光導成像構件的製作方法

2023-07-06 01:22:26 3

專利名稱：光導成像構件的製作方法
技術領域：
本發明一般涉及成像構件，更具體地說，本發明涉及帶有空穴阻擋層的多層光導成像構件，該空穴阻擋層包含，例如，合適的空穴阻擋層或，例如，電子傳輸組分的底襯層，後者是用諸如9-二氰亞甲基芴-4-羧酸正丁酯(BCFM)，2-乙基己基-9-二氰亞甲基芴-4-羧酸酯(2EHCFM)，9-二氰亞甲基芴-4-羧酸(CFM)這類電子傳輸組分，經化學接枝在例如，諸如氧化鈦如TiO2、氧化錫、氧化鋅、硫化鋅、氧化鋯和類似的金屬氧化物或硫化物等的顆粒上，並且其中電子傳輸組分對顆粒物的重量比率可以在約1/1000至約30/100之間變化。這種阻擋層能夠，例如，開創另外的電子傳輸途徑，從而允許組件具有優良的電子傳輸能力和低的殘餘電壓，Vr；具有較厚的空穴阻擋層或底襯層，這種較厚的層允許組件對於電荷欠缺斑點或不符合需要的粘合板具有優良的耐受力，並且增加了塗層的穩健性；具有可接受的循環性質和環境穩定性；並且其中支承底物的表面磨光可被略去，從而允許，例如，產生經濟的成像構件。這種空穴阻擋層優選與支承底物接觸，並優選處於支承底物和光生層之間，後者包含光生顏料，諸如那些說明於美國專利5,482,811中的，其公開內容全部在此引入作為參考，特別是V型羥基鎵酞菁。
本發明的成像構件在實施方案中，呈現出優良的循環/環境穩定性，並且在延伸存放期間對它們的性能基本上沒有造成負面的變化，因為這種成像構件可包含機械上穩健、對溶劑濃稠的耐受性空穴阻擋層，它使得隨後在它上面塗布的光生層沒有結構上的損害，並且該阻擋層可通過各種塗布技術容易地塗布在支承底物上，例如，浸塗或窄縫擠壓塗布。後一種敘述的是感光性或光導性成像構件在光生層位於空穴傳輸層和沉積在底板上的空穴阻擋層之間時，可被充以負電荷。
成像工藝、特別是靜電複印成像和印刷，包括數位化的工藝，也被包括在本發明中。更具體地說，本發明的分層光導成像構件可被選用於一些不同的已知成像和印刷工藝中，包括，例如，電子照相成像工藝，特別是靜電複印成像和印刷工藝，其中帶電荷的潛像用具有適當電荷極性的有機調色劑組合物使之成為可見的圖像。如這裡所指出的，這種成像構件在實施方案中、在約500至約900納米波長區域內、特別是在約650至約850納米波長區域內對光是敏感的，從而使二極體雷射可被選作光源。還有，本發明的成像構件可用於彩色靜電複印方面的應用中，特別是高速彩色複印和印刷工藝中。
美國專利4,921,769，其公開內容全部在此引入作為參考，說明了包括由某些聚氨基甲酸酯類組成的阻擋層的光導成像構件。
本發明的一個特色是提供具有這裡已說明的許多優點的成像構件，諸如厚的空穴阻擋層，它可防止或減少暗注入，並且其中得到的光導構件具有，例如，優良的光誘導放電特性，循環和環境的穩定性以及可接受的由於載荷子的暗注入而導致的電荷欠缺斑點水平。
本發明還有另一個特色是提供對可見光敏感的分層光敏性成像構件，並且該構件具有改進的塗布特性，其中電荷傳輸分子不會擴散、或只有很少經擴散而進入光生層。
