數據管理方法、存儲器控制器與嵌入式存儲器儲存裝置的製作方法

2023-07-19 04:52:51 1

專利名稱：：數據管理方法、存儲器控制器與嵌入式存儲器儲存裝置的製作方法
技術領域：
：本發明是有關於ー種數據管理方法，且特別是有關於ー種用於嵌入式存儲器儲存裝置的數據管理方法及使用此方法的存儲器控制器與嵌入式存儲器儲存裝置。
背景技術：
：數字相機、手機與MP3在這幾年來的成長十分迅速，使得消費者對儲存媒體的需求也急速増加。由於可複寫式非易失性存儲器(rewritablenon-volatilememory)具有數據非易失性、省電、體積小、無機械結構、讀寫速度快等特性，最適於此些電子產品。廣泛用於手機的嵌入式多媒體卡(embededMultiMediaCard，eMMC)就是ー種以快閃記憶體作為儲存媒體的儲存裝置。因此，近年快閃記憶體產業成為電子產業中相當熱門的ー環。一般來說，用於電子產品的嵌入式多媒體卡(embededMultiMediaCard,eMMC)是用於燒錄電子產品的映象文件(imagefile)，例如，作業系統。特別是，為了便於大量生產，映象文件會預先燒錄到嵌入式多媒體卡製造中，之後預存有映象文件的嵌入式多媒體卡才會焊接至電子產品的電路基板上。在快閃記憶體模塊中，數據是根據存儲単元內所儲存的電荷來識別。然而，在某些對存儲器較特殊的環境下，例如焊接吋，其高溫會對存儲単元內所儲存的電荷造成影響(例如，漏電)。因此，預存於嵌入式多媒體卡的數據可能會因此而發生錯誤。
發明內容本發明提供一種數據管理方法、存儲器控制器與嵌入式存儲器儲存裝置，其能夠重新儲存數據，以有效地使用嵌入式存儲器儲存裝置的儲存空間。本發明提供一種數據管理方法，其能夠避免因焊接而遺失預存於嵌入式存儲器儲存裝置的數據。本發明提供一種存儲器控制器與嵌入式存儲器儲存裝置，其所執行的寫入機制能夠防止預存於嵌入式存儲器儲存裝置的數據遺失。本發明提供一種用於嵌入式存儲器儲存裝置的數據管理方法，其中此嵌入式存儲器儲存裝置具有多個物理區塊並且每一物理區塊具有多個快速物理頁面與多個慢速物理頁面。本數據管理方法包括檢測ー狀態標示単元的一狀態，其中當僅快速物理頁面被用來儲存ー數據時，此狀態標示單元的狀態被標記為第一狀態，並且當此些快速物理頁面與慢速物理頁面皆被用來儲存數據時，狀態標示単元的狀態被標記為第二狀態。本數據管理方法還包括當狀態標示単元的狀態被標記為第一狀態時，自動地讀取所儲存的數據，使用此些快速物理頁面與慢速物理頁面來重新儲存此數據並且將狀態標示單元的狀態標記為第ニ狀態。在本發明的一實施例中，上述的數據管理方法，還包括從主機系統接收至少ー標準指令；判斷此標準指令是否屬於ー特殊態樣；以及僅當此標準指令屬於特殊態樣時，才檢測上述狀態標示単元的狀態。在本發明的一實施例中，上述的同時使用至少部分快速物理頁面與慢速物理頁面來重新儲存上述數據的步驟包括通過執行來自於主機系統的多個寫入指令來同時使用至少部分快速物理頁面與慢速物理頁面來重新儲存上述數據。本發明範例實施例提出一種存儲器控制器，用於配置在嵌入式存儲器儲存裝置中以管理此嵌入式存儲器儲存裝置的可複寫式非易失性存儲器模塊，其中此可複寫式非易失性存儲器模塊具有多個物理區塊並且每一物理區塊具有多個快速物理頁面與多個慢速物理頁面。本存儲器控制器包括主機接ロ、存儲器接ロ與存儲器管理電路。主機接ロ用以耦接至一主機系統。存儲器接ロ用以耦接至此可複寫式非易失性存儲器模塊。存儲器管理電路耦接至此主機接ロ與存儲器接ロ。在此，此存儲器管理電路用以檢測狀態標示単元的狀態，其中當僅此些快速物理頁面被用來儲存ー數據時，此狀態標示單元的該狀態被標記為一第ー狀態。此外，其中當狀態標示単元的狀態被標記為第一狀態時，存儲器管理電路自動地讀取所儲存的數據，使用此些快速物理頁面與慢速物理頁面來重新儲存此數據並且將狀態標示単元的狀態標記為第二狀態。在本發明的一實施例中，上述的存儲器管理電路從主機系統接收至少ー標準指令並且判斷此標準指令是否屬於ー特殊態樣。並且，僅當此標準指令屬於此特殊態樣吋，上述的存儲器管理電路才檢測上述狀態標示単元的狀態。在本發明的一實施例中，上述的存儲器管理電路通過執行來自於主機系統的多個寫入指令來同時使用至少部分快速物理頁面與慢速物理頁面來重新儲存上述數據。本發明範例實施例提出ー種嵌入式存儲器儲存裝置，其包括連接器、可複寫式非易失性存儲器模塊與存儲器控制器。連接器用以耦接至主機系統。可複寫式非易失性存儲器模塊具有多個物理區塊並且每一物理區塊具有多個快速物理頁面與慢速物理頁面。存儲器控制器耦接至此連接器與可複寫式非易失性存儲器模塊。在此，存儲器控制器用以檢測狀態標示単元的狀態，其中當僅此些快速物理頁面被用來儲存ー數據時，此狀態標示單元的該狀態被標記為一第一狀態。此外，其中當狀態標示単元的狀態被標記為第一狀態時，存儲器控制器自動地讀取所儲存的數據，使用此些快速物理頁面與慢速物理頁面來重新儲存此數據並且將狀態標示単元的狀態標記為第二狀態。在本發明的一實施例中，上述的存儲器控制器從主機系統接收至少ー標準指令並且判斷此標準指令是否屬於ー特殊態樣。並且，僅當此標準指令屬於此特殊態樣吋，上述的存儲器控制器才檢測上述狀態標示単元的狀態。在本發明的一實施例中，上述的存儲器控制器通過執行來自於主機系統的多個寫入指令來同時使用至少部分快速物理頁面與慢速物理頁面來重新儲存上述數據。本發明範例實施例提出一種數據管理方法，其用於防止在一嵌入式存儲器儲存裝置中的ー預定數據遺失，其中此嵌入式存儲器儲存裝置具有多個物理區塊並且每ー物理區塊具有多個快速物理頁面與多個慢速物理頁面。本防止數據遺失方法包括燒錄步驟與重新儲存步驟。燒錄步驟用以僅使用嵌入式存儲器儲存裝置的快速物理頁面來儲存此預定數據並且將狀態標示單元的狀態標記為第一狀態，其中此狀態標示單元是儲存在嵌入式存儲器儲存裝置中。