tl，第一薄膜電晶體Tl形成在柵線1和數據線2的 交叉處。還包括與第一薄膜電晶體Tl連接、用於間隔獲取當前像素區域的數據電壓和黑 幀電壓的第二薄膜電晶體T2 ；與第二薄膜電晶體T2連接、用於將數據電壓和黑幀電壓輸出 的信號線9，該信號線9與數據線2平行設置在同一像素區域的兩側；以及與信號線9連接、 用於從信號線9獲取黑幀電壓的電壓獲取電路，該黑幀電壓為在兩幀數據電壓之間插入的 電壓。其中第一薄膜電晶體Tl的結構與現有技術相同，在同一像素區域內，第一薄膜晶體 管Tl的第一柵電極11與當前像素區域的柵線1相接連，第一源電極12與數據線2相連接， 第一漏電極13通過第一鈍化層過孔7與像素電極8相連接；第二薄膜電晶體T2的第二柵 電極21與前一像素區域的柵線1相連接，第二源電極22與第一漏電極13相連接，第二漏電極23與信號線9相連接。該電壓獲取電路可以包括第三薄膜電晶體T3和第四薄膜電晶體T4。第三薄膜晶 體管T3用於獲取數據電壓和黑幀電壓，第四薄膜電晶體T4用於在第三薄膜電晶體T3獲取 到數據電壓時對第三薄膜電晶體T3進行放電；第三薄膜電晶體T3的第三柵電極31連接第 一控制信號線501，該第一控制信號線501上加控制電壓Vdd，第三源電極32連接信號線9， 第三漏電極33連接外部集成電路60 ；第四薄膜電晶體T4的第四柵電極41連接第二控制 信號線502，該第二控制信號線502上加時鐘信號CLK，第四源電極42連接第三漏電極33， 第四漏電極43接地Gnd。為了使第三漏電極33可以連接到外部集成電路60，從而可以將 信號線9上的黑幀電壓發送至外部集成電路60，可以將第三漏電極33或第四源電極42或 第三漏電極33和第四源電極42的連接部分通過金屬條連接，在本實施例中在第四薄膜晶 體管T4的第四源電極42上的鈍化層上開設有第二鈍化層過孔71，通過該第二鈍化層過孔 71以及連接條81可以使得第三漏電極33和第四源電極42連接外部集成電路60;另外，該 第二鈍化層過孔71也可以開設在第三漏電極33上的鈍化層上，或是第三漏電極33和第四 源電極42的連接部分的鈍化層上。本實施例上述技術方案中，第一薄膜電晶體Tl、第二薄膜電晶體T2、第三薄膜晶 體管T3和第四薄膜電晶體T4各自的柵電極、柵線1、第一控制信號線501和第二控制信號 線502設置在同一層，且在同一次構圖工藝中形成，並且第一薄膜電晶體Tl、第二薄膜晶體 管T2、第三薄膜電晶體T3和第四薄膜電晶體T4各自的源電極和漏電極設置在同一層，且在 同一次構圖工藝中形成。數據線2和信號線9平行設置，如圖中所示可以分別位於同一像 素區域的兩側。信號線9與數據線2設置在同一層，且與第一薄膜電晶體Tl、第二薄膜晶體 管T2、第三薄膜電晶體T3和第四薄膜電晶體T4各自的源電極和漏電極在同一次構圖工藝 中形成。本發明提供一種觸摸式液晶顯示器的陣列基板，通過形成第二薄膜電晶體、信號 線以及電壓獲取電路，以及對輸入信號的控制，使得在輸入黑幀信號時由信號線及電壓獲 取電路獲得黑幀電壓，並通過外部集成電路對黑幀電壓和固定值的參考電壓即標準黑幀電 壓的比較，從而獲得觸摸位置以實現觸摸功能。本發明提供的技術方案和現有技術中用像 素電壓作為參考電壓的觸摸式液晶顯示器相比，結構簡單，獲得的黑幀信號易於處理，出錯 率低，穩定性高；將電壓獲取電路集成在液晶顯示器的陣列基板上，提高了集成度，降低了 生產成本，且電壓獲取電路起到了清空陣列基板形成的電路當中的殘留電荷的作用，減小 了電路中噪聲對觸摸產生的電壓信號的影響，本發明提供的觸摸式液晶顯示器在提高工作 穩定性的同時，又能提高畫面的品質，減小「殘像」現象的出現。