在真空中塗覆基底的方法和設備的製作方法
2023-05-10 11:19:51 2
專利名稱：在真空中塗覆基底的方法和設備的製作方法
技術領域：
本發明涉及材料塗覆，尤其涉及一種在真空中對基底塗覆沉積材料的方法和裝置。
(2)背景技術對基底塗覆沉積材料的方法通常包括在真空中蒸發沉積材料，使蒸發的沉積材料在比蒸發的沉積材料的溫度要低的溫度下凝結在基底上。
在有機基裝置的生產中，薄的、平的、薄膜狀的基底在其至少一側塗覆通常是有機基化學塗層。基底材料可以是玻璃或塑料/聚合體材料，儘管通常是平面結構，但也可以由彎曲的或非平面的表面構成。基底塗覆尺寸由於目前材料源的技術能力的限制而一般限制在幾個平方英寸。
在製造諸如有機基LED顯示器、有機基雷射器、有機基光電屏面和有機基集成電路的大部分有機基裝置時，通常用如
圖1所示的點源坩堝(point sourcecrucible)A或修正的點源坩堝將化學品或沉積材料在真空中施加於基底。當化學品被加熱時，化學品蒸發並以通常的餘弦形狀散發煙流C經出口B輻射離開點源坩堝A。然後通常是將基底D保持在一固定位置或使基底D的平的一側E面對點源坩堝A在散發煙流C內轉動。一定量的蒸發化學品沉積在基底D的平的一側E，形成薄膜塗層。
在某些應用中，用修正的點源產生高斯(不均勻的)通量分布。修正的點源的例子包括R.D.Mathis型船、Knudsen單元或感應爐源。但是，點源或修正的點源坩堝的一般的缺陷在於它們的設計上。首先，控制化學品的蒸發速度的能力包括對低熱容量和導熱性較差的材料溫度和溫度梯度進行敏感的、精確的控制。點源/高斯材料源通常使用輻射反射體、絕緣和障礙，以在1,000-2,000℃的高溫對金屬和鹽形成良好的蒸發速度。但是，這些材料源對於在100-600℃較低溫度蒸發有機基化學品是不合適的。施加於許多有機基化學品的過分的熱量會使化學品濺到材料源的外面，從而破壞了正在基底上生成的任何薄膜，並且需要停止使用真空系統以便進行清潔和再加載。另一問題是蒸發的化學品頻頻凝結在點或修正的點源坩堝的出口。蒸發化學品的凝結開始改變或或堵塞出口，使化學品落回到坩堝的被加熱的內部，並濺到基底上。這種噴濺破壞化學薄膜的同質分布，因為具有噴濺缺陷的薄膜表面粗糙度值較高，使整個沉積層具有針孔缺陷。源出口冷凝還通過改變了通量散發分布降低了沉積薄膜的均勻性。
點源和修正的點源坩堝的另一缺點是，沒有通量均勻分布的軸線。點源和修正的點源坩堝只有當通量角(flux angle)保持較小時才能產生相當均勻的薄膜。如圖2所示，通量角度α、β-和γ由從點源坩堝的出口延伸的法向軸線N計量到線L1、L2和L3，這些線代表圖1中餘弦形煙流C的邊緣。保持通量角度較小例如圖2所示的角度α的唯一途徑是大大增加點源坩堝A與諸如用標記D1、D2和D3表示的那些基底的平的一側E之間的分離距離或噴射距離(throw distance)。例如，基底D2需要移動到基底D3的距離才可被完全塗覆，同時保持通量角度α不變。這樣一種移動將形成從TD2到TD3的噴射距離。類似地，如果基底D3移動到基底D1的位置，即從TD3到TD1，則只有基底D3的小部分被塗覆，沉積塗層極少均勻。薄膜均勻度是用於光子和電子應用的有機層的一個很重要的特徵，因為如果有機基薄膜均勻性不能保持在95％或更高，製造的裝置將不能正常工作。
為了獲得95％或更高的均勻薄膜，可預計噴射距離。如果這種均勻要求應用於一例如6英寸正方形基底，那麼需要一約 英尺的噴射距離。作為比較，一24英寸正方形基底需要 英尺的噴射距離。這種噴射距離的增加破壞了發展生產過程的能力，因為薄膜生長率與坩堝和基底之間的距離平方成反比。
