重新布線圖形的形成方法
2023-05-10 07:43:21 2
專利名稱：重新布線圖形的形成方法
技術領域：
本發明屬於半導體製造技術領域，具體地說，涉及一種重新布線圖形的形成方法。
背景技術：
在集成電路設計中，利用3D集成方案，將多層平面型器件晶片進行堆疊，並採用娃通孔(TSV-through silicon via)進行各晶片層間的互連,從而減小晶片面積,縮短整體互連線的長度，降低驅動信號所需的電功率。娃通孔通常藉助於背面後通孔(via last-backside)技術來製作,該技術是在晶片製作結束後在晶圓背面進行製造完成，其製造過程包括矽通孔的隔離和金屬化，背面重布線層(RDL-redistribution layer)和凸點布局等。圖4a為現有技術中矽通孔內填充光刻膠的示意圖。如圖4a所示，提供半導體基 片401，該半導體基片401的背面形成矽通孔402，矽通孔402填充有光刻膠406，半導體基片401的背面還設置有隔離層403和銅籽晶層404，矽通孔402底部與半導體基片401中的金屬層405接觸，其中半導體基片401可以為集成電路或者其他元件的一部分。圖4b為現有技術中去除光刻膠後出現光刻膠殘留的示意圖。如圖4b所示，對光刻膠406進行曝光顯影處理形成重新布線圖形407，但是，由於在形成重新布線圖形407的過程中，矽通孔402內的光刻膠406在曝光時光化學反應不充分，導致光刻膠406顯影后在通孔底部經常出現殘留光刻膠408，從而影響了矽通孔402的性能尤其是金屬化後的導電特性。如果利用幹法刻蝕去除通孔底部的殘留光刻膠408會對通孔側壁和底部造成損傷，同樣會影響使用矽通孔402電特性，如出現漏電等。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種重新布線圖形的形成方法，用以解決現有技術中光刻膠殘留影響矽通孔電特性。為了解決上述技術問題，本發明提供了一種重新布線圖形的形成方法，該方法包括
向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料，所述可顯影填充材料的填充深度小於所述矽通孔的深度；
在所述矽通孔內的可顯影填充材料之上塗布光刻膠材料，所述光刻膠材料與所述可顯影填充材料相兼容；
對所述光刻膠進行曝光並去除曝光處理後的光刻膠，以形成重新布線圖形，以及去除矽通孔內的可顯影填充材料。優選地，所述可顯影填充材料的填充深度為1/2 2/3的所述矽通孔的深度。優選地，所述向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料具體為分次向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料。優選地，向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料包括分次向所述矽通孔中塗布可顯影填充材料；
對每次塗布處理後矽通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理；
使用顯影液對烘烤處理後矽通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理；
每次顯影處理後對半導體基片進行衝洗。優選地，所述向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料中，隨著填充 次數的遞增，每次向所述矽通孔中塗布可顯影填充材料時，使用的可顯影填充材料劑量遞減。優選地，所述向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料中，每次向所述矽通孔中塗布可顯影填充材料時，使用的可顯影填充材料劑量為10毫升 30毫升。優選地，所述向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料中，對每次塗布處理後矽通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理時，烘烤的時間隨著分次塗布的可顯影填充的劑量減少而縮短。優選地，所述向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料中，對每次塗布處理後矽通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理時，烘烤的時間為60秒 120秒。優選地，所述向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料中，每次對塗布處理後矽通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理時，烘烤的溫度為200攝氏度 205攝氏度。優選地，所述每次對塗布處理後矽通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理時，烘烤的溫度為200攝氏度。