重新儲存步驟用以使用嵌入式存儲器儲存裝置的快速物理頁面與慢速物理頁面來重新儲存此預定數據並且將狀態標示單元的狀態標記為第二狀態。在本發明的一實施例中，上述的數據管理方法還包括將狀態標示單元的狀態初8始地標記為初始狀態；判斷是否從主機系統接收到預定製造商指令；判斷此狀態標示單元的狀態是否為初始狀態；以及僅當接收到預定製造商指令並且此狀態標示単元的狀態為初始狀態吋，才執行上述燒錄步驟。在本發明的一實施例中，上述的數據管理方法還包括判斷是否從主機系統接收到預定製造商指令；判斷狀態標示単元的狀態是否為第一狀態；以及僅當接收到預定製造商指令並且狀態標示単元的狀態為第一狀態時，才執行上述重新儲存步驟。在本發明的一實施例中，上述的數據管理方法還包括將狀態標示單元的狀態初始地標記為初始狀態；從主機系統接收至少ー標準指令；判斷所接收的標準指令是否屬於特殊態樣；判斷狀態標示単元的狀態是否為初始狀態；以及僅當所接收的標準指令屬於特殊態樣並且狀態標示単元的狀態為初始狀態吋，才執行上述燒錄步驟。在本發明的一實施例中，上述的數據管理方法還包括從主機系統接收至少ー標準指令；判斷所接收的標準指令是否屬於特殊態樣；判斷狀態標示単元的狀態是否為第一狀態；以及僅當所接收的標準指令屬於特殊態樣並且狀態標示單元的狀態為第一狀態時，才執行上述重新儲存步驟。在本發明的一實施例中，該重新儲存步驟是通過執行來自於ー主機系統的多個寫入指令時執行，以將預定數據分批地重新儲存至嵌入式存儲器儲存裝置的快速物理頁面與慢速物理頁面中。在本發明的一實施例中，上述的數據管理方法還包括在上述燒錄步驟與上述重新儲存步驟之間，將嵌入式存儲器儲存裝置以ー焊接方式黏著至一電路基板上。在本發明的一實施例中，上述的數據管理方法還包括將此些物理區塊至少分組為ー儲存區與一系統區，其中此狀態標示單元被儲存於此系統區的物理區塊中。本發明範例實施例提出一種存儲器控制器，用於配置在嵌入式存儲器儲存裝置中以管理此嵌入式存儲器儲存裝置的可複寫式非易失性存儲器模塊，其中此可複寫式非易失性存儲器模塊具有多個物理區塊並且每一物理區塊具有多個快速物理頁面與多個慢速物理頁面。本存儲器控制器包括主機接ロ、存儲器接ロ與存儲器管理電路。主機接ロ用以耦接至一主機系統。存儲器接ロ用以耦接至此可複寫式非易失性存儲器模塊。存儲器管理電路耦接至此主機接ロ與存儲器接ロ。在此，此存儲器管理電路用以僅使用此些快速物理頁面來儲存ー預定數據並且將狀態標示單元的狀態標記為ー第一狀態。此外，存儲器管理電路還用以使用此些快速物理頁面與此些慢速物理頁面來重新儲存此預定數據並且將狀態標示單元的該狀態標記為第二狀態。再者，存儲器管理電路將此狀態標示單元是儲存在可複寫式非易失性存儲器模塊中。在本發明的一實施例中，上述的存儲器管理電路將狀態標示単元的狀態初始地標記為初始狀態。並且，僅當存儲器管理電路從主機系統中接收到ー預定製造商指令並且，上述狀態標示單元的狀態為初始狀態吋，存儲器管理電路才僅使用此些快速物理頁面來寫入預定數據並且將狀態標示單元的狀態標記為該第一狀態。在本發明的一實施例中，僅當存儲器管理電路從主機系統接收到一預定製造商指令並且上述狀態標示単元的狀態為第一狀態時，上述的存儲器管理電路才使用此些快速物理頁面與慢速物理頁面來重新儲存該預定數據並且將此狀態標示単元的狀態標記為第二狀態。在本發明的一實施例中，上述的存儲器管理電路將狀態標示單元的狀態初始地標記為初始狀態。並且，僅當存儲器管理電路從主機系統接收屬於特殊態樣的至少一標準指令並且此狀態標示單元的狀態為初始狀態時，存儲器管理電路才僅使用此些快速物理頁面來寫入上述預定數據並且將狀態標示單元的狀態標記為第一狀態。在本發明的一實施例中，僅當存儲器管理電路從主機系統接收屬於特殊態樣的至少一標準指令並且此狀態標示單元的狀態為第一狀態時，上述的存儲器管理電路才使用此些快速物理頁面與慢速物理頁面來重新儲存上述預定數據並且將狀態標示單元的狀態標記為第二狀態。在本發明的一實施例中，上述的存儲器管理電路於執行來自於主機系統的多個寫入指令期間將預定數據分批地重新儲存至此些快速物理頁面與慢速物理頁面中。在本發明的一實施例中，上述的存儲器管理電路將此些物理區塊至少分組為一儲存區與一系統區，並且將上述狀態標示單元儲存於系統區的物理區塊中。本發明範例實施例提出一種嵌入式存儲器儲存裝置，其包括連接器、可複寫式非易失性存儲器模塊與存儲器控制器。連接器用以耦接至主機系統。可複寫式非易失性存儲器模塊具有多個物理區塊並且每一物理區塊具有多個快速物理頁面與慢速物理頁面。存儲器控制器耦接至此連接器與可複寫式非易失性存儲器模塊。在此，存儲器控制器用以僅使用此些快速物理頁面來儲存一預定數據並且將狀態標示單元的狀態標記為第一狀態，其中存儲器控制器將狀態標示單元是儲存在可複寫式非易失性存儲器模塊中。此外，存儲器控制器還用以使用此些快速物理頁面與慢速物理頁面來重新儲存此預定數據並且將狀態標示單元的狀態標記為第二狀態。在本發明的一實施例中，上述的存儲器控制器將狀態標示單元的狀態初始地標記為一初始狀態。並且，其中僅當控制器從主機系統中接收到一預定製造商指令並且此狀態標示單元的狀態為初始狀態時，存儲器控制器才僅使用此些快速物理頁面來寫入上述預定數據並且將狀態標示單元的狀態標記為第一狀態。在本發明的一實施例中，僅當存儲器控制器從主機系統接收到一預定製造商指令並且此狀態標示單元的狀態為第一狀態時，上述的存儲器控制器才使用此些快速物理頁面與慢速物理頁面來重新儲存上述預定數據並且將狀態標示單元的狀態標記為第二狀態。在本發明的一實施例中，上述的存儲器控制器將狀態標示單元的狀態初始地標記為初始狀態。並且，僅當存儲器控制器從主機系統接收屬於特殊態樣的至少一標準指令並且此狀態標示單元的狀態為初始狀態時，上述的存儲器控制器才僅使用此些快速物理頁面來寫入預定數據並且將此狀態標示單元的狀態標記為第一狀態。