一種集成電路晶片清洗液及其製備方法
2023-04-26 22:12:51 2
一種集成電路晶片清洗液及其製備方法
【專利摘要】本發明提供了一種集成電路晶片清洗液及其製備方法，清洗液包括以下組分：壬基酚聚氧乙基醚，檸檬酸，二甘醇，甲醇，二氯甲烷，三氟三氯乙烷，烷基醇醯胺，EDTA，三乙醇胺，氨基磺酸，乙醇。製備方法為將壬基酚聚氧乙基醚、檸檬酸、二甘醇、甲醇和EDTA加入反應釜中，在真空加熱條件下攪拌混合得到混合物一，再將二氯甲烷、三氟三氯乙烷、烷基醇醯胺和三乙醇胺加入到密閉容器中，在真空條件下加熱共沸得到混合物二，最後將混合物一與混合物二相混合，加入氨基磺酸和乙醇，攪拌混合均勻，得到集成電路晶片清洗液。本發明提供的清洗液漂洗性能優良，泡沫小，不影響電路晶片，粘度低，可以廣泛應用於集成電路晶片的清洗。
【專利說明】一種集成電路晶片清洗液及其製備方法
【技術領域】
[0001] 本發明屬於清洗劑【技術領域】，具體涉及一種集成電路晶片清洗液及其製備方法。
【背景技術】
[0002] 集成電路（integrated circuit)是一種微型電子器件或部件。採用一定的工藝， 把一個電路中所需的電晶體、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，製作在一小塊或幾 小塊半導體晶片或介質基片上，然後封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結 構；其中所有元件在結構上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和 高可靠性方面邁進了一大步。它在電路中用字母"1C"表示。
[0003] 集成電路晶片在長期的使用過程中會產生一定的汙垢，傳統的清除方法是通過毛 刷進行清掃，而採用清洗液清洗的方式並不常用，因為清洗液清洗後通常會有一定的殘留， 對於電路晶片的正常工作會產生一定的影響。
[0004] 隨著世界範圍內工業設備的全面電子化、控制自動化的發展，全電子設備儀器的 生產和使用高速增長。集成電路的快速增長使從前的設備在線維護專業從小範圍成為全行 業、跨地區的大範圍維護問題，而其有效維護也成為了專業維護人員面臨的更加重要的問 題，對操作更安全、洗淨效果更理想的需求迫使研究人員不斷研究更好的清洗劑替代品。
【發明內容】
[0005] 本發明的目的是克服現有技術的不足而提供一種集成電路晶片清洗液及其製備 方法提高漂洗性能，縮短漂洗時間，同時對電路晶片無影響。
[0006] -種集成電路晶片清洗液，以重量份計包括：壬基酚聚氧乙基醚1-5份，檸檬酸 0. 8_3份，二甘醇10-20份，甲醇5_10份，二氯甲燒10-20份，二氟二氯乙燒8_15份，燒基醇 醯胺2-8份，EDTA 1-4份，二乙醇胺1-5份，氨基磺酸1-4份，乙醇10-20份。
[0007] 作為進一步改進，所述的集成電路晶片清洗液，以重量份計包括：壬基酚聚氧乙基 醚2-4份，檸檬酸2-2. 5份，二甘醇14-18份，甲醇7-9份，二氯甲烷16-19份，三氟三氯乙烷 10-13份，烷基醇醯胺4-7份，EDTA 2-4份，三乙醇胺2-4份，氨基磺酸1-3份，乙醇15-18 份。
[0008] 以上所述的集成電路晶片清洗液，所述乙醇可以為95%乙醇。
[0009] 以上所述的集成電路晶片清洗液的製備方法，包括以下步驟：
[0010] 步驟一，將壬基酚聚氧乙基醚、檸檬酸、二甘醇、甲醇和EDTA加入反應釜中，在真 空度為〇. 01-0. 〇5MPa條件下，加熱至50-60°C，攪拌20-30分鐘，得到混合物一；
[0011] 步驟二，將二氯甲烷、三氟三氯乙烷、烷基醇醯胺和三乙醇胺加入到密閉容器中， 在真空條件下加熱共沸20-30分鐘，得到混合物二；
[0012] 步驟三，將混合物一與混合物二相混合，加入氨基磺酸和乙醇，攪拌混合均勻，得 到集成電路晶片清洗液。
[0013] 所述的集成電路晶片清洗液的製備方法，步驟一中攪拌的速度可以為100-120轉 /分鐘。
