低電容過電壓保護模塊的製作方法

2023-04-26 20:54:51

專利名稱：低電容過電壓保護模塊的製作方法
技術領域：
本實用新型是對通訊用抗浪湧保護器件的改進，尤其涉及一種具有三端平衡低電
容過電壓保護模塊。
背景技術：
申請人:在先申請專利03278784. 7過電壓保護用半導體抗浪湧器件，通過在固體放電晶片一端或二端串接有反並聯二極體，從而大大降低了極間電容，使之能夠適應高頻、寬帶通訊要求，同時也仍然可以用於低頻通訊的過電壓、抗浪湧保護。然而由於其採用二端保護，所以只能保護通迅二線間過電壓，使用範圍受到限制，而在某些線路中需要三端保護，即二線間、以及二線與地線間的過電壓、抗浪湧保護，例如程控交換機總配線架保安單元，用此二端保護器件，必須要用三組將其呈三角形組合才能實現，增加了保護單元的成本，不利於保安單元的小型化。 國外有三端平衡保護用模塊，它由三個放電管，通過Y(圖3)或者三角形(圖4)接法，實現三端平衡保護。三個放電管三角形連接，造成極間電容很大約200pF，由於極間電容大，易造成信號被旁路，因此只能用於低頻(例如《10MHz)通迅線路、器材保護，不適用於高速(例如^ 100MHz)通迅網絡；三個放電管Y型接法，雖然可以降低極間電容，但電容仍相對較大，約在80PF左右，同樣不能滿足高頻場合使用要求。其次，採用三個放電管，同樣也造成保安單元成本增加。因此仍有值得改進的地方。

實用新型內容實用新型目的在於克服上述已有技術的不足，提供一種成本低，極間電容小，能夠實現三端平衡保護的低電容過電壓保護模塊。 實用新型目的實現，主要改進是在固體放電晶片二端， 一端串接3個負極相併的二極體，另一端串接3個正極相併的二極體，使保護模塊具有三端結構，從而可以實現三端保護，實現實用新型目的。具體說，實用新型低電容過電壓保護模塊，包括固體放電晶片及兩端分別串接有二極體，其特徵在於固體放電晶片一端串接3.個負極相併的二極體，另一端串接3個正極相併的二極體，並且分別將固體放電晶片一端的一個二極體與另一端的一個二極體相聯形成至少三個輸出端。 實用新型所說固體放電晶片與二極體，與申請人在先申請專利所述相同。[0007] 為降低成本，所說二極體，可以採用未加封裝的。 為進一步降低極間電容，還可以在各二極體另一端串聯一或幾個同向二極體。[0009] 實用新型低電容過電壓保護模塊，相對於現有技術，由於在固體放電晶片兩端分別串接有三個二極體，從而使得保護模塊由二端保護結構變為三端保護結構，因此能夠用於三端保護線路，並且保持了原二端結構的低電容特性，有效避免了因採用減小固體放電管晶片面積來降低極間電容，而導致電性能的下降，保護功能減弱。實用新型只需一個固體放電晶片，外加6個二極體，較申請人在先申請專利二端保護，只是增加了二個二極體，而在使用上較原需三組三角形組合，不僅減少了 6個二極體和二個放電管晶片，還減少了二次封裝，成本可以降低60%以上，並且可以實現小體積化。較國外三個放電管三角形或者Y接法，不僅可以達到低電容(例如《30PF)性能，而且可以降底成本40%以上。是一種含蓋低頻通訊和高頻、寬帶通訊新型低電容過電壓保護模塊，擴大了半導體抗浪湧器件使用範圍。 以下結合二個具體實施例，示例性說明及幫助進一步理解實用新型，但實施例具體細節僅是為了說明實用新型，並不代表實用新型構思下全部技術方案，因此不應理解為對實用新型總的技術方案限定，一些在技術人員看來，不偏離實用新型構思的非實質性增加和/或改動，例如以具有相同或相似技術效果的技術特徵簡單改變或替換，均屬實用新型保護範圍。