在本發明的一實施例中，僅當存儲器控制器從主機系統接收屬於特殊態樣的至少一標準指令並且此狀態標示單元的狀態為第一狀態時，上述的存儲器控制器才使用此些快速物理頁面與慢速物理頁面來重新儲存上述預定數據並且將狀態標示單元的狀態標記為第二狀態。在本發明的一實施例中，上述的存儲器控制器於執行來自於主機系統的多個寫入指令期間將上述預定數據分批地重新儲存至此些快速物理頁面與慢速物理頁面中。在本發明的一實施例中，上述的存儲器控制器將此些物理區塊至少分組為一儲存區與一系統區，並且將上述狀態標示單元儲存於系統區的物理區塊中。10基於上述，本發明範例實施例的方法、存儲器控制器與嵌入式存儲器儲存裝置能夠有效地防止預存在可複寫式非易失性存儲器模塊中的數據因焊接而遺失。為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。圖1是根據本發明第一範例實施例所繪示的電子裝置與嵌入式存儲器儲存裝置。圖2是繪示圖1所示的嵌入式存儲器儲存裝置的概要方塊圖。圖3是根據本發明第一範例實施例所繪示的物理區塊的示意圖。圖4是根據本發明第一範例實施例所繪示的存儲器控制器的概要方塊圖。圖5是根據本發明第一範例實施例所繪示的以快速物理頁面儲存數據的範例示意圖。圖6是根據本發明第一範例實施例所繪示的以快速物理頁面與慢速物理頁面儲存數據的範例示意圖。圖7是根據本發明第一範例實施例所繪示的數據管理方法的流程圖。圖8是根據本發明第二範例實施例所繪示的數據管理方法的流程圖。圖9是根據本發明第三範例實施例所繪示的執行燒錄步驟的流程圖。圖10是根據本發明第三範例實施例所繪示的於執行寫入指令時將預定數據重新儲存的流程圖。[主要元件標號說明]1000電子裝置100嵌入式存儲器儲存裝置102連接器104存儲器控制器106可複寫式非易失性存儲器模塊202存儲器管理電路204:主機接口206:存儲器接口208:錯誤校正電路210:緩衝存儲器212:電源管理電路310快速物理頁面320慢速物理頁面502,504物理區塊S701、S703、S705數據管理的步驟S801、S803、S805、S809數據管理的步驟S901、S903、S905燒錄步驟S1001、S1003、S1005、S1007、S1009、SlOll於執行寫入指令時將預定數據重新儲存的步驟具體實施例方式本發明提出一種數據管理方法，其能夠根據嵌入式存儲器儲存裝置的儲存狀態來重新整理數據，藉此有效地使用嵌入式存儲器儲存裝置的儲存空間。此外，本發明的數據管理方法通過使用刻錄機制將預定數據儲存於較穩定的快速物理頁面中並且之後再使用還原機制將預定數據重新儲存於快速物理頁面與慢速物理頁面中，由此可避免儲存於嵌入式存儲器儲存裝置中的數據，因較特殊的環境，如焊接所產生的高溫，而產生錯誤位。以下將以數個範例實施例並配合圖式來詳細說明本發明。[第一範例實施例]圖1是根據本發明第一範例實施例所繪示的電子裝置與嵌入式存儲器儲存裝置。請參照圖1，電子裝置1000包括微處理器與隨機存取存儲器(未繪示)。在本發明實施例中，嵌入式存儲器儲存裝置100是嵌入在電子裝置1000的電路基板上。通過微處理器與隨機存取存儲器的運作可從嵌入式存儲器儲存裝置100中讀取數據或將數據寫入至嵌入式存儲器儲存裝置100中。例如，電子裝置1000為智能型手機並且嵌入式存儲器儲存裝置100是用以儲存此智能型手機的作業系統。在本範例實施例中，嵌入式存儲器儲存裝置100可為嵌入式多媒體卡(EmbeddedMultiMediaCard,eMMC)。然而，必須了解的是，本發明不限於此，在本發明另一範例實施例中，嵌入式存儲器儲存裝置100亦可為嵌入式安全數字卡(EmbededSecureDigital,eSD)或其它嵌入式非易失性存儲器儲存裝置。圖2是繪示圖1所示的嵌入式存儲器儲存裝置的概要方塊圖。請參照圖2，嵌入式存儲器儲存裝置100包括連接器102、存儲器控制器104與可複寫式非易失性存儲器模塊106。在一範例實施例中，此連接器102、存儲器控制器104與可複寫式非易失性存儲器模塊106可皆封裝於一顆晶片中。在本範例實施例中，連接器102是兼容於MMC標準。然而，必須了解的是，本發明不限於此，連接器102亦可以是符合SD標準或其它嵌入式接口標準。存儲器控制器104用以執行以硬體形式或固件形式實作的多個邏輯門或控制指令，並且根據電子裝置1000的指令在可複寫式非易失性存儲器模塊106中進行數據的寫入、讀取與抹除等運作。可複寫式非易失性存儲器模塊106是耦接至存儲器控制器104，並且用以儲存電子裝置1000所寫入的數據。可複寫式非易失性存儲器模塊106具有多個物理區塊。每一物理區塊分別具有多個物理頁面，其中屬於同一個物理區塊的物理頁面可被獨立地寫入且被同時地抹除。更詳細來說，物理區塊為抹除的最小單位。亦即，每一物理區塊含有最小數目的一併被抹除的存儲單元。物理頁面為編程的最小單元。即，物理頁面為寫入數據的最小單元。然而，必須了解的是，在本發明另一範例實施例中，寫入數據的最小單位亦可以是物理扇區或其它大小。例如，每一物理區塊是由1個物理頁面所組成。然而，必須了解的是，本發明不限於此，每一物理區塊是可由256個物理頁面或其它任意個物理頁面所組成。每一物理頁面包括使用者數據(userdata)位區與冗餘(redundancy)位區。使用者數據位區用以儲存使用者的數據，而冗餘位區用以儲存系統的數據(例如，錯誤校正碼)。在本範例實施例中，可複寫式非易失性存儲器模塊106為多階存儲單元(MultiLevelCell，MLC)NAND型快閃記憶體模塊。具體來說，NAND型快閃記憶體模塊可根據每一存儲單元可儲存的數據位數而區分為MLCNAND型快閃記憶體模塊及單階層存儲單元(Single-LevelCell,SLONAND型快閃記憶體模塊。SLCNAND型快閃記憶體模塊的每個存儲單元僅能儲存1個位數據，而MLCNAND型快閃記憶體模塊的每個存儲單元可儲存至少2個以上的位數據。