有機發光二極體顯示器的製造方法
2023-07-27 09:36:36 1
有機發光二極體顯示器的製造方法
【專利摘要】公開一種有機發光二極體顯示器，其包括：包括用於顯示圖像的有機發光二極體的像素單元，以及圍繞像素單元的周邊。該周邊包括：形成在基板上並從外部電路接收公共電壓的柵極公共電壓線；覆蓋柵極公共電壓線並包括用於暴露柵極公共電壓線的一部分的公共電壓接觸孔的層間絕緣層；形成在層間絕緣層上並且通過公共電壓接觸孔接觸柵極公共電壓線的數據公共電壓線；以及提供在公共電壓接觸孔中並且形成在基板上的多個突起。
【專利說明】有機發光二極體顯示器
【技術領域】
[0001]描述的技術總地涉及有機發光二極體(OELD)顯示器。
【背景技術】
[0002]有機發光二極體顯示器包括兩個電極和介於兩個電極之間的有機發射層，從作為一個電極的陰極注入的電子和從作為另一個電極的陽極注入的空穴在有機發射層中彼此結合，以形成激子，並且在激子釋放能量時發出光。
[0003]有機發光二極體顯示器的每個像素包括開關薄膜電晶體、驅動薄膜電晶體、電容器和有機發光二極體。驅動電壓ELVDD從驅動電壓線被供給至驅動薄膜電晶體和電容器，並且驅動薄膜電晶體用於控制通過驅動電壓線流到有機發光二極體的電流。公共電壓線將公共電壓ELVSS供給至陰極，並且在作為陽極的像素電極與公共電極之間形成電勢差，從而引起像素電極與公共電極之間的電流。
[0004]通過形成在周邊區域中的包括柵極線的柵極公共電壓接觸單元、包括數據線的數據公共電壓接觸單元以及公共電極之間的連續接觸，公共電壓ELVSS被傳送到形成在障肋上的公共電極。
[0005]不過，由於障肋的厚度，顯影劑沒有被有效地蒸發，因而在障肋中形成的接觸孔的邊界處可能產生提升現象。
[0006]關於提升現象，提供在障肋上的公共電極穿過接觸孔，而使與底金屬膜的粘著力惡化並且產生熱。
[0007]本背景部分中公開的上述信息僅用於增強對所描述技術的背景的理解，因此它可能包含不形成對本國內本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。
【發明內容】
[0008]所描述的技術致力於提供一種具有降低的熱產生的有機發光二極體(OLED)顯不器。
[0009]一示例性實施例提供一種有機發光二極體(OLED)顯示器，其包括:像素單元，形成在基板上並包括用於顯示圖像的有機發光二極體；以及圍繞所述像素單元的周邊，其中所述周邊包括:柵極公共電壓線，形成在所述基板上，並且從外部電路接收公共電壓；層間絕緣層，覆蓋所述柵極公共電壓線，並且包括用於暴露所述柵極公共電壓線的一部分的公共電壓接觸孔；數據公共電壓線，形成在所述層間絕緣層上，並且通過所述公共電壓接觸孔接觸所述柵極公共電壓線；障肋，用於覆蓋所述數據公共電壓線，並且包括用於暴露所述數據公共數據線的一部分的公共電壓開口 ；公共電極，形成在所述障肋上，並且通過所述公共電壓開口接觸所述數據公共電壓線；以及多個突起，被提供在所述公共電壓接觸孔種，並且形成在所述基板上。
[0010]所述有機發光二極體包括第一電極、被提供在所述第一電極上的有機發射層以及被提供在所述有機發射層上的第二電極，並且所述公共電極與所述第二電極一體形成。[0011 ] 所述第二電極形成在所述像素單元上。
[0012]所述像素單元包括薄膜電晶體，該薄膜電晶體用於將所述第一電極連接至該薄膜電晶體的漏電極。
[0013]所述突起由包括所述薄膜電晶體的半導體的材料在內的材料形成。
[0014]所述有機發光二極體顯示器進一步包括形成在所述基板上的緩衝層，其中所述突起包括由與所述緩衝層相同的材料製成的第一突起，以及被提供在所述第一突起上且由與所述半導體相同的材料製成的第二突起。
[0015]所述有機發光二極體顯示器進一步包括:形成在所述基板上的緩衝層，其中所述突起由與所述緩衝層相同的材料製成。
[0016]所述緩衝層包括氮化矽和氧化矽中至少之一。
[0017]所述基板包括被提供在相鄰突起之間的凹部分。
