Icp－oes及icp－ms感應電流的製作方法
2023-04-25 12:41:01 1
專利名稱：Icp－oes及icp－ms感應電流的製作方法
技術領域：
本發明涉及用於光譜分析一種等離子態材料樣品的裝置及方法。
背景技術：
常規電感耦合等離子光學發射光譜ICP-OES及電感耦合等離子原子發射光譜ICP-MS系統典型地使用可接受射頻電流的螺線管，用於限制材料樣品和等離子體在相關磁場中以用於分析。然而，由於螺線管的螺旋狀結構，這樣的裝置在螺線管內部長度上產生不均勻的磁場。這導致在等離子體作用的樣品激發中及在等離子體中的離子軌道中的不均勻的溫度分布。另外，螺線管是單個元件，它在控制相關磁場和等離子體/樣品激發上缺少靈活性。
發明內容
在一種通過光譜分析樣品的方法中，產生等離子體。通過磁偶極子產生磁場，其中該等離子體被限制在該磁場中。材料樣品原子被引入等離子體中，其中樣品的受激原子至少暫時被限制。受激樣品原子的光譜或質量內容被分析。
在光譜系統中一個磁偶極子具有相關磁場。等離子體被限制在該磁場中而材料樣品原子被引入等離子體中。光譜儀用於分析受激原子的質荷比或它們的發射光譜。
圖1示出電感耦合等離子光學發射光譜(ICP-OES)系統的示意圖。
圖2示出電感耦合等離子質譜(ICP-MS)系統的示意圖。
圖3示出ICP焰炬和等離子體的圖示。
圖4示出本發明的兩個電極和ICP焰炬及等離子體的側視圖。
圖5示出用於控制等離子體的電極的正視圖，該電極包括開口。
圖6示出用於控制等離子體的電極的正視圖，該電極包括開口。
圖7示出圖6中的電極的側視圖。
圖8示出本發明一個單個電極的三維視圖。
圖9示出圖8中的單個電極的正視圖。
圖10示出圖8中的單個電極的側視圖。
圖11示出圖8中的單個電極的俯視圖。
圖12示出由環路電流產生的磁場的三維視圖。
圖13示出示出螺線管螺旋特性的ICP焰炬的圖示。
圖14示出在正弦交變電流的交變半周期內，由一個RF電源驅動的多個環路電流的圖示。
具體實施例方式
圖1示出電感耦合等離子光學發射光譜(ICP-OES)系統100的示意圖。ICP-OES 100通常包括用於將載氣102引導到焰炬114的系統，在該焰炬處載氣102被電離而形成高溫等離子體116(5000-10000K)。等離子體116包括預熱區190、感應區192、初始輻射區194、分析區196和等離子尾198。霧化樣品104通過泵106、霧化器108和噴霧室162也被引導到等離子體116。射頻(RF)電源110經由加感線圈112向等離子體116提供RF電能。
當在等離子體116中時，受激樣品原子104在衰變到更低能態時發出光線134。通過收集光學系統118收集光線134並導向光譜儀120，在那裡該光線被光譜分解。探測器122探測該光譜分解的光線134並向微處理器122和計算機網絡124提供信號138、140以用於分析。在圖1中可以看到對等離子體116的觀察是從與等離子體116成直角的方向。然而，從圖1中會理解到對等離子體116的觀察也可以從沿著軸126的方向進行。也可以理解到，此處完成的電感耦合等離子體光譜術也可以用質譜儀(MS)180，例如在圖2中看到的在電感耦合等離子質譜(ICP-MS)系統100中的四極質量分析器完成。RF電源110通常在10-100MHz的範圍中工作，尤其是20-50MHz，例如27-40MHz。
圖3示出對圖1和圖2中的等離子體16更詳細的再現。焰炬114包括三個同心管114、150、148。最裡面的管148提供樣品的霧化流146到等離子體116中。中間的管150提供輔助氣體流144到等離子體116。最外面的管114提供用於維持等離子體的載氣流128。載氣流128以圍繞中間管150的層流被引導到等離子體116。在中間管150內輔助氣體流144被引導到等離子體116而霧化樣品流146被從噴霧室162通過最裡面的管148引導到等離子體116。在加感線圈112中的RF電流130、132在加感線圈112內形成磁場以在其中限制等離子體116。
圖4-11示出電極152、156、158的多種結構。在圖4中電極152包括兩個平行的板152a、152b，其定位為相互離開距離『L』。每個平行板152a、152b包括開口154，焰炬114設置在該開口使得焰炬114、最裡面管148、中間管150和開口154沿軸126對齊。平行板152a、152b具有厚度『t』。電極152的開口154還包括寬度『w』的槽164使得開口154與其周圍連通。