優選地，所述向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料中，使用顯影液對烘烤處理後矽通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理時，每次使用的顯影液的劑量為30暈升 60暈升。優選地，所述每次使用的顯影液的劑量為50毫升。優選地，所述顯影液為四甲基氫氧化銨。優選地，所述向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料中，使用顯影液對烘烤處理後矽通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理時，每次使用的顯影液的溫度為23攝氏度 26攝氏度。優選地，所述向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料中，使用顯影液對烘烤處理後矽通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理時，每次使用的顯影液的溫度為25攝氏度。優選地，所述向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料中，使用顯影液對烘烤處理後矽通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理時，顯影液的浸泡時間隨著顯影次數的增加而依次遞減。優選地，所述向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料中，使用顯影液對烘烤處理後矽通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理時，每次顯影液的浸泡時間為2分鐘 6分鐘。優選地，所述向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料中，每次顯影處理後使用去離子水對半導體基片進行衝洗。優選地，所述每次顯影處理後使用去離子水對半導體基片進行衝洗，衝洗的時間為25秒 40秒。優選地，所述每次顯影處理後使用去離子水對半導體基片進行衝洗，衝洗的時間為30秒。優選地，在所述矽通孔中的可顯影填充材料之上塗布光刻膠材料之後還包括對所述矽通孔中塗布的光刻膠的進行烘烤。優選地，在所述矽通孔中的可顯影填充材料之上塗布光刻膠材料時，光刻膠材料的劑量為2. 5暈升 3. 5暈升。優選地，在所述矽通孔中的可顯影填充材料之上塗布光刻膠材料時，光刻膠材料的劑量為3暈升。優選地，對所述光刻膠進行曝光並去除曝光處理後的光刻膠，以形成重新布線圖形，以及對可顯影填充材料進行顯影處理去除矽通孔內可顯影填充材料包括
對曝光處理後的光刻膠進行顯影處理，去除曝光處理後的光刻膠，以形成重新布線圖 形；
對可顯影填充材料進行顯影處理以去除矽通孔內的可顯影填充材料。優選地，對可顯影填充材料進行顯影處理以去除矽通孔內的可顯影填充材料包括使用顯影液分次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除矽通孔內的可顯影填充材料。優選地，每次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除矽通孔內的可顯影填充材料時，顯影液的劑量為40毫升飛O毫升。優選地，每次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除矽通孔內的可顯影填充材料時，顯影液的劑量為50毫升。優選地，每次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除矽通孔內的可顯影填充材料時，顯影液的溫度為23攝氏度 26攝氏度。優選地，每次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除矽通孔內的可顯影填充材料時，顯影液的溫度為25攝氏度。優選地，每次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除矽通孔內的可顯影填充材料時，顯影液的浸泡時間為4分鐘I分鐘。優選地，每次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除矽通孔內的可顯影填充材料時，隨著顯影次數的遞增，每次顯影液的浸泡時間遞減。優選地，對所述光刻膠進行曝光並去除曝光處理後的光刻膠，以形成重新布線圖形，以及去除矽通孔內可顯影填充材料之後包括用去離子水對半導體基片進行衝洗。優選地，所述可顯影填充材料由有機溶劑、抗反射吸收材料、有機酸基團樹脂、有機基團樹脂，以及交聯樹脂組成，所述有機基團樹脂含氧、氟元素。與現有的方案相比，本發明中，利用可顯影填充材料填充矽通孔，在填充材料之上再塗布光刻膠進行重新布線層曝光，最後顯影去除曝光後的光刻膠和矽通孔內的可顯影填充材料，從而避免了通常重新布線光刻工藝中利用光刻膠填充矽通孔時產生的通孔內光刻膠殘留，最終提高了矽通孔的電學性能。