有機基材料的薄膜生長速率通常以埃/秒為單位表示。例如，對12英寸基底塗覆95％均勻薄膜、塗覆1000埃厚，則一英尺或更小的噴射距離是比較理想的。在一英尺噴射距離，典型的化學沉積率是每秒18埃，相當於約55秒的塗覆時間。反之，在 英尺的噴射距離，導致 小時的沉積時間。
除了增加薄膜生長速率之外，增加噴射距離，則顯著增加生產成本。首先，真空室必須大到足以容納增大的噴射距離，需要較大的真空沉積室和較大功率的真空泵。第二，昂貴的化學品有很大的浪費，因為噴射距離的增加降低了沉積效率。第三，由於蒸發的未到達基底的有機材料沉積在真空室的內壁上，真空室必須較頻繁地從生產作業中取出進行清潔。清潔是昂貴的，因為諸如用於生產有機液體電子顯示器的一些化學品是有毒的和昂貴的。因為點或修正點源坩堝僅保持1至10立方釐米之間的化學品，使成本又進一步擴大。因此，每次只能有少量基底可進行塗覆，然後真空室必須被連到大氣、對真空室進行清潔、坩堝再裝料和真空室再抽空。
因此，本發明的一個目的是提供在真空中塗覆基底的方法和設備，當基底的寬度增大時，允許較大的基底在不增加噴射距離的情況下塗覆，在塗覆過程中，允許較多的沉積材料沉積在基底上，減少加料停工時間和減少清潔時間。
發明概要為了有助於解決與已有技術有關的問題，本發明總的包括一對基底塗覆沉積材料的真空沉積系統。真空沉積系統包括一真空室和一位於真空室內的材料源。材料源具有一本體，該本體沿縱向軸線延伸，具有一基本縱向的散發構件，從而構成一內腔和一流體連接於該內腔的出口。一熱源靠近材料源的本體定位。
一要塗覆的、其寬度平行於本體縱向軸線測量的基底可放置在真空室內，其中在基底的一側與出口之間測量的噴射距離隨基底寬度的增加而保持不變。最好是，材料源本體的基本縱向部分等於基底的寬度或小於基底寬度。
將沉積材料加到材料源本體的內腔中。從包括有機基化學品和有機基化合物的材料組中選擇沉積材料。沉積材料被熱源所加熱，並通過沿材料源本體的基本縱向散發構件的出口噴射出來。
材料源可有一敞開槽形狀的本體，本體具有兩個縱向延伸的側壁和一對端壁，其中縱向延伸的側壁和端壁構成了本體的內腔。材料源的本體可進一步構成靠近出口定位的上端和一基部，熱源是一加熱線圈，位於本體上端的加熱元件的數量比在本體基部的要大。出口可沿本體的基本縱向散發構件連續延伸，若干突肋位於由材料源本體構成的內腔中。
材料源還可有一第一管道，該管道構成一內腔和一流體連接於內腔的第一出口，其中本體是一容納在第一管道內腔中的第二管道。由第一管道構成的第一出口可與由第二管道構成的出口對齊，或，由第一管道構成的第一出口以非重合的構造與由第二管道構成的出口對齊。不管本體類型如何，一過程控制裝置連接於材料源的本體。
用一材料源和一真空室塗覆基底的一個方法包括如下步驟a.將材料源定位在真空室中，材料源具有一沿縱向軸線延伸的本體，本體具有一基本縱向的散發構件並構成一內腔和一流體連接於內腔的出口；b.將一基底定位在真空室中，與由材料源本體構成的出口相對；c.將沉積材料加到由材料源本體構成的內腔中；d.抽空真空室以形成真空；
e.加熱在材料源本體的內腔中的沉積材料；f.蒸發的沉積材料沿本體的基本縱向的構成噴射；以及g.移動基底通過蒸發的沉積材料。
基底以恆速移動通過蒸發的沉積材料。當基底塗覆完成時，基底移動到另一工序，或打開真空室，取出已塗覆的基底，放入新的基底，再排空真空室，然後重複上述的步驟。
用於將沉積材料塗覆在基底表面上真空沉積的一類材料源包括諸如一點源坩堝、一修正點源坩堝或組合的兩個本體，每一個本體構成一內腔和至少一個流體連接於內腔的出口，一加熱元件放置在各本體附近，其中兩個本體沿一公共縱向軸線對齊以形成一基本縱向的散發構件。一過程控制裝置連接於材料源的兩本體之一，兩本體的內腔構造成容納從包括一有機基化學品和一有機基化合物的材料組中選擇的沉積材料。
