一種基於磁性斯格明子的片上信息傳輸器件的製作方法

2023-04-28 02:12:31

一種基於磁性斯格明子的片上信息傳輸器件的製作方法
【專利摘要】一種基於磁性斯格明子的片上信息傳輸器件，它是由磁性斯格明子信號生成器，用於磁性斯格明子信號傳輸的磁納米軌道以及用於檢測磁性斯格明子的信號讀取裝置組成；磁性斯格明子信號生成器位於磁納米軌道發送端，磁性斯格明子信號讀取裝置位於磁納米軌道接受端，磁納米軌道起到連接整個器件的作用；系統工作時由磁性斯格明子信號生成器將需要傳輸的信號轉換為磁性納米帶上的斯格明子，經磁納米軌道傳輸後，位於末端的磁性斯格明子信號讀取裝置讀取信號將信息還原為所需的電信號。本發明克服了傳統電路中信號傳遞需要逐級放大的缺點，能夠極大的降低晶片內用於信號傳遞所消耗的能量，實現低功耗設計。
【專利說明】-種基於磁性斯格明子的片上信息傳輸器件

【技術領域】
[0001] 本發明涉及一種基於磁性斯格明子的片上信息傳輸器件，旨在降低片內信息傳輸 功率，屬於新型磁性器件【技術領域】。

【背景技術】
[0002] 隨著半導體工藝的快速發展和晶片工作頻率的不斷提高，晶片功耗的急劇增大已 經成為制約晶片性能的重要因素。另一方面，移動平臺的興起也對晶片功耗提出了更高的 要求。而近年來研究發現的磁性斯格明子已經被證明可以用於晶片內二進位信息的載體， 基於磁性斯格明子的晶片設計將有希望極大的降低晶片功耗。
[0003] 斯格明子（skyrmions)最初是由核物理學家Tony Skyrme在60年代發現的類粒 子（particle-like)拓撲穩定場結構，被用於表述包括帶電粒子、液晶、玻爾茲曼-愛因斯 坦凝聚態到量子霍爾效應在內的各種不同環境中的類似數學對象。2009年第一次在實驗中 發現了磁性斯格明子，這是一種具有潤旋結構的手性自旋結構（chiral spin structures with a whirling configuration)屬於斯格明子的一種。可以產生於生長在強自旋軌道奉禹 合金屬層之上的整塊鐵磁層或者納米薄膜上。
[0004]磁性斯格明子具有以下幾個特性使得將其作為二進位信息存儲單元可能取得較 於傳統CMOS結構極大的優勢：
[0005] 1、磁性斯格明子的尺寸可以做到很小，通過控制產生磁性斯格明子的材料特性和 一些外加條件。可以使得產生的磁性斯格明子直徑小於10納米，極端可以小於1納米。因 此可以把產生磁性斯格明子的納米薄膜寬度減小到小於10納米，能夠有效的提升傳輸信 息的密度。
[0006] 2、磁性斯格明子具有拓撲結構的穩定性，相較於磁性潤旋結構（magnetic vortices)和磁性類氣泡結構（magnetic bubbles)更加穩定，能夠在器件存在工藝缺陷的 情況下保持穩定。
[0007] 3、磁性斯格明子具有和磁疇壁類似的電流誘導輸運（current-induced motion) 性質。在磁性納米薄膜軌道中通入電流，磁性斯格明子會受到自旋矩作用，發生移動。由此 可以使用電流驅動的磁性斯格明子輸運進行二進位的信息傳遞。並且與磁疇壁相比，操作 磁性斯格明子所需的啟動電流密度遠遠小於磁疇壁的啟動電流密度，僅為後者的百萬分之 一，其相對於磁疇壁具有更加優良的低功耗性能。
[0008] 4、磁性斯格明子可以通過在具有強自旋軌道耦合的金屬上生長的鐵磁層中注入 自旋極化電流來產生，可以在鐵磁層中切口尖端處被消除。從而可以實現信息傳遞過程中 信息載體的產生與消除。
