顯示基板及其製作方法和顯示裝置與流程

2023-07-22 13:46:21

本公開涉及顯示技術領域，並且具體而言涉及一種顯示基板及其製作方法和顯示裝置。

背景技術：

在諸如液晶顯示裝置的顯示裝置中，存儲電容器(storagecapacitor)配置成在薄膜電晶體關閉後預設時間內，將像素電極的電壓維持在特定範圍。存儲電容器要求具備足夠大的電容值(capacitance)，以避免像素閃爍、對比度低和串擾等問題，進而提高顯示質量。增大存儲電容器的面積可增大電容值。由於存儲電容器一般由不透明金屬形成，當存儲電容器的面積增大時，像素單元的開口率(apertureratio)降低並且顯示亮度(displayluminance)降低。現有的存儲電容器通常為極板與顯示基板所在平面平行的水平電容器。存儲電容器的面積增大將導致一系列不期望的結果，例如，不利於縮小像素尺寸，並且不利於提高顯示裝置的解析度。由此可見，本領域中存在對增大存儲電容的需求。

技術實現要素：

本公開的目的在於減輕或解決前文所提到的問題的一個或多個。在本公開實施例的顯示基板及其製作方法和顯示裝置中，通過在顯示基板的絕緣層中形成與襯底基板垂直或傾斜設置的豎直存儲電容器，有效地增大了顯示基板中的存儲電容。

在第一方面，本公開實施例提供了一種顯示基板，包括襯底基板、形成於所述襯底基板上的多個器件層、以及形成於所述器件層之間的絕緣層，其中所述顯示基板還包括第一電極和第二電極以及設置在所述絕緣層中的豎直存儲電容器，所述豎直存儲電容器包括相互隔開的第一極板和第二極板，所述第一極板連接到所述第一電極，所述第二極板連接到所述第二電極，並且所述第一極板和第二極板垂直於所述襯底基板，或者相對於所述襯底基板傾斜設置。

根據此實施例，通過在顯示基板的絕緣層中形成與襯底基板垂直或傾斜設置的豎直存儲電容器，有效地增大了顯示基板中的存儲電容。該豎直存儲電容器設置在顯示基板的已有絕緣層中，因而不增加顯示基板的層結構。

在本公開上下文中，措辭"豎直存儲電容器'是指該存儲電容器整體上沿上下方向(即豎直方向)延伸，而不是指該存儲電容器垂直於顯示基板中的襯底基板所在的平面。

在一實施例中，所述第一極板和第二極板與所述襯底基板的法向之間的夾角小於或等於10度。

根據此實施例，第一極板和第二極板相對於襯底基板傾斜設置，這有利於增大第一極板和第二極板的有效面積，進而增大存儲電容。另一方面，第一極板和第二極板與襯底基板的法向之間的夾角保持在較小，這有利於通過在絕緣層中形成溝槽並且隨後利用導電材料填充所述溝槽而形成所述第一極板和第二極板。通常情形下，該夾角越小，越有利於在所述溝槽中填充導電材料。當第一極板和第二極板與襯底基板的法向之間的夾角為0度時，第一極板和第二極板垂直於襯底基板設置，減小了該豎直存儲電容器阻擋光線的可能性。

在一實施例中，所述絕緣層為設置在兩個所述多個器件層之間的層間電介質層。

顯示基板通常包括層間電介質層，該層間電介質層設置在兩個相鄰的器件層之間，用於電氣絕緣這兩個相鄰的器件層。根據此實施例，通過將豎直存儲電容器設置在層間電介質層中，有效地增大了顯示基板中的存儲電容。

在一實施例中，所述絕緣層為設置在所述多個器件層之間的平坦化層。

顯示基板通常包括覆蓋在一器件層上的平坦化層，以減少或消除襯底基板上由各器件層引入的段差，從而為後續形成的諸如像素電極的器件層提供相對平整的表面。根據此實施例，通過將豎直存儲電容器設置在平坦化層中，有效地增大了顯示基板中的存儲電容。將豎直存儲電容器設置在平坦化層中是有利的，因為平坦化層本身較厚，而且平坦化層通過塗布有機樹脂材料形成，成膜速率較快。

在一實施例中，所述顯示基板包括多個像素單元，每個所述像素單元包括顯示區域和外圍區域，並且所述豎直存儲電容器設置在所述外圍區域。

根據此實施例，由於像素單元的外圍區域通常是不透光的，設置在外圍區域的豎直存儲電容器將不影響顯示基板的開口率。

在一實施例中，所述顯示基板還包括設置在每個所述像素單元的外圍區域的水平存儲電容器，所述水平存儲電容器包括相互隔開的上極板和下極板，並且所述上極板和下基板平行於所述襯底基板。

