對單端數模轉換器的非線性的補償的製作方法

2023-08-06 03:53:36

專利名稱：對單端數模轉換器的非線性的補償的製作方法
技術領域：
本申請涉及調節數模轉換器的輸出，更具體而言，涉及對在觸 發數模轉換器中的電流源電晶體時所產生電流等級的非線性的補償。
背景技術：
現今的數模轉換器(DAC) —般可執行為電流舵轉換器。這樣 的轉換器通常可以由全差動結構構成。差動結構可提供比單端結構 更好的信號質量。然而，單端結構仍在^f吏用，因為與差動結構相比， 它們可在更低的功率等級下工作。
當利用差動結構通過視頻線發送信號時，信號及其反射信號會 fil/f氐阻^t衰減。由於DAC獨立於〗言號向視J貞線供應電;充，所以衰 減會損耗功率。 一種典型的具有差動結構的DAC提供了被大大過 採樣的輸出，並且可能需要消耗大量的功率。
為減少功率消耗，可以使用單端電流DAC。單端電流DAC可 以包括電流產生電晶體的多個單元，該電晶體可被選擇性地觸發。 單端DAC可能產生不期望的偶次諧波，該偶次諧波是在單元^皮觸 發時，由電流發生電晶體的4冊4及內的電容反々貴而引起的。

發明內容
本發明提供一種系統，包含數模轉換器，所述數模轉換器包 含多個電流源單元，每個所述單元均包括輸出端、電流源電晶體、 電容電路和開關，所述電流源電晶體包括具有偏置電壓的柵極端、 以及源極端，所述開關將所述輸出端耦接至所述源極端；以及電容 電路，與所述輸出端和所述柵極端耦接，以補償在所述開關被觸發 時所述棚-極端和所述源極端之間的電容反々貴。本發明還4是供一種電 流源器件，包含輸出端；電流源電晶體，通過開關而耦接至所述 輸出端，所述電流源電晶體包括具有偏置電壓的柵極端和源極端， 所述開關將所述輸出端耦4妾至所述源才及端；以及電容電i 各，與所述 輸出端和所述柵極端耦接，以補償在所述開關被觸發時所述柵極端 和所述源極端之間的電容反4貴。本發明還提供一種方法，包括選 擇性地將電流從電流源電晶體供應至輸出端；利用偏置電壓調節由 電流源電晶體所提供的電流；以及當所述電流源電晶體選擇性地向 所述輸出端供應電流時，補償所述電流源電晶體的柵極端上的電容 反饋。


參考附圖來進行詳細說明。在圖中，參考標號最左端的數字代 表該參考標號首次在其中出現的圖。在說明書和圖的不同實例中所 使用的相同參考標號可以表示類似或同一物件。
圖1是數模轉換器電路的系統框圖。
圖2是單端數模轉換器電路中使用的電流源的電路圖(框圖)。
圖3是時序圖，示出了單端數模轉換器電路中輸出信號的觸發 和在偏置結點上的觸發凌文果。圖4是使用在單端數模轉換器電路中的具有補償電容器的電流 產生單元的示意圖。
圖5是使用在單端數模轉換器電路中的具有補償電晶體的電流
產生單元的示意圖。
圖6是觸髮根據本發明的單端數模轉換器電路中的電流產生單 元的時序圖。
圖7示出了對DAC的非線性進行補償的示例性過程的流程圖。
具體實施例方式
本文所公開的技術用於補償觸發數模轉換器(DAC)中的電流 源電晶體時所產生的電流等級的非線性。在一個技術中所提供的數 才莫轉換器具有多個電流源單元。每個電流單元包括輸出端、電流源 電晶體、電容電路和開關。電流源電晶體包括帶有偏置電壓的柵極 端和源極端。開關將輸出端連接至源極端。電容電路與輸出端和柵 才及端耦4妾，乂人而補償在觸發開關時柵^及端和源;f及端之間的電容反 饋。在該技術的另一執行例中，為電流源設置了輸出端，並且電流 源電晶體通過開關耦4妻至輸出端。電流源電晶體具有4冊才及端(帶有 偏置電壓)和源才及端。開關將輸出端連4妄至源4及端。電容電^各與輸 出端和棚-才及端耦4妻，乂人而補償在觸發開關時棚^及端和源才及端之間的 電容反々貴。
