面向物聯網的矽基具有熱電轉換功能的MOSFET器件的製作方法
2023-07-07 04:07:32
本發明提出了一種面向物聯網矽基具有熱電轉換功能的mosfet,屬於微電子機械系統(mems)的技術領域。mosfet是金屬-氧化物半導體場效應電晶體,(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor)的縮寫。
背景技術:
隨著集成電路的特徵尺寸縮小,器件密度在上升,電路的總功耗也在逐漸增加,片上溫度越來越高,晶片熱通量以年6%的速度增長。過高的溫度降低了器件的工作速度,導致了局部電阻增加從而增加不必要的功耗,而集成電路中的失效問題有一半以上與溫度問題相關,其中包括電遷移、熱載流子效應等,這就影響到了其使用壽命。因此,必須在半導體器的設計中綜合考慮能源與散熱問題的有關問題。
隨著物聯網的發展,可攜式設備的電源是鋰電池的缺點更加顯而易見,鋰電池使用的時間有限,給人們的生活造成了些許不便。因此,為了解決這一問題,人們開始研究新型電源,其中包括燃料電池,但其燃料處理等過於複雜,效率僅在2%左右。而溫差發電與之具有可比性,且溫差發電系統較為簡單,只要發電模塊兩端有溫差就有持續不斷的電力輸出。其中,溫差發電系統要解決的一個主要問題是如何為熱端供熱。
本發明基於coms工藝和mems表面微機械加工工藝設計了一種面向物聯網的具有熱電轉換功能的mosfet器件,一方面實現了溫差發電的熱源供給,另一方面將mosfet器件的廢熱利用,實現熱電能量轉換,這是一種應用在物聯網通訊中的mosfet器件。
技術實現要素:
發明目的:本發明的目的在於提供一種基於矽基cmos工藝和mems表面微機械加工工藝,面向物聯網的具有熱電轉換功能的mosfet器件;當mosfet處於工作狀態時,器件溫度分布不同,根據seebeck效應,設計一系列熱電偶,實現熱電能量轉換。通過檢測塞貝克壓差大小來檢測熱耗散功率的大小。
技術方案:為解決上述技術問題,本發明採用如下技術方案:
一種面向物聯網的矽基具有熱電轉換功能的mosfet器件,所述mosfet器件以p型矽為襯底上,襯底上設有源區、漏區、源金屬引線、漏金屬引線、柵氧化層;柵氧化層的上方有一層柵極多晶矽;所述源金屬引線、漏金屬引線、柵極多晶矽的四周分別設有絕緣層;所述mosfet器件的柵源漏區的絕緣層上方分別設有12個熱電偶;所述熱電偶包括n型熱電臂和al型熱電臂,上述兩個熱電臂之間用金屬連線al串聯,並分別留出2個熱電偶電極;用金屬連線al將mosfet器件的柵源漏區的熱電偶電極串聯,並留下兩個熱電偶電極作為塞貝克電壓的輸出極「+」極和「-」極。
進一步的,針對mos正常工作時的溫度分布不同,根據seebeck效應實現熱電能量轉換,進行熱量回收的同時緩解了散熱問題,輸出塞貝克電壓可以通過大電容,進行存儲電能,實現自供電。
進一步的,通過檢測輸出的塞貝克壓差的大小,可以檢測到熱耗散功率的大小。
進一步的,mosfet正常工作下產生的溫度分布為熱電偶提供熱源,熱電偶實現熱電能量轉換,有利於散熱。
進一步的,所述源金屬引線、漏金屬引線、柵極多晶矽的左右側各擺放4個熱電偶,上下側各擺放2個熱電偶。
進一步的,所述絕緣層的材質為二氧化矽。
本發明的有益效果為:
1.本發明的面向物聯網的具有熱電轉換功能的mosfet器件的原理、結構簡單,利用現有的矽基coms工藝和mems表面微機械加工易於實現;
2.本發明基於mosfet的溫度分布,設計了一組熱電偶,根據seebeck效應,將器件的熱能轉換成電能,實現熱電能量轉換。
3.本發明通過檢測塞貝克電壓,實現對mosfet器件正常工作下熱耗散功率大小的檢測。當熱耗散功率增大時,器件的溫度上升,溫差增大會導致塞貝克電壓的增大。
4.本發明通過seebeck效應,將器件正常工作下產生的熱能轉換成電能,有利於器件的散熱。
附圖說明
圖1為本發明面向物聯網的矽基具有熱電轉換功能的mosfet的俯視圖;
圖2為本發明面向物聯網的矽基具有熱電轉換功能的mosfet的p-p』向的剖面圖;
圖3為本發明面向物聯網的矽基具有熱電轉換功能的mosfet的q-q』向的剖面圖;
圖4為本發明面向物聯網的矽基具有熱電轉換功能的mosfet的r-r』向的剖面圖;
圖5為本發明面向物聯網的矽基具有熱電轉換功能的mosfet上面的熱電偶擺放的俯視圖(即圖1的熱電偶11);
圖6為本發明面向物聯網的矽基具有熱電轉換功能的mosfet的s-s』向的剖面圖。
圖中包括:p型si襯底1,絕緣層2,源區3,漏區4,源金屬引線5,漏金屬引線6,柵極多晶矽7,熱電偶的金屬al型熱電臂8,熱電偶的多晶矽n型熱電臂9,金屬連線10,熱電偶11,柵氧化層12。
具體實施方式
下面結合附圖對本發明的具體實施方式做進一步說明。