用於將沉積材料塗覆在基底表面上真空沉積的另一類材料源包括一本體，該本體沿一縱向軸線延伸，具有一基本縱向的散發構件，並構成一內腔和至少一個流體連接於內腔的出口，一加熱源放置在材料源的本體附近。出口可沿本體的基本縱向散發構件連續延伸，若干突肋位於由材料源本體構成的內腔中。材料源可有一敞開槽形狀的本體，本體具有兩個縱向延伸的側壁和一對端壁，其中縱向延伸的側壁和端壁構成了本體的內腔。
材料源還可包括一第一管道，該管道構成一內腔和一流體連接於內腔的第一出口，其中本體是一容納在第一管道內腔中的第二管道。熱源放置在第一管道或第二管道附近，熱源包括熱傳導電絕緣的第一層、傳導材料的第二層和熱傳導電絕緣的第三層。由第一管道構成的第一出口可與由第二管道構成的出口對齊，或，由第一管道構成的第一出口以非一致的構造與由第二管道構成的出口對齊。
本發明的這些和其它的優點在與附圖相關聯的較佳實施例的詳細說明中會更清楚，在所有的附圖中相同的編號表示相同的元件。
附圖簡要說明圖1是已有技術單個點源坩堝的側視圖；圖2是圖1所示的已有技術單個點源坩堝的側視圖，靠近坩堝置放有逐個增大的基底；圖3是本發明一個實施例的材料源的剖開的立體圖4是圖3所示材料源的剖開的端視圖；圖5是圖3和4所示的材料源的剖開的側視圖；圖6是沿圖3-5所示的材料源的基本縱向部分軸向延伸的散發煙流的俯視立體圖；圖7是圖5所示的兩個材料源定位在真空室內的俯視圖；圖8是圖5-7所示的四個材料源以偏斜角定位在真空室內的側視圖；圖9是本發明第二實施例的多個材料源的俯視圖；圖10是本發明第三實施例的材料源的立體圖；圖11是具有一電阻加熱元件的第一管道的立體圖，該元件設在毗連第一管道的外表面；圖12是圖10-11所示的第一管道和定位在第一管道內的第二管道的剖開的端視圖；以及圖13是圖10所示第三材料源的剖開的側視圖。
較佳實施例的詳細說明圖3-6示出本發明材料源10的一個實施例。圖3示出一槽形坩堝12類型的材料源10，用於蒸發沉積材料14，諸如有機化學品或有機化合物或其它合適的材料。槽形坩堝12總的包括一細長的頂部敞開的繞縱向軸線L延伸的本體16。如圖3和6所示，本體16最好包括相對的縱向側壁18、相對的端壁20和一基部22，它們一起形成一整體的結構。側壁18和端壁20最好具有相同的寬度W，如圖3所示，但側壁18最好有較端壁20的長度EL長的長度SL。由於側壁18延伸的長度SL較端壁20的長度EL長，本體16具有約等於側壁長度SL的主要的縱向散發部分和約等於端壁20長度EL的較小的側向散發部分。此外，槽形坩堝12的側壁18較好的是較要塗覆的基底24長，如圖7所示，諸如使用15英寸長度側壁18塗覆12英寸的正方形基底24。
參閱圖3-4，本體16的側壁18、端壁20和基部22構成了一個內腔26和一出口27，本體16的基部22進一步構成了如圖5和7所示突肋28，這些突肋28鄰近內腔26和基部22的第一表面30，最好在側壁18之間延伸。這些突肋28可通過諸如機加工與本體16一體形成，以便進一步有助於將沉積材料14均勻裝到槽形坩堝12以及進一步校準槽形坩堝12的垂直通量。如圖5和6所示，即使較佳地裝上約為50立方釐米至100立方釐米的沉積材料14，諸如有機材料的突肋28中的沉積材料14能夠使整個槽形坩堝12可繞軸線L2略微轉動。本體16和突肋28由導熱材料最好是產生均勻熱分布的材料所形成。陶瓷是較可取的，但金屬或其它合適材料也可接收。可對本體16施加不同的塗層，以便增強本體16的耐用性和性能。
如圖8所示，槽形坩堝12也可繞縱向軸線L略微轉動。這使得多個槽形坩堝12(每一個裝有諸如有機基化學品的不同沉積材料14)沿公共沉積軸線32散發蒸發的化學品。不同的蒸發沉積材料14可在混合區域34混合，並較均勻的分布在基底24上。可使用孔36對準在混合區域34的沉積材料14，並限制到基底24的沉積材料14的通道。
