雷射切割薄片以及晶片體的製造方法
2023-04-28 15:02:51
專利名稱：：雷射切割薄片以及晶片體的製造方法雷射切割薄片以及晶片體的製造方法技術區域0001本發明涉及用雷射對工件進行切割形成晶片時適合固定工件的目的使用的雷射切割片、以及使用該雷射切割片恰當地進行的晶片體的製造方法。
背景技術：
：0002雷射切割有時候也能夠切割用刀片切割方法難以切割的工件，近年來很引人注目。本申請人公開了使用於這樣的雷射切割的雷射切割片的一個例子(專利文獻1)。0003在雷射切割中，對固定於切割片上的工件掃描雷射，將工件切斷(dicing)。這時雷射的焦點如下所述移動。即從沒有貼著工件的切割片的表面(工件的外緣部)加速，以一定的速度掃描工件的表面，在工件的另一外緣部減速、停止。其後行進方向反向，加速後，對工件表面進行掃描，再度減速，停止，反向。0004從而，在雷射焦點的移動中的加速、減速時，對沒有貼著工件的切割片的端部直接照射雷射。這時，會發生雷射透過切割片，損傷卡盤(chucktable)的問題。而且會發生與被雷射加熱的卡盤接觸的切割片的面熔接於卡盤上的問題。0005為了避免發生這些問題，使用了採用厚切割片，加大工件與卡盤表面的距離的方法(專利文獻2)。在這種方法中，基體採用可延展性薄膜和保護膜的雙層結構，以此維持切割片的厚度。在雷射切割時，使用具有一定厚度的基體，因此達到卡盤的雷射不能夠實現聚焦，因此能量密度低，所以不至於損傷卡盤。而且上述切割片的熔化問題也不會發生。雷射切割結束後將構成基體的保護膜剝離後，進行擴展和揀選晶片。但是在雷射切割結束之後有必要剝離基體的構成層之一，工序變得煩雜。而且在雷射切割時有利用雷射切割擴展膜的情況，也有不進行擴展的情況。0006又，在專利文獻3，公開了在將氨基甲酸乙酯丙烯酸酯(urethaneacrylate)系低聚體等固化性樹脂製造成薄膜並使其固化得到的基體上設置粘接劑層形成的切割片。但是在專利文獻3中，有使用於刀片切割的企圖，沒有認識到如上所述的雷射切割特有的課題。0007將氨基甲酸乙酯丙烯酸酯(urethaneacrylate)系低聚體制膜並固化得到的薄膜，其交聯密度高，因此可以預期即使是受到雷射的直接照射，薄膜受到的損傷也比較輕微。而且擴展性能也好，因此在切割之後擴展，也容易拉開晶片的間隔。因此研究出作為如上所述的雷射切割的基體，可以使用這樣的薄膜。0008但是，專利文獻3所述的薄膜雖然擴展性優異，但具有在擴展之後保持此狀態而不容易復原的性質。也就是說，將這樣的薄膜作為切割片的基體使用的情況下，有可能出現如下所述的問題。0009通常在擴展工序之後揀選晶片後，切割片在張設在環形框架上的狀態下被回收容納於回收盒中。回收後去除切割片，環形框架經過洗淨工序等再度使用。由於藉助於擴展使切割片拉伸，因此切割片處於從環形框架上下垂的狀態。在該狀態下下垂的切割片與回收於回收盒中的其他環形框架或切割片接觸，因此回收盒不能夠順利地將其回收於其中。0010這樣的結果是，採用專利文獻3記載的薄膜的切割片還不能夠實現，畢竟也沒有作為雷射切割片使用。專利文獻l:特開2002—343747號公報專利文獻2:特開2006—245487號公報專利文獻3:特開2002—141306號公報
發明內容發明解決的技術問題0011本發明是為解決伴隨上述那樣的已有技術發生的問題而作出的。也就是說，本發明的目的在於，提供能夠防止在雷射切割中發生雷射將切割片切斷、損傷卡盤、以及使切割片熔接於卡盤上的情況發生的雷射切割片、以及用使用該雷射切割片的雷射切割方法製造晶片體的製造方法。而且本發明的目的在於，改善使用在雷射切割中可望有優異的性質的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯薄膜的基體在擴展後的形狀復原性能。解決技術問題的手段0012以解決這樣的存在問題為目的的本發明的要旨如下所述。0013(1)一種雷射切割片(dicingsheet)，由聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯構成的基體和形成於其一面上的粘接劑層構成。0014(2)根據(1)所述的雷射切割片，構成基體的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯是對包含能量射線固化性氨基甲酸乙酯丙烯酸酯(urethaneacrylate)系低聚體和能量射線固化性單體的混合物照射能量射線得到的固化物。0015(3)根據(2)所述的雷射切割片，能量射線固化性氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體是聚醚型氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體。0016(4)根據(3)所述的雷射切割片，聚醚型氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體的醚結合部是亞垸氧基(alkyleneoxy基)(即-(-R-0-)n-，其中R為亞垸基，n為2200的整數)。0017(5)根據(4)所述的雷射切割片，亞烷氧基(-(-R-O-)n-)的亞烷基(alkylene基)R是碳數為16的亞垸基。0018(6)根據(5)所述的雷射切割片，亞垸氧基(-(-R-0-)n-)的亞烷基R是亞乙基(ethylene)、亞丙基(propylene)、亞丁基(butylene)、或四亞甲基(tetramethylene)。0019(7)根據(1)所述的雷射切割片，構成基體的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯是，每100重量％的該聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯，包含3070重量％的能量射線固化性氨基甲酸乙酯丙烯酸酯(urethaneacrylate)系低聚體單元，而且每100重量％該能量射線固化性氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體含有3595重量°%的作為結構單元的亞乙氧基(ethyleneoxy基)。0020(8)根據(7)所述的雷射切割片，所述基體拉伸50%之後的畸變復原率為80100%。