根據此實施例，顯示基板同時包括水平存儲電容器和豎直存儲電容器。該豎直存儲電容器作為常見的水平存儲電容器的補充，有利於增大顯示基板中的存儲電容。

在一實施例中，所述豎直存儲電容器在所述襯底基板上的投影落在所述水平存儲電容器在所述襯底基板上的投影之內。

根據此實施例，由於水平存儲電容器通常是不透光的，通過將豎直存儲電容器設置在顯示基板中水平存儲電容器所在的不透光區域，該豎直存儲電容器將不影響顯示基板的開口率。

在一實施例中，所述豎直存儲電容器在所述襯底基板上的投影與所述水平存儲電容器在所述襯底基板上的投影無交疊。

根據此實施例，豎直存儲電容器和水平存儲電容器的投影相互之間不交疊。由於該豎直存儲電容器的存在，水平存儲電容器的面積可以減小以增大顯示基板的開口率。當該豎直存儲電容器的存儲電容足夠大的情形下，該水平存儲電容器甚至可以省略，這有利於進一步增大顯示基板的開口率。

在一實施例中，所述層間電介質層的厚度為300nm-1500nm。

以第一極板和第二極板垂直於襯底基板為例，當豎直存儲電容器設置在層間電介質層中時，層間電介質層的厚度為第一極板和第二極板在豎直方向的尺寸的上限。因此，層間電介質層的厚度越大，設置在該層間電介質層中的豎直存儲電容器可實現的存儲電容越大。當層間電介質層的厚度超過1500nm時，成膜時間較長，這從量產角度是不利的。根據此實施例，當第一極板和第二極板垂直於襯底基板時，第一極板和第二極板在豎直方向上的尺寸為300nm-1500nm。

在一實施例中，所述平坦化層的厚度為1000-3000nm。

出於減小或消除段差的目的，平坦化層通常較厚。根據此實施例，當第一極板和第二極板垂直於襯底基板時，第一極板和第二極板在豎直方向上的尺寸為1000nm-3000nm。在樹脂平坦化層中通過曝光顯影形成溝槽並且隨後填充導電材料的情形下，2000nm的尺寸是有利的。

在一實施例中，所述第一極板和第二極板之間的間距為100-300nm。

根據此實施例，第一極板和第二極板設置成具有小的間距，這有利於增大豎直存儲電容器的存儲電容。

在一實施例中，所述第一極板和第二極板在所述襯底基板上的投影呈折線形狀或螺旋形狀。

根據此實施例，第一極板和第二極板的投影呈折線形狀或螺旋形狀，這有利於增大第一極板和第二極板的有效面積，進而增大存儲電容。

在一實施例中，所述層間電介質層由氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化鉭、氧化鉿或氧化鋯形成。

根據此實施例，這些氧化物絕緣材料具有較大的介電常數，即，第一極板和第二極板之間的材料具有較大的介電常數。這有利於增大豎直存儲電容器的存儲電容。

在一實施例中，所述平坦化層由聚醯亞胺、聚醯胺、丙烯酸樹脂、苯並環丁烯或酚醛樹脂形成。

根據此實施例，這些有機樹脂材料具有較大的介電常數，即，第一極板和第二極板之間的材料具有較大的介電常數。這有利於增大豎直存儲電容器的存儲電容。

在一實施例中，所述豎直存儲電容器還包括設置在所述第一極板和第二極板之間的絕緣間隔物，並且所述絕緣間隔物的介電常數大於所述絕緣層的介電常數。

根據此實施例，通過在第一極板和第二極板之間填充介電常數較大的絕緣間隔物，這有利於增大豎直存儲電容器的存儲電容。

在一實施例中，所述顯示基板還包括設置所述襯底基板上的驅動薄膜電晶體，所述第一極板電連接到所述驅動薄膜電晶體的柵極，並且所述第二極板電連接到所述驅動薄膜電晶體的源極。

根據此實施例，第一極板和第二極板分別電連接到驅動薄膜電晶體的柵極和漏極。當顯示基板還包括水平存儲電容器時，該水平存儲電容器的上極板和下極板也分別電連接到驅動薄膜電晶體的柵極和漏極。