[0009] 在傳統的晶片中，有很大一部分功耗都是用於信息傳遞。傳統晶片設計中為了實 現前級信號驅動後級，需要不斷的對信號進行放大，佔了整個晶片功耗的很大一部分。如果 使用磁性斯格明子作為信號的載體，由於其在輸運過程中不需要進行逐級放大，將有可能 極大的降低晶片內部用於信號傳遞而產生的功耗。


【發明內容】

[0010] 1.發明目的：
[0011] 針對上述背景中提到的對晶片低功耗的需求和磁性斯格明子具有的優良性質，本 發明提供了一種基於磁性斯格明子的片上信息傳輸器件。它克服了傳統電路中信號傳遞需 要逐級放大的缺點，能夠極大的降低晶片內用於信號傳遞所消耗的能量，實現低功耗設計。
[0012] 2.技術方案：
[0013] 本發明的技術方案是一種基於磁性斯格明子的片上信息傳輸器件，如圖1所不， 其特徵是該信息傳輸器件由磁性斯格明子信號生成器，用於磁性斯格明子信號傳輸的磁納 米軌道以及用於檢測磁性斯格明子的信號讀取裝置組成。它們之間的位置連接關係是：磁 性斯格明子信號生成器位於磁納米軌道發送端，即圖示左端；磁性斯格明子信號讀取裝置 位於磁納米軌道接受端，即圖示右端；磁納米軌道起到連接整個器件的作用。系統工作時由 磁性斯格明子信號生成器將需要傳輸的信號轉換為磁性納米帶上的斯格明子，經磁納米軌 道傳輸後，位於末端的磁性斯格明子信號信號讀取裝置讀取信號將信息還原為所需的電信 號。
[0014] 所述器件中磁性斯格明子信號生成器，其結構如圖2所示，從上到下分別為數據 線，強自旋極化層，鐵磁層，強自旋軌道耦合層，彼此之間相互接觸連接；該數據線是金屬導 電材料，為長條形金屬薄膜結構，用於將需要發送的電信號傳輸至磁性斯格明子信號生成 器；該強自旋極化層是指具有強自旋極化能帶結構的材料，如Pd，用於將普通電流轉化為 具有自旋極化的自旋極化電流，形狀可以呈圓柱形或方形；該鐵磁層和強自旋軌道耦合層 為磁納米軌道部分；鐵磁層用於形成磁性斯格明子，並能夠使生成的磁性斯格明子在自旋 極化電流作用下沿垂直方向運動；該強自旋軌道耦合層用於產生生成磁性斯格明子所需的 DMI效應。
[0015] 所述器件中磁性斯格明子信號讀取裝置結構如圖3所示，從上到下分別為數據 線，參考層，金屬氧化物層，鐵磁層，強自旋軌道耦合層，電流脈衝線，彼此之間相互接觸連 接；該數據線是金屬導電材料，用於傳輸讀取後的電信號，為長條形金屬薄膜結構；該參考 層是自旋極化方向固定的CoFeB，呈圓柱形或方形的薄膜結構，電流在通過鐵磁層與參考 層之後會因為鐵磁層磁化結構的不同產生不同的電壓高低，從而讀取鐵磁層磁化結構中包 含的信息；該金屬氧化物層是MgO, A1203等金屬氧化物，用於產生隧穿效應，形狀與參考層 保持一致；該鐵磁層和強自旋軌道耦合層為納米軌道部分；鐵磁層用於接收從磁納米軌道 傳到的磁化結構信息，強自旋軌道耦合層則用於產生生成與保持磁性斯格明子所需的DMI 效應；該電流脈衝線是金屬導電材料，用於傳輸讀取信息的電脈衝，其形狀結構與數據線相 同。
[0016] 所述器件中磁納米軌道結構從上到下為鐵磁層和強自旋軌道耦合層，兩層之間相 互接觸連接；該鐵磁層指由具有垂直各向異性的鐵磁性材料，一般為Fe構成的納米薄膜， 其功能是產生和傳遞磁性斯格明子；該強自旋軌道耦合層指具有較大自旋軌道耦合矩的材 料，如Ir，Pt等重金屬材料，其功能是產生生成與保持磁性斯格明子所需的DMI效應。磁納 米軌道其末端結構如圖4所示，在鐵磁納米帶末端刻蝕一個三角狀刻痕，用於消除已經讀 取過數據後的磁性斯格明子；