圖I為本發明重新布線圖形的形成方法實施例流程示意 圖2為圖I實施例中填充可顯影材料的流程 圖3a為本發明處於填充可顯影填充材料後的變化示意圖；圖3b為圖3a之後處於塗布光刻膠過程後的變化示意 圖3c為對光刻膠進行曝光顯影和去除可顯影填充材料過程後的變化示意 圖4a為現有技術中矽通孔內填充光刻膠的示意 圖4b為現有技術中去除光刻膠後矽通孔內出現光刻膠殘留的示意圖。
具體實施例方式以下將配合圖式及實施例來詳細說明本發明的實施方式，藉此對本發明如何應用技術手段來解決技術問題並達成技術功效的實現過程能充分理解並據以實施。圖I為本發明重新布線圖形的形成方法實施例流程示意圖。如圖I所示，本實施例中，重新布線圖形的形成方法包括如下步驟 步驟101、向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料，所述可顯影填充材料的填充深度小於所述矽通孔的深度。本實施例中，為了避免矽通孔內的可顯影填充材料太厚導致去除可顯影填充材料的時間太長或者太薄可能導致曝光時矽通孔內的光刻膠光化學反應不充分，因此，綜合考慮可顯影填充材料的去除時間和光刻膠的充分曝光，所述可顯影填充材料的填充深度可以為1/2 2/3的所述矽通孔的深度，優選的，可以為2/3的所述矽通孔的深度。在向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料時可以採用分次向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料，對可顯影填充材料進行多次塗布、每次塗布後即烘烤、多次顯影、衝洗半導體基片，以向半導體基片的矽通孔中填充一定深度的可顯影填充材料。本實施例中，可顯影填充材料可以由有機溶劑、抗反射吸收材料、有機酸基團樹脂、有機基團樹脂和交聯樹脂組成，有機基團樹脂含氧、氟元素，這種可顯影填充材料可以起到填充通孔和表面平坦化的作用，如果下述步驟中的顯影液選用四甲基氫氧化銨的話，該可顯影填充材料可溶解於四甲基氫氧化銨，因此，這種可顯影填充材料的也就避了幹法刻蝕處理。圖2為圖I實施例中填充可顯影材料的流程圖。本實施例中，向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料包括
步驟111、分次向所述矽通孔中塗布可顯影填充材料；
本實施例中，所述向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料中，隨著填充次數的遞增，每次向所述矽通孔中塗布可顯影填充材料時，使用的可顯影填充材料劑量可以遞減。之所以要遞減，是考慮到隨著填充的不斷進行，矽通孔的深度越來越小，所需的可顯影填充材料不斷減少，填充精度也越來越高。具體地，每次向所述矽通孔中塗布可顯影填充材料時，使用的可顯影填充材料劑量可以為10毫升 30毫升。步驟121、對每次塗布處理後矽通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理；
本實施例中，對每次塗布處理後矽通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理時，烘烤的溫度可以為200攝氏度 205攝氏度，優選地，烘烤的溫度為200攝氏度。本領域普通技術人員可理解，為了兼顧考慮可顯影填充材料中溶劑的揮發和可顯影填充材料的顯影，太低不利於溶劑揮發，太高不利於顯影，烘烤的溫度可以不局限於這裡的範圍。本實施例中，對每次塗布處理後矽通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理時，烘烤的時間隨著分次塗布的可顯影填充的劑量減少而縮短。優選地，對每次塗布處理後矽通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理時，烘烤的時間為60秒 120秒。
步驟131、使用顯影液對烘烤處理後矽通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理；
在經過多次執行步驟111和步驟121之後，完成可顯影填充材料的塗布和烘烤後，再對完成烘烤處理後矽通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理。本實施例中，所述顯影液可以但不僅限於為四甲基氫氧化銨。每次對烘烤處理後矽通孔中的可顯影填充材料進行顯影處理時，每次使用的顯影液的劑量可以為30毫升飛O毫升，優選地，每次使用的顯影液的劑量可以為50毫升。本實施例中，對每次烘烤處理後矽通孔中的可顯影填充材料進行顯影處理時，每次使用的顯影液的溫度可以為23攝氏度 26攝氏度，優選地，每次使用的顯影液的溫度可以為25攝氏度。