陣列基板檢測裝置和檢測方法
2023-05-10 14:04:06
專利名稱：陣列基板檢測裝置和檢測方法
技術領域：
本發明涉及一種陣列基板檢測裝置和檢測方法。
背景技術：
液晶顯示器由於具有輕、薄、便於攜帶和環保等諸多優點，獲得廣泛應用。但在液晶顯示器製造的各種工序中，必須設置諸多檢測步驟，尤其液晶顯示器的基板製造過程中，需要多次檢測，以提升良率，降低成本。常用的陣列基板檢測裝置及檢測方法主要用於檢測基板中的線路缺陷，如短路、斷路等。
如圖1所示，是一種現有技術陣列基板檢測裝置。該陣列基板檢測裝置1主要包括一光電元件10、一電源11、一光源12、一光偵測器13和一監視器14。
該光電元件10包括一可控制光通過與否的控光層101和一反射層102。該光電元件10設置在待測陣列基板16上方而且貼近該陣列基板16，電源11與光電元件10及陣列基板16上的像素電極15電連接。
電源11在陣列基板16上的像素電極15和光電元件10之間施加電壓，以形成一電場；光源12發出的光照射該光電元件10，被反射層102反射，光偵測器13接收來自光電元件10的反射光，並將該反射光對應的訊號輸入與之連接的監視器14。若陣列基板16上有瑕疵，該瑕疵對應位置的電場強度將發生畸變，引起控光層101動作，導致對應點處控光層101的光通過率發生變化，從而使得光偵測器13接收到的反射光發生畸變，反映在監視器14上，由此可以確認瑕疵的存在和瑕疵的大致位置；若該待測陣列基板16無瑕疵，則監視器14上顯示的光線為均勻亮光。
採用該陣列基板檢測裝置1可有效檢測待測陣列基板16有無缺陷，若有缺陷，還可顯示缺陷的大致位置，但由於光經過多次變化，到達監視器14，難以準確顯示該缺陷的具體位置，導致後續修復時，需要額外的搜索缺陷過程，增加成本。
發明內容為克服現有技術陣列基板檢測裝置不能對基板上的缺陷準確定位的問題，本發明提供一種可對陣列基板上的缺陷準確定位的陣列基板檢測裝置。
本發明還提供一種可對陣列基板上的缺陷準確定位的陣列基板檢測方法。
本發明解決技術問題所採用的技術方案是提供一種陣列基板檢測裝置，包括一光源、一可控制光通過與否的光電元件、一位於該光電元件一側的光偵測器和一與該光偵測器連接的計算器系統，待測陣列基板設置在光電元件與光源之間。
本發明解決技術問題所採用的另一技術方案是提供一種陣列基板檢測方法，包括以下步驟提供前述的陣列基板檢測裝置；將待測陣列基板設置在該陣列基板檢測裝置的光源與光電元件之間；控制該陣列基板上的薄膜電晶體的開關，使得該光電元件動作，使得該光電元件處於全亮狀態或者全暗狀態；分別利用光偵測器拍攝該光電元件，並將獲得的影像數據輸入計算器系統；將該數據與計算器系統中的預定影像數據比較以確定是否該陣列基板是否有缺陷以及缺陷的具體位置。
與現有技術相比，本發明的有益效果是本發明的陣列基板檢測裝置和檢測方法採用光偵測器對待測陣列基板拍攝之後獲得其影像數據，並將該影像顯示在計算器系統的顯示器上，同時將該影像數據輸入計算器系統與計算器系統中預存的數據相比較，以獲得比較結果，並判斷其差異，從而獲得陣列基板是否有缺陷；若有缺陷，則可通過與預存影像數據逐點比較以確定該缺陷的具體位置。因而可直接根據檢測結果進行修復動作，無需再進行確定缺陷位置的步驟，可有效提高檢測效率。
圖1是現有技術陣列基板檢測裝置示意圖。
圖2是本發明陣列基板檢測裝置示意圖。
具體實施方式請參閱圖2，是本發明陣列基板檢測裝置2的示意圖。該陣列基板檢測裝置2主要包括一位於該陣列基板26上方的光電元件20、一位於該陣列基板26下方的光源22、一光偵測器23和一計算器系統24。
該光電元件20包括一透明導電層201和一控光層202。對導電層201和薄膜電晶體25施加電壓，通過控制薄膜電晶體25的開關可控制光源21發出的光能否通過該光電元件20。
該光偵測器23可採用電荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)照相機，該CCD照相機的解析度高於該待測陣列基板26的解析度。計算器系統24可提供預設的與待測陣列基板26相應的數組圖案數據。