如圖3-4和7-8所示，加熱元件38鄰近本體1定位，較佳地是靠近側壁18的外表面，較集中的加熱元件38鄰近每一側壁18的靠近出口27的上邊緣40定位。靠近側壁18上邊緣40的較集中加熱元件38有助於防止蒸發沉積材料14的再結晶化。類似地，通過引入一在槽形坩堝12的基部22具有較低溫度的垂直溫度梯度，由基部22附近引起的噴發減少了噴濺。加熱元件38最好是通過表面安裝，但也可嵌入安裝，或者靠近側壁18定位。或者，熱量由加熱燈(未示出)提供，加熱元件38據槽形坩堝12的側壁18一定的距離定位，或通過感應加熱。
如圖3所示，電源線42連接於加熱元件38。熱電偶溫度傳感探頭44靠近槽形坩堝12、較佳地是靠近基部22定位。熱電偶傳感探頭44連接於控制塗覆工序的傳感設備和其它工序控制裝置45。
有了合適的功率控制，沉積材料14的溫度可升(ramp)至預定數值。有了合適的沉積材料14散發監控，諸如石英晶體馬達，就可對沉積材料14進行節流，以預定沉積或散發的速度。有了較智能化的功率控制器和晶體傳感器，就可預編制熱量程序，以迅速地除氣和抽真空，準備純沉積材料14，以使槽形坩堝12型的材料源10快速周轉。
在如圖9所示的本發明的第二實施例中，材料源10』包括多個沿在真空室48內的線性陣列中的縱向軸線L』設置的點源坩堝46，以形成一基本上是縱向的散發構件，該構件約等於線性陣列的總長LA。如同第一實施例的材料源10，第二實施例提供一材料源，其基本縱向的散發構件大於材料源的橫向構件。每一點源坩堝46有一形成一出口27的本體16』、一加熱元件38』、電源線42』和熱電偶溫度傳感探頭44』。線性陣列樣式大約模仿圖3-8所示的槽形坩堝12，因此可用於塗覆寬度W2大於若干英寸的基底24。但是，這些好處被已知的缺陷諸如噴濺和分離的電源、溫度顯示、晶體頭和反饋和控制迴路的多個要求所抵消。
圖10-13總的示出了本發明的第三實施例的材料源10″。如圖10所示，第三實施例的材料源10″包括第一管道56或其它基本是空心的部分被覆蓋在可選擇的擋熱罩94中的結構。第一管道56有兩個相對的端部58、60，構成了至少一個出口27″。第一管道56由連接於基座64的立柱62或類似的支承固定裝置或金屬構件(hardware)所支承。如圖11所示，一諸如柵格樣式的電阻加熱元件74靠近第一管道56的外表面76定位。
如圖12所示，第二管道66或構成流體地連接於一出口的內腔的其它結構容納在由第一管道56構成的內腔68中。構成容納諸如有機基或其它化學品的沉積材料14的第二管道66總的構成一流體連接於第二出口27』″的第二內腔70。第一管道56和第二管道66都由陶瓷或其它合適的材料製成。第一管道56的中心軸線C1可與第二管道66的中心軸線C2重合地或偏心地定位。第二出口27″』可與第一管道56構成的出口27″對齊，或選擇，出口27″、27″』以非重合對齊構造對齊，由第一和第二管道56、66構成的出口27″、27″』不代表容納在第二管道66的沉積材料14與基底24之間的一條視覺通道SP的線。為了使第一管道56和第二管道66對齊，由石英或其它合適材料製成的可選擇的支承杆72在第一管道56的相對端部58、60之間延伸。附加的第二管道66也可容納在第一管道56內，以允許多個化學品的散發。
圖13較詳細地示出了本發明的第三實施例，其中柵格式或電阻式加熱元件74替換為電阻式加熱元件74』。電阻式加熱元件74』包括熱傳導電絕緣的諸如氧化鋁的第一層78，隨後是NiCr或其它合適的電阻式傳導材料的第二電阻式層80，隨後是熱傳導電絕緣的第三層78』。如前所述，擋熱罩94和絕緣按鈕96靠近熱傳導電絕緣的第三層定位。