本實施例中，使用顯影液對烘烤處理後矽通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理時，顯影液的浸泡時間隨著顯影次數的增加而依次遞減。優選地，每次顯影液的浸泡時 間為2分鐘飛分鐘。步驟141、每次顯影處理後對半導體基片進行衝洗。本實施例中，使用去離子水對顯影處理後的半導基片進行衝洗，具體地，每次衝洗的時間為25秒 40秒，優選地，每次衝洗的時間為30秒。此處，只要保證衝洗的效果，本領域普通技術人員可以根據實際需求，靈活設置衝洗的時間，以堅固考慮衝洗效果和生產效率(throughput)。步驟102、在所述矽通孔中的可顯影填充材料之上塗布光刻膠材料，所述光刻膠材料與所述可顯影填充材料相兼容。在所述矽通孔中的可顯影填充材料之上塗布光刻膠材料時，光刻膠材料的劑量可以為2. 5毫升I. 5毫升，優選地，光刻膠材料的劑量為3毫升。此處的塗布可採用常用的塗布工藝，並不做具體限定。所述光刻膠材料與所述可顯影填充材料相兼容是指可顯影填充材料不溶解於所述光刻膠中。本實施例中，在完成光刻膠的塗布後，還可以對光刻膠的進行烘烤處理，可以根據光刻膠的特性來控制烘烤的時間。步驟103、對所述光刻膠進行曝光並去除曝光處理後的光刻膠，以形成重新布線圖形，以及去除矽通孔內的可顯影填充材料。本實施例中，步驟103包括對曝光處理後的光刻膠進行顯影處理，去除曝光處理後的光刻膠，以形成重新布線圖形；以及對可顯影填充材料進行顯影處理以去除矽通孔內的可顯影填充材料。當可顯影填充材料太厚時，可以多次顯影處理可顯影填充材料的去除，當可顯影填充材料時比較薄時，也可以一次顯影處理完成可顯影填充材料的去除。進一步地，當可顯影填充材料太厚時，以充分去除可顯影填充材料，對可顯影填充材料進行顯影處理以去除矽通孔內的可顯影填充材料可以包括使用顯影液分次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除矽通孔內的可顯影填充材料。具體地，每次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除矽通孔內的可顯影填充材料時，顯影液的劑量為40毫升飛O毫升，優選為50毫升。本實施例中，每次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除矽通孔內的可顯影填充材料時，顯影液的溫度可以為23攝氏度 26攝氏度，優選地，顯影液的溫度為25攝氏度。每次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除矽通孔內的可顯影填充材料時，顯影液的浸泡時間可以為4分鐘I分鐘。本實施例中，所述分次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除矽通孔內的可顯影填充材料時，隨著顯影次數的遞增，每次顯影液的浸泡時間遞減。本實施例中，對所述光刻膠進行曝光並去除曝光處理後的光刻膠，以形成重新布線圖形，以及去除矽通孔內顯影填充材料之後還可以包括用去離子水對半導體基片進行衝洗。圖3a為本發明處於填充可顯影填充材料後的變化示意圖。如圖3a所示，某集成電路中提供半導體基片301，該半導體基片301的背面形成有矽通孔302，半導體基片301的背面還設置有隔離層303和銅籽晶層304，矽通孔底部與半導體基片301中的金屬層305接觸，經過多次塗布和烘烤以及最後的多次顯影和衝洗工藝，使可顯影填充材料307填充 矽通孔302深度的2/3。圖3b為圖3a之後處於塗布光刻膠過程後的變化示意圖。如圖3b所示，在可顯影填充材料307之上塗布光刻膠306。圖3c為對光刻膠進行曝光顯影和去除可顯影填充材料過程後的變化示意圖。如圖3c所示，對所述光刻膠進行曝光並去除曝光處理後的光刻膠306，以形成重新布線圖形308，以及利用多次顯影工藝去除矽通孔302內的可顯影填充材料307。本發明的上述實施例中，利用可顯影填充材料填充矽通孔，在填充材料之上再塗布光刻膠進行重新布線層曝光，最後顯影去除曝光後的光刻膠和矽通孔內的可顯影填充材料，從而避免了通常重新布線光刻工藝中利用光刻膠填充矽通孔時產生的通孔內光刻膠殘留，最終提高了矽通孔的電學性能。上述說明示出並描述了本發明的若干優選實施例，但如前所述，應當理解本發明並非局限於本文所披露的形式，不應看作是對其他實施例的排除，而可用於各種其他組合、修改和環境，並能夠在本文所述發明構想範圍內，通過上述教導或相關領域的技術或知識進行改動。而本領域人員所進行的改動和變化不脫離本發明的精神和範圍，則都應在本發明所附權利要求的保護範圍內。
權利要求
1.一種重新布線圖形的製造方法，其特徵在於，包括 向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料，所述可顯影填充材料的填充深度小於所述矽通孔的深度； 在所述矽通孔內的可顯影填充材料之上塗布光刻膠材料，所述光刻膠材料與所述可顯影填充材料相兼容； 去除所述光刻膠，以形成重新布線圖形，以及去除矽通孔內的可顯影填充材料。