0021(9)一種晶片體的製造方法，在(1)(6)中的任一項所述的雷射切割片的粘接劑層上粘貼工件，0022利用雷射將工件切割成一片一片製作晶片。(10)—種晶片體製造方法，在(7)或(8)所述的雷射切割片的粘接劑層上粘貼工件，利用雷射將工件切割成一片一片製作晶片，使切割片擴展以加大晶片間隔，揀選晶片。發明的技術效果0023在本發明中，構成基體的樹脂採用聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯(polyurethaneacrylate)，因此即使是對基體照射雷射，基體受到的損傷也小，不會被切斷。而且基體即使沒有受到損傷，透過基材到達卡盤的光量也降低。結果，能夠防止在雷射切割中發生雷射將切割片切斷、損傷卡盤、以及使切割片熔接於卡盤上，得以順利地用雷射切割進行晶片體的製造工序。此外，本發明中作為基片，使用含有特定比率的亞乙氧基的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯，從而改善了切割片擴展後的形狀復原性，使環狀框架的回收能夠順利進行。0024圖l是說明在實施例中評價的"下垂量"的說明圖。具體實施例方式0025下面進一步對本發明進行具體說明。本發明的切割片由基體和在其上形成的粘接劑層構成。0026作為基體，使用以聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯為主要構成成分的樹脂薄膜。最好聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯薄膜是在包含能量射線固化性氨基甲酸乙酯丙烯酸酯(urethaneacrylate)系低聚體和能量射線固化性單體的混合物成膜後對其照射能量射線得到的固化物。0027能量射線固化性氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體，是使例如聚酯型或聚醚型等多元醇化合物與多異氰酸酯化合物反應，使該反應得到的端基為異氰酸酯的氨基甲酸乙酯預聚物與具有羥基的(甲基)丙烯酸酯反應得到的。而且能量7射線固化性氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體也可通過使多元醇化合物與具有異氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯反應得到。0028多元醇(polyol)化合物也可以是亞烷基二醇(alkylenediol)、聚醚型多元醇、聚酯型多元醇、聚碳酸酯型多元醇中的任何一種，但使用聚醚型多元醇可得到更為良好的效果。此外，而且只要是多元醇，沒有特別限制，2官能團的二元醇、三官能團的三元醇都可用，但從取得的容易性、通用性、反應性等觀點來看，使用二元醇特別好。因此，優選使用聚醚型多元醇。0029聚醚型多元醇一般以H0-(-R-0-)n-H表示。其中R為2價烴基，優選為亞烷基(alkylene)，更優選為碳數1~6的亞烷基，特別優選為碳數2或3的亞垸基。此外，碳數16的亞烷基中優選亞乙基、亞丙基、亞丁基或四亞甲基，特別優選是亞乙基或亞丙基。此外，n優選為2200，更優選為10100。但是，作為特別優選的聚醚型多元醇，可例舉聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇、聚四亞甲基二醇，作為更優選的聚醚型二元醇可例舉聚四亞甲基二醇、聚丙二醇。0030聚醚型多元醇通過與多元異氰酸酯化合物反應，衍生出酯結合部(-(-(R-0-)-)，生成端基為異氰酸酯的氨基甲酸乙酯聚合物。這種酯結合部可以是環氧乙烷、環氧丙烷、四氫呋喃等環狀醚的開環反應衍生的結構。0031作為多異氰酸酯化合物，例如可用4，4'-二環己基甲垸二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、2，4-甲苯二異氰酸酯、2，6-甲苯二異氰酸酯、1，3-二甲苯二異氰酸酯、1，4-二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲垸4，4'-二異氰酸酯等，特別優選使用的是4,4'-二環己基甲烷二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯。0032接著，使末端為異氰酸酯的氨基甲酸乙酯預聚物和含有羥基的(甲基)丙烯酸酯反應，得到氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體。作為含有羥基的(甲基)丙烯酸酯，例如可用2-羥基乙基丙烯酸酯或2-羥基乙基甲基丙烯酸酯、2-羥基丙基丙烯酸酯、2-羥基丙基甲基丙烯酸酯、2-羥基丁基丙烯酸酯、2-羥基丁基甲基丙烯酸酯、聚丙烯酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸乙二醇酯等，特別優選使用2-羥基乙基丙烯酸酯或2-羥基乙基甲基丙烯酸酯。0033所得的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體以通式Z-(Y-(X-Y)J-Z表示(式中，X為聚醚型二元醇衍生而來的結構單元，Y是二異氰酸酯衍生而來的結構單元，Z是含有羥基的(甲基)丙烯酸酯衍生而來的結構單元)。上述通式中m優選選擇為1~200，更優選為1500034此外，如上所述，使前述多元醇化合物和含有異氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯反應，可獲得氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體。多元醇化合物和前述同樣，作為含有異氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯，可使用例如2-丙烯醯氧乙基異氰酸酯或2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯等，特別優選使用2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯。0035所得的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體以通式W-X-W表示(式中，X為聚醚型二元醇衍生而來的結構單元，W是含有異氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯衍生而來的結構單元)0036所得的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體的分子內具有光聚合性的雙鍵，具有通過能量射線照射而聚合固化、形成皮膜的性質。0037本發明中優選使用的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體的重均分子量在1000~50000、更優選200(T40000的範圍內。上述氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體可單獨使用，也可兩種以上組合使用。在僅使用上述氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體時，制膜困難的情況多，所以本發明將其用能量射線固化性的單體稀釋、制膜後固化而得到薄膜。能量射線固化性單體在分子內具有能量射線聚合性的雙鍵，在本發明中特別優選使用具有較大體積基團的丙烯酸酯系化合物。0038為稀釋該氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體而使用的能量射線固化性單體的具體例子可舉出，(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯氧酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸金剛烷酯等脂環式化合物，丙烯酸苯基羥基丙酯、丙烯酸節酯、苯酚環氧乙烷改性的丙烯酸酯等芳香族化合物，或者(甲基)丙烯酸四氫糠醇酯、嗎啉丙烯酸酯、N-乙烯基吡咯烷酮或N-乙烯基己內醯胺等雜環式化合物。又可以根據需要使用多官能團(甲基)丙烯酸酯。這種能量射線固化性單體可單獨使用，也可多種組合使用。0039上述能量射線固化性單體相對於100重量份氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體優選以5900重量份、更優選10~500重量份、特別優選30~200重量份的比例使用。0040構成基材的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜通過將含有氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體和能量射線固化性單體的混合物制膜、固化而得。此時，通過在該混合物中混入光聚合引發劑，可減少能量射線照射使其聚合固化的時間和能量射線照射量。作為這種光聚合引發劑，可舉出安息香化合物、苯乙酮、醯基膦化合物、二茂鈦化合物、噻噸酮化合物、過氧化物等光引發劑，胺或醌等光增感劑，具體可舉出1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-l-酮、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香丙醚、苄基二苯基硫醚、單硫化四甲基秋蘭姆、偶氮二異丁腈、聯苄、丁二酮、e-氯蒽醌等。0041光聚合引發劑的用量相對於100重量份氨基甲酸乙酯丙烯酸酯和能量射線固化性單體總量，優選0.05~15重量份、更優選0.110重量份、特別優選0.35重量份。0042此外，又可以在上述混合物中添加碳酸鈣、二氧化矽、雲母等無機填料，鐵、鉛等金屬填料。再者，除了上述成分以外，基材中也可含有顏料或染料等著色劑等添加物。0043作為制膜方法，可優選採用被稱為流延制膜(澆鑄制膜)的方法。具體來說，可通過以下工序製造基材將液狀的混合物(固化前的樹脂、樹脂的溶液等)以薄膜狀澆鑄在例如工程片上之後，用紫外線、電子束等能量射線照射塗膜使其聚合固化形成薄膜。如果使用這種方法，制膜時樹脂上施加的應力少，白點(fisheye)形成少。此外，膜厚的均一性也高，厚度精度通常在2%以內。0044上述由氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜構成的基材即使被雷射照射，基材所受的損傷也較小，不會被切斷。而且，基材即使不受到損傷，透過基材到達卡盤的光亮也會降低。0045這樣的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜具有對雷射的耐受性高、且擴展性優異的優點。但是，氨基甲酸乙酯丙烯酸酯有時會保持伸長狀態不容易復原。也就是說，將該膜用作切割片的基材時，在擴展工序後揀選晶片之後，切割片鬆弛，不能被順利地收納到回收盒中。0046因此，特別是在將本發明的雷射切割片使用於具有擴展工序的工程中10的情況下，最好是由具有形狀復原性的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜構成基材。0047形成具有形狀復原性的基材優選的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯是，每100重量%氨基甲酸乙酯丙烯酸酯含有30~70重量％、優選40~60重量％的構成比率的作為主要成分的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體單元。0048此外，該氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體是，每100重量%低聚體，含有35~95重量％、優選6590重量％的構成比率的亞乙氧基(ethyleneoxy基)。0049而且，聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯是，每100重量％氨基甲酸乙酯丙烯酸酯含有1067重量％、特別優選2654重量％的構成比率的作為構成單元的亞乙氧基。0050再者，該聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯和氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體中，也可含有除了亞乙氧基以外的亞垸氧基。在優選的形式中，只要含有規定量的亞乙氧基即可，對其他亞垸氧基的含量沒有特別的限定。