在第二方面，本公開實施例提供了一種顯示裝置，包括如上文所述的顯示基板。

根據本公開實施例的顯示裝置具有與上文所述的顯示基板相同或相似的益處，此處不再贅述。

在第三方面，本公開實施例提供了一種顯示基板的製作方法，包括：在襯底基板上形成器件層；在所述器件層上形成絕緣層；以及在所述絕緣層中形成豎直存儲電容器，其中所述豎直存儲電容器包括相互隔開的第一極板和第二極板，所述第一極板和第二極板垂直於所述襯底基板，或者相對於所述襯底基板傾斜設置。

此外，根據本公開實施例的顯示基板的製作方法具有與上文所述的顯示基板相同或相似的益處，此處不再贅述。

附圖說明

附圖是用來提供對本公開的進一步理解，並且構成說明書的一部分，與下文的具體實施方式一起用於解釋本公開，但並不構成對本公開的限制。在附圖中：

圖1為本公開一實施例的顯示基板的示意性剖面圖；

圖2為本公開一實施例的製備顯示基板的方法的示意性流程圖；

圖3a、3b、3c、3d、3e、3f和3g為本公開一實施例的顯示基板在製備過程各階段的示意性剖面圖；

圖4為本公開一實施例的豎直存儲電容器的示意性俯視圖；以及

圖5為本公開一實施例的顯示裝置的示意性剖面圖。

具體實施方式

下面結合附圖，對本公開的顯示基板及其製作方法和顯示裝置通過的具體實施方式進行詳細地說明。本公開的附圖示意性地繪示出與發明點有關的結構、部分和/或步驟，而沒有繪示或者僅僅部分地繪示與發明點無關的結構、部分和/或步驟。附圖中各膜層的厚度和形狀不反映真實比例，目的只是示意說明本公開的內容。

附圖中示出的部件標註如下：100襯底基板；102緩衝層；104有源層；106、106'柵極絕緣層；108柵極；108'柵極連接部；110層間電介質層；112源極；114漏極；116保護層；118平坦化層；120a第一溝槽；120b第二溝槽；122豎直存儲電容器；122a第一極板；122b第二極板；124第一電極；126像素定義層；128功能層；130第二電極；132封裝基板；v1第一過孔；v2第二過孔；v3第三過孔。

以下結合圖1描述根據本公開一實施例的顯示基板。如圖1所示，在一示例性實施例中，顯示基板包括襯底基板100、形成於襯底基板上的多個器件層、以及形成於器件層之間的絕緣層。

在圖1所示實施例中，顯示基板包括驅動薄膜電晶體。該驅動薄膜電晶體包括形成於襯底基板100上的有源層104、柵極108、源極112和漏極114。例如，襯底基板100和有源層104之間還設置有緩衝層102。緩衝層102有助於防止襯底基板100中的雜質進入有源層104，進而影響驅動薄膜電晶體的電氣性能。柵極絕緣層106設置在有源層104和柵極108之間。源極112和漏極114通過層間電介質層110與柵極108分隔開。保護層116覆蓋驅動薄膜電晶體，並且平坦化層118覆蓋該保護層116以提供平坦頂表面。

如圖1所示，該顯示基板還包括設置在平坦化層118中的豎直存儲電容器122。豎直存儲電容器122包括相互隔開的第一極板122a和第二極板122b。第一極板122a和第二極板122b垂直於襯底基板100，或者相對於襯底基板100傾斜設置（未示出）。通過在顯示基板的平坦化層118中形成與襯底基板100垂直或傾斜設置的豎直存儲電容器122，這有效地增大了顯示基板中的存儲電容。

如圖1所示，豎直存儲電容器122包括由導電材料形成的第一極板122a和第二極板122b。第一極板122a通過貫穿保護層116的第二過孔v2而電連接到驅動薄膜電晶體的源極112。第二極板122b通過貫穿保護層116的第三過孔v3和貫穿層間電介質層110的第一過孔v1而電連接到柵極連接部108'。此處，柵極絕緣層106'和柵極連接部108'的疊層與柵極絕緣層106和柵極108的疊層由同一構圖工藝形成。具體而言，柵極絕緣層106和柵極絕緣層106'由同一成膜工藝形成，隨後柵極108和柵極連接部108'由同一成膜工藝形成，接著利用同一構圖工藝同時形成柵極絕緣層106和柵極108的疊層以及柵極絕緣層106'和柵極連接部108'的疊層。