2.根據權利要求I所述的製造方法，其特徵在於，所述可顯影填充材料的填充深度為1/2^2/3的所述矽通孔的深度。
3.根據權利要求I所述的製造方法，其特徵在於，所述向半導體基片的矽通孔中填充 顯影填充材料具體為分次向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料。
4.根據權利要求3所述的製造方法，其特徵在於，向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料包括 分次向所述矽通孔中塗布可顯影填充材料； 對每次塗布處理後矽通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理； 使用顯影液對經過烘烤處理後矽通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理； 每次顯影處理後對半導體基片進行衝洗。
5.根據權利要求4所述的製造方法，其特徵在於，所述向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料中，隨著填充次數的遞增，每次向所述矽通孔中塗布可顯影填充材料時，使用的可顯影填充材料劑量遞減。
6.根據權利要求5所述的製造方法，其特徵在於，所述向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料中，每次向所述矽通孔中塗布可顯影填充材料時，使用的可顯影填充材料劑量為10暈升 30暈升。
7.根據權利要求5所述的製造方法，其特徵在於，所述向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料中，對每次塗布處理後矽通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理時，烘烤的時間隨著分次塗布的可顯影填充的劑量減少而縮短。
8.根據權利要求7所述的製造方法，其特徵在於，所述向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料中，對每次塗布處理後矽通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理時，烘烤的時間為60秒 120秒。
9.根據權利要求4所述的製造方法，其特徵在於，所述向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料中，每次對塗布處理後矽通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理時，烘烤的溫度為200攝氏度 205攝氏度。
10.根據權利要求9所述的製造方法，其特徵在於，所述每次對塗布處理後矽通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理時，烘烤的溫度為200攝氏度。
11.根據權利要求4所述的製造方法，其特徵在於，所述向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料中，使用顯影液對烘烤處理後矽通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理時，每次使用的顯影液的劑量為30毫升飛O毫升。
12.根據權利要求11所述的製造方法，其特徵在於，所述每次使用的顯影液的劑量為50暈升。
13.根據權利要求11所述的製造方法，其特徵在於，所述顯影液為四甲基氫氧化銨。
14.根據權利要求4所述的製造方法，其特徵在於，所述向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料中，使用顯影液對烘烤處理後矽通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理時，每次使用的顯影液的溫度為23攝氏度 26攝氏度。
15.根據權利要求14所述的製造方法，其特徵在於，所述向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料中，使用顯影液對烘烤處理後矽通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理時，每次使用的顯影液的溫度為25攝氏度。
16.根據權利要求4所述的製造方法，其特徵在於，所述向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料中，使用顯影液對烘烤處理後矽通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理時，顯影液的浸泡時間隨著顯影次數的增加而依次遞減。
17.根據權利要求16所述的製造方法，其特徵在於，所述向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料中，使用顯影液對烘烤處理後矽通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理時，每次顯影液的浸泡時間為2分鐘飛分鐘。