圖9為本發明觸摸式液晶顯示器的陣列基板的製造方法第一實施例的流程圖，如 圖9所示，該製造方法可以包括以下步驟步驟901、在基板上形成包括柵線、數據線、第一薄膜電晶體和第二薄膜電晶體各 自的柵電極、源電極和漏電極，以及信號線和電壓獲取電路的圖形；其中，第一薄膜電晶體和第二薄膜電晶體形成在柵線和數據線限定的像素區域 內，數據線與信號線平行設置，電壓獲取電路形成在像素區域以外；步驟902、在完成步驟901的基 板上沉積鈍化層，通過構圖工藝在第一薄膜電晶體 的第一漏電極位置和電壓獲取電路上形成鈍化層過孔；
步驟903、在完成步驟902的基板上沉積透明導電層，通過構圖工藝形成包括像素 電極和連接條的圖形，該連接條用於連接電壓獲取電路和外部集成電路。 下面通過具體實施例進一步說明本發明的技術方案。在以下說明中，本發明所稱 的構圖工藝包括光刻膠塗覆、掩模、曝光、刻蝕和剝離等工藝。圖10為本發明觸摸式液晶顯示器的陣列基板的製造方法第二實施例的流程圖， 如圖10所示，本實施例的製造方法採用五次構圖工藝，其中電壓獲取電路可以包括用於 獲取數據電壓和黑幀電壓的第三薄膜電晶體；用於在第三薄膜電晶體獲取到數據電壓時對 第三薄膜電晶體進行放電的第四薄膜電晶體，則該製造方法具體可以包括以下步驟步驟911、在基板上沉積柵金屬層，通過構圖工藝對柵金屬層進行構圖，在基板上 形成柵線、第一薄膜電晶體的第一柵電極、第二薄膜電晶體的第二柵電極、第三薄膜電晶體 的第三柵電極、第四薄膜電晶體的第四柵電極、第一控制信號線和第二控制信號線的圖形， 第一柵電極和第二柵電極與柵線相接連，第三柵電極連接第一控制信號線，第四柵電極連 接第二控制信號線；步驟912、在完成步驟911的基板上連續沉積柵絕緣層、半導體薄膜和摻雜半導體 薄膜，通過構圖工藝在第一柵電極、第二柵電極、第三柵電極和第四柵電極上形成有源層的 圖形，該有源層包括半導體層和摻雜半導體層；步驟913、在完成步驟912的基板上沉積源漏金屬薄膜，通過構圖工藝形成第一薄 膜電晶體的第一源電極和第一漏電極、第二薄膜電晶體的第二源電極和第二漏電極、第三 薄膜電晶體的第三源電極和第三漏電極和第四薄膜電晶體的第四源電極和第四漏電極、數 據線、TFT溝道區域以及信號線圖形；其中第一薄膜電晶體的第一源電極與數據線相連接，第二薄膜電晶體的第二源電 極與第一漏電極相連接，第二漏電極與信號線相連接，第三薄膜電晶體的第三源電極連接 信號線，第四薄膜電晶體的第四源電極連接第三薄膜電晶體的第三漏電極，第四漏電極接 地；步驟914、在完成步驟913的基板上沉積鈍化層，通過構圖工藝在第一薄膜電晶體 的第一漏電極位置形成第一鈍化層過孔，在第三漏電極位置或者第四源電極位置或者第三 漏電極和第四源電極的連接部分上形成第二鈍化層過孔；步驟915、在完成步驟914的基板上沉積透明導電層，通過構圖工藝形成包括像素 電極和連接條的圖形，通過第一鈍化層過孔連接第一漏電極和像素電極，通過第二鈍化層 過孔和連接條連接第三漏電極、第四源電極以及外部集成電路。圖11 圖22為本發明觸摸式液晶顯示器的陣列基板的製造過程的示意圖，可以 進一步說明本實施例的製造方法的技術方案，在以下說明中，本發明所稱的構圖工藝包括 光刻膠塗覆、掩模、曝光、刻蝕等工藝，光刻膠以正性光刻膠為例。圖11為本發明觸摸式液晶顯示器的陣列基板的製造方法實施例的第一次構圖工 藝後的平面圖，圖12為圖11中Al-Al向的剖面圖，圖13為圖11中Bl-Bl向的剖面圖。首 先採用磁控濺射或熱蒸發的方法，在基板3 (如玻璃基板或石英基板)上沉積一層柵金屬薄 膜，柵金屬薄膜可以採用鋁、鉻、鎢、鉭、鈦、鉬及鋁鎳之一或任意組合構成的單層或複合層 結構。