對陣列基板26上的薄膜電晶體25和導電層201施加電壓，使該陣列基板26上的薄膜電晶體25和光電元件20工作。光源22發出的光從陣列基板26下面照射該陣列基板26。開啟該薄膜電晶體25，使得該陣列基板26與光電元件20之間建立一電場，該電場可使得光電元件20的控光層202動作，使得光源22發出的光能夠通過該光電元件20，此時該光電元件20表面處於全亮狀態，採用光偵測器23對該陣列基板26拍攝，獲取影像數據，並將影像數據輸入計算器系統24，通過該計算器系統24的顯示器顯示該影像，並將該影像數據與計算器系統24中預存的相關陣列基板數據相比較，若發現瑕疵，則可由對比預存數據顯示出該瑕疵的具體位置並記錄；若無瑕疵，則關閉該薄膜電晶體25，則該陣列基板26與該導電層201之間的電場發生變化，使得控光層202動作，光源22發出的光不能通過該光電元件20，此時陣列基板26處於全暗狀態，採用光偵測器23對該陣列基板26拍攝，獲取影像數據，並將影像數據輸入計算器系統24，通過該計算器系統24的顯示器顯示該影像，並將該影像數據與計算器系統24中預存的相關陣列基板數據相比較，若發現瑕疵，則可由逐點對比預存數據找出該瑕疵的具體位置並記錄；若無瑕疵，則進行下一待測陣列基板的檢測。
與現有技術相比較，本發明的陣列基板檢測裝置2採用光偵測器23對待測陣列基板26拍攝之後獲得其影像數據，並將該影像顯示在計算器系統24的顯示器上，同時將該影像數據輸入計算器系統24與計算器系統24中預存的數據相比較，以獲得比較結果，並判斷其差異，從而獲得陣列基板26是否有缺陷；若有缺陷，則可通過與預存影像數據逐點比較以確定該缺陷的具體位置。因而可直接根據檢測結果進行修復動作，無需再進行確定缺陷位置的步驟，可有效提高檢測效率。
對於該陣列基板檢測裝置2，所述控制光源22使陣列基板26全亮或者全暗的檢測順序可調換，光偵測器23還可以採用高解析度的互補金屬氧化物半導體(Complementary Metal OxideSemiconductor，CMOS)照相機。該光源22可以為發光二極體等點光源，也可以為冷陰極螢光等(Cold Cathode Fluorescent Lamp，CCFL)等線光源或者薄膜形態的電致發光元件(Electroluminance，EL)等面光源。該控光層202可以是液晶層或者其它各向異性晶體。該透明導電層201可以為氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)或氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide，IZO)。
權利要求
1.一種陣列基板檢測裝置，其包括一光源、一可控制光通過與否的光電元件、一位於該光電元件一側的光偵測器和一與該光偵測器連接的計算器系統，待測陣列基板設置在光電元件與光源之間。
2.如權利要求1所述的陣列基板檢測裝置，其特徵是該光偵測器是電荷耦合元件照相機或者互補金屬氧化物半導體照相機。
3.如權利要求1所述的陣列基板檢測裝置，其特徵是該光偵測器的解析度高於待測陣列基板的解析度。
4.如權利要求1所述的陣列基板檢測裝置，其特徵是該光電元件包括一控光層和一透明導電層。
5.如權利要求4所述的陣列基板檢測裝置，其特徵是該控光層是液晶層或者各向異性晶體。
6.如權利要求4所述的陣列基板檢測裝置，其特徵是該透明導電層是氧化銦錫或者氧化銦鋅。
7.如權利要求1所述的陣列基板檢測裝置，其特徵是該光源是點光源。
8.如權利要求7所述的陣列基板檢測裝置，其特徵是該點光源是發光二極體。
9.如權利要求1所述的陣列基板檢測裝置，其特徵是該光源是線光源。
10.如權利要求9所述的陣列基板檢測裝置，其特徵是該線光源是冷陰極螢光燈。
11.如權利要求1所述的陣列基板檢測裝置，其特徵是該光源是面光源。
12.如權利要求11所述的陣列基板檢測裝置，其特徵是該面光源是電致發光元件。
13.一種陣列基板檢測方法包括以下步驟提供如權利要求1所述的陣列基板檢測裝置；將待測陣列基板設置於該陣列基板檢測裝置的光源與光電元件之間；控制該陣列基板上的薄膜電晶體的開關，使得該光電元件動作，使得該光電元件處於全亮狀態或者全暗狀態；分別利用光偵測器拍攝該光電元件，並將獲得的影像數據輸入計算器系統；將該數據與計算器系統中的預定影像數據比較以確定是否該陣列基板是否有缺陷以及缺陷的具體位置。
全文摘要
本發明公開了一種陣列基板檢測裝置和檢測方法。該陣列基板檢測裝置包括一光源、一可控制光通過與否的光電元件、一位於該光電元件一側的光偵測器和一與該光偵測器連接的計算器系統，待測陣列基板設置在光電元件與光源之間。採用該陣列基板檢測裝置和檢測方法首先獲得該陣列基板的影像數據，然後將該影像數據與計算器系統中預存的影像數據比較以確定該基板是否有缺陷並對缺陷位置準確定位，從而可提高檢測效率。
文檔編號G01R31/00GK1797016SQ200410091938
公開日2006年7月5日 申請日期2004年12月28日 優先權日2004年12月28日
發明者林至成, 吳澤 申請人:鴻富錦精密工業(深圳)有限公司, 群創光電股份有限公司