繼續參閱圖13，第一和第二管道56、66套在一起。第一管道56的相對端部之一58可取下地連接於第二管道66的相對的端部84，其中第二管道的端部84可取下地連接於第二管道66。被一軸套90包圍的杆88穿過第一管道56的端部58和第二管道66的相應相對端部84延伸。也是被軸套90』包圍的第二桿88』穿過第一管道56的另一相對端部60和第二管道66的另一相對端部86延伸。第二桿88』由一連接於基部64的有凹口的支承臂92支承。擋熱罩92和用於定位擋熱罩92的絕緣按鈕94前面已經討論過。
至少一個電極98穿過第三實施例的材料源10″的基部64延伸，通過諸如陶瓷或其它合適材料的絕緣材料100與基部64電絕緣。電極98使電阻式加熱元件74″連接於電源線42。諸電接觸夾緊件102將第一管道56可取下地連接於電極98。
本發明的任何實施例的材料源用於塗覆一基底24，其中槽形坩堝12或空心的管道56″的材料源10、10″是較佳的。為清楚起見，除另有說明之外，只描述第一在如圖7-8所示的第一操作方法中，塗覆操作是通過將沉積材料14定位在材料源10中然後將一個或更多的材料源10和一個或更多的基底24定位到真空室48中開始的。材料源10應彼此平行地定位，每一基底24的基底軸線50大約垂直於平行的材料源10的縱向軸線L定位。
另一可選擇的步驟是，為材料源10、真空室48和預定量的沉積材料14除氣。例如，加入槽形坩堝12的沉積材料14總的是70立方釐米至100立方釐米，但可根據材料源10的尺寸而可增加或減少。
下一步是，將真空室48排到所需的真空壓力，最好是小於1·10(-3)乇，通常小於9·10(-6)乇，或其它合適的真空壓力。一旦合適的真空建立，下一步是加熱裝在材料源10中的一個或更多個中的沉積材料14，直到沉積材料14蒸發並傳播煙流狀52的蒸發的沉積材料14。一旦蒸發開始，下一步是，使基底24以恆速v移動通過線性形狀的煙流52，如圖7和8所示。薄膜沉積的特徵通常是生長率＞＝每秒10埃，薄膜均勻度＞95％。基底24可通過任何合適的運動裝置而運動，高架傳送裝置(未示出)是較佳的。
在本發明的第三實施例材料源10″的操作中，沉積材料14裝到第二管道56，並由來自第一管道56的內表面82的輻射熱加熱。沉積材料14被蒸發並通過第二管道66構成的一個或若干出口27″和第一管道56構成的一個或多個出口27″』，然後進入真空室48。由第二管道66構成的出口27″』與由第一和第二管道56、66構成的出口27″』、27″重合，也可不重合地對齊，其中第一和第二管道56、66的出口27″』、27″不在沉積材料14與基底24之間呈現一視覺線SP。
如圖7和8所示，但總的可適用於所有的實施例，材料源10的線性設計有助於保證當基底24經過蒸發沉積材料14的煙流52時，薄膜均勻度到基底24的真正邊緣處54。但是，如果使用槽形坩堝12或空心管道式材料源10，將側壁18(或管道)的縱向SL製造成比基底24的寬度W2要長，均勻性就很容易達到。這是由於存在可用於增強從材料源10的端壁20的散發的積分高斯通量散發角的縮減數。可變出口或孔徑的使用可彌補這種效果，並產生一橫過材料源散發的更均勻的散發。
顯而易見，本發明可使大的基底24塗覆沉積材料14。在取得該結果的同時，總的減少了沉積材料14的浪費、對潛在危險的材料中的暴露、對較大真空室48、塗覆時間和操作成本的要求。由於本發明產生一與一個單個點或修正點源產生的煙流相比在更長縱向構件的材料源上總的是線性的蒸發煙流，從點源觀察的非均勻性和它們的有關餘弦分布煙流消除了或被大大地減少了。此外，不是將噴射距離增加到幾個英尺以獲得95％均勻程度，而是噴射距離可小於一英尺，這與要塗覆的基底側表面面積的尺寸無關。