圖1為實用新型第一實施例電路結構圖。[0012] 圖2為實用新型第二實施例電路結構圖。 圖3為現有技術三個放電管Y型接法三端平衡過電壓保護模塊電路結構圖。[0014] 圖4為現有技術三個放電管A型接法三端平衡過電壓保護模塊電路結構圖。
具體實施方式實施例1 :參見圖l，實用新型低電容過電壓保護模塊，由一個SA230固體放電晶片l，一端串接3個負極相併的二極體2. 2、2. 4、2. 6，另一端串接3個正極相併的二極體2. 1、2. 3、2. 5，並使固體放電晶片一端的一個二極體2. 1與另一端的一個二極體2. 2相聯形成相同二個輸出端(TIP端)，固體放電晶片一端的另一個二極體2. 3與另一端的另一個二極體2.4相聯形成另一個相同二個輸出端(RING端)，其餘二個二極體形成二個共用接地端(地線端)。此結構可以封裝成6個引出腳形式。其中所有二極體採用未封裝形式。[0016] 實施例2 :參見圖2，由一個SA230固體放電晶片1， 一端串接3個負極相併的二極體2. 2、2. 4、2. 6，另一端串接3個正極相併的二極體2. 1、2. 3、2. 5，固體放電晶片一端的一個二極體2. 1與另一端的一個二極體2. 2相聯形成一個輸出端(TIP端)，固體放電晶片一端的另一個二極體2. 3與另一端的另一個二極體2. 4相聯形成另一個輸出端(RING端)，其餘二個二極體2. 5與2. 6相聯形成一個接地端(地線端)。此結構用於封裝成3個引出腳形式。其中所有二極體採用未封裝形式。 對於本領域技術人員來說，在本專利構思及具體實施例啟示下，能夠從本專利公開內容及常識直接導出或聯想到的一些變形，本領域普通技術人員將意識到也可採用其他方法，或現有技術中常用公知技術的替代，以及特徵間的相互不同組合，例如各二極體另一端還可以串聯有一或幾個同向二極體，二極體還可以採用封裝結構的，以及將其製成分立元件的，等等的非實質性改動，同樣可以被應用，都能實現與上述實施例基本相同功能和效果，不再一一舉例展開細說，均屬於 專利保護範圍。
權利要求低電容過電壓保護模塊，包括固體放電晶片及兩端分別串接有二極體，其特徵在於固體放電晶片一端串接3個負極相併的二極體，另一端串接3個正極相併的二極體，並且分別將固體放電晶片一端的一個二極體與另一端的一個二極體相聯形成至少三個輸出端。
2. 根據權利要求1所述低電容過電壓保護模塊，其特徵在於所說二極體為未封裝的。
3. 根據權利要求1或2所述低電容過電壓保護模塊，其特徵在於各二極體另一端還可 以串聯一或幾個同向二極體。
專利摘要本實用新型是對通訊用抗浪湧保護器件的改進，其特徵是固體放電晶片一端串接3個負極相併的二極體，另一端串接3個正極相併的二極體，並且固體放電晶片一端的一個二極體與另一端的一個二極體相聯形成至少三個輸出端。從而使得保護模塊由二端保護結構變為三端保護結構，能夠用於三端保護線路，並且保持了原二端結構的低電容特性，不會因降低極間電容，而導致電性能的下降，保護功能減弱。分別較二端結構和三個固體放電晶片組合結構，可以降低成本60％以上，和40％以上，並且可以實現小體積化。是一種含蓋低頻通訊和高頻、寬帶通訊新型低電容過電壓保護模塊，擴大了半導體抗浪湧器件使用範圍。
文檔編號H02H9/04GK201440608SQ200920233468
公開日2010年4月21日 申請日期2009年7月22日 優先權日2009年7月22日
發明者王全 申請人:江蘇東光微電子股份有限公司