用於濺射靶的銅材料及其製造方法
2023-07-07 11:25:16 1
專利名稱：用於濺射靶的銅材料及其製造方法
技術領域：
本發明涉及作為濺射靶使用的銅材料及其製造方法。
背景技術：
近年來，從移動PC、行動電話終端等小型電子機器至大型電視機，以各種尺寸使用了平板顯示器。在分類為平板顯示器的液晶顯示器或有機EL顯示器中，為了滿足對高畫質和動畫的高速描繪的要求，開發了在像素的點中插入有薄膜電晶體(Thin Film Transistor 以下記為TFT)元件的物質，目前其正成為主流。圖1以截面示出了液晶顯示器中的TFT元件的結構的一例。TFT元件1在玻璃基板2上具有掃描線3和掃描線的一部分具有作為TFT的0N/0FF控制的功能的柵電極4。柵電極4以利用氮化矽的絕緣膜5將柵電極覆蓋的形式形成，在絕緣膜5上依次形成非晶矽 (以下記為a-Si)層6、摻雜P (磷)的a-Si層7、源極-漏極8和9。以覆蓋它們的方式形成有氮化矽的保護膜10。在像素區域配置了摻錫氧化銦(以下記為ΙΤ0)膜11。以往，掃描線、柵電極、源極-漏極使用了 Mo、Cr之類的高熔點金屬或鋁及其合金等。但是，隨著液晶顯示器的大型化和高像素化，顯現出了由配線長度增加、信號延遲、電力損失等所引起的圖像顯示不均等問題。因此，電阻率低的銅配線開始受到關注。對於TFT元件的配線使用銅配線膜的問題，可以舉出若在玻璃基板上直接形成 Cu膜，則由於Cu/玻璃界面的密合性差而使Cu配線膜從玻璃剝離。作為用於解決該剝離的問題的發明，提出了專利文獻1 3等中記載的技術。在專利文獻1中，通過在銅配線與玻璃基板之間夾雜鉬等高熔點金屬，形成與玻璃基板的密合性優異的阻隔層，從而抑制了剝離。在專利文獻2和3中，利用下述方法來抑制剝離通過使用將銅合金化的靶材，在銅配線與玻璃基板界面形成氧化物，並使合金元素富集於銅配線與玻璃基板界面等。如專利文獻2和3的發明那樣，也開發了銅合金化等方法，目前在工業上，如專利文獻1中記載的發明那樣，將與玻璃的密合性良好的Mo或Ti等作為圖1中記載的阻隔層 12而形成於銅配線之下，從而改善剝離，並利用濺射形成純銅的配線。作為TFT元件的柵電極的形成工序中所要求的重要特性之一，可以舉出配線膜的基板面內均勻性。由膜的均勻性、即膜厚的不同或凹凸等的存在，而使TFT內的電容變得不均勻，因此對顯示造成不良影響。另外，在TFT元件製造工序中，若存在膜厚的不同或粗大的團簇(cluster)(顆粒、噴濺等)，則在利用蝕刻製作配線電極時可能會引起斷線和短路等配線不良。作為在通過濺射工序形成成為半導體配線等的純銅膜時能夠製作均勻的配線膜、 且能夠抑制粗大團簇和抑制斷線不良的濺射靶的發明，提出了專利文獻4 8等中記載的技術。在專利文獻4中，記載了下述濺射靶其將除氧、氮、碳和氫的氣體成分外的純度為99. 9999%以上的銅作為基體，使其在氧濃度0. Ippm以下熔解、凝固而進行製造，從而能夠得到不良斷線率少且用於超LSI (超大規模集成電路)的配線。通過降低銅材料中的雜質量，可以減少斷線不良等。在專利文獻5中，記載了下述內容通過使用在純度為99. 995%以上的銅中，使再結晶組織的平均結晶粒徑為80微米以下、且使維氏硬度為100以下的濺射靶，由此來抑制濺射顆粒的濺出的擴大和粗大團簇的產生。在專利文獻6中，記載了下述內容在除氣體成分外的純度為99. 