採用普通掩模板(也稱單調掩模板)對柵金屬薄膜進行構圖，在基板3上形成包括 柵線1、第一薄膜電晶體Tl的第一柵電極11、第二薄膜電晶體T2的第二柵電極21、第三薄膜電晶體T2的第三柵電極31、第四薄膜電晶體T4的第四柵電極41、第一控制信號線501和第二控制信號線502的圖形。圖14為本發明觸摸式液晶顯示器的陣列基板的製造方法實施例的第二次構圖工 藝後的平面圖，圖15為圖14中A2-A2向的剖面圖，圖16為圖14中B2-B2向的剖面圖。在 完成上述結構圖形的基板3上，首先採用等離子體增強化學氣相沉積(簡稱PECVD)方法， 依次沉積柵絕緣層4、半導體薄膜51和摻雜半導體薄膜52，通過構圖工藝對半導體薄膜51 和摻雜半導體薄膜52進行構圖，在第一柵電極11、第二柵電極21、第三柵電極31和第四柵 電極41上形成有源層5的圖形。圖17為本發明觸摸式液晶顯示器的陣列基板的製造方法實施例的第三次構圖工 藝後的平面圖，圖18為圖17中A3-A3向的剖面圖，圖19為圖17中B3-B3向的剖面圖。在 完成上述結構圖形的基板3上，採用磁控濺射或熱蒸發的方法，沉積一層源漏金屬薄膜，源 漏金屬薄膜可以採用鋁、鉻、鎢、鉭、鈦、鉬及鋁鎳之一或任意組合構成的單層或複合層結 構。採用普通掩模板對源漏金屬薄膜進行構圖，形成包括數據線2、第一薄膜電晶體Tl的第 一源電極12和第一漏電極13、第二薄膜電晶體T2的第二源電極22和第二漏電極23、第三 薄膜電晶體T3的第三源電極32和第三漏電極33、第四薄膜電晶體T4的第四源電極42和 第四漏電極43、TFT溝道區域和信號線9的圖形，所述信號線9與數據線2平行。圖20為本發明觸摸式液晶顯示器的陣列基板的製造方法實施例的第四次構圖工 藝後的平面圖，圖21為圖20中A4-A4向的剖面圖，圖22為圖20中B4-B4向的剖面圖。在 完成上述結構圖形的基板3上，採用PECVD方法沉積一層鈍化層6。採用普通掩模板對鈍化 層進行構圖，在第一漏電極13的位置形成第一鈍化層過孔7，和在第三漏電極33的位置或 第四源電極42的位置或第三漏電極33和第四源電極42的連接部分上形成第二鈍化層過 孔71。最後，在完成上述結構圖形的基板3上，採用磁控濺射或熱蒸發的方法，依次沉積 透明導電薄膜。採用普通掩模板對透明導電薄膜進行構圖，在每個像素區域內形成包括像 素電極8和連接條81的圖形，其中像素電極8通過第一鈍化層過孔7將像素電極8和第一 薄膜電晶體Tl的第一漏電極13連接，連接條81通過第二鈍化層過孔71將第四薄膜晶體 管T4的第四源電極42與外部集成電路60連接，如圖6 圖8所示，其中，像素電極的材料 為氧化銦錫、氧化銦鋅或氧化鋁鋅。本實施例所說明的五次構圖工藝僅僅是製備本發明觸摸式液晶顯示器陣列基板 的一種實現方法，實際使用中還可以通過增加或減少構圖工藝次數、選擇不同的材料或材 料組合來實現本發明。本發明提供一種觸摸式液晶顯示器陣列基板的製造方法，通過形成第二薄膜晶體 管、信號線以及電壓獲取電路，以及對輸入信號的控制，使得在輸入黑幀信號時由信號線及 電壓獲取電路獲得黑幀電壓，並通過外部集成電路對黑幀電壓和固定值的參考電壓即標準 黑幀電壓的比較，從而獲得觸摸位置以實現觸摸功能。本發明提供的技術方案和現有技術 中用像素電壓作為參考電壓的觸摸式液晶顯示器相比，結構簡單，獲得的黑幀信號易於處 理，出錯率低，穩定性高；將電壓獲取電路集成在液晶顯示器的陣列基板上，提高了集成度， 降低了生產成本，且電壓獲取電路起到了清空陣列基板形成的電路當中的殘留電荷的作 用，減小了電路中噪聲對觸摸產生的電壓信號的影響，本發明提供的觸摸式液晶顯示器在提高工作穩定性的同時，又能提高畫面的品質，減小「殘像」現象的出現。