0051氨基甲酸乙酯丙烯酸酯具有規定量的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體單元，並且該氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚體單元只要含有規定量的亞烷氧基(亞乙氧基)，其結構、組成、製法就被特別限定，從而可通過上述流延制膜方法得到。0052氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體中的亞烷氧基(含有亞乙氧基)的含有比率由原料組成算出，例如由作為原料的聚醚型多元醇、多元異氰酸酯化合物、含有羥基的(甲基)丙烯酸酯等的總重量、以及聚醚型多元醇中所含的亞垸氧基的重量決定。此外，聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯中的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體的構成比率，是根據作為原料的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體和能量射線固化性單體等的總重量、以及氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體的重量決定的。因此，聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯中的亞垸氧基的構成比率是根據相對於反應物的總重量的，聚醚型多元醇中所含的亞垸氧基的重量算出的。此外，所得的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜利用熱分解氣相色譜法等方法分析，可直接定量。0053氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體和能量射線固化性單體的反應比率，是作為目的的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯組成中氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體單元的構成比率即可，或者也可以是所得聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯中的亞乙氧基的構成比率成為前述範圍的比率。一般來說，上述能量射線固化性單體，相對於ioo重量％氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體，以優選43233重量％、更優選60160重量％的比例使用。0054此外，在算出氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體和亞乙氧基的構成比率的時，不計入填料等添加物，氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體和亞乙氧基的構成比率，根據作為構成基材的樹脂成分的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯的重量決定。0055具有規定比率的亞乙氧基的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜即使是單層也具有形狀復原性。以往研究出的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜的應力緩和性高、即使拉伸其形狀也不能復原。與此相反，具有規定比率的亞乙氧基的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜在即使是拉伸後，在應力除去後也具有回覆到拉伸前的形狀的性質。0056所謂形狀復原性，意味著具有某種程度的擴展性，在擴展後回復到近似擴展前的形狀的性質。這種性質可用下式所得的應力緩和後的畸變復原率表示。式中，畸變復原率優選90~100%、更優選95100%。畸變復原率(％)=(le-lx)/(le-lo)X100lo:初期的長度le:伸長50%時的長度lx:復原後的長度0057此外，為提高基材的上面、即設置粘接劑層的一側的面與粘接劑的緊貼性，可進行電暈放電處理，或利用乙酸乙酯乙烯基共聚物等設置底塗層。此外也可使用與粘接劑層的反面上具有其他膜或塗膜的層積膜作為基材。本發明所涉及的雷射切割片通過在上述基材上設置粘接劑層而製造。而且，由紫外線固化型粘接劑構成粘接劑層時，基材必須對紫外線透明。本發明的雷射切割片中，基材厚度作為本發明的解決手段沒有特別的限制，但從作業性等方面來看，優選10500拜、更優選30~300|im、特別優選5(T200拜。0058粘接劑層可由以往公知的各種粘接劑形成而得。這種粘接劑沒有特別的限定，但可以使用例如橡膠系、丙烯醯系、矽酮系、聚乙烯基醚等粘接劑。此外，也可使用能量射線固化型或加熱發泡型、水膨潤型的粘接劑。0059能量射線固化(紫外線固化、電子束固化)型粘接劑特別優選使用紫外線固化型粘接劑。0060粘接劑層的厚度優選廣100拜、更優選380拜、特別優選55(Him。此外，粘接劑層上可層疊在其使用前用於保護粘接劑層的剝離片。0061剝離片沒有特別的限定，例如可用聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯、聚乙烯等樹脂構成的膜或它們的發泡膜，或者半透明玻璃紙(glassinepaper)、塗布紙、層壓紙等紙上用矽酮系、氟系、含有長鏈垸基的氨基甲酸酯等剝離劑進行剝離處理。0062在基材表面上設置粘接劑層的方法，可以是將塗布到剝離片上形成規定膜厚的粘接劑層轉印到基材表面，也可以是在基材表面上直接塗布形成粘接劑層。0063以下對使用本發明的雷射切割片的晶片體的製造方法進行說明。0064本發明的晶片體的製法中，在上述雷射切割片的粘接劑層上粘貼工件，用雷射掃描工件表面，切斷工件，得到晶片體。這種雷射切割片方法本身是公知的。雷射切割片中，雷射的焦點如下所述地移動。即從沒有粘貼工件的切割片的露出的表面(工件的外緣部)開始加速，以一定的速度掃描工件的表面，在工件的另一外緣部減速、停止。其後行進方向反向，加速後，再度對工件表面進行掃描，再度減速，停止，反向。通常，對每一切割線進行廣數次程度的雷射掃描。