圖1示出耦接了高速數字鐘102的DAC 100。 DAC 100可以包 括一個或多個數字輸入端104和輸出端106 (本文中，輸出端上的 信號可以被指定為"i。ut")。數字輸入端104可以同時從數字控制器 裝置(未示出)中接收多重數字輸入信號，控制器的示例可以包括 狀態才幾或樣i處理器。^吏用高速悽t字鍾102將llr入信號記錄(clock)在DAC 100內。然後，DAC 100可以相應於悽t字專lr入信號在豐命出 端106上才是供電壓或電流信號i。ut。
DAC 100包括連4妄至電流源單元A 110a -電流單元N 110n的選 擇邏輯電路。每個電流單元110(a-n)均具有相應的輸出端112(a-n)。 選4奪電^各108觸發每個電流源單元110(a)—(n)，以響應於選4奪電3各 108通過數字輸入端104上的數位訊號的記錄(clocking )。單元A 110(a)-單元N 110(n)分別連接至輸出端112 (a-n),這些輸出端一起 連接至輸出端106。由每個單元110(a)-110(n)提供的電流可以由每 個單元中的電晶體的偏置等級而設置。每個單元110(a)-110(n)可以 被配置為提供不同的電流或電壓等級，從而4吏得可以基於數字輸入 端104上的數字輸入信號而選擇性地觸發每個單元。
圖2示出了示例性的單個單元200 (在圖1中分別表示為單元 110(a)-110(n)),它是一個單端電-充源。單元200包4舌通過開關204 連接至輸出端206的電流源202。在一個執行例中，單元200包括 通過開關204連4妄至輸出端206 (i。ut)的電流源電晶體208。晶體 管208可以是具有柵極端214 (本文中也稱為偏置結點)、源極端 216和漏極端218的場效應電晶體(FET)型電晶體。柵極端214 具有由偏置電晶體(未示出)設置的電壓等級。漏才及端218與地結 點耦接。耦接至源極端216的開關204響應於選4奪電路108 (圖1 ) 的選擇而斷開和閉合。開關204可以是另 一個FET電晶體或任何不 限制由電流源電晶體208所產生(sourced )的電流的器件。
圖3示出了時序圖300，其示出了當開關204^皮觸發時偏置結 點214上的電壓等級。具體來說，當開關204被觸發時，經過晶體 管208的電流等級i。ut302從等級304上升到等級306。隨後，由於 傳送到偏置結點214的電容反^lt，偏置結點214上的電壓等級308 響應於電流的增加而瞬間從等級310增加到等級312。已經注意到， 當以高速率關閉和開啟開關204時，4釙出端206上發生失真。如果由^f吏用單端電晶體的DAC產生了正弦波，則偏置結點214的電壓 由於該效應而#1正弦波調製。因此，通過增加DAC的電流，偏置 電壓增加。同樣，通過減小電流，偏置結點214上的偏置電壓也減 小。該效應導致IIT出端206上的奇次諧波-故開關204的開/關頻率的 i曽力口而方丈大。
在一個已"i兌明的才丸4亍例中，由於電容效應而產生的失真通過補 償經過源極電晶體的容性耦合而減小。通過在源極電晶體的源極和 柵極兩端以相反的方向耦接另 一個容性耦合來提供補償。本文所公 開的技術用於提供源極電晶體兩端的容性耦合以補償容性耦合效應。
本文所i兌明的衝支術可以多種方式4丸4亍。下面將參考所包含的圖 和後序的討論來糹是供示例和背景(context )。
第一示例性器件
圖4示出了具有減小的容性耦合效應的電流源單元400 (電流 源單元400可以用於替換圖1中的在DAC 100中執行的一個或多個 單元110(a)-110(n))。電流源單元400包括與電容電路404耦接的電 流源電路402,其中電容電路404由開關控制電路406控制。當電 流源電路402被觸發時，電容電路404向電流源電路402補償電容 反饋。