本發明的另一特徵是，可用有效的高斯散發角的大部分對以恆定速度在一個或多個材料源上經過的基底進行沉積。這導致直接在基底上沉積百分比較大的化學品，而不是在真空室的內表面進行不必要的塗覆。這減少了停工時間，大大降低了每一要塗覆的基底的有機化學品成本。有關的好處是，由於材料源具有比點源或修正點源較長的縱向構件，更多的化學品裝入材料源中，當材料源可在再加料周期之間塗覆更多的基底，導致在商業應用中節省停工時間。
由於材料源具有標準的引線連接(feedthrough)和電源連接，所以還提高了靈活性。任何目前能夠接收線性噴濺材料源的真空系統都可在該位置重新裝配該材料源。配有6英寸至12英寸的圓形噴濺源的真空系統也可接收類似或相同尺寸的材料源。因此，不需要構造新的真空系統，就可獲得本發明的有機沉積能力。材料源還能在一有限空間尺寸內將自己布置成若干列或陣列。可為一個真空系統準備若干材料源，使得當一個材料源用完沉積材料時，可使用下一個材料源。此外，實際上由於較低的熱量梯度和坩堝工作溫度而消除了槽形坩堝式或管道式材料源的材料噴濺。
已結合較佳實施例描述了本發明。本領域的技術人員在閱讀和理解前面的詳細的說明時可作些顯而易見的變異和改變。要將本發明解釋成包括所有的變異和改變，這些均包括在所附的權利要求書的範圍或其等效物內。
權利要求
1.一種為基底塗覆沉積材料的真空沉積系統，它包括一真空室；一位於所述真空室內的材料源，所述材料源具有一本體，該本體沿縱向軸線延伸，具有一基本縱向的散發構件，並構成一內腔和一流體連接於所述內腔的出口；以及一熱源，靠近所述材料源的所述本體定位。
2.如權利要求1所述的真空沉積系統，其特徵在於，還包括一基底，該基底有一平行於所述本體縱向軸線測量的寬度，其中在所述基底的一側與所述出口之間測量的噴射距離隨所述基底的所述寬度的增加而保持不變。
3.如權利要求1所述的真空沉積系統，其特徵在於，還包括一基底，該基底有一平行於所述本體縱向軸線測量的寬度，其中所述材料源的所述本體的所述基本縱向部分等於所述基底的所述寬度。
4.如權利要求1所述的真空沉積系統，其特徵在於，還包括一基底，該基底有一平行於所述本體縱向軸線測量的寬度，其中所述材料源的所述本體的的所述基本縱向部分小於所述基底的所述寬度。
5.如權利要求1所述的真空沉積系統，其特徵在於，還包括加到所述材料源的所述本體的所述內腔中的沉積材料。
6.如權利要求5所述的真空沉積系統，其特徵在於，所述沉積材料從包括有機基化學品和有機基化合物的材料組中選擇。
7.如權利要求5所述的真空沉積系統，其特徵在於，所述沉積材料被所述熱源所加熱，並通過沿所述材料源的所述本體的所述基本縱向散發構件的出口噴射出來。
8.如權利要求7所述的真空沉積系統，其特徵在於，所述材料源的所述本體進一步構成靠近所述出口定位的上端和一基部，所述熱源是一加熱線圈，位於所述本體所述上端的加熱元件的數量比在所述本體所述基部的要多。
9.如權利要求1所述的真空沉積系統，其特徵在於，還包括一連接於所述材料源的所述本體的過程控制裝置。
10.如權利要求1所述的真空沉積系統，其特徵在於，所述出口沿所述本體的所述基本縱向散發構件連續延伸。
11.如權利要求1所述的真空沉積系統，其特徵在於，還包括若干位於由所述材料源的所述本體構成的所述內腔中的突肋。
12.如權利要求1所述的真空沉積系統，其特徵在於，所述本體為一敞開槽形狀，具有兩個縱向延伸的側壁和一對端壁，其中所述縱向延伸的側壁和所述端壁構成了所述本體的所述內腔。
13.如權利要求1所述的真空沉積系統，其特徵在於，還包括一第一管道，該管道構成一內腔和一流體連接於所述內腔的第一出口，其中所述本體是一容納在所述第一管道所述內腔中的第二管道。
14.如權利要求13所述的真空沉積系統，其特徵在於，由所述第一管道構成的所述第一出口與由所述第二管道構成的所述出口對齊。