這裡公開的一些方面涉及光導成像構件，它包括支承底物，在其上的空穴阻擋層，光生層，電荷傳輸層；並且其中空穴阻擋層包含在表面上化學連接著電子傳輸組分的顆粒；一種光導成像構件，它包括支承部件，在它上面的空穴阻擋層，光生層，和電荷傳輸層，並且其中空穴阻擋層包含一種分散在聚合物粘合劑中的組分，並且其中這種組分是化學連接在電子傳輸組分的表面上；一種光電導體，它包括空穴阻擋層，光生層，電荷傳輸層，並且其中空穴阻擋層包括一種電子傳輸組分。它被連接到金屬氧化物上；一種光導成像構件，它包括支承底物，在其上的空穴阻擋層，光生層和電荷傳輸層，並且其中的空穴阻擋層包括，例如，一種粘合劑如一種酚類樹脂，和一種金屬氧化物諸如氧化鈦，後者是化學連接在電子傳輸組分的表面上，電子傳輸組分有，例如，9-二氰亞甲基芴-4-羧酸正丁酯(BCFM)，N，N』-二取代-1，4，5，8-萘四羧酸雙二醯亞胺，N，N』-二取代-1，7，8，13-苝四羧酸雙二醯亞胺等；一種光導成像構件，它包括底物，在它上面的空穴阻擋層，光生層，電荷傳輸層，並且其中的空穴阻擋層包括，例如，氧化鈦如TiO2、氧化矽如SiO2的顆粒分散物和一種合適的樹脂，並且在顆粒上化學連接或接枝了一種電子傳輸組分；一種成像構件，其中顆粒上被接枝的電子傳輸組分的數量為約0.1至約30重量％；一種構件，其中的顆粒是，例如，二氧化鈦，並且聚合物或樹脂粘合劑，諸如酚類樹脂，其存在的量為空穴阻擋層的約20至約80重量％；一種光導裝置，它包含用電子傳輸組分如BCFM、N，N』-二取代-1，4，5，8-萘四羧酸雙二醯亞胺、或N，N』-二取代-1，7，8，13苝四羧酸雙二醯亞胺接枝的顆粒；一種光導成像構件，其中的空穴傳輸層包含3-氨基丙基三甲氧基甲矽烷，3-氨丙基三乙氧基甲矽烷，或它們的混合物；一種光導成像構件，其中的空穴阻擋層的厚度為約1至約30微米，或厚度為約3至約15微米，或約3至約8微米；一種光導成像構件，它按順序包括支承的底物，空穴阻擋層，粘附層，光生層和電荷傳輸層；一種光導成像構件，其中的粘附層包含，例如Mw為大約70,000、Mn為大約35,000的聚酯；一種光導成像構件，其中的支承底物包括導電性金屬底物；一種光導成像構件，其中的導電性底物是鋁、鍍鋁的聚對苯二甲酸乙二酯或鍍鈦的聚乙烯；一種光導成像構件，其中的光生層厚度為約0.05至約12微米；一種光導成像構件，其中的電荷-諸如空穴傳輸層厚度為約10至約55微米；一種光導成像構件，其中的光生層包含光生顏料，所選擇的量為按分散在樹脂粘合劑中的重量計約10％至約95％；一種光導成像構件，其中的光生樹脂粘合劑是選自聚酯類，聚乙烯基醇縮丁醛類，聚碳酸酯類，聚苯乙烯-b-聚乙烯基吡啶和聚乙烯基醇縮甲醛類；一種光導成像構件，其中的電荷傳輸層包含芳基胺分子以及別的已知的電荷、特別是空穴傳輸；一種光導成像構件，其中的電荷傳輸芳基胺類具有下式 其中X是烷基、烷氧基、滷化物，並且其中這種芳基胺是分散在樹脂粘合劑中；一種光導成像構件，其中芳基胺中的烷基是甲基，滷素是氯化物，並且其中的樹脂粘合劑是選自聚碳酸酯和聚苯乙烯；一種光導成像構件，其中的芳基胺是N，N』-二苯基-N，N-雙(3-甲基苯基)-1，1』-聯苯-4，4』-二胺；一種光導成像構件，其中的光生層包含金屬酞菁類，不含金屬的酞菁類，苝類，羥基鎵酞菁類，氯代鎵酞菁類，鈦氧基酞菁類，釩氧基酞菁類，硒，硒合金，三角硒等；一種光導成像構件，其中的光生層含有鈦氧基酞菁類，苝類，或羥基鎵酞菁類；一種光導成像構件，其中的光生層含有V型羥基鎵酞菁；以及一種成像方法，它包括在這裡說明的成像構件上產生靜電潛像，將潛像顯色，並把已顯色的靜電圖像轉移到一種合適的底物上。
用於本發明成像構件的空穴阻擋層，包含化學連接到電子輸送組分表面的顆粒，其中這種電子輸送組分是選自，例如，具有下式的BCFM，即9-二氰亞甲基芴-2-羧酸正丁酯；具有下式的BTNF，即4，5，7-三硝基-9-芴酮-4-羧酸正丁酯；N-戊基-N』-丙基羧基-1，4，5，8-萘四羧酸雙二醯亞胺(PPCNTDI)，後者可用下式代表 N-(1-甲基)己基-N』-丙基羧基-1，7，8，13-苝四羧酸雙二醯亞胺(1-MHPCPTDI)，後者可用下式代表 以及選自可用下式代表的羧苄基萘醌(CBNQ)的醌類