[0017] 所述器件的特點是先將需要傳輸的二進位電信號通過自旋極化注入轉化為磁納 米軌道上的磁性斯格明子序列，該電信號以高電平代表邏輯"1"，低電平代表邏輯"0"，當 信號為高電平時電流通過強自旋極化層後轉化為自旋極化電流對磁納米軌道前端進行局 部自旋極化注入，從而在磁納米軌道前端產生一個磁性斯格明子，表示邏輯" 1"，處於低電 平時沒有自旋極化電流的注入，磁納米軌道保持保持鐵磁磁化狀態。新生成的磁性斯格明 子受到磁納米軌道上脈衝驅動電流的作用，在磁納米軌道中發生輸運，從磁性斯格明子信 號生成器端輸運至讀取端。讀取端通入與輸入端需發送電信號同步的讀取電流脈衝，在讀 取端存在磁性斯格明子時表現為低阻態，高電平，也即是邏輯"1";在讀取端沒有磁性斯格 明子時表現為高阻態，低電平，即邏輯"0"，由此在磁納米軌道末端，讀取裝置將存儲於磁性 斯格明子序列中的信息還原為所需的電信號，從而完成了從發送端到接收端的信息傳遞過 程。
[0018] 其中，讀取電流脈衝與驅動電流脈衝具有相同的脈衝寬度，但是相位相差九十度。 保證當讀取電流脈衝為高電平時驅動電流脈衝為低電平，這時由於沿磁納米軌道徑向的驅 動電流為零，磁性斯格明子停止移動。通過調節驅動電流大小和磁納米軌道長度的關係可 以使得攜帶對應信息的磁性斯格明子態或鐵磁態在讀取脈衝到達時恰好位於磁性斯格明 子信號讀取裝置中。此時電流將沿垂直方向流過磁性斯格明子信號讀取裝置，從而根據磁 性斯格明子信號讀取裝置中磁化狀態為磁性斯格明子或是鐵磁態，對應的產生高電平或低 電平，還原發送信號。
[0019] 其中，發送端的強自旋極化層為圓形，方形或橢圓形，寬度或直徑小於磁納米軌道 的寬度。
[0020] 3.優點和功效：
[0021] 本發明提供一種基於磁性斯格明子的低功耗晶片內部信號傳輸器件。該器件可以 實現晶片內部從納米尺度到微米尺度的信號傳輸功能。由於該器件基於磁性斯格明子傳輸 信號，傳輸電流密度小，過程中無需放大，與傳統的使用多級緩衝器進行信號傳輸相比，具 有低功耗，信息不易失真的特點。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022] 圖1為整個器件的結構示意圖；
[0023] 圖2為磁性斯格明子信號發送端的結構示意圖；
[0024] 圖3為磁性斯格明子信號接收端的結構示意圖；
[0025] 圖4為磁納米軌道的末端俯視圖；
[0026] 圖5為該器件的工作原理示意圖；
[0027] 圖6為該器件寫入數據信號、讀取電流脈衝信號、讀取裝置輸出數據信號以及驅 動電流脈衝信號時序圖；
[0028] 圖1、圖2、圖3、圖5中箭頭均表示電流方向；
[0029] 圖2、圖3中虛線包括區域表示該部分為磁納米軌道一部分；
[0030] 圖4,圖5中末端的三角表示使用光刻等方法在磁納米軌道末端的鐵磁層刻蝕的 尖銳刻痕；
[0031] 圖6中"1"代表高電平，"0"代表低電平，"z"代表高阻態。

【具體實施方式】
[0032] 本發明提供一種基於磁性斯格明子的低功耗晶片內信號傳輸器件。參照附圖，進 一步說明本發明的實質性特點。附圖均為示意圖，其中涉及的各功能層或區域的厚度，面積 與體積等參數並非實際尺寸。
[0033] 在此公開了詳細的示例性實施例，其特定的結構細節和功能細節僅是描述特定實 施例的目的，因此，可以以許多可選擇的形式來實施本發明，且本發明不應該被理解為僅僅 局限於在此提出的示例實施例，而是應該覆蓋落入本發明範圍內的所有變化、等價物和可 替換物。另外，將不會詳細描述或將省略本發明的眾所周知的元件，器件與子電路，以免混 淆本發明的實施例的相關細節。
[0034] 圖1為本發明提出的基於磁性斯格明子的晶片內部信號傳輸器件示意圖；