電流源電i 各402包含通過偏置結點409而耦接至電流源電晶體 410的偏置電晶體408。偏置電晶體408為電流源電晶體410在偏 置結點409上供給參考電壓。電晶體410通過開關Sl 412連接至電 流源電路402中的輸出端414 (i。ut)。偏置結點409通過電容器416
耦接地。在一個實施例中，電流源電晶體410可以是具有棚4及端418(在
本文中也稱為偏置結點)、源才及端420和漏才及端422的FET型晶體 管。柵極端418具有由偏置電晶體408設置的偏置電壓等級。偏置 電壓等級i殳置電流源電晶體410的電流等級。漏才及端422與地結點 424井禹4妄。開關Sl 412連4妄至源4及端420。開關Sl 412響應於選4奪 電路108(圖1)的選擇而斷開和閉合。開關Sl 412可能是FET晶 體管或任何不限制由電流源電晶體410產生的電流的器件。
電容電路404包括具有連接至雙極開關S2 434中一極的電源端 432和連接至雙極開關S3 438中一極的地端436的電容器430。電 容電路包括將在開關S2 434的位置Pl的一極連接至偏置結點409 的緩沖器440;以及將在開關S3 438的位置Pl的一極連接至輸出 端414的緩衝器442。在開關S2 434的位置P2的另一極直接連接 至偏置結點409，並且在開關S3 438的位置P2的另一極連接至地 參考電壓。
開關控制電路406根據圖6中說明的時序圖來控制分別在開關 S2 434和S3 438中選擇位置Pl和P2。開關S2 434和S3 438可以 是FET電晶體，或是任何不限制由偏置電晶體408或緩沖器440供 給至電容器430的電流或從緩衝器442供給至電容器430的電流的器件。
儘管示出的電流源單元400具有一個電流源電^各402和一個電 容電路404,但本執行例旨在僅作為非限制性示例，而可以使用數 量更少或更多的電流源電路和電容電路。
第二示例性器件
圖5示出了另 一具有減小的容性井禺合歲丈應的電流源單元500的 執行例(電流源500可以用於替換圖1中的在DAC100中執行的一個或多個單元110(a)-110(n))。單元500包括與電容電路504耦接的 電流源電路502,其中電容電路504由開關控制電路506控制。通 過開關4空制電路506觸發電容電^各504中的開關S2 534和S3 538, 電容電路504為電流源電路502補償電容反饋。
電流源電路502包含通過偏置結點510耦接至電流源電晶體 512的偏置電晶體508。偏置電晶體508為電流源電晶體512在偏 置結點510上供給參考電壓。電流源電晶體512通過開關Sl 514 連接至電流源電路502中的輸出端516(i。ut)。偏置結點510通過電 容518井禺4妄:t也。電流源電路502可以是與圖4中i兌明的在電流源電 路402中使用的電路相同的電路。
在一個實施例中，電流源電晶體512可以是具有棚4及端520、 源極端522和漏極端524的FET型電晶體。柵極端520具有由偏置 電晶體508i殳置的電壓等級。電壓等級也i殳置電流源電晶體512的 電流。漏極端524與地結點526耦接。開關514連接至源極端522。 開關514響應於選才奪電^各108 (圖1 )的選4奪而斷開和閉合。開關 514可以是另一 FET電晶體或4壬4可不限制由電流源電晶體512產生 (sourced)的電流的器4牛。