0065在雷射焦點的移動中的加速、減速中，對沒有粘貼工件的切割片的端部直接照射雷射。此時，有時雷射會切斷切割片。此外，有時會發生雷射透過切割片，損傷卡盤的問題。而且會發生與被雷射加熱的卡盤接觸的切割片的面熔化，熔接在卡盤上的問題。0066但是，在本發明中，通過使用上述的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜作為雷射切割片的基材，解決了上述問題。也就是說，確認了使用本發明的雷射切割片時，即使例如雷射直接照射雷射切割片，基材也不容易因雷射照射而受到損傷。具體來說，僅基材表面的一部分被雷射切割，基材不會被切斷。此外，具備高能量的雷射不會透過基材到達卡盤，未見雷射切割片熔接於其上的情況。0067雷射切割終了後，根據需要擴展雷射切割片來拉大晶片間隔。通過拉13大晶片間隔，晶片之間因接觸而產生的損傷減少。之後，揀選晶片，獲得晶片體。而且，在由紫外線固化型粘接劑構成粘接劑層時，根據需要在揀選晶片之前進行紫外線照射。紫外線固化型粘接劑通過紫外線的照射而聚合固化，粘合力降低，因此可順利地進行晶片的揀選。0068晶片揀選後，切割片以張設在環狀框架上的狀態收回到回收盒中。回收後，除去切割片，環狀框架經洗淨工程等再度使用。通過擴展，切割片被拉伸，因此形狀復原性低的切割片呈從環狀框架下垂的狀態。在該狀態下，下垂的切割片被收納到回收盒中時，接觸其他環狀框架或切割片，所以不能順利地將其收納到回收盒中。例如，通常的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜雖然擴展性優異，但形狀復原性差。0069但是，通過使用含有規定比率的亞乙氧基的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜作為基材，能夠簡便地消除切割片的下垂。結果，環狀框架可被順利地收納到回收盒中，提高了晶片體的生產效率。0070作為可適用於本發明中的工件，只要能夠利用雷射實施切斷處理，其素材沒有限定，例如可使用半導體晶片、玻璃基板、陶瓷基板、FPC等有機材料基板或精密部件等金屬材料等各種物品。0071雷射器是產生波長和相位一致的光的裝置，已知有YAG(基本波長=1064nm)、或紅寶石(基本波長z694nm)等固體雷射器、或氬離子雷射器(基本波長4930nm)等氣體雷射器和它們的高次諧波等，本發明可使用這些雷射器。此外，如果採用含有規定比率的亞乙氧基的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜，則切割片在擴展後的形狀復原性得到改善，環狀框架的回收能夠順利地進行。產業上的利用可能性0072本發明中，使用氨基甲酸乙酯丙烯酸酯作為構成基材樹脂，基材即使受到雷射照射，所受的損傷也較小，並且透過基材到達卡盤的光量減低。結果，在雷射切割中，能夠防止雷射損傷卡盤，防止切割片熔接於卡盤，使得利用雷射切割片進行的晶片體的製造工序能夠順利地進行。0073實施例以下通過實施例說明本發明，但本發明不受這些實施例所限。0074此外，以下實施例和比較例中使用以下所述組合物作為粘接劑。0075粘接劑組合物對84重量份的丙烯酸丁酯、10重量份的甲基丙烯酸甲酯、1重量份的丙烯酸、5重量份2-羥基乙基丙烯酸酯構成的共聚物(重均分子量700000)的甲苯30重量％溶液，混合3重量份的多元異氰酸酯化合物(日本水U々k夕^株式會社製造的-口才、一卜L)，得到粘接劑組合物。0076此外，雷射切割條件和切割結果的評價法如下所示。0077雷射切割條件(1)裝置Nd-YAG雷射器卡盤材料石英波長355nm(3次諧波)輸出5.5W重複頻率10kHz脈衝寬度35nsec照射次數2次/l線切害ij速度200mm/sec散焦量離開磁帶表面+50^im(晶片表面的焦點)曰B片材料矽晶片厚50nm晶片尺寸6英寸切割晶片尺寸5mm口雷射向晶片外掃描的距離5mm雷射切割條件(2)裝置Nd-YAG雷射器卡盤材料石英波長355nm(3次諧波)輸出8W重複頻率10kHz脈衝寬度35nsec照射次數8次/l線切割速度150mm/sec散焦量離開磁帶表面+10(Him(晶片表面的焦點)晶片材料矽晶片厚100nm晶片尺寸6英寸切割晶片尺寸5mm口雷射向晶片外掃描的距離5mm雷射切割條件(3)裝置Nd-YAG雷射器卡盤材料石英波長355nm(3次諧波)輸出5.5W重複頻率10kHz脈衝寬度35nsec照射次數8次/l線切割速度200mm/sec散焦量離開磁帶表面+100拜(晶片表面的焦點)晶片材料矽晶片厚IOO拜晶片尺寸6英寸切割晶片尺寸5mm口雷射向晶片外掃描的距離5mm0078切割深度評價雷射切割終了後，觀察切割線的斷面，測定從含有粘接劑層的切割片表面起的切割深度(觀察部位是不粘貼晶片的，被雷射直射的部分)。切割片被完全切斷者記為"切斷"。0079卡盤的損傷雷射切割終了後目測觀察卡盤表面，確認有沒有損傷。將卡盤上沒有損傷者記為"無"，有損傷者記為"有"。0080熔接在卡盤上雷射切割終了後用雷射切割裝置內部的搬運機構從卡盤取出附有雷射切割片的晶片時，在搬運上沒有問題者記為"無"熔接，雷射切割片熔接於卡盤上而導致搬運困難者記為"有"熔接。0081畸變復原率按照以下條件，進行基材的拉伸試驗，從所得的值求出畸變復原率。畸變復原率(％)=(le-lx)/(le-lo)X100lo:初期的長度le:伸長50%時的長度lx:復原後的長度0082具體來說，將實施例比較例中的基材切割為長度140mmX寬15mm(厚度為實施例中所用的厚度)，在溫度23°(:溼度65%的環境下，以lOOmm(lo)的測定間隔夾持基材的兩端將其固定於拉伸試驗機上，以200mm/min的速度拉伸到150mm(le)的測定間隔，保持1分鐘。之後，從拉伸試驗機上取下，靜置5分鐘後測定基材的長度(lx)。0083擴展性將沒有粘貼晶片的切割片在溫度23。C溼度65y。的環境下用NEC7、〉*U—株式會社製造的晶片焊接機(diebonder)CSP-100VX以5mm的下拉量試擴展。可擴展者記為"良好"，因基材薄膜強韌而發生裝置停止或雷射切割片從環狀框架脫落者記為"不良"。0084復原性在擴展狀態下保持1分鐘，從裝置取出後，投入7(TC的烘乾機中1分鐘。降到室溫後，如圖1所示，測量環狀框架的下表面所限定的平面與切割片之間的最大距離(以下稱為"下垂量")。下垂量在5咖以下者記為"良好"，超過5咖者記為"不良"。