[0018]所述像素單元包括:柵極線，形成在所述基板上並且傳送掃描信號；數據線和驅動電壓線，以絕緣方式與所述柵極線交叉，並且分別傳送數據信號和驅動電壓；開關薄膜電晶體，連接至所述柵極線和所述數據線；驅動薄膜電晶體，連接至所述開關薄膜電晶體和所述驅動電壓線；第一電極，連接至所述驅動薄膜電晶體；有機發射層，形成在所述第一電極上；以及第二電極，形成在所述有機發光二極體上，其中所述柵極公共電壓線與所述柵極線形成在相同的層上，並且所述數據公共電壓線與所述數據線形成在相同的層上。
[0019]公共電極和公共電壓線的接觸面積通過根據示例性實施例的有機發光設備的突起得到增加，因而接觸電阻被降低。因此，由電阻根據障肋的提升現象而增大引起的熱產生能夠得到降低。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0020]圖1示出根據示例實施例的有機發光二極體(OLED)顯示器的俯視圖。
[0021]圖2示出根據示例實施例的有機發光二極體(OLED)顯示器的像素的等效電路。
[0022]圖3示出根據示例實施例的有機發光二極體(OLED)顯示器的像素的剖面圖。
[0023]圖4示出圖1的周邊中的邊部分(A)的放大俯視圖。
[0024]圖5示出關於圖4的線V-V的剖面圖。
[0025]圖6示出圖1的周邊中的邊部分(B)的放大俯視圖。
[0026]圖7示出關於圖6的線VI1-VII的剖面圖。
[0027]圖8示出根據另一示例性實施例的周邊中的邊部分(B)的剖面圖。
【具體實施方式】
[0028]下文中將參照附圖更全面地描述本發明，在附圖中示出了本發明的示例性實施例。本領域技術人員將認識到，所描述的實施例可以按各種不同方式被修改，所有這些均不偏離本發明的精神或範圍。
[0029]附圖和描述應該被認為在本質上是示例性的而非限制性的。相同的附圖標記在整個說明書中指代相同的元件。
[0030]進一步，在附圖中示出的每個部件的尺寸和厚度為了更好理解和易於描述而被任意示出，不過本發明不局限於此。[0031]在附圖中，層、膜、面板、區域等的厚度為了清楚而被擴大。為了理解和易於描述，一些層和區域的厚度被誇大。將理解的是，當一元件，例如層、膜、區域或基板被稱為「在」另一元件「上」時，它可以直接在該另一元件上，或者也可以存在中間元件。
[0032]另外，除非明確進行相反描述，否則詞語「包括」及其變形，例如「包含」或「含有」將被理解為意味著包括所述元件但是不排除其他任何元件。詞語「在……上」指的是置於目標部分上或目標部分下，而不一定是指基於重力方向設置在目標部分的上側上。
[0033]圖1示出根據示例性實施例的有機發光二極體(OLED)顯示器的俯視圖。
[0034]如圖1中所示，有機發光二極體(OLED)顯示器包括基板100、形成在基板100上並且包括由有機發光二極體(LD)構成的多個像素(PX)的像素單元(PA)以及圍繞像素單元(PA)的周邊(PB)。
[0035]現在將參照圖2來描述像素(PX)。
[0036]圖2示出根據示例性實施例的有機發光二極體(OLED)顯示器的像素的等效電路。
[0037]圖2和圖3中示出顯示面板的像素的詳細結構，而示例性實施例不局限於圖2和圖3中所示的結構。布線和有機發光二極體可以在本領域技術人員能夠容易進行改變的範圍內以各種結構形成。例如，附圖示出兩個電晶體一個電容器(2Tr-lCap)結構的有源矩陣(AM)型顯示設備，其中一個像素包括兩個薄膜電晶體(TFT)和一個電容器，不過實施例不局限於此。因此，顯示設備不限制薄膜電晶體、電容器和布線的數目。另外，像素表示用於顯示圖像的最小單元，並且顯示設備使用多個像素來顯示圖像。
[0038]如圖2中所示，顯示設備包括多條信號線121、171和172、以及連接至這些信號線並且布置成矩陣形式的多個像素(PX)。
[0039]信號線包括用於傳送柵極信號(或掃描信號)的多條柵極線121、用於傳送數據信號的多條數據線171以及用於傳送驅動電壓(ELVDD)的多條驅動電壓線172。柵極線121沿行方向被提供並且彼此基本平行，並且數據線171和驅動電壓線172的在豎直方向上的部分沿列方向被提供並且彼此基本平行。