15.如權利要求13所述的真空沉積系統，其特徵在於，由所述第一管道構成的所述第一出口以非重合的構造與由所述第二管道構成的所述出口對齊。
16.一種用一材料源和一真空室塗覆基底的方法，該方法包括如下步驟將所述材料源定位在所述真空室中，所述材料源具有一沿縱向軸線延伸的本體，本體具有一基本縱向的散發構件並構成一內腔和一流體連接於所述內腔的出口；將一基底定位在所述真空室中，與由所述材料源的所述本體構成的所述出口相對；將一沉積材料加到由所述材料源的所述本體構成的所述內腔中；抽空所述真空室以形成真空；加熱在所述材料源的所述本體的所述內腔中的所述沉積材料；蒸發的沉積材料沿所述本體的基本縱向部分散發；以及移動所述基底通過所述蒸發的沉積材料。
17.如權利要求16所述的用一材料源和一真空室塗覆基底的方法，其特徵在於，所述基底以恆速移動通過所述蒸發的沉積材料。
18.一種用於在基底表面上的沉積材料的真空沉積的材料源，所述材料源包括兩個本體，每一個本體構成一內腔和至少一個流體連接於所述內腔的出口；一加熱元件，放置在所述兩個本體附近；其中所述兩個本體沿一公共縱向軸線對齊以形成一基本縱向的散發構件。
19.如權利要求18所述的材料源，其特徵在於，所述兩個本體之一是點源坩堝。
20.如權利要求18所述的材料源，其特徵在於，所述兩個本體之一是修正的點源坩堝。
21.如權利要求18所述的材料源，其特徵在於，還包括一連接於所述材料源的所述兩本體之一的過程控制裝置。
22.如權利要求18所述的材料源，其特徵在於，所述兩本體的所述內腔構造成容納從包括一有機基化學品和一有機基化合物的材料組中選擇的沉積材料。
23.一種用於在基底表面上的沉積材料的真空沉積的材料源，所述材料源包括一本體，該本體沿一縱向軸線延伸，具有一基本縱向的散發構件，並構成一內腔和至少一個流體連接於所述內腔的出口；一加熱源，放置在所述材料源的所述本體附近。
24.如權利要求23所述的材料源，其特徵在於，所述出口沿所述本體的所述基本縱向散發構件連續延伸。
25.如權利要求23所述的材料源，其特徵在於，還包括若干突肋，這些突肋位於由所述材料源的所述本體構成的所述內腔中。
26.如權利要求23所述的材料源，其特徵在於，所述本體有一敞開槽的形狀，該本體具有兩個縱向延伸的側壁和一對端壁，其中所述縱向延伸的側壁和所述端壁構成了所述本體的所述內腔。
27.如權利要求23所述的材料源，其特徵在於，還包括一第一管道，該管道構成一內腔和一流體連接於所述內腔的第一出口，其中所述本體是一容納在所述第一管道的所述內腔中的第二管道。
28.如權利要求27所述的材料源，其特徵在於，所述熱源放置在所述第一管道附近，所述熱源包括熱傳導電絕緣的第一層、傳導材料的第二層和熱傳導電絕緣的第三層。
29.如權利要求27所述的材料源，其特徵在於，所述熱源放置在所述第二管道附近，所述熱源包括熱傳導電絕緣的第一層、傳導材料的第二層和熱傳導電絕緣的第三層。
30.如權利要求23所述的材料源，其特徵在於，由所述第一管道構成的所述第一出口與由所述第二管道構成的所述出口對齊。
31.如權利要求23所述的材料源，其特徵在於，由所述第一管道構成的所述第一出口以非重合的構造與由所述第二管道構成的所述出口對齊。
全文摘要
本發明涉及在一真空室中為一基底塗覆沉積材料的方法和設備，其中使用一具有基本縱向的沉積散發構件的材料源形成一基本縱向的材料沉積散發煙流，在不增加基底與材料源之間的噴射距離的情況下該煙流塗覆基底的一個表面。
文檔編號C23C14/12GK1402800SQ00816326
公開日2003年3月12日 申請日期2000年10月20日 優先權日1999年10月22日
發明者G·L·史密斯 申請人:寇脫J·萊斯克公司