如圖4和5中可看到的，電極152通常包括正方形或矩形平面形狀，雖然它可以是如圖12中可看到的線。在圖5中可看到，供應到平面電極的RF電流包括平面電流環172a，其產生穿過開口154的螺旋管形磁場182(圖12)。在圖6和7中電極156是圓形，具有外徑D1和內開口直徑D2。圖4-7中的電極152、156是不同的元件，其由具有相反極性的RF電流172獨立供應。電極152的一部分176被供應RF功率而電極152的第二部分178連接到地174。這樣在對等離子體116電弧點火期間，如果點火電弧接觸電極152，任何在電極152中產生的不需要的電流都會被引導到地點174而不會穿過而到達RF電源110。為有最優性能，可以獨立控制和改變供給每個電極152的RF功率和頻率。例如，為了使等離子發射和激發最優化，可以用不同的頻率驅動每個電極152。另外，一個電極可以在連續功率模式下工作而另一個電極可被調製(例如，脈衝的或選通的)。此外，由於電極152相互不連接，可以調節在電極152之間的距離『L』；從而調節在等離子體116內的能量分布。此外，為了調節在RF電源110和等離子體116之間的耦合特性，可以獨立地調節開口154的直徑D2。在圖8-11中，示出作為單個元件的電極158，其具有連接到公共的電學地170的兩個電極166、168。
在圖14中示出從單個RF電流源110產生的多個環路電流184a、184b。環路電流184a、184b以這樣的方式關於彼此定向，即在正弦交變電流的交變半周期內，在第一環路電流184a中的交變電流172a沿一方向流動，該方向與在第二環路電流184b中的交變電流172b的方向相反。這允許多個環路電流184a、184b被從一個單個電源110驅動，使得產生具有相同空間取向的磁場182a、182b。
參考特定實施例，上面已經詳細地描述了本發明，對本領域技術人員可明顯得出落入本發明精神和權利要求範圍的多種改變和變化。因此，本發明意在僅被所附權利要求和它們的等價物所限制。
這樣，基於上述描述，公開了一種用於光譜分析樣品的方法和裝置。該方法包括產生等離子體；通過磁偶極子產生磁場，其中該等離子體被限制在該磁場中；將樣品原子引導到限制受激樣品原子在其中的等離子體中；及分析受激樣品原子的光譜或質量內容。
此外，一種光譜系統包括具有相關磁場的磁偶極子；被限制在該磁場內的等離子體；引入到該等離子體內的受激原子樣品；及用於分析受激樣品原子的光譜或質量內容的光譜儀。
權利要求
1.一種光譜分析材料樣品的方法，該方法包括產生等離子體；產生環路電流以便產生磁場，其中該等離子體被限制在該磁場內；將材料樣品原子引入到在其中限制受激樣品原子的該等離子體中；及分析受激樣品原子的特有特徵。
2.如權利要求1所述的方法，其中產生環路電流包括產生正弦交變電流。
3.如權利要求2所述的方法，其中產生正弦交變電流包括產生射頻電流。
4.如權利要求1所述的方法，其中分析受激樣品原子的特有特徵包括分析受激樣品原子的光譜組成或質荷比。
5.如權利要求1所述的方法，還包括將環路電流電學接地。
6.如權利要求2所述的方法，其中產生環路電流包括產生平面環路電流。
7.如權利要求6所述的方法，其中該環路限定一個開口。
8.如權利要求6所述的方法，其中產生環路電流包括產生多個環路電流。
9.如權利要求8所述的方法，其中產生多個環路電流包括產生以指定距離分開的多個平行或反向平行的環路電流。
10.如權利要求9所述的方法，其中在正弦交變電流的交變半周期內，在第一環路電流中的交變電流在與第二環路電流中的交變電流的方向相反的方向上流動。
11.如權利要求7所述的方法，還包括調節開口的面積。
12.如權利要求9所述的方法，還包括調節該指定距離。
13.一種光譜系統包括；具有相關磁場的環路電流；被限制在該磁場內的等離子體；在等離子體內的包含受激原子的材料樣品；用於分析受激原子的特有特徵的光譜儀。
14.如權利要求13所述的光譜系統，還包括用於產生環路電流的電源發生器。
15.如權利要求14所述的光譜系統，其中該環路電流是正弦交變電流。
16.如權利要求15所述的光譜系統，其中該正弦交變電流是射頻電流。
17.如權利要求13所述的光譜系統，其中該環路電流是平面電流。
18.如權利要求13所述的光譜系統，其中該環路電流限定一個開口。
19.如權利要求13所述的光譜系統，其中該環路電流包括一個板。
20.如權利要求13所述的光譜系統，其中該環路電流包括多個板。
21.如權利要求17所述的光譜系統，其中該多個板是平行的。
全文摘要
在光譜分析樣品(104)的方法中，產生等離子體(116)。一個磁偶極子產生磁場，其中該等離子體被限制在該磁場內。樣品原子被引入到限制樣品的受激原子在其中的等離子體中。分析受激樣品原子的光譜組成或質荷比。在光譜系統中磁偶極子具有相關磁場。等離子體被限制在該磁場內，且包含激發原子的樣品被引入到等離子體中。光譜儀(120)分析受激原子的質荷比或它們的光譜組成。
文檔編號G01N21/73GK1745295SQ200380109525
公開日2006年3月8日 申請日期2003年12月11日 優先權日2002年12月12日
發明者彼得·J·莫裡斯羅, 託馬斯·邁爾斯 申請人:珀金埃爾默Las公司