999%以上的銅中，提高濺射面內的{111}面的X射線衍射峰強度I {111}，使平均粒徑為250μ m以下，且使位置所致的粒徑偏差為20%以內，從而使膜厚均勻性良好。在專利文獻7中，記載了下述內容使在表面朝向{110}面的結晶的體積為80% 以上，且使這些結晶從表面至中心均勻地分布，從而使銅原子的濺出與表面垂直，能夠在縱橫比較大的槽的深處成膜。在專利文獻8中，記載了下述內容在99. 999%以上的純度的銅中，將平均結晶粒徑控制為10 30 μ m，使具有{111}、{200}、{220}和{311}的各取向的顆粒的量少於50%， 且具有無規的取向，從而能夠實現均勻性和產生最小的顆粒。在現有的發明中，已經能夠通過成分、結晶粒徑、應變和結晶取向的控制來控制濺射顆粒的濺出，生成均勻的膜和抑制粗大團簇。但是，大型電視機用液晶顯示器等基板尺寸的大型化正在發展，在第7代等中已有1870mmX 2200mm等超過2m的基板尺寸。與之相伴， 在製作配線的濺射工序中也必須在大型的基板上成膜，即使使用上述專利文獻中記載的方法，還是會出現所生成的配線膜的膜厚在基板的每個部位變得不均勻、粗大團簇的產生變得更多等問題。另外，由於所使用的濺射靶自身也大型化，因此在濺射靶材的每個部位，金屬組織容易變得不均勻，對膜厚精度和粗大團簇形成造成的影響變大。現有技術文獻專利文獻專利文獻1 日本特開平7-66423號公報專利文獻2 日本專利第4065959號公報專利文獻3 日本特開2008-166742號公報專利文獻4 日本專利第3727115號公報專利文獻5 日本專利第3975414號公報專利文獻6 日本專利第3403918號公報專利文獻7 日本專利第3997375號公報專利文獻8 日本專利第3971171號公報
發明內容
鑑於上述現有問題，本發明的課題在於提供一種濺射靶用銅材料，其在利用濺射工序對用於TFT液晶面板等的大型基板製作配線時，比以往更均勻地產生顆粒，且在使用中也難以發生該顆粒的產生頻率的變化。本發明人對上述課題進行了深入的研究，從而發現通過控制濺射面內和從濺射面起在板厚深度方向深入的位置的結晶粒徑在該面內的偏差及該面間的偏差，優選除此之外還控制對於硬度的同樣的偏差，能夠提供一種適合於可製作均勻的配線膜的濺射靶的銅材料。本發明基於該見解而完成。S卩，本發明提供下述技術手段。(1) 一種濺射靶用銅材料，其特徵在於，該濺射靶用銅材料由純度為99. 99%以上的高純度銅構成，在濺射面、在板厚深度方向距該濺射面1/4板厚的位置的與濺射面平行的面、和在板厚深度方向距該濺射面1/2板厚的位置的與濺射面平行的面所測定的結晶粒徑的算術平均值分別為100 200μπι，在各測定面內和各測定面之間，結晶粒徑的標準偏差為ΙΟμπι以內；(2)如(1)所述的濺射靶用銅材料，其特徵在於，在濺射面、在板厚深度方向距該濺射面1/4板厚的位置的與濺射面平行的面、和在板厚深度方向距該濺射面1/2板厚的位置的與濺射面平行的面所測定的硬度的算術平均值分別為51 ΙΟΟΗν，在各測定面內及各測定面之間，上述硬度的標準偏差為5Hv以內；(3)如(1)或(2)所述的濺射靶用銅材料，其特徵在於，該濺射靶用銅材料是通過進行熱加工，並在該熱加工後立即以冷卻速度50°C/秒以上進行水冷而製造的；(4)如(1)或(2)所述的濺射靶用銅材料，其特徵在於，該濺射靶用銅材料是通過進行熱加工，並在該熱加工後立即以冷卻速度50°C /秒以上進行水冷，在該水冷之後進行冷軋而製造；(5) 一種濺射靶用銅材料的製造方法，其為製造⑴或⑵項所述的濺射靶用銅材料的方法，其特徵在於，該製造方法包括以下工序對純度為99. 