電容電路504包括具有連4妄至雙才及開關S2 534的柵-極端532、 耦接地的漏極端535、以及連接至雙極開關S3 538的源極端536的 補償電晶體530。電容電路504包括將在開關S2 534的位置Pl的 一才及連4妄至偏置結點510的緩沖器540;以及將在開關S2 538的位 置Pl的一極連4妄至輸出端516的緩沖器542。開關S2 534的另一 才及直4妄連4妻至偏置結點510，而開關S3 538的另 一才及連4妄至i也參考 電壓544。開關控制電路506根據圖6中說明的時序圖來控制開關 S2 534和S3 538的位置。開關S2 534和S3 538可以是FET電晶體， 或任何不限制從緩沖器540或偏置電晶體508供給至補償電晶體530的電流或從緩沖器542或地供給至補償電晶體530的電流的器件。
示例性時序圖
圖6中所示的示例性時序圖示出了使用分別在圖4和圖5中所 描述的開關控制電3各406或者506來觸發或禁用(deactivate )開關
的多個等-及。
為了討論的目的，參考圖4的單元400或者圖5的單元500來
-說明時序圖，然而，該時序圖也可以在其^f也系統結構中^U亍。計算 機可讀介質可以是任何能被計算器件訪問、從而執行存儲在其中的 指令的可提供介質。
圖6示出了一個時序圖的示例執行例，其描述了當開關S1 412、 開關S2 434和開關S3 438 (圖4 )，或者開關Sl 514、開關S2 534 和開關S3 538 (圖5 )被開關控制電路或選擇電路觸發以補償電容 反饋時電壓等級隨時間的變化。還描述了響應於開關(Sl-S3)被 觸發flT出端416或516上的電流等》及(i。ut)。
在時刻t0,開關Sl ^皮i殳置為斷開電^各，開關S2^/沒置在位置 Pl，以將緩沖器440的輸出端連接至電容器430，或將緩衝器542 的輸出端連接至補償電晶體530的柵極端532。開關S3 一皮設置在位 置Pl以將緩沖器442的輸出端連接至電容器430，或將緩衝器542 的輸出端連接至源極端536，從而分別將電容器430或補償電晶體 530的端^殳置為^T出端414或者516的電勢。將開關S2 i殳置在位置 Pl使得電容器430或補償電晶體530的柵極端532充電至偏置電壓 等級。開關Sl在tO時刻斷開，導致單元400或者500在i。ut上不提 供電流。在時刻tl，開關S1 ( 412或514)閉合，導致電;危(i。ut)分別 提供至輸出端414和516。閉合開關Sl導致端420和522處的電壓 跳變，因為端420和522分別從地電勢加載至與輸出端414和516 相同的電勢。該電壓跳變導致偏置結點409或510上的不期望的小 電壓跳變。在tl時刻，開關控制電路406或506觸發開關S2以將 開關S2的4立置改變至P2。因為電源端432或棚-極端532上的Y扁置 結點電壓等級在改變之前和之後是相同的，所以開關S2的位置的 改變對偏置結點409或510上的電壓沒有影響。
在時刻t2，開關S3 #1改變^立置到P2，以將電容器43(U妄;也， 或將源極端536接地。響應於接地，在結點436或結點536處分別 產生電壓跳變，這導致通過電容器430或補償電晶體530而在偏置 結點409或510上產生與tl時刻結點436或結點536上的電壓if兆變 反方向的小電壓跳變。該小跳變補償tl時刻的電壓跳變，使得偏置 結點409或結點510的電勢處於正確的等級。在所有的電壓已固定 在其最終值之後，開關S2在時刻t3 ^皮切換至位置Pl。