同層設置，由相同材料形成，並且電連接到柵極108。

以下結合圖2描述根據本公開一實施例的製備顯示基板的方法的示意性流程圖。

如圖2所示，例如，一種製備顯示基板的方法，包括：

步驟s210，在襯底基板上形成器件層；

步驟s220，在所述器件層上形成絕緣層；以及

步驟s230，在所述絕緣層中形成豎直存儲電容器，其中所述豎直存儲電容器包括相互隔開的第一極板和第二極板，所述第一極板和第二極板垂直於所述襯底基板，或者相對於所述襯底基板傾斜設置。

在下文中結合圖3a、3b、3c、3d、3e、3f和3g描述根據本公開一實施例的顯示基板的製作過程。

如圖3a所示，在襯底基板100上形成一層有源層材料，並且進行構圖工藝以形成有源層104的圖形。

在一實施例中，在形成有源層104的圖形之前，該步驟還可包括在襯底基板100上形成緩衝層102。例如，緩衝層102具有200-500nm的總厚度，並且緩衝層102為二氧化矽和氮化矽的雙層疊層。

此處的構圖工藝包括光刻膠塗敷、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等過程。由於光刻膠塗布等過程為本領域技術人員所知曉，本公開各實施例在描述構圖工藝時，不具體描述塗布光刻膠等過程，但是這不意味著這些過程不存在或被省略。

如圖3b所示，在形成了包括有源層104的圖形的襯底基板100上，形成柵極絕緣層106和柵極108的疊層，並且進行構圖工藝以形成柵極絕緣層106和柵極108的圖形。

例如，通過等離子體化學氣相沉積等方法，在形成了包括有源層104的圖形的襯底基板100上，沉積柵極絕緣層106。接著，通過濺射或蒸鍍等方法，在柵極絕緣層106上形成柵極金屬層，並且對該柵極絕緣層和柵極金屬層進行構圖工藝，形成包括柵極絕緣層106和柵極108的圖形。此外，在此步驟中，在形成柵極絕緣層106和柵極108的疊層的同時，形成柵極絕緣層106'和柵極連接部108'的疊層。隨後，對形成了柵極108的襯底基板100進行等離子體處理，將有源層104的露出部分導體化，以提高後續形成的薄膜電晶體的溝道導電性。

如圖3c所示，在形成了包括柵極108的圖形的襯底基板100上，形成層間電介質層110，形成連接到有源層104的源極112和漏極114，並且形成連接到柵極連接部108'的第一過孔v1。

例如，通過等離子體化學氣相沉積等方法，在形成了包括柵極108的圖形的襯底基板100上，形成層間電介質層110。對該層間電介質層110進行構圖工藝，形成貫穿層間電介質層110的接觸孔，使有源層104和柵極連接部108'部分露出。接著，通過濺射或蒸鍍等方法形成金屬層，並且通過構圖工藝形成包括源極112、漏極114和第一過孔v1的圖形。源極112和漏極114通過接觸孔連接到有源層104，並且第一過孔v1連接到柵極連接部108'。例如，層間電介質層110的厚度為300nm-1500nm。例如，層間電介質層110由氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化鉭、氧化鉿或氧化鋯形成。

如圖3d所示，在形成了薄膜電晶體的襯底基板100上，形成保護層116，並且進行構圖工藝以形成貫穿保護層116的第二過孔v2和第三過孔v3，其中第二過孔v2連接到源極112，並且第三過孔v3連接到第一過孔v1。

如圖3e所示，在形成了第二過孔v2和第三過孔v3的襯底基板100上，形成平坦化層118。在一實施例中，平坦化層118包括有機樹脂，例如聚醯亞胺、聚醯胺、丙烯酸樹脂、苯並環丁烯或酚醛樹脂形成。這些有機樹脂材料具有較大的介電常數。由於該樹脂材料夾置在後續形成的第一極板和第二極板之間，因此這有利於增大豎直存儲電容器的存儲電容。

如圖3f所示，通過曝光顯影工藝，在平坦化層118中形成第一溝槽120a和第二溝槽120b。例如，第一溝槽120a露出部分第二過孔v2，並且第二溝槽120b露出部分第三過孔v3。如所示，第一溝槽120a和第二溝槽120b垂直於襯底基板100。