99%以上的高純度銅進行熱加工的工序；和在該熱加工後立即以冷卻速度50°C /秒以上進行水冷的工序；和(6)如(5)所述的濺射靶用銅材料的製造方法，其特徵在於，該製造方法包括在該水冷之後以冷軋率的總和為30%以下的方式進行冷軋的工序。根據本發明，能夠提供一種適合於可製作均勻的配線膜的濺射靶的銅材料。本發明的濺射靶用銅材料在利用濺射工序對用於TFT液晶面板等的大型基板製作配線時，比以往更均勻地產生顆粒，且在使用中也難以發生該顆粒的產生頻率的變化。本發明的上述和其他特徵及優點可以參照適當附圖由下述記載來闡明。
圖1是示出液晶顯示器中的TFT元件的結構的一例的示意性截面圖。圖2是實施例1中的測定試驗的採樣的說明圖。圖3是實施例2中的測定試驗的採樣的說明圖。
具體實施例方式本發明的濺射靶用銅材料在純度為99.99%以上的高純度銅(以下簡稱為「純銅」)中將濺射面內及板內部的與濺射面平行的面的微組織的結晶粒徑設為特定範圍，在優選的實施方式中，進一步將硬度設為特定範圍。作為濺射靶用的銅材料，必須具有99.99%以上的純度(質量基礎)。作為製造純銅的鑄塊時的原料的電解銅中含有某種程度的雜質，純銅的鑄塊中也出現這些雜質。雜質中，特別希望將B、Al、Si、P、As、Sb、Bi的含量分別抑制為5ppm以下。這是因為，這些元素是作為Si半導體的摻雜劑而利用的元素，有可能對半導體特性造成不良影響。更優選的純度為99. 995%以上。濺射靶用的銅材料要求組織的均勻性，因此希望通過熱加工而破壞由鑄造凝固所導致的不均勻的組織而具有再結晶組織。在再結晶組織的結晶粒徑小時，晶界的總面積會隨之變大，而晶界為原子排列混亂的部分，濺射時的元素的飛濺容易度與粒內不同，所形成的膜容易變得不均勻。另外，在結晶粒徑大時，為了使靶物質飛起需要較高的能量，靶原子較多地聚集並濺出，粗大團簇的形成增多，所形成的膜容易變得不均勻。本發明中，結晶粒徑的算術平均值為100 200 μ m,優選為120 180 μ m,進一步優選為130 170 μ m。對於抑制晶粒的偏差而言，重要的是通過控制靶物質的濺出來進行均勻的制膜。 在使用中，濺射靶材在板厚方向被切削，使用板厚的1/3 1/2左右後再進行交換。為了利用濺射進行均勻的制膜，需要靶的面內和板內部的均勻性。通過將濺射面(在平板材料的情況下為其中一個平面的板表面)、和距濺射面1/4板厚及1/2板厚的位置的與濺射面平行的面的結晶粒徑的分布控制為標準偏差IOym以內，能夠提供在整個面上具有均勻的金屬組織的濺射靶，能夠利用濺射實現均勻的制膜。若標準偏差超過10 μ m,則形成為不均勻的金屬組織，無法實現均勻的制膜。在各測定面內和各測定面之間，結晶粒徑的標準偏差優選為8 μ m以下，更優選為6 μ m以下。本發明中，結晶粒徑的測定的樣品數在各面設為6個以上。測定部位在各面內在長度方向至少等分為3個，並測定各分割區域內的測定數相等的數。各測定部位的結晶粒徑為利用JIS H 0501 (切割法)測定的平均粒徑(結晶粒度)。