0085實施例1準備2-羥基乙基丙烯酸酯(2HEA)、4，4'-二環己基甲烷異氰酸酯(H12MDI)和下式所示的聚酯多元醇(Polyol:分子量826)，摩爾比2HEA:H12MDI:Polyol=2:4:3。一開始使H12MDI與聚酯多元醇反應，在所得的反應產物上加成2HEA，獲得氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體。(化1)0086接著，將50重量份氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體、50重量份能量射線固化性單體(丙烯酸異冰片酯)、以及3重量份光引發劑(f"^《〉^A亍亍'7夕株式會社製造的SP-PET3801)上，形成樹脂組合物層。剛塗布後，在樹脂組合物層上層疊進行了相同的矽酮剝離處理的PET膜，之後通過用高壓汞燈在照度250mW/cm2、光量600mJ/cm2的條件下進行能量射線(紫外線)照射，使樹脂組合物層交聯固化，得到厚10(Him的基材膜。0088將兩面上層疊的剝離膜在轉印後述粘接劑層之前剝離。0089此外，將粘接劑組合物(1)在進行了矽酮剝離處理的PET膜('J>f'7夕株式會社製造的SP-PET3801)上塗布烘乾，使烘乾的膜厚為10^un(10(rC，l分鐘)。0090將上述粘接劑層轉印到剝離了剝離膜的基材膜上，獲得雷射切割片。0091剝離粘接劑層上的PET膜('J>亍？夕株式會社製造的SP-PET3801)，粘貼50拜厚的矽晶片，在"雷射切割條件(1)的條件下進行雷射切割。結果示於表l.0092實施例2準備2-羥基乙基丙烯酸酯(2HEA)、異佛爾酮二異氰酸酯(IPDI)和聚四亞甲基二醇(PTMG:重均分子量2000)，摩爾比2服A:IPDI:PTMG3:5:4。一開始使IPDI與PTMG反應，在所得的反應產物中加上2HEA，獲得氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體。0093接著，將50重量份氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚體、50重量份能量射線固化性單體(丙烯酸異冰片酯)、0.5重量份光引發劑(f""'.義《〉\a，^■少$力A又'株式會社製造的夕'口*-71173)混合，得到塗膜形成用塗布液。0094以後，用所得的塗布液與實施例l一樣地製造基材膜，且同樣地設置粘接劑層，獲得雷射切割片。結果示於表l。0095實施例3準備2-羥基乙基丙烯酸酯(2HEA)、異佛爾酮二異氰酸酯(IPDI)和聚丙二醇(PPG:重均分子量2000)，摩爾比2HEA:IPDI:PPG=2:5:4。一開始使IPDI與PPG反應，在所得的反應產物中添加2HEA，獲得氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體。0096接著，將50重量份氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚體、50重量份能量射線固化性單體(丙烯酸異冰片酯)、0.5重量份光引發劑(f"/"》《〉\Af4■少S力A《株式會社製造的夕'a々-71173)混合，得到塗膜形成用的塗布液。0097以後，用所得的塗布液與實施例1一樣地製造基材膜，且同樣設置粘接劑層，獲得雷射切割片。結果示於表l。0098實施例4在"雷射切割條件(2)"的條件下進行雷射切割，除此以外進行與實施例3相同的操作。其結果示於表l。0099實施例5準備2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯(MOI))))))和聚丙二醇(PPG:重均分子量2000)，摩爾比M0I:PPG二2:1。在PPG中添加MOI，獲得氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體。0100接著，將50重量份氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚體、50重量份能量射線固化性單體(丙烯酸異冰片酯)、0.5重量份光引發劑(千"'.》《)^A亍^■少S力A義'株式會社製造的夕'口*-71173)混合，得到塗膜形成用的塗布液。0101以下，用所得的塗布液與實施例l一樣地製造基材膜，且同樣設置粘接劑層，獲得雷射切割片。結果示於表l。0102比較例1除了使用厚100拜的聚氯乙烯膜(含有24重量％鄰苯二甲酸二辛酯作為增塑劑)作為基材膜以外，進行和實施例1同樣的操作。結果示於表l.0103比較例2除了使用厚100^11!1的乙烯-甲基丙烯酸共聚物膜(甲基丙烯酸共聚比率9重量％)作為基材膜以外，進行和實施例1同樣的操作。結果示於表l.0104比較例3除了在"雷射切割條件(2)"的條件下進行雷射切割以外，進行和比較例2同樣的操作。結果示於表l。表1tableseeoriginaldocumentpage200105實施例廣5的雷射切割片沒有被切斷，也未見卡盤的損傷和與卡盤熔接的情況。比較例1和3的雷射切割片被切斷，發生卡盤受損傷和熔接於卡盤上的情況。比較例2的雷射切割片雖然沒有被切斷，但因透過切割片的雷射的作用，發生卡盤受損傷和熔接於卡盤上的情況。實施例6準備2-羥基乙基丙烯酸酯(2HEA)、異佛爾酮二異氰酸酯(IPDI)和聚乙二醇(PEG:重均分子量2000)，摩爾比2HEA:IPDI:PEG=2:7:6。一開始使IPDI和PEG反應，在所得的反應產物中添加2HEA，獲得氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體。0106接著，將50重量份氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚體、50重量份能量射線固化性單體(丙烯酸異冰片酯)、0.5重量份光引發劑(f*《A■少S力A義'株式會社製造的義口*-7n73)混合，得到塗膜形成用的塗布液。0107藉助於噴射模方式，將上述塗布液以10(Him的厚度塗布到進行了矽酮剝離處理的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜('J>亍'7夕株式會社製造的SP-PET3801)上，形成樹脂組合物層。