在實施方案中，這種電子傳輸組分可被化學連接到金屬氧化物、諸如TiO2上，同時形成酯鍵。下面的電子傳輸組件，它一般具有功能性的羧酸基或羧酸酯基，可被選擇用於隨後的化學連接下式所代表的羧基芴酮丙二腈衍生物 其中每個R獨立地選自氫、含1至約40個碳原子的烷基(例如打算遍及有關的碳原子數目)、含有1至約40個碳原子的烷氧基、苯基、取代的苯基、較高級的芳香基諸如萘和蒽基、含有約6至約40個碳原子的烷基苯基、含有約6至約40個碳原子的烷氧基苯基、含有約6至約30個碳原子的芳基、含有約6至約30個碳原子的取代的芳基和滷素；或可被下式代表的硝化芴酮衍生物 其中每個R獨立地選自氫、烷基、烷氧基、芳基諸如苯基、取代的苯基、較高級的芳香基諸如萘或蒽基、烷基苯基、烷氧基苯基、炭黑、取代的芳基和滷素，並且其中至少有兩個R基是硝基；一種可用下面的通式/結構式表示的N，N』-二取代-1，4，5，8-萘四羧酸雙二醯亞胺 其中R1是例如取代或未取代的烷基、帶支鏈的烷基、環烷基、烷氧基或芳基，諸如苯基、萘基、多環芳基如蒽基；其中R1和R2是等價的基團；R2是烷基羧酸或它的酯衍生物，帶支鏈的烷基羧酸或它的酯衍生物，環烷基羧酸或它的酯衍生物，芳基羧酸或它的酯衍生物，諸如苯基羧酸或它的酯衍生物、萘基羧酸或它的酯衍生物、或多環芳香基羧酸或它的酯衍生物，如蒽羧酸或它的酯衍生物；R1和R2可獨立地具有1至約50個碳原子，並且更具體地，具有1至大約12個碳原子。R3、R4、R5和R6可獨立地是，例如，烷基、帶支鏈的烷基、環烷基、烷氧基或芳基，諸如苯基、萘基、多環芳基、諸如蒽基，或滷素等；可用下式代表的羧苄基萘醌電子傳輸體 其中每個R獨立地選自氫、含有1至約40個碳原子的烷基、含有1至約40個碳原子的烷氧基、苯基、取代的苯基、較高級的芳基諸如萘基和蒽基、含有約6至約40個碳原子的烷基苯基、含有約6至約40個碳原子的烷氧基苯基、含有約6至約30個碳原子的芳基、含有約6至約30個碳原子的取代芳基，以及滷素；由這些組成的混合物構成的電子傳輸組分，其中這種混合物中可包含1至大約99重量％的一種電子傳輸組分以及約99至約1重量％的第二種或多種電子傳輸組分，並且該電子傳輸組分可被接枝到顆粒物諸如TiO2上，其中電子傳輸組分的總量為大約100％。在其上被接枝的、直徑大小為約20納米至約10微米，優選約50納米至約1微米的顆粒實例有這裡說明的金屬氧化物，諸如氧化鈦，供選擇地可用碳、氮摻雜，並且其中化學連接到BCFM表面上的二氧化鈦可用下式來表示 這種金屬氧化物可以化學連接在電子傳輸組分的表面；並且其中的酯鍵可直接通過存在於金屬氧化物表面的羥基和電子傳輸組分諸如CFM、PPCNTDI、1-MHPCPTDI中的羧基之間的酯化反應在加熱活化的條件下形成。當電子傳輸組分具有功能性羧酸酯基，諸如BCFM、BTNF、CBNQ時，金屬氧化物的表面通常用一種鹼性催化劑諸如叔丁氧鋰來活化，然後酯化反應在已活化的金屬氧化物，諸如，例如，MxOy-Li+，其中M是一個金屬原子、和電子傳輸組分之間完成。一般，活化反應涉及在室溫把鹼性催化劑和金屬氧化物進行混合。不過，電子傳輸組分和金屬氧化物之間的連接並不限於一種酯鍵，在它們之間還可以插入其它間隔基諸如，例如，氨基矽烷諸如3-氨丙基三甲氧基甲矽烷。一般，間隔基的氨基可以和電子傳輸組分的羧酸酯基反應並形成醯胺鍵，同時間隔基的矽烷部份可以化學連接到金屬氧化物上並形成了Si-O-M(M是金屬原子)連接。