在時刻t4和t5示出了通過斷開開關Sl (434或534)而在IIT出 端處流出電流到在輸出端處不流出電流的序列( sequence )。在曰於刻 t4，開關S2被設置在位置Pl，從而將緩衝器440的輸出連接至電 容器430,或將緩衝器540連接至補償電晶體530的柵極端532。 開關S3 ( 438或538 )被設置在位置P2,以使電容器430接地或源 才及端536 4妾i也。在時刻t4， Sl (434或534) 4皮斷開，乂人而導致;殳 有電流(i。ut)分別提供到輸出端414和516。結果是，因為端420 或522的電壓#1從與輸出端414和516相對於地電勢的電壓相同的 電壓加載，故在端420或522處產生了電壓跳變。該電壓跳變引起 偏置結點409或510上的不希望的小電壓if兆變。在時刻t4，開關控 制電路406或506觸發開關S2，從而將開關改變到位置P2。因為 電源端432和柵極端532上的電壓等鄉及在改變之前和之後是相同 的，所以該位置的改變對於偏置結點409或510上的電壓沒有影響。在時刻t5，開關S3 ( 438或538 );故改變到位置Pl,以將緩沖 器442的輸出連接至電容器430,或將緩衝器542的輸出連接至源 極端536,從而將電容器430或補償電晶體530的端分別設置為輸 出端414或516的電勢。結點436或536上分別產生電壓跳變，這 使得通過電容器430或補償電晶體530而引起在偏置結點409或510 上產生與該結點409或510在t4時刻的電壓跳變反方向的小電壓跳 變。這分別將結點436或536在時刻t4的電壓跳變補償到了正確的 等級和將偏置結點409或510偏置到正確的等級。
示例性過程
圖7中的示例性過程^皮表示(示出)為邏輯流程圖中方框的集 合，其代表了可以在硬體、軟體及其組合中執行的操作的序列。在 軟體的條件下，方框代表計算機-可執行的指令，當該指令由一個或 多個處理器執行時可進行所述的操作。 一般地，計算機-可執行指令 包括執行特定功能或執行特定抽象數據類型的例行程序、程序、對 象、元件、數據結構等等。說明操作的順序不旨在被解釋為一種限 制，並且，可以按照任何順序和/或並行地組合任意數量的說明方框 以執行過程。為了討論的目的，參考圖4的系統400或者圖5的系 統500來說明過程，然而，該過程也可以在其它系統結構中執行。
圖7示出了用於補償單端數模轉換器的非線性的示例性過程的 流禾呈圖700。在方衝匡702中，電流乂人電流源電晶體供應至l敘出端。 在方框704中，所供應的電流由偏置電壓來調節。
在方框708-728中，當分別使用開關控制406或506和電流源 電路402或502來使電流源電晶體410或512分別選擇性地向輸出 端414或516供應電流時，在電;充源電晶體410或者512的4冊才及端 418上的電容反饋被補償。在方框708中，開關S1位於斷開或第一位置，或可選4奪地，開關Sl位於閉合或第二位置，這取決於電流
是否需要分別從電流源電晶體410或512供應至輸出端414或516。
在方框710中，判斷開關Sl是否在第一位置。如果是，那麼 在方框712中使用開關S2將電容器430或電晶體530的第一端耦 接至電流源電晶體的柵極端。如果電容器430或電晶體530的第一 端沒有庫禹4妄至電流源電晶體的棚4及端，那麼在方才匡718中判斷開關 Sl是否在第二位置。如果開關S1在第二位置，那麼在方框720中 通過開關S3和緩沖器440將電容器430或電晶體530的第一端耦 接至槺極端418或520。如果開關Sl不在第二位置，在方框722 中判斷開關S2是否在第一位置。如果開關S2在第一位置，那麼在 方框724中分別通過開關S3和緩衝器442或542將電容器430或 電晶體530的第二端436耦接至輸出端414或516。如果開關Sl 不在第一位置，在方框726中判斷開關S2是否在第二位置。如果 開關S2在第二位置，在方框728中通過開關S3將電容器430或晶 體管530的第二端耦接至參考電壓(地)。如果開關S2不在第二位 置，在方框708中通過定位或重定位開關Sl來重複電容反饋的補 償過程。
結論