例如，以4階存儲單元NAND型快閃記憶體模塊為例，每一存儲單元可儲存2個位數據(即，丨『11〃、丨『10〃、丨『00〃與"01")。基此，對4階存儲單元快閃記憶體模塊的寫入可區分為2個階段。第一階段是下頁面(lowerpage)的寫入，並且第二階段為上頁面(upperpage)的寫入，其中下頁面的寫入速度會快於上頁面。因此，MLCNAND型快閃記憶體模塊的物理頁面可被區分為慢速物理頁面(即，上頁面)與快速物理頁面(即，下頁面)。特別是，相較於上頁面來說，下頁面的儲存可靠度較高。類似地，在8階存儲單元NAND型快閃記憶體模塊或16階存儲單元NAND型快閃記憶體模塊的案例中，存儲單元可儲存更多位數據並且會以更多階段來寫入。在此，將寫入速度最快的物理頁面稱為下頁面，其它寫入速度較慢的頁面統稱為上頁面。例如，上頁面包括具有不同寫入速度的多個頁面。此外，在其它實施例中，上頁面也可為寫入速度最慢的頁面，或者寫入速度最慢與部分寫入速度快於寫入速度最慢頁面的頁面。例如，在8階存儲單元NAND型快閃記憶體模塊中，下頁面為寫入速度最快與寫入速度次快的頁面，上頁面則為寫入速度最慢與寫入速度次慢的頁面。圖3是根據本發明第一範例實施例所繪示的物理區塊的示意圖。請參照圖3，4階存儲單元快閃記憶體模塊的物理區塊內的物理頁面可根據其寫入特性區分為多個快速物理頁面310與多個慢速物理頁面320，其中寫入數據至快速物理頁面310的速度快於寫入數據至慢速物理頁面320的速度並且數據儲存於快速物理頁面310的可靠度高於慢速物理頁面320的可靠度。此外，數據必須根據物理頁面的編號依序地被寫入。圖4是根據本發明第一範例實施例所繪示的存儲器控制器的概要方塊圖。請參照圖4，存儲器控制器104包括存儲器管理電路202、主機接口204與存儲器接口206。存儲器管理電路202用以控制存儲器控制器104的整體運作。例如，存儲器管理電路202可是由多個控制模塊(例如，寫入模塊、讀取模塊、抹除模塊等)所組成，並且在存儲器儲存裝置100運作時，存儲器管理電路202此些模塊會根據電子裝置1000的指令對可複寫式非易失性存儲器模塊106進行數據的寫入、讀取與抹除等運作。在本範例實施例中，存儲器管理電路202的控制模塊是以程序來實作。例如，存儲器管理電路202具有微處理器單元(未繪示)與只讀存儲器(未繪示)，並且此些控制指令是被燒錄至此只讀存儲器中。在此，此些微程序亦稱為固件。當存儲器儲存裝置100運作時，此些微程序會由微處理器單元來執行以進行數據的寫入、讀取與抹除等運作。在本發明另一範例實施例中，上述微程序亦可儲存於可複寫式非易失性存儲器模塊106的特定區域(例如，存儲器模塊中專用於存放系統數據的系統區)中。此外，存儲器管理電路202具有微處理器單元(未繪示)、只讀存儲器(未繪示)及隨機存取存儲器(未繪示)。特別是，此只讀存儲器具有驅動碼，並且當存儲器控制器104被致能時，微處理器單元會先執行此驅動碼段來將儲存於可複寫式非易失性存儲器模塊106中的微程序加載至存儲器管理電路202的隨機存取存儲器中。之後，微處理器單元會運轉此微程序以進行數據的寫入、讀取與抹除等運作。此外，在本發明另一範例實施例中，存儲器管理電路202的控制模塊亦可以一硬體形式來實作。主機接口邏輯接口204是耦接至存儲器管理電路202並且用以接收與識別電子裝置1000所傳送的指令與數據。也就是說，電子裝置1000所傳送的指令與數據會通過主機接口邏輯接口204來傳送至存儲器管理電路202。在本範例實施例中，主機接口邏輯接口204是兼容於eMMC標準。然而，必須了解的是本發明不限於此，主機接口邏輯接口204亦可以是兼容於eSD標準或其它適合的數據傳輸標準。存儲器接口206是耦接至存儲器管理電路202並且用以存取可複寫式非易失性存儲器模塊106。也就是說，欲寫入至可複寫式非易失性存儲器模塊106的數據會經由存儲器接口206轉換為可複寫式非易失性存儲器模塊106所能接受的格式。錯誤校正電路208是耦接至存儲器管理電路202並且用以執行錯誤檢查與校正程序以確保數據的正確性。具體來說，在執行寫入指令時，錯誤校正電路208會為欲寫入的數據產生對應的錯誤校正碼，並且存儲器管理電路202會將此數據與對應的錯誤校正碼寫入至可複寫式非易失性存儲器模塊106中。之後，當存儲器管理電路202從可複寫式非易失性存儲器模塊106中讀取數據時會同時讀取此數據對應的錯誤檢查與校正碼，並且錯誤校正電路208會依據此錯誤檢查與校正碼對所讀取的數據執行錯誤檢查與校正程序。在本發明一範例實施例中，存儲器控制器104還包括緩衝存儲器210。緩衝存儲器210是耦接至存儲器管理電路202並且用以暫存來自於電子裝置1000的數據與指令或來自於可複寫式非易失性存儲器模塊106的數據。在本發明一範例實施例中，存儲器控制器104還包括電源管理電路212。電源管理電路212是耦接至存儲器管理電路202並且用以控制嵌入式存儲器儲存裝置100的電源。在本範例實施例中，存儲器管理電路202可在可複寫式非易失性存儲器模塊106中儲存狀態標示單元(例如，一旗標暫存器)並且將此狀態標示單元的狀態初始地標記為初始狀態。例如，在本發明範例實施例中，存儲器管理電路202會將物理區塊分組為儲存區與系統區並且將狀態標示單元儲存在系統區的物理區塊中。儲存區的物理區塊用以儲存使用者數據(例如，電子裝置所存取的數據)並且系統區的物理區塊用以儲存嵌入式存儲器儲存裝置100的系統數據(例如，物理區塊的數目、物理頁面的數目等)。特別是，當僅使用物理區塊的快速物理頁面來儲存數據時，存儲器管理電路202會將此狀態標示單元的狀態標記為第一狀態。圖5是根據本發明第一範例實施例所繪示的僅以快速物理頁面來儲存數據的示意圖，為了方便說明在此假設所儲存的數據大小是等於一個物理區塊的大小並且可複寫式非易失性存儲器模塊106是由物理區塊502與物理區塊504所組成。請參照圖5，原本應被儲存在物理區塊502的慢速物理頁面中的數據會被儲存在物理區塊504的快速物理頁面中。