剛塗布後，在樹脂組合物層上層疊進行了相同的矽酮剝離處理的PET膜，之後通過用高壓汞燈在照度250mW/cm2、光量600mJ/cm2的條件下進行能量射線(紫外線)照射，使樹脂組合物層交聯固化，得到厚lOOpm的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜。所得的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜中的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體的構成比率、氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體中亞垸氧基(亞乙氧基)的構成比率、聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜中亞垸氧基(亞乙氧基)的構成比率和畸變復原率示於表2。0108將兩面上層疊的剝離膜在轉印後述粘接劑層之前剝離。0109此外，將前述粘接劑組合物在進行了矽酮剝離處理的PET膜(">，'7夕株式會社製造的SP-PET3801)上塗布烘乾，使烘乾的膜厚為lO)am(IOO"C，1分鐘)，在PET膜上形成粘接劑層。0110將PET膜上的粘接劑層層疊於剝離了剝離膜的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜的一個面上，獲得具有PET膜/粘接劑層/聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜的層狀結構的切割片。0111剝離粘接劑層上的PET膜(1>亍'7夕株式會社製造的SP-PET3801)，粘貼100拜厚的矽晶片，在上述"雷射切割條件(3)的條件下進行雷射切割。結果示於表3。0112實施例7準備2-羥基乙基丙烯酸酯(2HEA)、六氫二甲苯二異氰酸酯(H6XDI)和聚乙二醇(PEG:重均分子量2000)，摩爾比2HEA:朋XDI:PEG二2:5:4。一開始使H6XDI與PEG反應，在所得的反應產物中添加2HEA，獲得氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體。0113使用上述氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體，將60重量份氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚體、40重量份能量射線固化性單體(丙烯酸異冰片酯)、0.5重量份光引發劑混合，將得到的混合物作為塗膜形成用的塗布液，配製聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜，除此以外，進行和實施例6同樣的操作，製成聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜，得到用這種膜的切割片。此外，所得的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜中氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體的構成比率、氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體中亞垸氧基(亞乙氧基)的構成比率、聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜中亞烷氧基(亞乙氧基)的構成比率和畸變復原率示於表2。使用和實施例6同樣的條件，進行雷射切割。結果示於表3。0114實施例8準備2-羥基乙基丙烯酸酯(2HEA)、二環己基甲烷二異氰酸酯(H12MDI)和聚乙二醇(PEG:重均分子量4000)，摩爾比2HEA:H12MDI:PEG=2:3:2。一開始使H12MDI與PEG反應，在所得的反應產物中添加2HEA，獲得氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體。0115使用上述氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體，將40重量份氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚體、60重量份能量射線固化性單體(丙烯酸異冰片酯)、0.5重量份光引發劑混合，將得到的化合物作為塗膜形成用的塗布液，配製聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜，除此以外進行和實施例6同樣的操作，製成聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜，得到用該膜的切割片。此外，所得的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜中氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體的構成比率、氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體中亞垸氧基(亞乙氧基)的構成比率、聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜中亞垸氧基(亞乙氧基)的構成比率和畸變復原率示於表2。使用和實施例6同樣的條件進行雷射切割。結果示於表3。0116實施例9準備2-羥基乙基丙烯酸酯(2HEA)、異佛爾酮二異氰酸酯(IPDI)和聚丙二醇(PPG:重均分子量2000)，摩爾比2HEA:IPDI:PPG=2:5:4。一開始使IPDI與PPG反應，在所得的反應產物中添加2HEA，獲得氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體。0117使用上述氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體，配製聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜，除此以外，進行和實施例6同樣的操作，製成聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜，得到使用這種膜的切割片。