另外，銅材料中固有的應變會對靶物質的濺出產生影響，因此優選對其進行控制。 若材料中固有的應變在每個部位存在偏差，由於能量與周圍的不同，因此靶物質的濺出方式在每個部位不同，無法實現均勻的制膜。銅材料內部的應變可以通過進行硬度測定來評價。通過以硬度作為指標來控制固有的應變，能夠提供偏差小的銅材料。本發明中，硬度 ((顯微)維氏硬度)的算術平均值優選為51 ΙΟΟΗν，進一步優選為51 90Hv。若應變過多、即硬度過硬，則靶原子較多地聚集並濺出，粗大團簇的形成增多，所形成的膜容易變得不均勻，期望使硬度為IOOHv以下。另外，《伸銅品數據手冊(第2版)》(日本伸銅協會編、平成21年3月31日第2版發行61頁)中記載了 「通常，關於無氧銅(C1020)，完全地進行再結晶或退火，並進行拉伸強度達到最低的熱處理時(0材)的硬度為51 59Hv」，將其值設為上述優選範圍的下限值。需要說明的是，硬度的調節通過軋制等冷加工來進行，通過將冷加工的加工率抑制為30%以下左右，能夠使硬度的優選範圍的上限值為IOOHv以下，從而簡便地得到硬度為51 IOOHv的銅材料。如上所述，冷加工是為了調節硬度而實施的。加工率為0%、即完全退火的狀態 (0材)下的硬度為51 59HV，若提高加工率，則硬度緩慢提高，加工率為30%時硬度達到 ΙΟΟΗν。若加工率過高，則硬度會超過ΙΟΟΗν，會產生上述問題。本發明中優選的是，與結晶粒徑同樣地將濺射面、及1/4板厚和1/2板厚的位置的與濺射面平行的面的硬度的分布控制為標準偏差5Hv以內，由此能夠提供在整個面上具有均勻的金屬組織的濺射靶，能夠利用濺射進行均勻的制膜。若硬度的標準偏差超過5Hv，則形成為不均勻的金屬組織，無法實現均勻的制膜。在各測定面內和各測定面之間，硬度的標準偏差更優選為3Hv以下。本發明中，硬度的測定的樣品數在各面內設為6個以上。關於測定部位，在各面內在長度方向至少等分為3個，並測定各分割區域內的測定數相等的數。對於本發明的濺射靶用銅材料的製造方法沒有特別限定，但是為了在濺射面和板內部控制結晶粒徑和硬度，優選在製造工藝中注意以下所示的要點。本發明中的銅材料的優選製造方法採用熔解鑄造_熱加工_冷軋_熱處理的工序。另外，在熱加工與冷加工之間還可以包含平面切削的工序。另外，也可以重複進行冷軋與熱處理。此處，熱加工為熱軋和熱擠出等，其是指利用高溫對由熔解鑄造工藝得到的鑄塊進行加工的工藝。通過注意以下所示的事項進行製造，能夠製作滿足上述金屬組織的規定的銅材料，在用作組合長條狀板來進行靶製造那樣的大型顯示器用靶材時，可以獲得容易均勻地形成濺射膜的效果。熱加工在加工中產生動態再結晶，所形成的再結晶粒在材料溫度仍為高溫的期間進行晶粒成長。在用作濺射靶的銅材料中，結晶粒徑基本上由該熱加工決定，因此優選對該工序進行控制。在現有的熱軋工藝中，產生動態再結晶後，曝露於大氣中的時間較長，難以將結晶粒徑控制為所期望的大小。另外，由於板的端部在大氣中的冷卻較大，因此存在結晶粒徑在材料的寬度方向端部及長度端部與中央部變得不均勻的問題。本發明中，在利用熱軋工藝進行熱加工時，進行熱加工，在該熱加工後立即以冷卻速度50°C /秒以上進行水冷，由此能夠將晶粒控制為所期望的大小。此處，所謂熱加工後立即，在熱軋的情況下是指離開輥後60秒以內，另外，在熱擠出的情況下是指從模具擠出後 10秒以內。