最後應說明的是以上實施例僅用以說明本發明的技術方案而非對其進行限制，儘管參照較佳實施例對本發明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解其依 然可以對本發明的技術方案進行修改或者等同替換，而這些修改或者等同替換亦不能使修 改後的技術方案脫離本發明技術方案的精神和範圍。
權利要求
一種觸摸式液晶顯示器，包括彩膜基板、陣列基板以及夾設在所述彩膜基板和陣列基板之間的液晶分子層，在所述陣列基板上形成有柵線和數據線，所述柵線和數據線限定的像素區域內形成像素電極和第一薄膜電晶體，其特徵在於，所述陣列基板還包括與所述第一薄膜電晶體連接、用於間隔獲取當前像素區域的數據電壓和黑幀電壓的第二薄膜電晶體；與所述第二薄膜電晶體連接、用於將所述數據電壓和黑幀電壓輸出的信號線，所述信號線與所述數據線平行設置；以及與所述信號線連接、用於從所述信號線獲取所述黑幀電壓的電壓獲取電路，所述黑幀電壓為在兩幀數據電壓之間插入的電壓；外部集成電路，用於從所述電壓獲取電路獲取所述黑幀電壓，並根據所述黑幀電壓的變化獲得觸摸位置，與所述電壓獲取電路連接。
2.根據權利要求1所述的觸摸式液晶顯示器，其特徵在於，在同一像素區域內，所述第 一薄膜電晶體的第一柵電極與當前像素區域的柵線相接連，第一源電極與所述數據線相連 接，第一漏電極與所述像素電極相連接；所述第二薄膜電晶體的第二柵電極與前一像素區 域的柵線相連接，第二源電極與所述第一漏電極相連接，第二漏電極與所述信號線相連接。
3.根據權利要求2所述的觸摸式液晶顯示器，其特徵在於，所述電壓獲取電路包括用 於獲取所述數據電壓和黑幀電壓的第三薄膜電晶體，與各個像素區域的所述信號線和所述 外部集成電路相連接；用於在所述第三薄膜電晶體獲取到數據電壓時對所述第三薄膜晶體 管進行放電的第四薄膜電晶體，與所述第三薄膜電晶體相連接；用於控制所述第三薄膜晶 體管開關的第一控制信號線；以及用於控制所述第四薄膜電晶體開關的第二控制信號線。
4.根據權利要求3所述的觸摸式液晶顯示器，其特徵在於，所述第三薄膜電晶體的第 三柵電極連接所述第一控制信號線，第三源電極連接所述信號線，第三漏電極連接所述外 部集成電路；所述第四薄膜電晶體的第四柵電極連接所述第二控制信號線，第四源電極連 接所述第三漏電極，第四漏電極接地。
5.根據權利要求1-4任一權利要求所述的觸摸式液晶顯示器，其特徵在於，所述外部 集成電路包括存儲單元，用於存儲從所述電壓獲取電路獲取的黑幀電壓；放大過濾單元，用於放大所述存儲單元的所述黑幀電壓，並對所述黑幀電壓中的噪聲 信號進行過濾；比較單元，用於將經過所述放大過濾單元獲取處理後的所述黑幀電壓與預先設定的標 準黑幀電壓進行比較，根據比較結果確定所述黑幀電壓所指示的觸摸式液晶顯示器的位置 是否被觸摸。
6.一種觸摸式液晶顯示器的觸摸方法，其中觸摸式液晶顯示器包括彩膜基板、陣列基 板以及夾設在所述彩膜基板和陣列基板之間的液晶分子層，在所述陣列基板上形成有柵線 和數據線，所述柵線和數據線限定的像素區域內形成像素電極和第一薄膜電晶體，其特徵 在於，包括步驟1、所述柵線對前一像素區域進行掃描時，當前像素區域中的第二薄膜電晶體間隔 獲取所述當前像素區域的數據電壓和黑幀電壓；步驟2、由與所述第二薄膜電晶體連接的信號線將所述第二薄膜電晶體獲取的所述數 據電壓和黑幀電壓輸出至電壓獲取電路；步驟3、所述電壓獲取電路將所述黑幀電壓輸出至外部集成電路；步驟4、所述外部集成電路根據所述黑幀電壓的變化計算得到觸摸液晶顯示器時的觸摸位置。