就本公開和後序權利要求而言，術語"耦接"和"連接"用於 說明各元件是如何接合的。這些所說明的各種元件的接合可以是直 接或間接的。儘管在語言上對本發明的說明已經具體到了結構特徵 和/或方法行為，但應當理解，附加權利要求中所限定的主題無需被 限制在所說明的具體特徵或表現。而是，具體特徵和表現是作為衝丸 行該權利要求的優選形式來/^開。
權利要求
1. 一種系統，包含數模轉換器，所述數模轉換器包含多個電流源單元，每個所述單元均包括輸出端、電流源電晶體、電容電路和開關，所述電流源電晶體包括具有偏置電壓的柵極端、以及源極端，所述開關將所述輸出端耦接至所述源極端；以及電容電路，與所述輸出端和所述柵極端耦接，以補償在所述開關被觸發時所述柵極端和所述源極端之間的電容反饋。
2. 根據權利要求1所述的系統，其中，所述電容電路包含電容器，具有第一和第二端；以及第一和第二開關，第一和第二開關中的每個開關均具有 第一和第二位置，所述第一開關與所述第一端耦接，且所述第 二開關與所述第二端耦接。
3. 根據權利要求2所述的系統，其中，當所述第一開關在所述第 二位置時，所述第一端通過所述第一開關耦4妄至所述4脈極端； 並且當所述第 一開關在所述第 一位置時，所述第 一端通過所述 開關和緩沖器耦接至所述柵極端，其中，當所述第二開關在所 述第一位置時，所述第二端通過緩衝器耦4妄至所述^^出端，並 且其中，當所述第二開關在所述第二位置時，所述第二端耦接至參考電壓。
4. 根據權利要求1所述的系統，其中，所述電容電路包含補償電晶體，具有柵極端、源極端和漏極端；以及第一和第二開關，第一和第二開關中的每個開關均具有 第 一和第二位置，所述第 一開關與補償電晶體的柵極端耦接， 並且所述第二開關與所述補償電晶體的源極端耦接。
5. 根據權利要求4所述的系統，其中，當所述第一開關在所述第 二位置時，所述補償電晶體的柵極端通過所述第一開關耦接至 所述電流源電晶體的柵極端；並且當所述第 一開關在所述第一 位置時，所述補償電晶體的柵極端通過所述開關和緩沖器耦接 至所述電流源電晶體的柵極端，其中，當所述第二開關在所述 第一位置時，所述第二補償電晶體的源極端通過緩沖器耦接至 所述輸出端；並且其中，當所述第二開關在所述第二位置時， 所述第二補償電晶體的源極端耦接至地參考電壓。
6. 根據權利要求3所述的系統，還包括電路以產生信號，所述信 號使得在所述開關被觸發之前第一開關連接至其第二位置並 且使得在所述開關被觸發時所述第二開關連接至其第二位置 以補償所述電流源電晶體的柵極上的電容反饋。
7. 根據權利要求6所述的系統，其中，所述電路產生信號，所述 信號使得在所述開關被觸發時以對電容器進行充電的期間內 使得所述第一開關和所述第二開關連接至它們的第一位置。
8. —種電流源器件，包含輸出端；電流源電晶體，通過開關而耦4婁至所述輸出端，所述電 流源電晶體包括具有偏置電壓的柵極端和源極端，所述開關將 所述輸出端耦接至所述源極端；以及電容電路，與所述輸出端和所述柵極端耦接，以補償在 所述開關被觸發時所述柵極端和所述源極端之間的電容反饋。
9. 根據權利要求8所述的電流源器件，其中，電容電路包含電容器，具有第一和第二端；以及第一和第二開關，第一和第二開關中的每個開關均具有 第一和第二位置，所述第一開關與所述第一端耦接，並且所述 第二開關與所述第二端井禹才妄。
10. 根據權利要求9所述的電流源器件，其中，當所述第一開關在 所述第二位置時，所述第一端通過所述第一開關電性連接至所 述柵極端，並且當所述第一開關在所述第一位置時，所述第一 端通過所述開關和緩沖器連接至所述柵極端；其中，當所述第 二開關在所述第一位置時，所述第二端通過緩衝器電性連接至 所述輸出端；並且其中，當所述第二開關在所述第二位置時， 所述第二端電性連4妄至參考電壓。