[0040]像素(PX)包括開關薄膜電晶體(Qs)、驅動薄膜電晶體(Qd)、存儲電容器(Cst)和有機發光二極體(OLED) (LD)0
[0041]開關薄膜電晶體(Qs)包括控制端子、輸入端子和輸出端子，並且控制端子連接至柵極線121，輸入端子連接至數據線171，而輸出端子連接至驅動薄膜電晶體(Qd)。開關薄膜電晶體(Qs)響應於施加到柵極線121的掃描信號來將施加到數據線171的數據信號傳送至驅動薄膜電晶體(Qd)。
[0042]驅動薄膜電晶體(Qd)包括控制端子、輸入端子和輸出端子，並且控制端子連接至開關薄膜電晶體(Qs)，輸入端子連接至驅動電壓線172，而輸出端子連接至有機發光二極體(LD)。驅動薄膜電晶體(Qd)輸出能依據控制端子與輸出端子之間的電壓而變的輸出電流(Ild)。
[0043]電容器(Cst)連接在驅動薄膜電晶體(Qd)的控制端子與輸入端子之間。在開關薄膜電晶體(Qs)截止時，電容器(Cst)充入施加到驅動薄膜電晶體(Qd)的控制端子的數據信號並且維持該數據信號。
[0044]有機發光二極體(LD)包括連接至驅動薄膜電晶體(Qd)的輸出端子的陽極和連接至公共電壓(ELVSS)的陰極。有機發光二極體(LD)依據於驅動薄膜電晶體(Qd)的輸出電流(Iui)改變強度並發出光，從而顯示圖像。
[0045]現在將參照圖2和圖3描述根據示例性實施例的有機發光二極體(OLED)顯示器的內層結構。
[0046]圖3示出根據示例性實施例的有機發光二極體(OLED)顯示器的像素的剖面圖。
[0047]圖3的剖面圖示出連接至有機發光二極體的薄膜電晶體。
[0048]如圖2和圖3中所示，有機發光二極體(OLED)顯示器包括基板100，並且緩衝層120形成在基板100上。
[0049]基板100可以是由聚合物材料製成的聚合物基板，或者是玻璃基板。
[0050]緩衝層120可以利用氮化矽(SiNx)的單膜形成，或者利用通過堆疊氮化矽(SiNx)和氧化矽(SiO2)而產生的多個多層形成。緩衝層120防止諸如雜質或溼氣的不期望成分的滲入，並且平滑它的表面。
[0051]多晶矽的半導體135形成在緩衝層120上。
[0052]半導體135包括溝道區1355以及形成在溝道區1355的兩側上的源區1356和漏區1357。半導體135的溝道區1355是未摻雜質的多晶矽，即本徵半導體。半導體135的源區1356和漏區1357是摻有導電雜質的多晶矽，即雜質半導體。
[0053]源區1356和漏區1357可以是p型雜質和η型雜質中之一。
[0054]柵極絕緣層140形成在半導體135上。柵極絕緣層140可以利用四乙基原矽酸鹽(TEOS)、氧化矽(SiO2)或氮化矽(SiNx)的單層形成，或者利用通過堆疊氧化矽(SiO2)和氮化矽(SiNx)所形成的多個多層形成。
[0055]柵電極155形成在柵極絕緣層140上，並且柵電極155覆蓋溝道區1355。
[0056]柵電極155可以利用諸如Al、T1、Mo、Cu、Ni或其合金的低電阻材料或者高腐蝕材料的單層或者多層形成。
[0057]第一層間絕緣層160形成在柵電極155上。
[0058]以與柵極絕緣層140類似的方式，第一層間絕緣層160可以利用四乙基原矽酸鹽(TEOS)、氧化矽(SiO2)或氮化矽(SiNx)的單層形成，或者利用通過堆疊氧化矽(SiO2)和氮化矽(SiNx)所形成的多個多層形成。
[0059]第一層間絕緣層160和柵極絕緣層140包括用於暴露源區1356的源接觸孔166和用於暴露漏區1357的漏接觸孔167。
[0060]源電極173和漏電極175形成在第一層間絕緣層160上。
[0061]源電極173和漏電極175分別通過接觸孔166和167連接至源區1356和漏區1357。
[0062]漏電極175可以利用諸如Al、T1、Mo、Cu、Ni或其合金的低電阻材料或者高腐蝕材料的單層或者多層形成。例如，漏電極175可以是Ti/Cu/T1、Ti/Ag/Ti或Mo/Al/Mo的三層。
[0063]第二層間絕緣層180形成在漏電極175上。
