一種二氧化鈦/三氧化鎢納米棒複合材料的製備方法與流程
2023-07-07 22:56:37 3

本發明屬於納米材料技術領域,具體涉及一種二氧化鈦/三氧化鎢納米複合材料的製備。
背景技術:
近些年,隨著納米技術的不斷發展,納米材料普遍得到各個領域的廣泛關注。wo3作為n型的半導體材料的金屬氧化物,其優異的氣敏性和光敏性是國內外研究熱點。m.stankova等人(sensorsandactuatorsb,105(2005)271-277)採用濺射法製備了納米wo3敏感膜.但此種方法中濺射設備較為昂貴,操作較為複雜,因此不適合大範圍的工業生產。nagraj等人(journalofmaterialsscienceletters,200,19(16):1407-1049)以碳納米管(cnt)為模板,採用化學氣相沉積法(hfcnd)製取wo3。jarmokukkola等人(無機化學學報,2009,25(5):818-822)採用電鍍的方法製備出wo3薄膜等等。此方法的缺點有能耗高,設備昂貴,因此也不能廣泛應用大量生產。另外還有一些製備納米wo3的方法,比如,溶膠-凝膠法:反應所用到的原材料中金屬醇鹽的價格比較昂貴,工藝不穩定且較為複雜,也不能大量的投入生產使用。再如一種常用比較經濟和簡單的方法是水熱法,可是該方法的實驗結果不易控制,其溫度、濃度、酸鹼度等一些細微的變化,都會引起實驗結果(樣品微觀形貌)的很大變化。介於以上製備wo3納米結構時都存在一些缺點,因此一種經濟實惠、簡單、穩定、且能大量製備wo3納米結構的方法,是迫切需要的。
技術實現要素:
本發明的目的是提供一種tio2/wo3納米棒的製備方法,來克服現有技術的不足,既簡單又經濟的製備大量wo3納米材料。
本發明所用到的tio2粉末是為了細化和調控wo3的納米棒的生長。不同tio2/wo3的摻雜比例,在微觀形貌上產生不同細化程度的wo3納米棒。
實現本發明的技術方案為高溫燒結,其具體製備步驟如下:
步驟1,將不同混合比例的tio2和wo3粉末與粘結劑(水)混合均勻。
步驟2,將步驟1中混合好的樣品粉末,放到壓片機的磨具中,直到正好鋪滿磨具墊片為止,裝好磨具放到壓片機上開始壓片。分別採用5mpa,10mpa,15mpa的壓力來壓制樣品,實驗證明15mpa的壓力能保持所壓片的完整性,故,選擇15mpa為最佳的壓制壓力。
步驟3,將步驟2中壓制好的樣品,放到坩堝舟中,然後程序升溫。
步驟4,步驟3中燒結好的樣品,自然冷卻至室溫。取出樣品後做一些xrd,sem等一些檢測。
本發明與現有技術相比,由顯著的優點。操作工藝簡便,只涉及壓片和燒結工藝。節能環保,沒有涉及任何的化學試劑,無毒無汙染。還可以通過調控wo3所佔混合物的比例來調控wo3的微觀形貌,實驗可以看出,wo3所佔複合物的比例越小,wo3納米棒的細化程度就越好。
附圖說明:
圖1為一定比例的tio2/wo3納米棒的xrd圖。
圖2為發明實例1製備的tio2/wo3納米棒的sem圖(局部)。
圖3為發明實例2製備的tio2/wo3納米棒的sem圖(局部)。
圖4為發明實例2製備的tio2/wo3納米棒的sem圖(整體)。
圖5為發明實例3製備的tio2/wo3納米棒的sem圖(整體)。
具體實施方式:
首先從市場購得分析純的tio2和wo3粉末。
實驗所用的管式電阻爐的型號為sk2-4-12(4kw,220v),實驗所用到的臺式壓片機的型號為dy-20。
發明實例1
在tio2/wo3的複合物中金屬原子摩爾比ti遠遠大於w時,將該比例的金屬氧化物與粘結劑(水)混合均勻,把混合均勻的樣品均勻的倒在壓片磨具內,組裝好磨具,在壓片機上用15mpa的壓力壓制樣品。壓好的樣品再程序升溫,高溫燒結數個小時。
發明實例2
在tio2/wo3的複合物中金屬原子摩爾比ti大於w時,將該比例的金屬氧化物與粘結劑(水)混合均勻,把混合均勻的樣品均勻的倒在壓片磨具內,組裝好磨具,在壓片機上用15mpa的壓力壓制樣品。壓好的樣品再程序升溫,高溫燒結數個小時。
發明實例3
在tio2/wo3的複合物中金屬原子摩爾比ti稍大於w時,將該比例的金屬氧化物與粘結劑(水)混合均勻,把混合均勻的樣品均勻的倒在壓片磨具內,組裝好磨具,在壓片機上用15mpa的壓力壓制樣品。壓好的樣品再程序升溫,高溫燒結數個小時。
技術特徵:
技術總結
本發明屬於納米複合技術領域具體涉及一種二氧化鈦/三氧化鎢棒狀納米複合材料的製備方法。其製備過程採用混合燒結的工藝路線,首先製片,把三氧化鎢粉末和二氧化鈦粉末按照不同的比例與粘結劑混合均勻,然後採用模壓成形法將粉末壓製成片。下一步是把壓制好的片放到坩堝舟中,設置一定的升溫程序,在高溫下燒結數個小時,即可制的納米級棒狀的三氧化鎢。操作工藝簡便,只涉及壓片和燒結工藝。節能環保,沒有涉及任何的化學試劑,無毒無汙染,經濟實惠,簡單穩定且能大量製備WO3納米結構的方法。WO3對很多種氣體都有敏感性,因此是一種具有優良氣敏特性的半導體材料。此外納米WO3還有著特殊的催化性能。
技術研發人員:李澤全;白敏;何新銀;胡玲;李學敏;劉楠;王明燦;王茜
受保護的技術使用者:重慶大學
技術研發日:2017.03.08
技術公布日:2017.07.14