11. 根據權利要求8所述的電流源器件，其中，其中的電容電路包 含補償電晶體，具有才冊才及端、源才及端和漏才及端；以及第一和第二開關，第一和第二開關中的每個開關均具有 第一和第二位置，所述第一開關與所述補償電晶體的柵極端耦 接，並且所述第二開關與所述補償電晶體的源極端耦接。
12. 根據權利要求11所述的電流源器件，其中，當所述第一開關 在所述第二位置時，所述補償電晶體的柵極端通過所述第一開 關耦接至所述電流源電晶體的柵才及端，並且當所述第一開關在 所述第一位置時，所述補償電晶體的柵極端通過所述開關和緩 沖器耦接至所述電流源電晶體的柵極端，其中，當所述第二開 關在所述第一位置時，所述第二補償電晶體的源極端通過緩衝 器耦接至所述輸出端；並且其中，當所述第二開關在所述第二 位置時，所述第二補償電晶體的源才及端耦4妄至地參考電壓。
13. —種方法，包4舌選4奪性地將電流/人電流源電晶體供應至輸出端；利用偏置電壓調節由電流源電晶體所提供的電流；以及當所述電流源電晶體選^^性地向所述輸出端供應電流 時，補償所述電流源電晶體的柵極端上的電容反饋。
14. 根據權利要求13所述的方法，其中，通過將電容電路耦接至 所述電流源電晶體而補償所述電容反饋。
15. 根據權利要求14所述的方法，其中，所述電容電路耦接在所 述電流源電晶體的源極端和柵極端之間。
16. 根據權利要求15所述的方法，其中，所述電容電路包括串聯 地耦接在所述輸出端和所述柵極端之間的電容器。
17. 根據權利要求15所述的方法，其中，所述電容電路包括第二 電晶體，所述第二電晶體包括與所述電流源電晶體的源極輸出 端耦接的源極端，以及與所述電流源電晶體的柵極端耦4妄的柵 極端。
18. 根據權利要求14所述的方法，其中，所述電容電路包含電容器，具有第一和第二端；以及第一和第二開關，第一和第二開關中的每個開關均具有 第一和第二位置，所述第一開關與所述第一端耦^^妻，而所述第 二開關與所述第二端耦接。
19. 根據權利要求18所述的方法，其中，補償電容反饋包括選擇性地將所述第一開關定位到所述第一位置或所述第 二位置；當所述第一開關在所述第二位置時，通過所述第一開關將所述第 一端耦接至所述柵極端；當所述第一開關在所述第一位置時，通過所述開關和緩 沖器將所述第 一端耦4妄至所述4冊才及端；當所述第二開關在所述第一位置時，通過緩沖器將所述第二端耦4妄至所述llr出端；以及當所述第二開關在所述第二位置時，將所述第二端耦4妻 至參考電壓。
20.根據權利要求18中所述的方法，還包括當所述第一開關在所述第二位置時，通過所述第一開關 將所述補償電晶體的柵極端耦接至所述柵極端；當所述第一開關在所述第一位置時，通過所述第一開關 和緩沖器將所述補償電晶體的柵極端耦接至所述柵極端；並且當所述第二開關在所述第一位置時，通過緩沖器將所述 第二補償電晶體的源極端耦接至所述輸出端，並且其中，當所 述第二開關在所述第二位置時，將所述第二補償電晶體的源極端誄禹4妾至;也參考電壓。
全文摘要
本公開涉及對單端數模電路的電流單元中的電容反饋所產生的非線性的補償，其中提供了一種系統，包含數模轉換器，所述數模轉換器包含多個電流源單元，每個所述單元均包括輸出端、電流源電晶體、電容電路和開關，所述電流源電晶體包括具有偏置電壓的柵極端、以及源極端，所述開關將所述輸出端耦接至所述源極端；以及電容電路，與所述輸出端和所述柵極端耦接，以補償在所述開關被觸發時所述柵極端和所述源極端之間的電容反饋。
文檔編號H03M1/06GK101436863SQ20081017762
公開日2009年5月20日 申請日期2008年11月17日 優先權日2007年11月16日
發明者弗朗茨·庫特納 申請人:英飛凌科技股份有限公司