[0064]以與第一層間絕緣層類似的方式，第二層間絕緣層180可以利用四乙基原矽酸鹽(TEOS)、氧化矽(Si02)或氮化矽(SiNx)的單層形成，或者利用通過堆疊氧化矽(Si02)和氮化矽(SiNx)所形成的多個多層形成。第二層間絕緣層180還可以利用低介電常數有機材料形成。[0065]用於暴露漏電極175的接觸孔82形成在第二層間絕緣層180中。
[0066]第一電極710形成在第二層間絕緣層180上。第一電極710可以是圖2中示出的有機發光二極體的陽極。層間絕緣層形成在第一電極710與漏電極175之間，並且第一電極710可以形成在與漏電極175相同的層上並可以與漏電極175 —體地形成。
[0067]障肋190形成在第一電極710上。
[0068]障肋190具有用於暴露第一電極710的開口 195。障肋190包括聚丙烯酸的或聚醯亞胺的樹脂以及矽基無機材料。
[0069]有機發射層720形成在障肋190的開口 195中。
[0070]有機發射層720形成為包括發射層、空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)中至少之一的多個層。
[0071]在有機發射層720包括所有這些層時，空穴注入層(HIL)被提供在第一電極710上，而陽極、空穴傳輸層(HTL)、發射層、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)依次堆疊在空穴注入層(HIL)上。
[0072]第二電極730形成在障肋190和有機發射層720上。
[0073]第二電極730成為公共電極，其作為有機發光二極體的陰極。因此，第一電極710、有機發射層720和第二電極730構成有機發光二極體70。
[0074]有機發光二極體(OLED)顯示器可以根據有機發光二極體70發出光的方向而為前顯示型、後顯示型或者兩側顯示型。
[0075]在前顯示型的情況下，第一電極710形成為反射層，第二電極730形成為半反射層或透射層。在後顯示型的情況下，第一電極710形成為半透射層，第二電極730形成為反射層。在兩側顯示型的情況下，第一電極710和第二電極730形成為透明層或半透射層。
[0076]反射層和半透射層由鎂(Mg)、銀(Ag)、金(Au)、鈣(Ca)、鋰(Li)、鉻(Cr)和鋁(Al)中的至少一種金屬或者其合金製成。反射層和半透射層由厚度確定，並且半透射層可以形成為小於200nm厚。光透射度在厚度減小時增加，但是在太薄時，電阻增加。
[0077]透明層由氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化鋅(ZnO)或氧化錫(In2O3)製成。
[0078]封裝層130形成在第二電極730上。封裝層130可以通過交替堆疊至少一個有機層和至少一個無機層形成。可以有多個無機層或有機層。
[0079]有機層由聚合物形成，並且期望的是，它可以是包括聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚醯亞胺、聚碳酸酯、環氧樹脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中之一的單層或沉積層。進一步期望的是，有機層可以利用聚丙烯酸酯形成，並且詳細地說，它包括包含二丙烯酸脂單體和三丙烯酸脂單體在內的聚合單體合成物。單丙烯酸脂單體可以包含在單體合成物中。而且，例如TPO的光敏引發劑可以進一步包含在單體合成物，但是不局限於此。
[0080]無機層可以是包括金屬氧化物或金屬氮化物的單層或沉積層。詳細地說，無機層可以包括SiNx、Al203、Si02和TiO2中之一。
[0081]封裝層130的外部暴露的最上層可以利用無機層形成，從而防止蒸氣滲入有機發光二極體內。
[0082]封裝層可以包括其中至少一個有機層插入在至少兩個無機層之間的至少一個夾層結構。進一步，封裝層可以包括其中至少一個無機層包含在至少兩個有機層之間的至少