7.根據權利要求6所述的觸摸式液晶顯示器的觸摸方法，其特徵在於，所述步驟3還包括所述電壓獲取電路對其接收的數據電壓進行放電的步驟。
8.根據權利要求6或7所述的觸摸式液晶顯示器的觸摸方法，其特徵在於，所述外部集 成電路包括存儲單元、放大過濾單元以及比較單元，則所述步驟4具體包括存儲單元存儲從所述電壓獲取電路獲取的黑幀電壓；放大過濾單元放大所述存儲單元的所述黑幀電壓，並對所述黑幀電壓中的噪聲信號進 行過濾；比較單元將經過所述放大過濾單元獲取處理後的所述黑幀電壓與預先設定的標準黑 幀電壓進行比較，根據比較結果確定所述黑幀電壓所指示的觸摸式液晶顯示器的位置是否 被觸摸。
9.一種觸摸式液晶顯示器的陣列基板，在所述陣列基板上形成有柵線和數據線，所述 柵線和數據線限定的像素區域內形成像素電極和第一薄膜電晶體，其特徵在於，還包括與 所述第一薄膜電晶體連接、用於間隔獲取當前像素區域的數據電壓和黑幀電壓的第二薄膜 電晶體；與所述第二薄膜電晶體連接、用於將所述數據電壓和黑幀電壓輸出的信號線，所述 信號線與所述數據線平行設置在同一像素區域的兩側；以及與所述信號線連接、用於從所 述信號線獲取所述黑幀電壓的電壓獲取電路，所述黑幀電壓為在兩幀數據電壓之間插入的 電壓。
10.根據權利要求9所述的觸摸式液晶顯示器的陣列基板，其特徵在於，在同一像素區 域內，所述第一薄膜電晶體的第一柵電極與當前像素區域的柵線相接連，第一源電極與所 述數據線相連接，第一漏電極與所述像素電極相連接；所述第二薄膜電晶體的第二柵電極 與前一像素區域的柵線相連接，第二源電極與所述第一漏電極相連接，第二漏電極與所述 信號線相連接。
11.根據權利要求10所述的觸摸式液晶顯示器的陣列基板，其特徵在於，所述電壓獲 取電路包括用於獲取所述數據電壓和黑幀電壓的第三薄膜電晶體；用於在所述第三薄膜 電晶體獲取到數據電壓時對所述第三薄膜電晶體進行放電的第四薄膜電晶體；用於控制所 述第三薄膜電晶體開關的第一控制信號線；以及用於控制所述第四薄膜電晶體開關的第二 控制信號線。
12.根據權利要求11所述的觸摸式液晶顯示器的陣列基板，其特徵在於，所述第三薄 膜電晶體的第三柵電極連接所述第一控制信號線，第三源電極連接所述信號線；所述第四 薄膜電晶體的第四柵電極連接所述第二控制信號線，第四源電極連接所述第三薄膜電晶體 的第三漏電極，第四漏電極接地。
13.根據權利要求9-12任一所述的觸摸式液晶顯示器的陣列基板，其特徵在於，所述 第一薄膜電晶體、第二薄膜電晶體、第三薄膜電晶體和第四薄膜電晶體各自的柵電極、所述 柵線、第一控制信號線和第二控制信號線設置在同一層，且在同一次構圖工藝中形成，並且所述第一薄膜電晶體、第二薄膜電晶體、第三薄膜電晶體和第四薄膜電晶體各自的源電極 和漏電極設置在同一層，且在同一次構圖工藝中形成。
14.根據權利要求9-12任一所述的觸摸式液晶顯示器的陣列基板，其特徵在於，所述 數據線與所述信號線平行設置。
15.根據權利要求14所述的觸摸式液晶顯示器的陣列基板，其特徵在於，所述信號線 與所述數據線設置在同一層，且與所述第一薄膜電晶體、第二薄膜電晶體、第三薄膜電晶體 和第四薄膜電晶體各自的源電極和漏電極在同一次構圖工藝中形成。