18.根據權利要求4所述的製造方法，其特徵在於，所述向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料中，每次顯影處理後使用去離子水對半導體基片進行衝洗。
19.根據權利要求18所述的製造方法，其特徵在於，所述每次顯影處理後使用去離子水對半導體基片進行衝洗，衝洗的時間為25秒 40秒。
20.根據權利要求19所述的製造方法，其特徵在於，所述每次顯影處理後使用去離子水對半導體基片進行衝洗，衝洗的時間為30秒。
21.根據權利要求I所述的製造方法，其特徵在於，在所述矽通孔中的可顯影填充材料之上塗布光刻膠材料之後還包括對所述矽通孔中塗布的光刻膠的進行烘烤。
22.根據權利要求I所述的製造方法，其特徵在於，在所述矽通孔中的可顯影填充材料之上塗布光刻膠材料時，光刻膠材料的劑量為2. 5暈升 3. 5暈升。
23.根據權利要求22所述的製造方法，其特徵在於，在所述矽通孔中的可顯影填充材料之上塗布光刻膠材料時，光刻膠材料的劑量為3毫升。
24.根據權利要求I所述的製造方法，其特徵在於，對所述光刻膠進行曝光並去除曝光處理後的光刻膠，以形成重新布線圖形，以及去除矽通孔內的可顯影填充材料。
25.根據權利要求24所述的製造方法，其特徵在於，對所述光刻膠進行曝光並去除曝光處理後的光刻膠，以形成重新布線圖形，以及去除矽通孔內的可顯影填充材料包括 對曝光處理後的光刻膠進行顯影處理，去除曝光處理後的光刻膠，以形成重新布線圖形； 對可顯影填充材料進行顯影處理以去除矽通孔內的可顯影填充材料。
26.根據權利要求25所述的製造方法，其特徵在於，對可顯影填充材料進行顯影處理以去除矽通孔內的可顯影填充材料包括 使用顯影液分次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除矽通孔內的可顯影填充材料。
27.根據權利要求26所述的製造方法，其特徵在於，每次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除矽通孔內的可顯影填充材料時，顯影液的劑量為40毫升飛O毫升。
28.根據權利要求27所述的製造方法，其特徵在於，每次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除矽通孔內的可顯影填充材料時，顯影液的劑量為50毫升。
29.根據權利要求26所述的製造方法，其特徵在於，每次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除矽通孔內的可顯影填充材料時，顯影液的溫度為23攝氏度 26攝氏度。
30.根據權利要求29所述的製造方法，其特徵在於，每次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除矽通孔內的可顯影填充材料時，顯影液的溫度為25攝氏度。
31.根據權利要求26所述的製造方法，其特徵在於，每次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除矽通孔內的可顯影填充材料時，顯影液的浸泡時間為4分鐘I分鐘。
32.根據權利要求26所述的製造方法，其特徵在於，每次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除矽通孔內的可顯影填充材料時，隨著顯影次數的遞增，每次顯影液的浸泡時間遞減。
33.根據權利要求I所述的製造方法，其特徵在於，對所述光刻膠進行曝光並去除曝光處理後的光刻膠，以形成重新布線圖形，以及去除矽通孔內可顯影填充材料之後包括用去離子水對半導體基片進行衝洗。
34.根據權利要求1-33任意所述的製造方法，其特徵在於，所述可顯影填充材料由有機溶劑、抗反射吸收材料、有機酸基團樹脂、有機基團樹脂，以及交聯樹脂組成，所述有機基團樹脂含氧、氟元素。
全文摘要
本發明公開了一種重新布線圖形的形成方法，屬於半導體製造技術領域。該方法包括向半導體基片的矽通孔中填充可顯影填充材料，可顯影填充材料的填充深度小於矽通孔的深度；在矽通孔內的可顯影填充材料之上塗布光刻膠材料，光刻膠材料與所述可顯影填充材料相兼容；以及去除光刻膠，以形成重新布線圖形，以及去除矽通孔內的可顯影填充材料。本發明中，利用可顯影填充材料填充矽通孔，在填充材料之上再塗布光刻膠進行重新布線層曝光，最後顯影去除曝光後的光刻膠和矽通孔內的可顯影填充材料，從而避免了通常重新布線光刻工藝中利用光刻膠填充矽通孔時產生的通孔內光刻膠殘留，最終提高了矽通孔的電學性能。
文檔編號H01L21/768GK102881642SQ201210353208
公開日2013年1月16日 申請日期2012年9月20日 優先權日2012年9月20日
發明者胡紅梅 申請人:上海集成電路研發中心有限公司