在實施方案中空穴阻擋層可以通過一些已知的方法來製備，工藝參數是依賴於，例如，所需的構件。這種空穴阻擋層可作為溶液或分散物被塗布到選定的底物上，可使用噴霧塗布器、浸塗器、擠塗器、輥塗器、繞線棒控塗器、窄縫擠壓塗布器、刮塗器、照相凹板塗布器等，並在靜態條件下或空氣流中、在大約40℃至大約200℃乾燥適當的時間，諸如約10分鐘至約10小時。塗布可以完成以提供在乾燥以後約1至約30微米、優選約3至約15微米的塗層厚度。
選擇用於本發明成像構件的底物層的說明性實例，可以是不透明的或基本上透明的，並可以包含任何合適的具有必要機械性質的材料。這樣，這種底物可包含一層絕緣材料，後者包括無機或有機聚合物材料，諸如市售的高聚物MYLAR_，MYLAR_中含有鈦，一層具有半導體表面層的有機或無機材料，諸如氧化銦錫或在其上安排鋁，或電導性材料包括鋁、鉻、鎳、黃銅等。這種底物可以是有柔韌性的、無縫的、或剛性的，並可具有多種構型，諸如例如，平板、圓柱形筒、渦管、環形柔韌性帶等。在一個實施方案中，底物是環形條韌性帶的形狀。在某些情況下，可能希望塗布在底物的背面上，特別是當底物是柔韌性有機聚合物材料，一種防蜷縮層，諸如例如以商品名稱MAKROLON_市售的聚碳酸酯材料時。還有，這種底物可能在它上面有一層底襯層，包括已知的底襯層，諸如合適的酚類樹脂、酚類化合物、酚類樹脂和酚類化合物的混合物、氧化鈦、氧化矽混合物和像TiO2/SiO2，和共同未決的專利申請U.S.Serial No.10/144,147中描述的組分，該專利申請是2002年5月10日提交的。
底物層的厚度依賴於許多因素，包括經濟考慮，這樣，這一層可以有很大的厚度，例如超過3,000微米，也可以具有很小的厚度前提是對於構件不會造成明顯的負面的影響。在一些實施方案中，這一層的厚度為大約75微米至大約300微米。
光生層，它可以包含這裡已指出的組分，諸如羥基氯代鎵酞菁，在一些實施方案中含有，例如，大約50重量％的羥基鎵或其它合適的光生顏料，以及大約50重量％的樹脂粘合劑如聚苯乙烯/聚乙烯基吡啶。這種光生層可包含已知的光生顏料諸如金屬酞菁類、不含金屬的酞菁類、羥基鎵酞菁類、苝類，具體地是雙(苯並咪唑)苝、鈦氧基酞菁類等，更具體地說，有釩氧基酞菁類、V型氯代羥基鎵酞菁類以及無機組分諸如硒，特別是三角硒。光生顏料可被分散於類似選用於電荷傳輸層的樹脂粘合劑的樹脂粘合劑中，或者供選擇地也可不用樹脂粘合劑。一般，光生層的厚度依賴於一些因素，包括其它層的厚度以及包含在光生層中的光生劑材料的數量。按此，這一層的厚度可以是，例如，約0.05微米至約15微米，並且更具體地說，當，例如，光生劑組合物存在的量為按體積計約30至約75％時，光生層厚度為約0.25微米至約2微米。這一層的最大厚度在一些實施方案中主要依賴於諸如光敏性、電學性質和機械性能方面的考慮等因素。光生層粘合樹脂可以各種合適的數量存在，例如由約1至約50重量％，更具體地說，由約1至約10重量％，它們可選自一些已知的聚合物，諸如聚(乙烯醇縮丁醛)、聚(乙烯基咔唑)、聚酯類、聚碳酸酯類、聚(氯乙烯)、聚丙烯酸酯類、聚甲基丙烯酸酯類、氯乙烯和醋酸乙烯基酯的共聚物、苯氧樹脂類、聚氨基甲酸酯類、聚(乙烯基醇)、聚丙烯腈、聚苯乙烯等。希望能選擇一種塗布溶劑，它基本上不會拉動或負面地影響本裝置此前已塗布的各層。可被選擇用於光生劑層塗布溶劑的一些溶劑的實例有酮類、醇類、芳香烴類、滷代脂肪烴類、醚類、胺類、醯胺類、酯類等。具體實例有環己酮、丙酮、丁酮、甲醇、乙醇、丁醇、戊醇、甲苯、二甲苯、氯苯、四氯化碳、氯仿、二氯甲烷、三氯乙烯、四氫呋喃、二噁烷、二乙醚、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、醋酸丁酯、醋酸乙酯、醋酸甲氧基乙酯等。