如圖3g所示，通過諸如濺射、蒸鍍的工藝，在第一溝槽120a和第二溝槽120b中填充導電材料，形成第一極板122a和第二極板122b。在一實施例中，該導電材料例如為銅(cu)、鋁(al)、鉑(pt)、鈀(pd)、鉬(mo)、銀(ag)、鎂(mg)、金(au)、鎳(ni)、鈦(ti)等。在其它實施例中，該導電材料為導電氧化物，例如ito。如所示，豎直存儲電容器122的第一極板122a和第二極板122b垂直於襯底基板100。在其它實施例中，第一極板122a和第二極板122b相對於襯底基板傾斜設置。例如，第一極板122a和第二極板122b與襯底基板100的法向之間的夾角小於或等於10度。通過傾斜設置，有利於增大第一極板122a和第二極板122b的有效面積，進而增大豎直存儲電容器122的存儲電容。第一極板122a和第二極板122b與襯底基板100的法向之間的夾角保持在較小，例如小於5度。這有利於通過在平坦化層118中形成第一溝槽120a和第二溝槽120b並且隨後利用導電材料填充以形成第一極板122a和第二極板122b。應指出，僅僅是為了簡化起見，各個附圖示出了第一極板122a和第二極板122b與襯底基板100垂直的情形。

通過上述步驟，完成了本公開實施例的顯示基板的製作。

在圖3d-3g描述的實施例中，在形成保護層116之後，在該保護層116中形成連接到源極112的第二過孔v2以及連接到柵極連接部108'的第三過孔v3。接著形成平坦化層118，並且在該平坦化層118中形成分別連接到第二過孔v2和第三過孔v3的第一極板122a和第二極板122b，使得第一極板122a和第二極板122b分別連接到薄膜驅動電晶體的源極112和柵極108。

如上所述，保護層116是可選的。在一實施例中，顯示基板不包括保護層116。這種情形下，在圖3c的襯底基板100上，接著形成平坦化層118，隨後在平坦化層118中形成第一溝槽120a和第二溝槽120b，其分別露出源極112和第一過孔v1。接著在第一溝槽120a和第二溝槽120b中填充導電材料以形成第一極板122a和第二極板122b。與圖3d-3g描述的實施例相比，此實施例省略了第二過孔v2和第三過孔v3，並且豎直存儲電容器的第一極板122a和第二極板122b兼具這些過孔的作用。根據此實施例，可以減少顯示基板中的層或部件(即保護層、第二過孔和第三過孔)，並且相應地簡化工藝。

圖4示意性示出圖3g的豎直存儲電容器的俯視圖。沿虛線ab截取顯示基板時，即得到圖3g的剖面圖。如4所示，豎直存儲電容器122包括第一極板122a和第二極板122b，並且第一極板122a和第二極板122b在襯底基板100上的投影呈折線形狀。在其它實施例中，第一極板122a和第二極板122b在襯底基板100上的投影呈螺旋形狀，類似於傳統電解電容器中的螺旋設計。這有利於增大第一極板和第二極板的有效面積，進而增大存儲電容。

例如，第一極板122a和第二極板122b之間的間距為100-300nm，比如為150nm。通過將第一極板122a和第二極板122b設置成具有小的間距，這有利於增大豎直存儲電容器122的存儲電容。

在一示例性實施例中，第一極板122a和第二極板122b之間的有機樹脂被移除，然後填充絕緣間隔物。該絕緣間隔物的介電常數大於該有機樹脂的介電常數。這有利於增大豎直存儲電容器122的存儲電容。

在上述實施例中，以柵極位於源極和漏極的下方的底柵型薄膜電晶體為例，描述了該顯示基板。然而，本公開實施例不對薄膜電晶體的結構類型進行限定。例如，薄膜電晶體可以為頂柵型，其中柵極位於源極和漏極的上方。

在上述實施例中，以豎直存儲電容器設置於平坦化層內為例，描述了該顯示基板。然而，本公開實施例不對該豎直存儲電容器的所在層進行限定。該豎直存儲電容器可以設置於該顯示基板中的任何絕緣層。例如，在一實施例中，豎直存儲電容器設置於該顯示基板的層間電介質層110中。在此實施例中，層間電介質層110的厚度為300nm-1500nm。根據此實施例，當第一極板和第二極板垂直於襯底基板時，第一極板和第二極板在豎直方向上的尺寸為300nm-1500nm。在一實施例中，層間電介質層110由氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化鉭、氧化鉿或氧化鋯形成。這些氧化物絕緣材料具有較大的介電常數，即，第一極板和第二極板之間的材料具有較大的介電常數。這有利於增大豎直存儲電容器的存儲電容。

以下簡要描述本公開實施例的豎直存儲電容器在顯示基板中的設置。

顯示基板通常包括多個像素單元，每個所述像素單元包括顯示區域和外圍區域。在一實施例中，上述豎直存儲電容器設置在該外圍區域。由於像素單元的外圍區域通常是不透光的，設置在外圍區域的豎直存儲電容器將不影響顯示基板的開口率。