優選溫度在700 1000°C的範圍內進行熱軋前對由純銅構成的材料的加熱。材料的加熱溫度低於700°C時，擠出中無法充分地產生動態再結晶，無法獲得均勻的金屬組織。 高於1000°C時，難以控制結晶粒徑。在熱軋中，為了避免由於從傳送輥和側邊輥的除熱而使材料端部等局部冷卻，必須使材料不停滯。通過避免從端部的冷卻，能夠在材料整個面上獲得均勻的組織，能夠縮小銅材料內部的結晶粒徑和硬度的偏差。熱軋的軋制進行多次的道次，最終的道次後希望利用水冷進行冷卻。為了使結晶粒徑為上述100 200 μ m，優選將最終道次後至立即進行水冷的時間設為60秒以內，將水冷的冷卻速度設為50°C /秒以上，進一步優選設為70°C/秒以上。冷卻速度更優選為100°C /秒以上。對於該冷卻速度的上限值沒有特別限制，但實際上，通常為300°C /秒左右以下。另外，冷卻優選進行至材料達到200°C以下。對於熱加工而言，從可以更加嚴密地進行結晶粒徑和硬度的控制的方面考慮，相對於熱軋，優選熱擠出工藝。本發明中的熱擠出工藝因為能夠在無需使擠出的材料暴露於大氣中的情況下直接進行水冷，因而能夠在動態再結晶後立即以較快的速度進行冷卻。因此，可以得到材料內部的溫度變動小、在長度方向(從擠出的材料的前端向後端的方向)和寬度方向上結晶粒徑和硬度的偏差非常小的金屬組織。在利用熱擠出工藝進行熱加工時， 優選溫度在700 1000°C的範圍進行熱擠出前的材料的加工。材料的加熱溫度低於700°C 時，在擠出中無法充分地產生動態再結晶，難以得到均勻的金屬組織。高於1000°C時，難以控制結晶粒徑。為了使結晶粒徑為上述100 200 μ m，希望將熱擠出後立即進行的冷卻速度設為50°C/秒以上。
冷卻速度進一步優選為100°C /秒以上。對於該冷卻速度的上限值沒有特別限制， 但實際上，通常為300°C /秒左右以下。另外，冷卻優選進行至材料達到200°C以下。與此相對，就熱鍛造而言，與近年來的靶材的大型化要求所對應的尺寸難以消除鍛造後的冷卻的不均勻，無法得到均勻的晶粒組織。對於熱加工後的材料，也可以進行冷軋和退火來調質。冷加工率的總和希望設為 30%以下(包含0%，表示未軋制)。若冷加工率的總和超過30%，則材料內部的應變量增多，容易超過硬度的規定值。如上所述，在熱加工(熱擠出或熱軋)後立即進行冷卻並根據需要進行冷軋而製造的材料(優選為平板狀的材料)利用旋床加工等任意的機械加工等加工至靶形狀為止， 用於濺射。實施例下面基於實施例對本發明進一步進行詳細說明，但本發明並不限於這些。實施例1(本發明例1 3、比較例5 7)以表1-1所示的純度(質量％ )製作板厚150mm、寬度220mm、長度2100mm的尺寸的鑄塊。將它們以表1-1所示的加熱溫度加熱後，進行熱軋，製成厚度23mm、寬度220mm、長度約13m的坯板。熱軋時以材料不在傳送輥上停滯的方式進行，將最終道次至水冷的時間設為45秒。關於水冷，通過搭載有噴淋器的水冷區域，以表1-1所示的50°C /秒以上的冷卻速度進行水冷。接下來，對所得到的坯板的表面的氧化膜進行平面切削而使板厚為22mm 後，利用冷軋製成厚度20mmX寬度220mm，進而切割去除邊緣部分，由此製成厚度20mmX寬度200mm X長度約12m的平板的本發明例1 3和比較例5 7的濺射靶用銅材料。