[0014] 所述的集成電路晶片清洗液的製備方法，步驟二中真空條件的真空度可以為 0.01-0. 03MPa〇
[0015] 所述的集成電路晶片清洗液的製備方法，步驟三中攪拌混合均勻的條件可以為攪 拌速度80-100轉/分鐘，攪拌溫度為室溫，攪拌時間為20-40分鐘。
[0016] 本發明提供的集成電路晶片清洗液淨洗力達到了 108%以上，泡沫性能在8mm以 下，粘度達到了 0. 45_2 ? ^以下，漂洗性能優良，無可見淨洗劑殘留物，泡沫小，不影響電 路晶片，粘度低，便於清洗，同時可以短時間對電路晶片進行很好的清洗，可以廣泛應用於 集成電路晶片的清洗。
【具體實施方式】
[0017] 實施例1
[0018] 一種集成電路晶片清洗液，以重量份計包括：壬基酚聚氧乙基醚1份，檸檬酸0. 8 份，二甘醇10份，甲醇5份，二氯甲烷10份，三氟三氯乙烷8份，烷基醇醯胺2份，EDTA 1 份，三乙醇胺1份，氨基磺酸1份，95%乙醇10份。
[0019] 以上所述的集成電路晶片清洗液的製備方法，包括以下步驟：
[0020] 步驟一，將壬基酚聚氧乙基醚、檸檬酸、二甘醇、甲醇和EDTA加入反應釜中，在真 空度為0. OIMPa條件下，加熱至50°C，攪拌20分鐘，攪拌速度為100轉/分鐘，得到混合物
[0021] 步驟二，將二氯甲烷、三氟三氯乙烷、烷基醇醯胺和三乙醇胺加入到密閉容器中， 在真空度為〇. OIMPa的條件下加熱共沸20分鐘，得到混合物二；
[0022] 步驟三，將混合物一與混合物二相混合，加入氨基磺酸和乙醇，攪拌混合均勻，其 中攪拌速度80轉/分鐘，攪拌溫度為室溫，攪拌時間為20分鐘，得到集成電路晶片清洗液。
[0023] 實施例2
[0024] -種集成電路晶片清洗液，以重量份計包括：壬基酚聚氧乙基醚2份，檸檬酸2份， 二甘醇14份，甲醇7份，二氯甲烷16份，三氟三氯乙烷10份，烷基醇醯胺4份，EDTA 2份， 三乙醇胺2份，氨基磺酸1份，95%乙醇15份。
[0025] 以上所述的集成電路晶片清洗液的製備方法，包括以下步驟：
[0026] 步驟一，將壬基酚聚氧乙基醚、檸檬酸、二甘醇、甲醇和EDTA加入反應釜中，在真 空度為0. 02MPa條件下，加熱至53°C，攪拌25分鐘，攪拌速度為108轉/分鐘，得到混合物
[0027] 步驟二，將二氯甲烷、三氟三氯乙烷、烷基醇醯胺和三乙醇胺加入到密閉容器中， 在真空度為〇. 〇2MPa的條件下加熱共沸22分鐘，得到混合物二；
[0028] 步驟三，將混合物一與混合物二相混合，加入氨基磺酸和乙醇，攪拌混合均勻，其 中攪拌速度85轉/分鐘，攪拌溫度為室溫，攪拌時間為26分鐘，得到集成電路晶片清洗液。
[0029] 實施例3
[0030] 一種集成電路晶片清洗液，以重量份計包括：壬基酚聚氧乙基醚3份，檸檬酸2. 3 份，二甘醇16份，甲醇8份，二氯甲烷17份，三氟三氯乙烷12份，烷基醇醯胺5份，EDTA 3 份，三乙醇胺3份，氨基磺酸2份，95%乙醇16份。
[0031] 以上所述的集成電路晶片清洗液的製備方法，包括以下步驟：
[0032] 步驟一，將壬基酚聚氧乙基醚、檸檬酸、二甘醇、甲醇和EDTA加入反應釜中，在真 空度為0. 03MPa條件下，加熱至56°C，攪拌28分鐘，攪拌速度為110轉/分鐘，得到混合物
[0033] 步驟二，將二氯甲烷、三氟三氯乙烷、烷基醇醯胺和三乙醇胺加入到密閉容器中， 在真空度為〇. 〇2MPa的條件下加熱共沸25分鐘，得到混合物二；
[0034] 步驟三，將混合物一與混合物二相混合，加入氨基磺酸和乙醇，攪拌混合均勻，其 中攪拌速度90轉/分鐘，攪拌溫度為室溫，攪拌時間為35分鐘，得到集成電路晶片清洗液。
[0035] 實施例4
[0036] -種集成電路晶片清洗液，以重量份計包括：壬基酚聚氧乙基醚4份，檸檬酸2. 5 份，二甘醇18份，甲醇9份，二氯甲烷19份，三氟三氯乙烷13份，烷基醇醯胺7份，EDTA 4 份，三乙醇胺4份，氨基磺酸3份，95%乙醇18份。