此外，所得的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜中氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體的構成比率、氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體中亞烷氧基(亞乙氧基)的構成比率、聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜中亞烷氧基(亞乙氧基)的構成比率和畸變復原率示於表2。使用和實施例6同樣的條件進行雷射切割得到的結果示於表3。0118實施例10準備2-羥基乙基丙烯酸酯(2HEA)、六氫二甲苯二異氰酸酯(服XDI)、聚乙二醇(PEG:重均分子量2000)和聚丙二醇(PPG:重均分子量2000)，摩爾比2HEA:H6XDI:PEG:PPG=2:6:1:4。一開始使H6XDI、PEG和PPG發生反應，在所得的反應產物中添加2HEA，獲得氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體。0119使用上述氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體，配製聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜，除此以外，進行和實施例6同樣的操作，製成聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜，得到使用這種膜的切割片。此外，所得的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜中氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體的構成比率、氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體中亞浣氧基(亞乙氧基)的構成比率、聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜中亞烷氧基(亞乙氧基)的構成比率和畸變復原率示於表2。使用和實施例6同樣的條件進行雷射切割的結果示於表3。0120比較例4使用除去應力後的畸變復原率為95%的厚度80pm的聚乙烯膜代替聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜，除此以外進行和實施例6同樣的操作，得到使用這種膜的切割片。使用和實施例6同樣的條件進行雷射切割的結果示於表3。表2tableseeoriginaldocumentpage23tableseeoriginaldocumentpage24實施例6~10的切割片沒有被切斷，也未見卡盤受損傷和對切割片熔接於卡盤的情況，並且擴展性和復原性良好。但是，實施例9、10中復原性不充分。比較例4的切割片出現卡盤損傷和切割片熔接於卡盤上的情況。權利要求1.一種雷射切割片(dicingsheet)，其特徵在於，由聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯構成的基體和形成於其一面上的粘接劑層構成。2.根據權利要求l所述的雷射切割片，其特徵在於，構成基體的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯是對包含能量射線固化性氨基甲酸乙酯丙烯酸酯(urethaneacrylate)系低聚體和能量射線固化性單體的混合物照射能量射線得到的固化物。3.根據權利要求2所述的雷射切割片，其特徵在於，能量射線固化性氨基甲酸乙酯丙烯酸酯(urethaneacrylate)系低聚體是聚醚型氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體。4.根據權利要求3所述的雷射切割片，其特徵在於，聚醚型氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚體的醚結合部是亞烷氧基(alkyleneoxy基)，即-(-R-0-)n-，其中R為亞垸基，n為2200的整數。5.根據權利要求4所述的雷射切割片，其特徵在於，亞垸氧基、即-(-R-O-)n-的亞垸基R是碳數為16的亞烷基。6.根據權利要求5所述的雷射切割片，其特徵在於，亞垸氧基、即-(-R-0-)n-的亞烷基R是亞乙基、亞丙基、亞丁基、或四亞甲基。7.根據權利要求l所述的雷射切割片，其特徵在於，構成基體的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯是，每100重量％的該聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯，包含3070重量%的能量射線固化性氨基甲酸乙酯丙烯酸酯(urethaneacrylate)系低聚體單元，而且每100重量％該能量射線固化性氨基甲酸乙酯丙烯酸酯(urethaneacrylate)系低聚體含有3595重量％的作為結構單元的亞乙氧基(ethyleneoxy基)。8.根據權利要求7所述的雷射切割片，其特徵在於，所述基體拉伸50%之後的畸變復原率為80100%。9.一種晶片體的製造方法，其特徵在於，在權利要求16中的任一項所述的雷射切割片的粘接劑層上粘貼工件，利用雷射將工件切割成一片一片製作晶片。10.—種晶片體製造方法，其特徵在於，在權利要求7或8所述的雷射切割片的粘接劑層上粘貼工件，利用雷射將工件切割成一片一片製作晶片，使切割片擴展以加大晶片間隔，揀選晶片。全文摘要本發明的目的在於，防止在雷射切割中發生雷射將切割片切斷、損傷卡盤(chucktable)、以及使切割片熔接於卡盤上的情況。本發明的雷射切割片由聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯構成的基體和形成於其一面上的粘接劑層構成。文檔編號H01L21/301GK101568994SQ200780044788公開日2009年10月28日申請日期2007年11月29日優先權日2006年12月5日發明者佐藤陽輔,田矢直紀,若山洋司申請人:琳得科株式會社