(比較例8)除了將最終道次至水冷的秒數設為90秒以外，與本發明例1 3同樣地製作比較例8的濺射靶用銅材料。(比較例9)除了將水冷速度設為12°C /秒以外，與本發明例1 3同樣地製作比較例9的濺射靶用銅材料。另外，水冷速度的變更利用水冷帶中的通過速度和噴淋器流量來進行調整。(比較例10)除了不進行水冷以外，與本發明例1 3同樣地製作比較例10的濺射靶用銅材料。(本發明例4)使熱軋結束的板厚為28mm，對表面的氧化膜進行平面切削，使板厚為27mm後，進行冷軋，除此以外與本發明例1 3同樣地製作本發明例4的濺射靶用銅材料。(比較例11)使熱軋結束的板厚為31mm，對表面的氧化膜進行平面切削，使板厚為30mm後，進行冷軋，除此以外與本發明例1 3同樣地製作比較例11的濺射靶用銅材料。關於這樣得到的本發明例以及比較例的平板的銅材料21，在基於圖2的示意性立體圖的說明圖所示的板表面22、在板厚深度方向與板表面22距離1/4板厚位置的與板表面 22平行的面23、和在板厚深度方向與板表面22距離1/2板厚位置的與板表面22平行的面24的各個面上，在材料的長度方向(即加工方向)的軋制前端部(長度前端)的寬度方向的中央部(31，41，51)和側(端)部(32，42，52)、長度方向的中央部(長度中央)的寬度方向的中央部(33，43，53)和側(端)部(34，44，54)、長度方向的後端部(長度後端)的寬度方向的中央部(35，45，55)和側(端)部(36，46，56)的6個部位的共計18個部位，通過下述方法測定結晶粒徑和硬度。另外，圖2中，圖2(a)為表示銅材料21的整體的立體圖，圖2 (a)中，虛線25表示在板厚深度方向與板表面22距離1/4板厚的位置，虛線26表示在板厚深度方向與板表面 22距離1/2板厚的位置。另外，圖2(b) 圖2(c)分別相當於沿著虛線25和26將圖2(a)的銅材料21分解的銅材料21a、21b、21c的分解立體圖。另外，如基於圖3的示意性立體圖的說明圖那樣，在板表面22、與板表面22距離 1/4板厚的位置的與板表面22平行的面23、和與板表面22距離1/2板厚的位置的與板表面22平行的面24的各個面上，在軋制前端部(長度前端)(61，64，67)、中央部(長度中央) (62，65，68)、後端部(長度後端)(63，66，69)的3個部位的共計9個部位，從本發明例和比較例的平板的銅材料21，以面22、23、24分別為靶面(濺射面)的方式切下直徑6英寸的圓形板，利用下述方法調查濺射特性。需要說明的是，圖3是與圖2同樣的銅材料21的整體立體圖(圖3(a))及其分解立體圖(圖3(b) 圖3(c))，與圖2中的符號相同的符號表示與圖2中的含義相同。[1]結晶粒徑關於銅材料板中的結晶粒徑，在上述部位31 36、41 46、51 56的面進行微組織觀察，基於JIS H 0501 (切割法)進行測定。[2]硬度關於銅材料板中的硬度，在上述部位31 36、41 46、51 56的面，基於JIS Z2244利用顯微維氏硬度試驗機進行測定。[3]濺射特性在圖3所示的位置61 69，從所得到的銅材料板切下直徑cp6英寸(15. 24cm)、厚度6mm，並進行研磨而製成濺射靶。為了消除靶面的粗糙度的影響，將所有最大粗糙度Ra研磨為0. 5 0. 