由於此筆數據是被儲存於快速物理頁面中(如虛線所示)，因此，數據會不易發生錯誤位而遺失。此外，當正常地使用物理區塊的快速物理頁面與慢速物理頁面來儲存數據時，存儲器管理電路202會將此狀態標示單元的狀態標記為第二狀態。圖6是根據本發明第一範例實施例所繪示的以快速物理頁面與慢速物理頁面來儲存數據的示意圖。請參照圖6，存儲器管理電路202是正常地使用可複寫式非易失性存儲器模塊106的快速物理頁面與慢速物理頁面來儲存數據(如虛線所示)。由於快速物理頁面與慢速物理頁面皆會被使用來儲存數據，因此，嵌入式存儲器儲存裝置100的儲存空間會被充分的使用。在此，正常地使用可複寫式非易失性存儲器模塊106的快速物理頁面與慢速物理頁面來儲存數據亦稱為正常儲存機制。在本範例實施例中，當從電子裝置1000或其它外部主機接收到預定製造商指令(vendercommand)時，存儲器管理電路202會檢測狀態標示單元的狀態。倘若狀態標示單元的狀態被標記為第一狀態時，存儲器管理電路202會自動地讀取原先儲存於嵌入式存儲器儲存裝置100中的數據，使用嵌入式存儲器儲存裝置100的快速物理頁面與慢速物理頁面來重新儲存數據並且將狀態標示單元的狀態標記為第二狀態。也就是說，當接收到預定製造商指令時，存儲器管理電路202自動地根據嵌入式存儲器儲存裝置100的狀態，來將數據重新儲存以更有效率地使用儲存空間。值得一提的是，在此，預定製造商指令是預先設計用以啟動重新儲存機制的指令。然而，本發明不限於此，在本發明另一範例實施例中，存儲器管理電路202亦可根據標準指令中的信息來啟動重新儲存機制。例如，當主機系統連續下達數個寫入指令時，存儲器管理電路202會啟動重新儲存機制。或者，當寫入指令中包含特定參數時，存儲器管理電路202會啟動重新儲存機制。又或者，當主機系統使用保留給使用者自行定義的標準指令時，存儲器管理電路202會啟動重新儲存機制。圖7是根據本發明第一範例實施例所繪示的數據管理方法的流程圖。請參照圖7，在步驟S701，存儲器管理電路202會判斷是否接收到預定製造商指令。倘若接收到預定製造商指令時，在步驟S703中，存儲器管理電路202會判斷狀態標示單元的狀態是否被標記為第一狀態。倘若狀態標示單元的狀態非被標記為第一狀態時，圖7的流程會被結束。倘若狀態標示單元的狀態被標記為第一狀態時，在步驟S705中，存儲器管理電路202會使用可複寫式非易失性存儲器模塊106的快速物理頁面與慢速物理頁面來重新儲存原先已儲存在可複寫式非易失性存儲器模塊的快速物理頁面的數據並且將狀態標示單元的狀態標記為第二狀態。[第二範例實施例]第二範例實施例的嵌入式存儲器儲存裝置的結構本質上是相同於第一範例實施例的嵌入式存儲器儲存裝置，以下將配合圖2與圖3的硬體元件來說明第二範例實施例與第一範例實施例的差異之處。在第二範例實施例中，嵌入式存儲器儲存裝置100是以焊接方式黏著至電子裝置1000的電路基板上，以與電子裝置1000的微處理器耦接。並且，在焊接之前，預定數據(例如，用於電子裝置1000的作業系統映象文件)會通過一刻錄機制被儲存至可複寫式非易失性存儲器模塊106中。在此刻錄機制中，嵌入式存儲器儲存裝置100的存儲器控制器104僅使用可複寫式非易失性存儲器模塊106的快速物理頁面來儲存預定數據。具體來說，當從主機系統(未繪示)接收到預定製造商指令時，存儲器管理電路202會識別狀態標示單元的狀態。倘若狀態標示單元的狀態被標記為初始狀態時，存儲器管理電路202會僅使用可複寫式非易失性存儲器模塊106的快速物理頁面來儲存主機系統欲寫入的預定數據(如圖5所示)並且將狀態標示單元的狀態標記為第一狀態。籍此，由於此筆數據是被儲存於快速物理頁面中，其在通過工作機臺的焊接時，其數據會較穩定而不被破壞。此外，在本範例實施例中，當此嵌入式存儲器儲存裝置100處於一常溫或較穩定的工作環境之後(例如，在通過了一焊接機臺之後)，預定數據會被如第一範例實施例所述的重新儲存機制來重新儲存至可複寫式非易失性存儲器模塊106中。即，存儲器管理電路202會使用可複寫式非易失性存儲器模塊106的快速物理頁面與慢速物理頁面來重新儲存原先已儲存於可複寫式非易失性存儲器模塊106的快速物理頁面的預定數據(如圖6所示)並且將狀態標示單元的狀態標記為第二狀態。如上所述，快速頁面的可靠度高於慢速頁面，因此，在焊接之前僅以快速頁面來儲存數據，可有效減少在將嵌入式存儲器儲存裝置100焊接至電子裝置1000的電路基板的過程中，儲存於嵌入式存儲器儲存裝置100的數據因高溫而發生錯誤位的機會。接著，在焊接之後，使用快速頁面與慢速頁面來重新儲存原先所儲存的數據可使嵌入式存儲器儲存裝置100的儲存空間被更有效地運用。值得一提的是，在此，預定製造商指令是預先設計用以啟動刻錄機制及重新儲存機制的指令。然而，本發明不限於此，在本發明另一範例實施例中，存儲器管理電路202亦可根據標準指令中的信息來啟動刻錄機制及重新儲存機制。例如，當主機系統連續下達數個寫入指令時，存儲器管理電路202會認為其屬於一預設的特殊態樣因此而啟動刻錄機制及重新儲存機制。或者，當寫入指令中包含特定參數時，存儲器管理電路202會啟動刻錄機制及重新儲存機制。又或者，當主機系統使用保留給使用者自行定義的標準指令時，存儲器管理電路202會啟動刻錄機制及重新儲存機制。圖8是根據本發明第一範例實施例所繪示的數據管理方法的流程圖。請參照圖8，在步驟S801中，會判斷是否接收到預定製造商指令。倘若未接收到預定製造商指令時，則結束圖8的流程。倘若接收到預定製造商指令時，在步驟S803中，會判斷狀態標示單元的狀態是否為初始狀態。倘若狀態標示單元的狀態為初始狀態時，在步驟S805中，僅使用嵌入式存儲器儲存裝置的快速物理頁面來儲存預定數據並且將狀態標示單元的狀態標記為第一狀態。在此，步驟S805亦稱為燒錄步驟。倘若狀態標示單元的狀態非為初始狀態時，在步驟S807中，會判斷狀態標示單元的狀態是否為第一狀態。