16.一種觸摸式液晶顯示器的陣列基板的製造方法，其特徵在於，包括步驟10、在基板上形成包括柵線、數據線、第一薄膜電晶體和第二薄膜電晶體各自的柵 電極、源電極和漏電極，以及信號線和電壓獲取電路的圖形，其中，所述第一薄膜電晶體和 第二薄膜電晶體形成在所述柵線和數據線限定的像素區域內，所述數據線與所述信號線平 行設置，所述電壓獲取電路形成在所述像素區域以外；步驟20、在完成步驟10的基板上沉積鈍化層，通過構圖工藝在所述第一薄膜電晶體的 第一漏電極位置和所述電壓獲取電路上形成鈍化層過孔；步驟30、在完成步驟20的基板上沉積透明導電層，通過構圖工藝形成包括像素電極和 連接條的圖形，所述連接條用於連接所述電壓獲取電路和外部集成電路。
17.根據權利要求16所述的觸摸式液晶顯示器的陣列基板的製造方法，其特徵在於， 所述電壓獲取電路包括用於獲取所述數據電壓和黑幀電壓的第三薄膜電晶體；用於在所 述第三薄膜電晶體獲取到數據電壓時對所述第三薄膜電晶體進行放電的第四薄膜電晶體， 則所述步驟10具體包括步驟11、在基板上沉積柵金屬層，通過構圖工藝對柵金屬層進行構圖，在基板上形成柵 線、所述第一薄膜電晶體的第一柵電極、所述第二薄膜電晶體的第二柵電極、所述第三薄膜 電晶體的第三柵電極、所述第四薄膜電晶體的第四柵電極、第一控制信號線和第二控制信 號線的圖形，所述第一柵電極和所述第二柵電極與所述柵線相接連，所述第三柵電極連接 所述第一控制信號線，所述第四柵電極連接所述第二控制信號線；步驟12、在完成步驟11的基板上連續沉積柵絕緣層、半導體薄膜和摻雜半導體薄膜， 通過構圖工藝在所述第一柵電極、所述第二柵電極、所述第三柵電極和所述第四柵電極上 形成有源層的圖形，所述有源層包括半導體層和摻雜半導體層；步驟13、在完成步驟12的基板上沉積源漏金屬薄膜，通過構圖工藝形成所述第一薄膜 電晶體的第一源電極和第一漏電極、所述第二薄膜電晶體的第二源電極和第二漏電極、所 述第三薄膜電晶體的第三源電極和第三漏電極和所述第四薄膜電晶體的第四源電極和第 四漏電極、所述數據線、TFT溝道區域以及所述信號線圖形，其中所述第一源電極與所述數 據線相連接，所述第二源電極與所述第一漏電極相連接，所述第二漏電極與所述信號線相 連接，所述第三源電極連接所述信號線，所述第四源電極連接所述第三漏電極，所述第四漏 電極接地。
18.根據權利要求17所述的觸摸式液晶顯示器的陣列基板的製造方法，其特徵在於， 所述步驟20具體包括在完成步驟13的基板上沉積鈍化層，通過構圖工藝在所述第一漏電極位置形成第一鈍化層過孔，在所述第三漏電極位置或者所述第四源電極位置或者所 述第三漏電極和第四源電極的連接部分上形成第二鈍化層過孔；所述步驟30具體包括在完成步驟20的基板上沉積透明導電層，通過構圖工藝形成包 括像素電極和連接條的圖形，通過所述第一鈍化層過孔連接所述第一漏電極和所述像素電極，通過所述第二鈍化層過孔和所述連接條連接所述第三漏電極、所述第四源電極以及所述外部集成電路。
全文摘要
本發明公開了一種觸摸式液晶顯示器、觸摸方法、陣列基板及其製造方法，其中觸摸式液晶顯示器包括彩膜基板、陣列基板以及夾設其間的液晶分子層，在陣列基板上形成有柵線和數據線，柵線和數據線限定的像素區域內形成像素電極和第一薄膜電晶體，陣列基板還包括與第一薄膜電晶體連接、用於間隔獲取當前像素區域的數據電壓和黑幀電壓的第二薄膜電晶體；與第二薄膜電晶體連接、用於將數據電壓和黑幀電壓輸出的信號線，信號線與數據線平行設置；以及與信號線連接、用於從信號線獲取黑幀電壓的電壓獲取電路；外部集成電路用於從電壓獲取電路獲取黑幀電壓，並根據黑幀電壓的變化獲得觸摸位置。
文檔編號G02F1/133GK101840084SQ20091008009
公開日2010年9月22日 申請日期2009年3月18日 優先權日2009年3月18日
發明者王崢 申請人:北京京東方光電科技有限公司