一個夾層結構。[0083]封裝層可以按從顯示器的頂部到底部的順序依次包括第一無機層、第一有機層和第二無機層。另外，封裝層可以按從顯示器的頂部到底部的順序依次包括第一無機層、第一有機層、第二無機層、第二有機層和第三無機層。進一步，封裝層可以按從顯示器的頂部到底部的順序依次包括第一無機層、第一有機層、第二無機層、第二有機層、第三無機層、第三有機層和第四無機層。
[0084]包括LiF的金屬滷化物層可以包含在顯示單元與第一無機層之間。金屬滷化物層防止在根據濺射方法或等離子體沉積方法形成第一無機層時破壞顯示單元。
[0085]第一有機層比第二無機層窄，而第二有機層可以比第三無機層窄。進一步，第一有機層由第二無機層全部覆蓋，而第二有機層可以由第三無機層全部覆蓋。
[0086]現在將描述根據示例性實施例的有機發光二極體(OLED)顯示器的周邊。
[0087]圖4示出圖1的周邊中的邊部分(A)的放大俯視圖，圖5示出關於圖4的線V_V的剖面圖，圖6示出圖1的周邊中的邊部分(B)的放大俯視圖，而圖7示出關於圖6的線VI1-VII的剖面圖。
[0088]如圖4至圖7中所示，緩衝層120形成在有機發光二極體(OLED)顯示器的基板100上。
[0089]為了易於描述，其中接觸孔用於將公共電壓從外面(或外部電路)傳送到像素的第二電極的部分將被稱為接觸區域(LA)。接觸區域(LA)被提供在圖1中示出的周邊(PB)的邊部分A和邊部分B上。每個接觸區域(LA)在圖4中被提供在邊部分A和邊部分B上，並且多個接觸區域(LA)可以形成在邊部分A和邊部分B上。
[0090]緩衝層120包括從中去除緩衝層120的與接觸區域(LA)對應的部分的開口 22，並且多個突起600形成在開口 22中。
[0091]突起600包括由與緩衝層120相同的材料製成的第一突起62，以及被提供在第一突起上且由與半導體相同的材料製成的第二突起64。
[0092]為了增大突起600的臺階，可以形成多個緩衝層120。考慮到上層的臺階覆蓋，突起600的高度(H)可以為3000 A到5000 A。在該示例中，第一突起62形成為3000 A到4500 A厚，而第二突起64形成為500 A厚。
[0093]柵極絕緣層140形成在緩衝層120和突起600上。柵極絕緣層140沿著突起600形成以形成突起和凹陷。
[0094]柵極公共電壓線42和柵極驅動電壓線52形成在柵極絕緣層140上。柵極公共電壓線42沿著由突起600所形成的突起和凹陷形成，從而形成突起和凹陷。
[0095]柵極公共電壓線42和柵極驅動電壓線52與柵極線形成在相同的層上，並且它們可以由與柵極線相同的材料形成。
[0096]柵極公共電壓線42和柵極驅動電壓線52分別通過焊盤4和5從柔性印刷電路(FPC)接收公共電壓和驅動電壓。
[0097]第一層間絕緣層160形成在柵極公共電壓線42和柵極驅動電壓線52上。
[0098]第一層間絕緣層160包括用於暴露柵極公共電壓線42的公共電壓接觸孔83和用於暴露柵極驅動電壓線52的驅動電壓接觸孔85。
[0099]通過公共電壓接觸孔83連接至柵極公共電壓線42的數據公共電壓線44和通過驅動電壓接觸孔85連接至柵極驅動電壓線52的數據驅動電壓線54形成在第一層間絕緣層160上。
[0100]數據公共電壓線44沿著柵極公共電壓線42的突起和凹陷形成，從而形成突起和凹陷，並且接觸柵極公共電壓線42的區域通過突起和凹陷得到增加，從而期望得到降低接觸電阻的效果。
[0101]障肋190形成在數據公共電壓線44和數據驅動電壓線54上。
[0102]障肋190具有用於暴露數據公共電壓線44的公共電壓開口 97。公共電壓開口 97被提供在接觸區域(LA)中。
[0103]第二電極730形成在障肋190上。第二電極730通過公共電壓開口 97連接至數據公共電壓線44。
[0104]通過焊盤4施加的公共電壓通過由柵極公共電壓線42和數據公共電壓線44構成的公共電壓線400傳送到第二電極730。