8 μ m使粗糙度一致。使用如上所述製作的濺射靶、利用DC磁控管濺射裝置對膜厚0. 7mm的日本電氣硝子社製造的0A-10玻璃基板實施濺射，從而製成0. 3 μ m膜厚的銅配線。濺射條件為將Ar氣體壓力設為0.4Pa，將放電功率設為12W/cm2。其後在真空中於300°C進行30分鐘的熱處理。對熱處理後的銅配線的膜厚進行10點測定。在9片從同一板切下的靶材的總數90點中，將最大膜厚和最小膜厚的範圍達到士 7%的板記為「良」， 將存在其以上的偏差的板記為「不良」。上述[1] [3]的結果示於表1-2。本發明例均呈現出良好的濺射特性。比較例 5因雜質量多而濺射特性變得不良。比較例6、7、9和10因結晶粒徑及其標準偏差偏離規定值而濺射特性變得不良。比較例8因結晶粒徑和硬度的標準偏差均偏離規定值而濺射特性變得不良。另外，比較例11 (上述⑵項的發明的比較例)因偏離硬度算術平均值的規定值而無法得到均勻的厚度的膜，濺射特性變得不良。
表1-權利要求
1.一種濺射靶用銅材料，其特徵在於，該濺射靶用銅材料由純度為99. 99%以上的高純度銅構成，在濺射面、在板厚深度方向距該濺射面1/4板厚的位置的與濺射面平行的面、 和在板厚深度方向距該濺射面1/2板厚的位置的與濺射面平行的面所測定的結晶粒徑的算術平均值分別為100 200μπι，在各測定面內和各測定面之間，結晶粒徑的標準偏差為 10 μ m以內。
2.如權利要求1所述的濺射靶用銅材料，其特徵在於，在濺射面、在板厚深度方向距該濺射面1/4板厚的位置的與濺射面平行的面、和在板厚深度方向距該濺射面1/2板厚的位置的與濺射面平行的面所測定的硬度的算術平均值分別為51 ΙΟΟΗν，在各測定面內及各測定面之間，上述硬度的標準偏差為5Hv以內。
3.如權利要求1或2所述的濺射靶用銅材料，其特徵在於，該濺射靶用銅材料是通過進行熱加工，並在該熱加工後立即以冷卻速度50°C /秒以上進行水冷而製造的。
4.如權利要求1或2所述的濺射靶用銅材料，其特徵在於，該濺射靶用銅材料是通過進行熱加工，並在該熱加工後立即以冷卻速度50°C /秒以上進行水冷，在該水冷之後進行冷軋而製造的。
5.一種濺射靶用銅材料的製造方法，其為製造權利要求1或2所述的濺射靶用銅材料的方法，其特徵在於，該製造方法包括以下工序對純度為99. 99%以上的高純度銅進行熱加工的工序；和在該熱加工後立即以冷卻速度50°C /秒以上進行水冷的工序。
6.如權利要求5所述的濺射靶用銅材料的製造方法，其特徵在於，該製造方法包括在該水冷之後以冷軋率的總和為30%以下的方式進行冷軋的工序。
全文摘要
本發明涉及一種濺射靶用銅材料及其製造方法，該濺射靶用銅材料由純度為99.99％以上的高純度銅構成，在濺射面、在板厚深度方向距該濺射面1/4板厚的位置的與濺射面平行的面、和在板厚深度方向距該濺射面1/2板厚的位置的與濺射面平行的面所測定的結晶粒徑的算術平均值分別為100～200μm，在各測定面內和各測定面之間，結晶粒徑的標準偏差為10μm以內。
文檔編號C22F1/08GK102482768SQ20108003983
公開日2012年5月30日 申請日期2010年9月16日 優先權日2009年9月18日
發明者中嶋章文, 周偉銘, 廣瀨清慈, 菊地大輔, 金森宏明, 高橋功 申請人:古河電氣工業株式會社