在一實施例中，該顯示基板還包括設置在每個該像素單元的外圍區域的水平存儲電容器，該水平存儲電容器包括相互隔開的上極板和下極板，並且該上極板和下基板平行於該襯底基板。根據此實施例，顯示基板同時包括水平存儲電容器和豎直存儲電容器。該豎直存儲電容器作為常見的水平存儲電容器的補充，有利於增大顯示基板中的存儲電容。

在一實施例中，該豎直存儲電容器在該襯底基板上的投影落在該水平存儲電容器在該襯底基板上的投影之內。根據此實施例，由於水平存儲電容器通常是不透光的，通過將豎直存儲電容器設置在顯示基板中水平存儲電容器所在的不透光區域，該豎直存儲電容器將不影響顯示基板的開口率。

在一實施例中，該豎直存儲電容器在該襯底基板上的投影與該水平存儲電容器在該襯底基板上的投影無交疊。根據此實施例，豎直存儲電容器和水平存儲電容器的投影相互之間不交疊。由於該豎直存儲電容器的存在，水平存儲電容器的面積可以減小以增大顯示基板的開口率。當該豎直存儲電容器的存儲電容足夠大的情形下，該水平存儲電容器甚至可以省略，這有利於進一步增大顯示基板的開口率。

在下文中結合圖5描述根據本公開一實施例的顯示裝置。如圖5所示，在圖3g所示的顯示基板中形成接觸孔，該接觸孔貫穿平坦化層118，使漏極114部分露出。接著，通過濺射或蒸鍍等方法形成金屬層，並且通過構圖工藝形成第一電極124。第一電極124通過接觸孔連接到漏極114。在形成有第一電極124的平坦化層118上形成像素定義層126，並且通過構圖工藝露出第一電極124的大部分表面區域。接著，在形成有像素定義層126的顯示基板上依次形成功能層128和第二電極130。在一實施例中，功能層128可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和/或電子注入層。第一電極124、功能層128和第二電極130由此可以形成有機發光元件。利用封裝基板132進行封裝，由此得到一種顯示裝置。

在上述實施例中，以有機電致發光裝置(oled)為例描述了該顯示裝置。然而，本公開實施例的顯示裝置不限於此。在其它實施例中，該顯示裝置可以為薄膜電晶體液晶顯示裝置(tftlcd)。在這種情形下，該顯示裝置的製作過程包括在圖3g所示的顯示基板上滴注液晶、與諸如彩膜基板的對置基板對盒等步驟。這些步驟為本領域技術人員所熟知，在此不再贅述。

本公開實施例的顯示裝置可以是任何具有顯示功能的產品或部件，例如液晶面板、電子紙、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數碼相框、導航儀等。

在本公開中，第一電極和第二電極具有設置於所述絕緣層之一內並且沿垂直方向的導電部，並且所述第一極板或第二極板之一包括所述導電部。例如，第一電極和第二電極為驅動薄膜電晶體的源極或漏極，或者該顯示基板中的任何其它電學部件。例如，第一電極和第二電極的導電部為設置在絕緣層之一內的過孔形式的導電材料。這樣如果第一極板為第一電極的所述導電部，第一極板和第一電極可以同時形成，進一步簡化工藝。

本公開實施例提供了一種顯示基板及其製作方法和顯示裝置。該顯示裝置包括襯底基板、形成於所述襯底基板上的多個器件層、以及形成於所述器件層之間的絕緣層，其中所述顯示基板還包括第一電極和第二電極以及設置在所述絕緣層中的豎直存儲電容器，所述豎直存儲電容器包括相互隔開的第一極板和第二極板，所述第一極板連接到所述第一電極，所述第二極板連接到所述第二電極，並且所述第一極板和第二極板垂直於所述襯底基板，或者相對於所述襯底基板傾斜設置。根據本公開實施例，通過在顯示基板的絕緣層中形成與襯底基板垂直或傾斜設置的豎直存儲電容器，有效地增大了顯示基板中的存儲電容。該豎直存儲電容器設置在顯示基板的已有絕緣層中，因而不增加顯示基板的層結構。

以上所述，僅為本公開的具體實施方式，但本公開的保護範圍並不局限於此，任何本領域技術人員在本公開揭露的技術範圍內，可輕易想到的變化或替換，都應涵蓋在本公開的保護範圍之內。因此，本公開的保護範圍應該以權利要求的保護範圍為準。