[0035] 該器件基本結構從左到右分別為磁性斯格明子信號發送端，磁納米軌道以及磁性 斯格明子信號接收端。磁納米軌道由兩層構成，下方是具有強自旋軌道耦合的重金屬層，一 般為Pt，Ir等金屬；在這層重金屬層之上生長一層小於10nm且具有垂直各向異性的的鐵磁 材料薄層，一般為鐵薄層或鐵單原子層。由於強自旋軌道耦合金屬與垂直各向異性的鐵磁 薄層之間的Dzyaloshinskii - Moriya interactions (DMI)，導致經局部自旋極化電流注入 後在鐵磁層對應位置能夠產生一個穩定的磁性斯格明子。磁納米軌道的兩端分別連接的是 兩條金屬導線，負責傳導用於驅動磁性斯格明子從左至右輸運的驅動電流。該驅動電流應 為周期恆定的脈衝電流，電流大小和持續時間應根據磁納米軌道上生成磁性斯格明子信號 和讀取磁性斯格明子信號的兩端間距以及所希望達到的傳輸速率來決定，具體將在圖5的 原理描述中詳細介紹。
[0036] 位於磁性斯格明子信號發送端的是磁性斯格明子信號生成器，它的主要工作原理 是通過自旋極化電流注入，將需要傳輸的電信號轉化為磁納米軌道上的磁性斯格明子，詳 見圖2的實施方式。位於另一端的是磁性斯格明子信號接收裝置，它的主要作用是將從發 送端發來的磁性斯格明子信號轉化為電信號，從而實現信號的還原，詳見圖3的實施方式。 而在這一段的末端鐵磁層上刻蝕有一個尖銳的刻痕，負責消除已經讀取過後的磁性斯格明 子，詳見圖4的實施方式。
[0037] 圖2為本發明中磁性斯格明子信號生成器的結構示意圖；
[0038] 該器件主要實現對磁納米軌道的鐵磁層發送端進行局部自旋極化注入。數據線由 金屬導體製成，強自旋極化層一般為Pd等具有強自旋極化能帶結構的金屬。需要發送的電 信號經由數據線傳輸，穿過強自旋極化層後，非極化電流被轉化為自旋極化電流。當電信號 為高電平時，電信號對磁納米軌道鐵磁層進行局部自旋極化注入，在自旋極化注入的位置 產生一個磁性斯格明子；若電信號為低電平，則沒有自旋極化電流注入鐵磁層，鐵磁層保持 鐵磁態。保持驅動電流信號電流脈衝為低時進行數據寫入，驅動電流為高時，無數據寫入。 這樣每產生一個數據寫入，無論是磁性斯格明子還是鐵磁態，都會在下一時刻被磁納米軌 道上的驅動電流驅動輸運出磁性斯格明子信號生成器，從而在磁納米軌道上產生一個由寫 入數據產生的磁性斯格明子序列。該序列即是將原有電信號轉化為的磁性斯格明子信號。
[0039] 圖3為本發明中磁性斯格明子信號讀取裝置示意圖；
[0040] 該裝置中電流脈衝線與數據線採用金屬導體製成，用於傳導電信號。參考層由具 有固定自旋極化結構的材料構成，並且保證其自旋極化狀態保持不變。參考層的自旋極化 狀態可以是沿某一固定方向，垂直上或者下，也可以是與產生磁性斯格明子極化方向相同 的類螺旋結構。當電流自讀取電流脈衝線穿過磁納米軌道後，由於此時磁納米軌道接收端 僅有讀取裝置的數據線導通，其餘通路為高阻態，絕大部分電流將沿圖3所示電流方向移 動。
[0041] 當電流穿過磁納米軌道時，其自旋極化分布的改變也主要取決於此時位於金屬氧 化層下方的磁納米軌道局部的自旋分布。若此時恰有一磁性斯格明子位於該位置，則讀取 脈衝電流自旋狀態將變化為與磁性斯格明子相關的自旋極化分布狀態。該極化電流通過量 子隧穿效應穿過金屬氧化物層，與參考層的自旋極化狀態相互作用。若該極化電流與參考 層自旋狀態相近，由於自旋相關的電子散射理論，此時電子將遇到較小的阻礙，即整個讀取 裝置等效電阻較小，數據線輸出高電平。反之，如果當讀取電流脈衝到達磁納米軌道時，處 於金屬氧化層下方沒有磁性斯格明子，則隧穿後極化電流自旋狀態將與參考層差別較大， 從而將產生較大的阻礙，整個讀取裝置此時呈現高阻態，數據線輸出高電平。另外當沒有讀 取電流脈衝到達時，通過控制電流脈衝線和數據線的CMOS電流使兩條線均處於高阻態，可 以避免此時在磁納米軌道中的驅動電流穿過金屬氧化物層和參考層，具體電流時序將在圖 6實現方式中詳細闡述。