在本發明的一些實施方案中，光生層的塗布可用噴霧、浸塗或繞線棒控塗等方法來實施，使光生層最終乾燥後的厚度為例如，約0.01至約30微米，更具體地，是在例如約40℃至約150℃乾燥約15至約90分鐘以後，厚度為約0.1至約15微米。
可被選擇用於光生層的聚合物粘合劑材料的說明性實例有這裡指出的那些，包括公開於美國專利3,121,006中的那些聚合物。一般，用於光生層中的聚合物粘合劑的有效數量為按光生層重量計算的約0至約95％範圍內，優選約25至約60％。
作為供選擇的粘附層通常是和空穴阻擋層接觸的，它們可選自各種已知的物質，包括聚酯、聚醯胺、聚(乙烯醇縮丁醛)、聚(乙烯醇)、聚氨基甲酸酯和聚丙烯腈。這一層的厚度為，例如，約0.001微米至約3微米，更具體化為大約1微米。供選擇地，這一層可以包含有效合適數量、例如約1至約10重量％的導電性和非導電性的顆粒，諸如氧化鋅、二氧化鈦、氮化矽、碳黑等，以提供，例如，在本發明的某些實施方案中進一步所需的電學和光學性質。
各種合適的已知的電荷傳輸化合物、分子等均可選擇用於電荷傳輸層，諸如具有下式的芳基胺類 並且其中該層厚度為，例如約5微米至約75微米，或者約10微米至約40微米，分散在聚合物粘合劑中；其中X是一個烷基或滷素，或它們的混合物，具體是那些選自Cl和CH3的取代基。
具體芳基胺類的實例有N，N』-二苯基-N，N』-雙(烷基苯基)-1，1』-聯苯-4，4』二胺，其中的烷基是選自甲基、乙基、丙基、丁基、己基第i和N，N』-二苯基-N，N』-雙(滷代苯基)-1，1』-聯苯-4，4』-二胺，其中的滷取代基優選為氯取代基。也可選用其它已知的電荷傳輸層分子、參考，例如，美國專利4,921,773和4,464,450，其公開內容全部在此引入作為參考。
選作傳輸層的粘合劑材料的實例包括那些被描述於美國專利3,121,006中的組分。聚合物粘合劑材料的具體實例包括聚碳酸酯類、丙烯酸酯聚合物、乙烯基聚合物、纖維素聚合物、聚酯類、聚矽氧烷類、聚醯胺類、聚氨基甲酸酯類和環氧化物，以及它們的嵌段、無規或交替共聚物。一種具體的電非活性粘合劑是分子量為約20,000至約100,000的聚碳酸酯樹脂，特別優選分子量為約50,000至約100,000的。一般，這種傳輸層包含按重量計算約10至約75％的電荷傳輸材料以及優選約35％至約50％的粘合劑材料。
像這裡所說明的，阻擋層也可包含合適的粘合劑，更具體地說，是酚類樹脂諸如甲醛和苯酚、對位叔丁基苯酚、甲苯酚等形成的聚合物，諸如VARCUMTM29159和29101(Oxy Chem公司)、以及DURITETM97(Borden化學品公司)，甲醛和氨、甲苯酚和苯酚的聚合物諸如VARCUMTM29112(Oxy Chem公司)、甲醛與4，4』-(1-甲基亞乙基)雙酚的聚合物諸如VARCUMTM29108和29116(Oxy Chem公司)，甲醛與甲苯酚和苯酚的聚合物諸如VARCUMTM29457(Oxy Chem公司)，DURITETMSD-423A，SD-422A(Borden公學品公司)，或甲醛與苯酚和對位叔丁基苯酚的聚合物，諸如DURITETMESD 556C(Borden化學品公司)。在一些實施方案中，化學連接到電子傳輸組分表面上的顆粒對聚合物粘合劑的重量比率可以在，例如，約20/80至約80/20範圍內變化，優選在約40/60至約70/30範圍內變化；或者其中，例如，電子傳輸組分對金屬氧化物的重量比率由大約1/1000至大約30/100、優選約1/100至約10/100範圍內變化。