[0037] 以上所述的集成電路晶片清洗液的製備方法，包括以下步驟：
[0038] 步驟一，將壬基酚聚氧乙基醚、檸檬酸、二甘醇、甲醇和EDTA加入反應釜中，在真 空度為〇. 〇4MPa條件下，加熱至58°C，攪拌27分鐘，攪拌速度為115轉/分鐘，得到混合物
[0039] 步驟二，將二氯甲烷、三氟三氯乙烷、烷基醇醯胺和三乙醇胺加入到密閉容器中， 在真空度為〇. 〇2MPa的條件下加熱共沸30分鐘，得到混合物二；
[0040] 步驟三，將混合物一與混合物二相混合，加入氨基磺酸和乙醇，攪拌混合均勻，其 中攪拌速度95轉/分鐘，攪拌溫度為室溫，攪拌時間為36分鐘，得到集成電路晶片清洗液。
[0041] 實施例5
[0042] 一種集成電路晶片清洗液，以重量份計包括：壬基酚聚氧乙基醚5份，檸檬酸3份， 二甘醇20份，甲醇10份，二氯甲烷20份，三氟三氯乙烷15份，烷基醇醯胺8份，EDTA 4份， 三乙醇胺5份，氨基磺酸4份，95%乙醇20份。
[0043] 以上所述的集成電路晶片清洗液的製備方法，包括以下步驟：
[0044] 步驟一，將壬基酚聚氧乙基醚、檸檬酸、二甘醇、甲醇和EDTA加入反應釜中，在真 空度為0. 05MPa條件下，加熱至60°C，攪拌30分鐘，攪拌速度為120轉/分鐘，得到混合物
[0045] 步驟二，將二氯甲烷、三氟三氯乙烷、烷基醇醯胺和三乙醇胺加入到密閉容器中， 在真空度為〇. 〇3MPa的條件下加熱共沸30分鐘，得到混合物二；
[0046] 步驟三，將混合物一與混合物二相混合，加入氨基磺酸和乙醇，攪拌混合均勻，其 中攪拌速度100轉/分鐘，攪拌溫度為室溫，攪拌時間為40分鐘，得到集成電路晶片清洗 液。
[0047] 對以上實施例製備得到的集成電路晶片清洗液進行性能測試，結果如下：
[0048]
【權利要求】
1. 一種集成電路晶片清洗液，其特徵在於，以重量份計包括：壬基酚聚氧乙基醚1-5 份，檸檬酸〇. 8-3份，二甘醇10-20份，甲醇5-10份，二氯甲烷10-20份，三氟三氯乙烷8-15 份，烷基醇醯胺2-8份，EDTA 1-4份，三乙醇胺1-5份，氨基磺酸1-4份，乙醇10-20份。
2. 根據權利要求1所述的集成電路晶片清洗液，其特徵在於，以重量份計包括：壬基酚 聚氧乙基醚2-4份，檸檬酸2-2. 5份，二甘醇14-18份，甲醇7-9份，二氯甲烷16-19份，三 氟三氯乙烷10-13份，烷基醇醯胺4-7份，EDTA 2-4份，三乙醇胺2-4份，氨基磺酸1-3份， 乙醇15-18份。
3. 根據權利要求1或2所述的集成電路晶片清洗液，其特徵在於，所述乙醇為95%乙 醇。
4. 權利要求1或2所述的集成電路晶片清洗液的製備方法，其特徵在於，包括以下步 驟： 步驟一，將壬基酚聚氧乙基醚、檸檬酸、二甘醇、甲醇和EDTA加入反應釜中，在真空度 為0. 01-0. 05MPa條件下，加熱至50-60°C，攪拌20-30分鐘，得到混合物一； 步驟二，將二氯甲烷、三氟三氯乙烷、烷基醇醯胺和三乙醇胺加入到密閉容器中，在真 空條件下加熱共沸20-30分鐘，得到混合物二； 步驟三，將混合物一與混合物二相混合，加入氨基磺酸和乙醇，攪拌混合均勻，得到集 成電路晶片清洗液。
5. 根據權利要求4所述的集成電路晶片清洗液的製備方法，其特徵在於，步驟一中攪 拌的速度為100-120轉/分鐘。
6. 根據權利要求4所述的集成電路晶片清洗液的製備方法，其特徵在於，步驟二中真 空條件的真空度為0. 01-0. 〇3MPa。
7. 根據權利要求4所述的集成電路晶片清洗液的製備方法，其特徵在於，步驟三中攪 拌混合均勻的條件為攪拌速度80-100轉/分鐘，攪拌溫度為室溫，攪拌時間為20-40分鐘。
【文檔編號】C11D10/02GK104450332SQ201410674199
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年11月21日 優先權日:2014年11月21日
【發明者】熊開勝, 張海防, 謝建庭 申請人:蘇州東辰林達檢測技術有限公司