[0042] 圖4為磁納米軌道位於讀取裝置之後的末端示意圖。該部分的主要作用是消除已 經讀取過的磁性斯格明子，避免對還未讀取的磁性斯格明子序列產生幹擾。圖示中位於末 端的三角結構為使用光刻等方法在磁納米軌道鐵磁層末端刻蝕的一尖銳刻痕。由於磁性斯 格明子具有拓撲場穩定結構，當其在電流作用下輸運至該尖銳刻痕處時，其拓撲場將受到 破環，從而達到消除磁性斯格明子的目的。
[0043] 圖5為本發明的工作原理示意圖；
[0044] 需要發送的數據以邏輯表示，以電信號形式輸入發送端。圖中需要發送的 電信號以高電平代表邏輯" 1"，低電平代表邏輯"0"。每一個有效數據間間隔一個高阻態， 以確保每一個數據寫入之前，前一個數據寫入的信息已經在磁納米軌道上被輸運出磁性斯 格明子信號生成器。器件在工作時，每當一個有效的數據被寫入到磁納米軌道上，下一時 亥IJ，寫入通路即變為高阻態，磁納米軌道上的驅動電流脈衝置為高電平，已經寫入的磁性斯 格明子或鐵磁態在驅動電流的作用下在磁納米軌道上從發送端往接收端運動。由於磁性斯 格明子在磁納米軌道的輸運速度與驅動電流密度成正比，假設需要傳輸的距離為L，則通過 控制驅動電流密度可以使得磁性斯格明子在磁納米軌道中每個時鐘周期的輸運距離為L/ n，其中η為大於1的整數。這樣在發送端發出的磁性斯格明子可以在η個時鐘周期後恰好 到達讀取裝置。驅動電流密度最小應為1〇 6ΑπΓ2,根據系統對讀取延遲以及磁納米軌道上相 鄰磁性斯格明子間距離要求得出相應的電流密度。相鄰磁性斯格明子間距離應保證相鄰磁 性斯格明子之間相互作用力可忽略，該距離根據不同的磁納米軌道結構可以通過理論推導 得出，一般為50納米左右。
[0045] 磁性斯格明子到達讀取裝置以後，讀取裝置給予一個讀取電流脈衝，根據此時讀 取裝置內是否有磁性斯格明子可以輸出高電平或低電平。讀取裝置輸出即為所讀取的數 據，正常工作時，該數據應與發送端數據一致。為了實現讀取時局部電流均垂直通過讀取裝 置，讀取電流脈衝為高電平時，驅動電脈衝端及其對應漏極應為高阻態，只有讀取數據輸出 端有電流存在。被讀取過的磁性斯格明子在磁納米軌道末端拓撲穩定場受到尖銳刻痕的破 壞，被從磁納米軌道上消除。
[0046] 圖6為本發明中所涉及的幾種電流時序圖；
[0047] 應保證寫入通路和讀取通路的同時開斷，即同時取得高阻態。當兩者同時取得高 阻態時磁納米軌道上的驅動電流置為高電平，磁納米軌道上磁性斯格明子序列開始向讀取 端方向輸運。當寫入通路開始寫數據，讀取通路開始讀數據時，磁納米軌道上驅動端保持高 阻態，保證此時磁性斯格明子序列停留在原處。由於發送端和接收端相隔幾百納米到幾微 米，此時寫入電路與讀取電路相互影響可忽略。圖中所示情況即為發送一列"101110111" 數據，發送端寫入數據將每一個有效數據之間加入一個高阻態，保證每一次寫入時，上一次 寫入的數據已經被發送到磁納米軌道上。讀取裝置在延遲3個時鐘周期後收到了所需的發 送端數據。其中延遲的時鐘周期數可以通過器件設計時的磁納米軌道長度和驅動電流密度 事先給定。除去延遲的時鐘周期後即可得到所需要傳輸的數據。
【權利要求】