也包括在本發明範圍以內的是用這裡說明的易感光裝置進行成像和印刷的方法。這些方法一般地涉及在成像構件上形成靜電潛像，接著用由熱塑性樹脂、色料諸如顏料、電荷添加劑和表面活性劑所組成的有機調色劑組合物將圖像顯色，參照美國專利4,560,635；4,298,697和4,338,390，這些專利的公開內容全部在此引入作為參考，隨後把圖像轉移到合適的底物上並在那裡使圖像永久性地粘上。在這種裝置被用於印刷模式的那些環境中，成像方法涉及同樣的步驟，除了曝光一步可以用雷射裝置或成像柵來實施。
實施例化學連接在電子傳輸組件表面上BTM接枝的金屬氧化物的製備(1)BCFM-接枝的TiO2在氬氣流保護下用注射器將10毫升叔丁氧鋰(1M在己烷中)注射到1,000毫升圓底燒瓶中。然後把100克乾燥的(在120℃乾燥三天)二氧化鈦(STN-60，Sakai)和500毫升己烷一起加入圓底燒瓶中。懸浮物在室溫約22℃至約25℃劇烈攪拌三天並迅速過濾。得到的白色粉末在減壓(350毫米汞柱)條件下40℃乾燥2小時。獲得的活化二氧化鈦與3.28克9-二氰亞甲基芴-4-羧酸正丁酯(BCFM)以及300毫升二氯甲烷一起重新加入圓底燒瓶中。在氬氣流保護下，把混合物在室溫攪拌24小時。然後過濾混合物，並用3×100毫升二氯甲烷和3×150毫升甲醇洗滌。此後，得到的稍帶黃色的粉末與1,000毫升水混合，劇烈攪拌1小時，並過濾。最後，在減壓(350毫米汞柱)條件下於80℃乾燥24小時。得到的BCFM-接枝的TiO2產物帶黃色。BCFM已連結到TiO2上可通過FTIR(博利葉變換紅外光譜)證實，BCFM/TiO2的重量比率可用元素分析測定為約3/100。
(2)1-MHPCPTDI-接枝的ZnO把100克氧化鋅(SMZ-017N，Tayca)和1克N-(1-甲基)己基，N』-丙基羧基-1，7，8，13-苝四羧酸雙二醯亞胺(1-MHPCPTDI)加到500克四氫呋喃(THF)並用超聲波處理30分鐘。然後把獲得的分散物在50℃攪拌加熱12小時。此後，蒸發掉THF，把固體在80℃乾燥12小時。得到的1-MHPCPTDI-接枝的ZnO為暗紅色顏料。1-MHPCPTDI已接枝在ZnO上可通過FTIR證實，1-MHPCPTDI/ZnO的重量比率可通過元素分析來測定，約為1/100。
為用於光導性構件，要使用兩種TiO2納米顆粒，分別是未處理的TiO2(STR-60N，Sakai)和BCFM-接枝的TiO2(如上所述)。混合30克TiO2、40克VARCUMTM29159(在比例為50/50的丁醇/二甲苯中的50％固體，Oxy Chem生產)和30克比例為50/50的丁醇/二甲苯；然後加入300克洗淨的ZrO2珠粒(0.4至0.6毫米粒徑)，分散物以55rpm轉速軋制7天。分散物的顆粒大小用Horiba顆粒分析計測定。結果測得BCFM-接枝的TiO2/VARCUMTM分散物的粒徑為0.07±0.06微米，表面積為24.9米2/克，而未處理的TiO2/VARCUMTM分散物的粒徑為0.06±0.13微米，表面積為26.1米2/克。