倘若狀態標示單元的狀態為第一狀態時，在步驟S809中，使用嵌入式存儲器儲存裝置的快速物理頁面與慢速物理頁面來重新儲存原先儲存在嵌入式存儲器儲存裝置中的預定數據並且將狀態標示單元的狀態標記為第二狀態。在此，步驟S809亦稱為重新儲存步馬聚ο倘若狀態標示單元的狀態非為第一狀態時，則結束圖8的流程。也就是說，倘若狀態標示單元的狀態非為初始狀態或第一狀態並且接收到預定製造商指令，則所接收到的預定製造商指令會被忽略。如上所述，刻錄機制或重新儲存機制亦可根據標準指令中的信息來啟動。因此，在本發明另一範例實施例中，圖8的步驟S801亦可以判斷是否接收到屬於特殊態樣的標準指令來取代。[第三範例實施例]根據第二範例實施例的數據管理方法是在焊接之後執行重新儲存步驟來將整個預定數據重新儲存於嵌入式存儲器儲存裝置的物理區塊中。而第三範例實施例的數據管理方法是在後續執行寫入指令時將儲存於多個快速物理頁面中的預定數據分批地重新儲存，而不會在焊接之後立即將所有預定數據重新儲存於嵌入式存儲器儲存裝置的物理區塊中。第三範例實施例的嵌入式存儲器儲存裝置的結構本質上是相同於第一範例實施例的嵌入式存儲器儲存裝置，以下將配合圖2與圖3的硬體元件來說明第二範例實施例與第一範例實施例的差異之處。同樣地，在第三範例實施例中，當存儲器控制器104接收到預定製造商指令並且狀態標示單元的狀態為初始狀態，存儲器管理電路202會僅使用可複寫式非易失性存儲器模塊106的快速物理頁面來儲存預定數據(例如，如圖5所示)並且將狀態標示單元的狀態標記為第一狀態。之後，當存儲器控制器104從電子裝置1000中接收到寫入指令時或開機信號時，存儲器管理電路202會判斷欲寫入的物理頁面中是否儲存以刻錄機制所寫入的預定數據，其中，判斷的方式可例如是通過一預定數據還原表。倘若欲寫入的物理頁面中已儲存以刻錄機制所寫入的預定數據時，存儲器管理電路202會通過在執行寫入指令的同時一併整理此預定數據。也就是說，存儲器管理電路202會在執行寫入指令時使用快速物理頁面與慢速物理頁面來重新儲存預定數據。也就是說，存儲器管理電路202是在後續需寫入數據時才分批地將以刻錄機制所寫入的預定數據重新儲存至物理區塊中。特別是，在第三範例實施例中，存儲器管理電路202會建立一預定數據還原表來記錄用以儲存以刻錄機制寫入的預定數據的物理頁面。並且，當儲存於某一物理頁面的預定數據已被使用正常儲存機制來重新儲存時，存儲器管理電路202會於此預定數據還原表中記錄此信息。也就是說，存儲器管理電路202會在執行寫入指令時根據預定數據還原表來重新儲存未以正常儲存機制儲存的預定數據。圖9是根據本發明第三範例實施例所繪示的執行燒錄步驟的流程圖。請參照圖9，在步驟S901中，會判斷是否接收到預定製造商指令。倘若未接收到預定製造商指令時，則結束圖9的流程。倘若接收到預定製造商指令時，在步驟S903中，會判斷狀態標示單元的狀態是否為初始狀態。倘若狀態標示單元的狀態為初始狀態時，在步驟S905中，僅使用嵌入式存儲器儲存裝置的快速物理頁面來儲存預定數據並且將狀態標示單元的狀態標記為第一狀態。在此，步驟S905亦稱為燒錄步驟。圖10是根據本發明第三範例實施例所繪示的於執行寫入指令時將預定數據重新儲存的流程圖。請參照圖10，在接收到寫入指令後，在步驟S1001中，會判斷狀態標示單元的狀態是否為第一狀態。倘若狀態標示單元的狀態為第一狀態時，在步驟S1003中，存儲器管理電路202會根據預定數據還原表判斷對應此寫入指令的物理頁面是否儲存以刻錄機制寫入的預定數據(即，尚未以還原正常儲存機制重新儲存的預定數據)。倘若對應此寫入指令的物理頁面儲存以刻錄機制寫入的預定數據，在步驟S1005中，執行此寫入指令並且同時使用正常儲存機制來重新儲存此預定數據。倘若對應此寫入指令的物理頁面未儲存以刻錄機制寫入的預定數據，在步驟S1007中，執行此寫入指令。之後，在步驟S1009中，會根據預定數據還原表來判斷所有以刻錄機制所儲存的預定數據是否皆已使用正常儲存機制來重新儲存。倘若所有以刻錄機制所儲存的預定數據皆已使用正常儲存機制來重新儲存，在步驟SlOll中，將狀態標示單元的狀態標記為第二狀態。之後，結束圖10的流程。值得一提的是，在本發明另一範例實施例中，存儲器管理電路202亦可在執行物理區塊的平均抹損(wear-leveling)程序而需搬移數據時一併重新儲存以刻錄機制所寫入的預定數據。因此，在本發明另一範例實施例中，圖10的步驟S1001與步驟S1003亦可以判斷是否執行平均抹損程序以及判斷欲搬移的數據是否為以刻錄機制寫入的預定數據來取代。在此，平均抹損程序為本領域技術人員所熟知的技術，在此不詳細描述。綜合上述，本發明範例實施例的數據管理方法是通過重新儲存機制來將僅使用快速物理頁面儲存的數據使用快速物理頁面與慢速物理頁面來重新儲存，基此，可有效地使用嵌入式存儲器儲存裝置的儲存空間。此外，在本發明範例實施例中，刻錄機制僅使用嵌入式存儲器儲存裝置中較為穩定的快速物理頁面來儲存預定數據。之後，當嵌入式存儲器儲存裝置以焊接黏著至電子裝置的電路基板上時可有效地避免因高溫而產生數據錯誤。再者，於焊接之後，通過上述還原正常儲存機制，嵌入式存儲器儲存裝置即可正常地根據電子裝置的指令來進行數據的存取。基此，本發明範例實施例的數據管理方法、存儲器控制器與嵌入式存儲器儲存裝置可有效地避免因焊接所產生的數據遺失。雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬
技術領域：