參見圖1-6,本發明提出了一種面向物聯網的矽基具有熱電轉換功能的mosfet器件。該mos器件主要包括:n型mosfet和熱電偶。其中,當n型mosfet在一定柵壓下正常工作時,由於溝道區的溫度分布不同,從而為熱電偶提供了溫差。選擇p型si作為襯底1,通過coms工藝和mems表面微機械加工實現具有熱電能量轉換功能的mosfet。在襯底上面製作一層厚度為20nm的緩衝氧化層,以防止硼離子注入造成損傷,然後以1.5×1014cm-2的劑量進行p阱硼離子注入,之後用boe除去緩衝氧化層;為隔離(locos)熱氧化製作一層20nm氧化層,然後lpcvd製作一層100nm氮化矽,有源區光刻採用幹法刻蝕氮化矽,之後用boe除去氧化層;用幹/溼/乾熱氧化法製備locos,厚度為400nm,然後用h3po4去除100nm氮化矽,用boe除去20nm氧化層;製備一層厚度為20nm的柵氧化層12,在其上澱積一層厚度為300nm的柵多晶矽7,然後進行磷擴散,採用幹法刻蝕柵多晶矽;源漏注入砷,劑量為5×1015cm-2,得到源區3和漏區4,再分別在源漏上面濺射一層厚度為800nm的源金屬引線5和漏金屬引線6,傳統的mos製得。
在n型mosfet上面製作一層絕緣層2,用以隔離mos和熱電偶,避免短路,本實施例中絕緣層2的材質為二氧化矽。同時,進行拋光,以便在氧化矽上製作熱電偶。先是按照圖5所示的圖案製作熱電偶的金屬al型熱電臂8和多晶矽n型熱電臂9,然後蒸鋁連接兩種熱電偶臂,串聯熱電偶從而得到更大的壓差。其中,留出下方6個電極作為熱電偶電極,串聯熱電偶電極,留下源漏各一個熱電偶電極作為塞貝克壓差的輸出極。該矽基具有熱電轉換功能的mos器件可以將器件工作產生的熱能轉換為電能,實現能量收集的同時降低了溫度,有利於散熱;通過檢測輸出塞貝克電壓的大小來實現對熱耗散功率大小的檢測。
本發明的矽基具有熱電轉換功能的mosfet器件製備方法如下:
1)準備矽基p型矽襯底1,摻雜濃度為1015cm-3;
2)為p阱離子注入製備緩衝氧化層,厚度20nm,氧化溫度1000℃,時間為30min;
3)p阱硼離子注入,劑量為1.5×1014,然後用boe去除緩衝氧化層,時間為20s;
4)為隔離(locos)熱氧化製作一層20nm氧化層,然後lpcvd製作一層100nm氮化矽;
5)有源區光刻,採用幹法刻蝕氮化矽,時間為1.5min,用boe除去氧化層,時間為20s;
6)用幹/溼/乾熱氧化法製備locos,厚度為400nm,溫度為1000℃,時間2小時,然後用h3po4去除100nm氮化矽,用boe除去20nm氧化層;
7)製備柵氧化層12,厚度為20nm,溫度為925℃,時間為30min;
8)澱積柵多晶矽7,厚度為300nm,溫度為620℃,時間為70min,然後進行磷擴散,溫度為950℃,時間為30min;
9)光刻柵多晶矽,採用幹法刻蝕柵多晶矽,時間為35s;
10)源漏n+離子注入,劑量為5×1015cm-2得到源區3和漏區4;
11)低溫氧化,刻蝕接觸區開口,得到二氧化矽鈍化層;
12)濺射一層800nm金屬鋁作為源金屬引線5,漏金屬引線6;
13)化學機械拋光氧化層,以備製作熱電偶;
14)在柵極附近塗覆光刻膠,光刻出n型熱電臂窗口;
15)lpcvd生長一層n+多晶矽,其摻雜濃度和厚度分別為5×1016cm-3和0.7um,形成熱電偶的多晶矽n型熱電臂9;
16)蒸發生長al,反刻al,刻蝕金屬圖形,形成熱電偶的另一金屬al型熱電臂8;
17)塗覆光刻膠,保留特定圖案光刻膠,用h3po4:ch3cooh:hno3=100:10:1反刻al,溫度為50℃,時間為3min,將多晶矽n型熱電臂9與金屬al型熱電臂8用金屬連線al10連接起來,形成熱電偶;
18)除去光刻膠;
19)製作柵區熱電偶的2個引出電極;
20)在源漏極附近重複步驟13)--19),製作如圖5所示熱電偶11;
21)蒸鋁連線,按照如圖1所示連接各電極,留下兩個電極作為塞貝克壓差的輸出極。
區分是否為該結構的標準如下:
本發明的面向物聯網的矽基具有熱電轉換功能的mosfet器件,具有36個串聯的熱電偶。在傳統的n型mosfet製作完成柵極之後,生長一層二氧化矽層,化學機械拋光,平整單薄的二氧化矽層作為製作熱電偶的基準面。柵源漏各製作了12個由金屬al型熱電臂和多晶矽n型熱電臂組成的熱電偶,用金屬連線鋁將其串聯,從而成倍的增大塞貝克壓差。該矽基具有熱電轉換功能的mos器件可以將器件工作產生的熱損轉換為電能,實現能量收集的同時降低了溫度,有利於散熱;通過檢測輸出塞貝克電壓的大小來實現對熱耗散功率大小的檢測。
滿足以上條件的結構即視為本發明的矽基具有熱電轉換功能的mosfet器件。
以上所述僅是本發明的優選實施方式,應當指出,對於本技術領域的普通技術人員來說,在不脫離本發明原理的前提下,還可以做出若干改進和潤飾,這些改進和潤飾也應視為本發明的保護範圍。