用已知的Tsukiage塗布工藝，用上述兩種分散物、即未處理的TiO2/VARCUMTM和BCFM-接枝的TiO2/VARCUM空穴阻擋層塗布兩個30毫米的鋁轉筒底物。在145℃乾燥45分鐘以後，通過控制提拉速率來改變阻擋層或襯底層(UCL)的厚度。對於未處理的TiO2/VARCUMTMUCL，厚度可從3.9、6.1變化到9.4微米；對於BCFM接枝的TiO2/VARCUMUCL，厚度可從3.9、6變化到9.6微米。隨後在每層由氯代鎵酞菁(0.60克)和聚氯乙烯-醋酸乙烯基酯-馬來酸三元共聚物(0.40克)的粘合劑在20克1∶2醋酸正丁酯/二甲苯溶劑混合物中形成的分散物製成的空穴阻擋層的頂部塗布0.2微米光生層。然後，在光生層頂部塗布22微米的電荷傳輸層(CTL)，後者是由N，N』-二苯基-N，N-雙(3-甲基苯基)-1，1』聯苯-4，4』-二胺(8.8克)和一種可從Mitsubishi氣體化學品有限公司買到的聚碳酸酯[聚(4，4』-二羥基-二苯基-1，1-環己烷，Mw＝40,000)]，在55克四氫呋喃(THF)和23.5克甲苯形成的混合物中的溶液所產生的。CTL層在120℃乾燥45分鐘。
成像構件的靜電複印的電學性質可以用已知的方法來測定，包括，像這裡指出的，用電暈放電源使其表面靜電充電，直到其表面電位用連接在靜電計上的電容偶合的探頭測量時達到最初的Vo值，大約是-500伏特為止。每個構件然後被暴露於670納米波長雷射照射下，曝光能量＞100爾格/釐米2，用以誘發光致放電，從而導致表面電位降低到Vr值，即殘餘電位值。下表概括了這些裝置的電學性能，該表的數據說明，本發明的供說明的光導性構件具有對電子傳輸的增進作用。具體地說，雖然層中的主體傳輸作用是通過TiO2發生的，但通過包含這裡的說明的化學接枝在TiO2上的特別電子傳輸組件，使另外的電子傳輸途徑成為可能。電子遷移率方面的增進可以通過具有相同UCL層厚度Vr值的降低得到證實。這些參數指示更大量的電荷已從光感受器搬走，導致含有化學接枝組件的光導電體具有更低的殘餘電勢。
權利要求
1.一種光導成像構件，它包括支承底物，在底物上的空穴阻擋層，光生層，和電子傳輸層；並且其中空穴阻擋層含有化學上結合在電子傳輸組分表面上的顆粒。
2.權利要求1的成像構件，其中所說的顆粒是鈦、錫、鋅、矽或鋯的一種氧化物。
3.權利要求1的成像構件，其中所說的顆粒存在的量為大約70至大約99.9重量％。
4.權利要求1的成像構件，其中所說的電子傳輸組分是9-二氰亞甲基芴-4-羧酸正丁酯(BCFM)。
5.權利要求1的成像構件，其中所說的電子傳輸組分選用的量為約0.5至約20重量％，並且其中的化學結合是通過接枝實施的。
6.權利要求1的成像構件，它按以下順序包含所說的支承底物，所說的空穴阻擋層，粘合層，所說的光生層，所說的電荷傳輸層，並且其中所說的電荷傳輸層是空穴傳輸層。
7.權利要求1的成像構件，其中的光生層包含分散在樹脂粘合劑中的光生顏料，其供選擇的用量為按重量計大約5至按重量計95％，並且供選擇地，其中的樹脂粘合劑是選自聚酯類、聚乙烯基醇縮丁醛類、聚碳酸酯類、聚苯乙烯-b-聚乙烯基吡啶類和聚乙烯基醇縮甲醛類。
8.權利要求1的成像構件，其中的電荷傳輸層包含芳胺類，並且該芳胺類具有下列式子 其中X是選自烷基和滷素。
9.權利要求1的成像構件，其中的光生層包含金屬酞菁類，羥基鎵酞菁類、氯代鎵酞菁類，或不含金屬的酞菁類。
全文摘要
一種光導成像構件，它包括支承底物，在底物上的空穴阻擋層，光生層，以及電荷傳輸層；並且其中的空穴阻擋層包含化學上結合在電子傳輸組分表面上的顆粒。一種電子傳輸分子(ETM)接枝的顆粒。
文檔編號G03G5/047GK1584746SQ20041005786
公開日2005年2月23日 申請日期2004年8月20日 優先權日2003年8月22日
發明者J·吳, Y·童, L·-B·林, N·-X·胡, L·費拉雷斯, J·M·杜夫, Y·齊 申請人:施樂公司