1. 一種基於磁性斯格明子的片上信息傳輸器件，其特徵在於：它是由磁性斯格明子信 號生成器，用於磁性斯格明子信號傳輸的磁納米軌道以及用於檢測磁性斯格明子的信號讀 取裝置組成；磁性斯格明子信號生成器位於磁納米軌道發送端，磁性斯格明子信號讀取裝 置位於磁納米軌道接受端，磁納米軌道起到連接整個器件的作用；系統工作時由磁性斯格 明子信號生成器將需要傳輸的信號轉換為磁性納米帶上的斯格明子，經磁納米軌道傳輸 後，位於末端的磁性斯格明子信號讀取裝置讀取信號將信息還原為所需的電信號； 所述磁性斯格明子信號生成器，其結構從上到下分別為數據線、強自旋極化層、鐵磁層 和強自旋軌道耦合層，彼此之間相互接觸連接；該數據線是金屬導電材料，為長條形金屬薄 膜結構，用於將需要發送的電信號傳輸至磁性斯格明子信號生成器；該強自旋極化層是指 具有強自旋極化能帶結構的材料，用於將普通電流轉化為具有自旋極化的自旋極化電流， 形狀呈圓柱形或方形；該鐵磁層和強自旋軌道耦合層為磁納米軌道部分；鐵磁層用於形成 磁性斯格明子，並能夠使生成的磁性斯格明子在自旋極化電流作用下沿垂直方向運動；該 強自旋軌道耦合層用於產生生成磁性斯格明子所需的DMI效應； 所述磁性斯格明子信號讀取裝置結構從上到下分別為數據線、參考層、金屬氧化物層、 鐵磁層、強自旋軌道耦合層和電流脈衝線，彼此之間相互接觸連接；該數據線是金屬導電 材料，用於傳輸讀取後的電信號，為長條形金屬薄膜結構；該參考層是自旋極化方向固定的 CoFeB，呈圓柱形或方形的薄膜結構，電流在通過鐵磁層與參考層之後會因為鐵磁層磁化結 構的不同產生不同的電壓高低，從而讀取鐵磁層磁化結構中包含的信息；該金屬氧化物層 是MgO, A1203金屬氧化物，用於產生隧穿效應，形狀與參考層保持一致；該鐵磁層和強自旋 軌道耦合層為納米軌道部分；鐵磁層用於接收從磁納米軌道傳到的磁化結構信息，強自旋 軌道耦合層則用於產生生成與保持磁性斯格明子所需的DMI效應；該電流脈衝線是金屬導 電材料，用於傳輸讀取信息的電脈衝，其形狀結構與數據線相同； 所述磁納米軌道結構從上到下為鐵磁層和強自旋軌道耦合層，兩層之間相互接觸連 接；該鐵磁層指由具有垂直各向異性的鐵磁性材料，為Fe構成的納米薄膜，其功能是產生 和傳遞磁性斯格明子；該強自旋軌道耦合層指具有較大自旋軌道耦合矩的材料，為Ir，Pt 重金屬材料，其功能是產生生成與保持磁性斯格明子所需的DMI效應；磁納米軌道其末端 刻蝕一個三角狀刻痕，用於消除已經讀取過數據後的磁性斯格明子。
2. 根據權利要求1所述的一種基於磁性斯格明子的片上信息傳輸器件，其特徵在於： 該讀取電流脈衝與驅動電流脈衝具有相同的脈衝寬度，但是相位相差九十度；保證當讀取 電流脈衝為高電平時驅動電流脈衝為低電平，這時由於沿磁納米軌道徑向的驅動電流為 零，磁性斯格明子停止移動，通過調節驅動電流大小和磁納米軌道長度的關係使得攜帶對 應信息的磁性斯格明子態或鐵磁態在讀取脈衝到達時恰好位於磁性斯格明子信號讀取裝 置中，此時電流將沿垂直方向流過磁性斯格明子信號讀取裝置，從而根據磁性斯格明子信 號讀取裝置中磁化狀態為磁性斯格明子或是鐵磁態，對應的產生高電平或低電平，還原發 送信號。
3. 根據權利要求1所述的一種基於磁性斯格明子的片上信息傳輸器件，其特徵在於： 該發送端的強自旋極化層為圓形，方形或橢圓形，寬度或直徑小於磁納米軌道的寬度。
【文檔編號】G11B5/21GK104157297SQ201410340521
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2014年7月17日 優先權日:2014年7月17日
【發明者】黃陽棋, 趙巍勝 申請人:北京航空航天大學