埋地型銅/硫酸銅參比電極的製作方法
2023-04-26 01:45:06 1
專利名稱：埋地型銅/硫酸銅參比電極的製作方法
專利說明
一、技術領域本實用新型涉及陰極保護防腐系統中所用的一種埋地型銅/硫酸銅參比電極。
二背景技術：
參比電極是陰極保護系統中重要的組成部分之一，尤其是在外加電流陰極保護系統中，它即可用來測量被保護構築物的電位，又可作為恆電位儀自動控制的信號源。在新建儲罐陰極保護中，陰極保護系統的輔助陽極和參比電極都埋設在儲罐基礎中，如在網狀陽極陰極保護系統中。而基礎施工中肯定需要動用大型機械設備，如壓路機、振動器等，這些設備都有可能對預埋的參比電極造成損壞，因為常規的長效硫酸銅參比電極的電極體是陶瓷罐的，不抗壓。
三
發明內容
本實用新型的目的是提供一種埋地型銅/硫酸銅參比電極，解決上述已有技術中存在不抗壓易損壞的問題。
本實用新型的技術方案是通過以下方式實現的本實用新型由電極殼體、雙層半透膜、填料、硫酸銅晶體、紫銅絲和電纜線組成，其特徵在於電極殼體設為圓筒形，其上部設有鑲嵌的帽或螺紋連接的帽，其下部設有雙層半透膜座，與電極殼體粘結或螺紋連接，座的上內部設一層半透膜，座的底部設一層半透膜，兩層半透膜之間填充有能使離子緩慢均勻滲透的填料，在上層半透膜以上電極殼體內填充有硫酸銅晶體和紫銅絲，硫酸銅晶體充滿紫銅絲的孔隙，在帽的中心設有電纜線的接口。
電極殼體、電極殼帽和雙層半透膜座設置為ABS或高強度PVC材料，在兩半透膜之間夾層填充有能使離子緩慢均勻滲透的填料。
本實用新型涉及一種抗壓長壽命埋地型銅/硫酸銅參比電極，電極體外殼採用ABS或高強度PVC管，並採用雙層半透膜結構，內外兩層半透膜之間的空間填充特殊填料。有效控制了硫酸銅的滲透速度，在可以承受較大壓力的同時大大延長參比電極的使用壽命。
四
附圖為本實用新型結構示意圖圖中1—電極殼體 2—雙層半透膜 3—填料 4—硫酸銅晶體 5—紫銅絲 6—電纜線接口五具體實施方式
為進一步公開本實用新型的技術方案，下面結合通過實施例作詳細說明本實用新型由電極殼體1、雙層半透膜2、填料3、硫酸銅晶體4、紫銅絲5和電纜線接口5組成，其特徵在於電極殼體1為圓筒形，其上部設有鑲嵌粘結或螺紋連接的帽，其下設有雙層半透膜2座，與電極殼體粘結或螺紋連接，座的上內部設一層半透膜2，座的底部設一層半透膜2，兩半透膜之間夾層填充有填料3。在上層半透膜以上電極殼體內填充有硫酸銅晶體4和紫銅絲5，硫酸銅晶體充滿紫銅絲的孔隙，在帽的中心設有電纜線的接口6。
本實用新型所涉及的參比電極的電極體外殼採用ABS或高強度PVC管，內填滿分析純硫酸銅晶體，並採用雙層半透膜結構，內外兩層半透膜之間的空間填充有能使離子緩慢均勻滲透的填料。有效控制了硫酸銅的滲透速度，在可以承受較大壓力的同時大大延長參比電極的使用壽命。與現有常規陶瓷罐為電極體的長效埋地式Cu/CuSO4參比電極相比，本實用新型壽命更長，抗壓性能好，尤其當用在儲罐基礎中時，更加顯現其優勢。
權利要求1.一種埋地型銅/硫酸銅參比電極，由電極殼體、雙層半透膜、填料、硫酸銅晶體、紫銅絲和電纜線組成，其特徵在於電極殼體設為圓筒形，其上部設有鑲嵌的帽或螺紋連接的帽，其下部設有雙層半透膜座，與電極殼體粘結或螺紋連接，座的上內部設一層半透膜，座的底部設一層半透膜，兩層半透膜之間填充有能使離子緩慢均勻滲透的填料，在上層半透膜以上電極殼體內填充有硫酸銅晶體和紫銅絲，硫酸銅晶體充滿紫銅絲的孔隙，在帽的中心設有電纜線的接口。
2.根據權利要求1所述的埋地型銅/硫酸銅參比電極，其特徵在於所述電極殼體、電極殼帽和雙層半透膜座設置為ABS或高強度PVC材料，在兩半透膜之間夾層填充有能使離子緩慢均勻滲透的填料。
專利摘要一種埋地型銅/硫酸銅參比電極，由電極殼體、雙層半透膜、填料、硫酸銅晶體、紫銅絲和電纜線組成，其特徵在於電極殼體設為圓筒形，其上部設有鑲嵌的帽或螺紋連接的帽，其下部設有雙層半透膜座，與電極殼體粘結或螺紋連接，座的上內部設一層半透膜，座的底部設一層半透膜，兩層半透膜之間填充有能使離子緩慢均勻滲透的填料，在上層半透膜以上電極殼體內填充有硫酸銅晶體和紫銅絲，硫酸銅晶體充滿紫銅絲的孔隙，在帽的中心設有電纜線的接口。
文檔編號C23F13/10GK2915885SQ20062008508
公開日2007年6月27日 申請日期2006年5月30日 優先權日2006年5月30日
發明者過夢飛, 宋立閩, 黃慧明, 彭嬌嬌 申請人:過夢飛