中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視所附的權利要求範圍所界定者為準。權利要求1.一種用於嵌入式存儲器儲存裝置的數據管理方法，其中該嵌入式存儲器儲存裝置具有多個物理區塊並且該多個物理區塊具有多個快速物理頁面與多個慢速物理頁面，該數據管理方法包括檢測ー狀態標示単元的一狀態，其中當僅至少部分該多個快速物理頁面被用來儲存ー數據時，該狀態標示單元的該狀態被標記為一第一狀態，並且當至少部分該多個慢速物理頁面被用來儲存該數據時，該狀態標示單元的該狀態被標記為一第二狀態；以及當該狀態標示單元的該狀態被標記為該第一狀態時，自動地讀取該數據，同時使用至少部分該多個快速物理頁面與該多個慢速物理頁面來重新儲存該數據並且將該狀態標示単元的狀態標記為該第二狀態。2.根據權利要求1所述的數據管理方法，還包括從ー主機系統接收至少ー標準指令；判斷該至少ー標準指令是否屬於ー特殊態樣；以及僅當該至少ー標準指令屬於該特殊態樣吋，才檢測該狀態標示單元的狀態。3.根據權利要求1所述的數據管理方法，其中同時使用至少部分該多個快速物理頁面與該多個慢速物理頁面來重新儲存該數據的步驟包括通過執行來自於ー主機系統的多個寫入指令來同時使用至少部分該多個快速物理頁面與該多個慢速物理頁面來重新儲存該數據。4.一種存儲器控制器，用於配置在一嵌入式存儲器儲存裝置中以管理該嵌入式存儲器儲存裝置的一可複寫式非易失性存儲器模塊，其中該可複寫式非易失性存儲器模塊具有多個物理區塊並且每ー該多個物理區塊具有多個快速物理頁面與多個慢速物理頁面，該存儲器控制器包括一主機接ロ，用以耦接至一主機系統；一存儲器接ロ，用以耦接至該可複寫式非易失性存儲器模塊；以及一存儲器管理電路，耦接至該主機接ロ與該存儲器接ロ，其中該存儲器管理電路用以檢測一狀態標示単元的一狀態，其中當僅至少部分該多個快速物理頁面被用來儲存ー數據時，該狀態標示單元的該狀態被標記為一第一狀態，其中當該狀態標示單元的該狀態被標記為該第一狀態時，該存儲器管理電路自動地讀取該數據，同時使用至少部分該多個快速物理頁面與該多個慢速物理頁面來重新儲存該數據並且將該狀態標示単元的狀態標記為ー第二狀態。5.根據權利要求4所述的存儲器控制器，其中該存儲器管理電路從一主機系統接收至少ー標準指令並且判斷該至少ー標準指令是否屬於ー特殊態樣，其中僅當該至少ー標準指令屬於該特殊態樣吋，該存儲器管理電路才檢測該狀態標示単元的狀態。6.根據權利要求4所述的存儲器控制器，其中該存儲器管理電路通過執行來自於ー主機系統的多個寫入指令來同時使用至少部分該多個快速物理頁面與該多個慢速物理頁面來重新儲存該數據。7.ー種嵌入式存儲器儲存裝置，包括ー連接器，用以耦接至一主機系統；一可複寫式非易失性存儲器模塊，具有多個物理區塊並且每ー該多個物理區塊具有多個快速物理頁面與慢速物理頁面；以及一存儲器控制器，耦接至該連接器與該可複寫式非易失性存儲器模塊，其中該存儲器控制器用以檢測一狀態標示単元的一狀態，其中當僅至少部分該多個快速物理頁面被用來儲存ー數據時，該狀態標示單元的該狀態被標記為一第一狀態，其中當該狀態標示單元的該狀態被標記為該第一狀態時，該存儲器控制器自動地讀取該數據，同時使用至少部分該多個快速物理頁面與該多個慢速物理頁面來重新儲存該數據並且將該狀態標示單元的狀態標記為ー第二狀態。8.根據權利要求7所述的嵌入式存儲器儲存裝置，其中該存儲器控制器從ー主機系統接收至少ー標準指令並且判斷該至少ー標準指令是否屬於ー特殊態樣，其中僅當該至少ー標準指令屬於該特殊態樣時，該存儲器控制器才檢測該狀態標示單元的狀態。9.根據權利要求7所述的嵌入式存儲器儲存裝置，其中該存儲器控制器通過執行來自於ー主機系統的多個寫入指令來同時使用至少部分該多個快速物理頁面與該多個慢速物理頁面來重新儲存該數據。10.一種用於嵌入式存儲器儲存裝置的數據管理方法，其中該嵌入式存儲器儲存裝置具有多個物理區塊並且每ー該多個物理區塊具有多個快速物理頁面與多個慢速物理頁面，該數據管理方法包括ー燒錄步驟，用以僅使用該嵌入式存儲器儲存裝置的該多個快速物理頁面來儲存該預定數據並且將ー狀態標示単元的一狀態標記為ー第一狀態，其中該狀態標示單元是儲存在該嵌入式存儲器儲存裝置中；以及一重新儲存步驟，用以使用該嵌入式存儲器儲存裝置的該多個快速物理頁面與該多個慢速物理頁面來重新儲存該預定數據並且將該狀態標示単元的該狀態標記為一第二狀態。11.根據權利要求10所述的數據管理方法，還包括將該狀態標示単元的該狀態初始地標記為ー初始狀態；判斷是否從一主機系統接收到一預定製造商指令；判斷該狀態標示單元的該狀態是否為該初始狀態；以及僅當接收到該預定製造商指令並且該狀態標示単元的該狀態為該初始狀態吋，才執行該燒錄步驟。12.根據權利要求10所述的數據管理方法，還包括判斷是否從一主機系統接收到一預定製造商指令；判斷該狀態標示單元的該狀態是否為該第一狀態；以及僅當接收到該預定製造商指令並且該狀態標示単元的該狀態為該第一狀態時，才執行該重新儲存步驟。13.根據權利要求10所述的數據管理方法，還包括將該狀態標示単元的該狀態初始地標記為ー初始狀態；從ー主機系統接收至少ー標準指令；判斷該至少ー標準指令是否屬於ー特殊態樣；判斷該狀態標示單元的該狀態是否為該初始狀態；以及僅當該至少ー標準指令屬於該特殊態樣並且該狀態標示単元的該狀態為該初始狀態吋，才執行該燒錄步驟。14.根據權利要求10所述的數據管理方法，還包括從ー主機系統接收至少ー標準指令；判斷該至少ー標準指令是否屬於ー特殊態樣；判斷該狀態標示單元的該狀態是否為該第一狀態；以及僅當該至少ー標準指令屬於該特殊態樣並且該狀態標示単元的該狀態為該第一狀態時，才執行該重新儲存步驟。15.根據權利要求10所述的數據管理方法，還包括通過執行來自於ー主機系統的多個寫入指令來執行該重新儲存步驟以將該預定數據分批地重新儲存至該嵌入式存儲器儲存裝置的該多個快速物理頁面與該多個慢速物理頁面中。16.根據權利要求10所述的數據管理方法，還包括在該燒錄步驟與該重新儲存步驟之間，將該嵌入式存儲器儲存裝置以ー焊接方式黏著至ー電路基板上。17.根據權利要求10所述的數據管理方法，還包括將該多個物理區塊至少分組為ー儲存區與一系統區，其中該狀態標示單元被儲存於該系統區的該多個物理區塊中。