[0105]第二電極730與數據公共電壓線44的接觸區域通過由突起600所形成的接觸區域(LA)的突起和凹陷得到增加，因而第二電極730和數據公共電壓線44被有力結合併且接觸電阻被降低。因此，在障肋190的構成公共電壓開口 97的切割部分被提升時不產生熱。
[0106]通過焊盤5施加的恆定電壓通過由柵極驅動電壓線52和數據驅動電壓線54構成的驅動電壓線500傳送到驅動電壓線。
[0107]圖8示出根據另一示例性實施例的周邊中在圖1示出的邊部分(B)的剖面圖。
[0108]內層結構與圖3到圖7的內層結構基本等同，因而將詳細描述不同的部件。
[0109]根據圖8的示例性實施例的接觸區域(LA)中的基板100具有凹部分(U)。凹部分(U)被提供在相鄰突起600之間，並且它增大了突起的臺階。
[0110]因此，在通過利用緩衝層和半導體所形成的突起600引起的臺階足夠時，凹部分(U)可以不形成在基板100中。
[0111]雖然結合目前被認為是可行的示例性實施例描述了本公開內容，但是應該理解，本發明不局限於所公開的實施例，而是相反地，本發明意在涵蓋包括在所附權利要求書的精神和範圍內的各種修改和等同布置。
【權利要求】
1.一種有機發光二極體顯不器，包括: 像素單元，形成在基板上並且包括用於顯示圖像的有機發光二極體；以及圍繞所述像素單元的周邊，所述周邊包括: 柵極公共電壓線，形成在所述基板上，並且從外部電路接收公共電壓， 層間絕緣層，覆蓋所述柵極公共電壓線，並且包括用於暴露所述柵極公共電壓線的一部分的公共電壓接觸孔， 數據公共電壓線，形成在所述層間絕緣層上，並且通過所述公共電壓接觸孔接觸所述柵極公共電壓線， 障肋，用於覆蓋所述數據公共電壓線，並且包括用於暴露所述數據公共數據線的一部分的公共電壓開口， 公共電極，形成在所述障肋上，並且通過所述公共電壓開口接觸所述數據公共電壓線，以及 多個突起，被提供在所述公共電壓接觸孔中，並且形成在所述基板上。
2.根據權利要求1所述的有機發光二極體顯示器，其中所述有機發光二極體包括: 第一電極、被提供在所述第一電極上的有機發射層以及被提供在所述有機發射層上的第二電極，並且 所述公共電極與所述第二電極一體形成。
3.根據權利要求2所述的有機`發光二極體顯示器，其中所述第二電極形成在所述像素單元上。
4.根據權利要求2所述的有機發光二極體顯示器，其中所述像素單元包括薄膜電晶體，該薄膜電晶體用於將所述第一電極連接至該薄膜電晶體管的漏電極。
5.根據權利要求4所述的有機發光二極體顯示器，其中所述突起由包括所述薄膜電晶體的半導體的材料在內的材料形成。
6.根據權利要求5所述的有機發光二極體顯示器，進一步包括形成在所述基板上的緩衝層，所述突起包括由與所述緩衝層相同的材料製成的第一突起以及被提供在所述第一突起上且由與所述半導體相同的材料製成的第二突起。
7.根據權利要求1所述的有機發光二極體顯示器，進一步包括: 形成在所述基板上的緩衝層，所述突起由與所述緩衝層相同的材料製成。
8.根據權利要求6或7所述的有機發光二極體顯示器，其中所述緩衝層包括氮化矽和氧化矽中至少之一。
9.根據權利要求1所述的有機發光二極體顯示器，其中所述基板包括被提供在相鄰突起之間的凹部分。
10.根據權利要求1所述的有機發光二極體顯示器，其中所述像素單元包括: 柵極線，形成在所述基板上並且傳送掃描信號； 數據線和驅動電壓線，以絕緣方式與所述柵極線交叉，並且分別傳送數據信號和驅動電壓； 開關薄膜電晶體，連接至所述柵極線和所述數據線； 驅動薄膜電晶體，連接至所述開關薄膜電晶體和所述驅動電壓線； 第一電極，連接至所述驅動薄膜電晶體；有機發射層，形成在所述第一電極上；以及 第二電極，形成在所述有機發光二極體上，其中所述柵極公共電壓線與所述柵極線形成在相同的層上，並且所述·數據公共電壓線與所述數據線形成在相同的層上。
【文檔編號】H01L27/32GK103855190SQ201310629805
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2013年11月29日 優先權日:2012年11月29日
【發明者】樸景薰, 樸鍾賢, 許成權 申請人:三星顯示有限公司