18.一種存儲器控制器，用於配置在一嵌入式存儲器儲存裝置中以管理該嵌入式存儲器儲存裝置的一可複寫式非易失性存儲器模塊，其中該可複寫式非易失性存儲器模塊具有多個物理區塊並且每ー該多個物理區塊具有多個快速物理頁面與多個慢速物理頁面，該存儲器控制器包括一主機接ロ，用以耦接至一主機系統；一存儲器接ロ，用以耦接至該可複寫式非易失性存儲器模塊；以及一存儲器管理電路，耦接至該主機接ロ與該存儲器接ロ，其中該存儲器管理電路用以僅使用該多個快速物理頁面來儲存ー預定數據並且將ー狀態標示単元的一狀態標記為ー第一狀態，其中該存儲器管理電路還用以使用該多個快速物理頁面與該多個慢速物理頁面來重新儲存該預定數據並且將該狀態標示単元的該狀態標記為一第二狀態，其中該存儲器管理電路將該狀態標示單元是儲存在該可複寫式非易失性存儲器模塊中。19.根據權利要求15所述的存儲器控制器，其中該存儲器管理電路將該狀態標示單元的該狀態初始地標記為ー初始狀態，其中僅當該存儲器管理電路從該主機系統中接收到ー預定製造商指令並且該狀態標示単元的該狀態為該初始狀態吋，該存儲器管理電路才僅使用該多個快速物理頁面來寫入該預定數據並且將該狀態標示単元的該狀態標記為該第一狀態。20.根據權利要求15所述的存儲器控制器，其中僅當該存儲器管理電路從該主機系統接收到ー預定製造商指令並且該狀態標示単元的該狀態為該第一狀態時，該存儲器管理電路才使用該多個快速物理頁面與該多個慢速物理頁面來重新儲存該預定數據並且將該狀態標示単元的該狀態標記為該第二狀態。21.根據權利要求18所述的存儲器控制器，其中該存儲器管理電路將該狀態標示單元的該狀態初始地標記為ー初始狀態，其中僅當該存儲器管理電路從該主機系統接收屬於ー特殊態樣的至少ー標準指令並且該狀態標示単元的該狀態為該初始狀態吋，該存儲器管理電路才僅使用該多個快速物理頁面來寫入該預定數據並且將該狀態標示単元的該狀態標記為該第一狀態。22.根據權利要求18所述的存儲器控制器，其中僅當該存儲器管理電路從該主機系統接收屬於一特殊態樣的至少ー標準指令並且該狀態標示単元的該狀態為該第一狀態時，該存儲器管理電路才使用該多個快速物理頁面與該多個慢速物理頁面來重新儲存該預定數據並且將該狀態標示単元的該狀態標記為該第二狀態。23.根據權利要求18所述的存儲器控制器，其中該存儲器管理電路通過執行來自於該主機系統的多個寫入指令，以將該預定數據分批地重新儲存至該多個快速物理頁面與該多個慢速物理頁面中。24.根據權利要求18所述的存儲器控制器，其中該存儲器管理電路將該多個物理區塊至少分組為ー儲存區與一系統區，並且將該狀態標示單元儲存於該系統區的該多個物理區塊中。25.ー種嵌入式存儲器儲存裝置，包括ー連接器，用以耦接至一主機系統；一可複寫式非易失性存儲器模塊，具有多個物理區塊並且每ー該多個物理區塊具有多個快速物理頁面與慢速物理頁面；以及一存儲器控制器，耦接至該連接器與該可複寫式非易失性存儲器模塊，其中該存儲器控制器用以僅使用該多個快速物理頁面來儲存ー預定數據並且將ー狀態標示単元的一狀態標記為ー第一狀態，其中該存儲器控制器更用以使用該多個快速物理頁面與該多個慢速物理頁面來重新儲存該預定數據並且將該狀態標示単元的該狀態標記為一第二狀態，其中該存儲器控制器將該狀態標示単元是儲存在該可複寫式非易失性存儲器模塊中。26.根據權利要求25所述的嵌入式存儲器儲存裝置，其中該存儲器控制器將該狀態標示単元的該狀態初始地標記為ー初始狀態，其中僅當該控制器從該主機系統中接收到ー預定製造商指令並且該狀態標示単元的該狀態為該初始狀態吋，該存儲器控制器才僅使用該多個快速物理頁面來寫入該預定數據並且將該狀態標示單元的該狀態標記為該第一狀態。27.根據權利要求25所述的嵌入式存儲器儲存裝置，其中僅當該存儲器控制器從該主機系統接收到一預定製造商指令並且該狀態標示単元的該狀態為該第一狀態時，該存儲器控制器才使用該多個快速物理頁面與該多個慢速物理頁面來重新儲存該預定數據並且將該狀態標示單元的該狀態標記為該第二狀態。28.根據權利要求25所述的嵌入式存儲器儲存裝置，其中該存儲器控制器將該狀態標示単元的該狀態初始地標記為ー初始狀態，其中僅當該存儲器控制器從該主機系統接收屬於ー特殊態樣的至少ー標準指令並且該狀態標示單元的該狀態為該初始狀態吋，該存儲器控制器才僅使用該多個快速物理頁面來寫入該預定數據並且將該狀態標示単元的該狀態標記為該第一狀態。29.根據權利要求25所述的嵌入式存儲器儲存裝置，其中僅當該存儲器控制器從該主機系統接收屬於ー特殊態樣的至少ー標準指令並且該狀態標示単元的該狀態為該第一狀態時，該存儲器控制器才使用該多個快速物理頁面與該多個慢速物理頁面來重新儲存該預定數據並且將該狀態標示単元的該狀態標記為該第二狀態。30.根據權利要求25所述的嵌入式存儲器儲存裝置，其中該存儲器控制器通過執行來自於該主機系統的多個寫入指令，以將該預定數據分批地重新儲存至該多個快速物理頁面與該多個慢速物理頁面中。31.根據權利要求25所述的嵌入式存儲器儲存裝置，其中該存儲器控制器將該多個物理區塊至少分組為ー儲存區與一系統區，並且將該狀態標示單元儲存於該系統區的該多個物理區塊中。全文摘要本發明是提出一種數據管理方法、存儲器控制器與嵌入式存儲器儲存裝置，此嵌入式存儲器儲存裝置具有多個物理區塊且每一物理區塊具有多個快速物理頁面與多個慢速物理頁面。本方法包括檢測狀態標示單元的狀態。本方法還包括當狀態標示單元的狀態被標記為第一狀態時，自動地讀取所儲存的數據，使用嵌入式存儲器儲存裝置快速物理頁面與慢速物理頁面來重新儲存此數據並且將狀態標示單元的狀態標記為第二狀態。基此，可有效地使用嵌入式存儲器儲存裝置的儲存空間。文檔編號G06F11/10GK102591738SQ20111000244公開日2012年7月18日申請日期2011年1月7日優先權日2011年1月7日發明者楊俊勇,潘健成,黃金漢申請人:群聯電子股份有限公司