晶片加工用膠帶和使用其的半導體加工方法

2023-07-31 07:21:16

專利名稱：晶片加工用膠帶和使用其的半導體加工方法
技術領域：
本發明涉及半導體裝置的製造工序中所使用的晶片加工用膠帶以及使用該晶片加工用膠帶的半導體加工方法，特別是涉及在利用高速旋轉的薄型磨石來分割半導體晶片和接合劑層的切割工序、以及將通過分割而被單片化的半導體晶片與通過分割而被單片化的接合劑層一同進行拾取而層積在基板上的晶片粘貼工序中所用的切割 晶片粘貼帶以及使用該切割·晶片粘貼帶的半導體加工方法。
背景技術：
作為在半導體裝置的製造工序中所使用的晶片加工用膠帶，有人提出了層積切割帶(粘合帶)以及含有環氧樹脂成分的熱固性的粘接膜而成的切割 晶片粘貼帶(例如專利文獻1 幻。這些切割·晶片粘貼帶在接合劑層(粘接膜)含有具有環氧基的化合物， 因而可通過熱固化將半導體晶片與基板牢固地粘接。另外，通過使切割帶的粘合劑層為能量射線固化型，能夠通過UV照射等來降低切割帶的粘合力，易於剝離粘合劑層與接合劑層的界面，能夠使通過分割而對半導體晶片進行單片化的半導體晶片與通過分割進行單片化的接合劑層一同從切割帶上進行拾取。對於上述這樣的切割·晶片粘貼帶，要求具有能夠對半導體晶片和接合劑層確實地進行切斷·單片化；一片片地進行拾取、以良好的合格率提供於晶片粘貼工序中的性能， 並且還要求將半導體晶片與基板牢固地粘接的性能。但是，在上述這樣的切割·晶片粘貼帶中，在利用高速旋轉的薄型磨石將半導體晶片與接合劑層一同切削時，理應被單片化的接合劑層有一部分發生再粘連，在拾取時半導體晶片的一部分與相鄰的半導體晶片會在相連接的狀態下被供給至晶片粘貼工序，產生所謂「雙晶片拾取錯誤(夕'寸；7 -) 」，具有工序的合格率變差的缺點。為了抑制「雙晶片拾取錯誤」的發生，起碼需要通過擴張切割帶而一定程度地擴張擴大半導體晶片彼此的間隔從而嘗試進行再粘連的破壞。因而，要求切割帶的支持基材具有均勻擴張張性；作為這樣的切割帶，有人提出了支持基材由乙烯_(甲基)丙烯酸二元共聚物或乙烯_(甲基)丙烯酸_(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物、或者將這些物質用金屬離子進行螯合物交聯而成的離聚物樹脂而構成的膠帶(例如專利文獻4 8)。現有技術文獻專利文獻專利文獻1日本特開2002-2^796號公報 專利文獻2 日本特開2005-303275號公報 專利文獻3 日本特開2006-2992 號公報 專利文獻4日本特開平5-156219號公報 專利文獻5 日本特開平5-2112 號公報 專利文獻6日本特開2000-3451 號公報 專利文獻7日本特開2003-158098號公報
專利文獻8 日本特開2007-88240號公報

發明內容
發明所要解決的問題但是，即使是這樣的切割帶，也未必充分具有抑制雙晶片拾取錯誤產生的效果，具有偶爾會產生雙晶片拾取錯誤的問題。因此，為了進一步抑制雙晶片拾取錯誤的產生，要求在拾取時充分抑制半導體晶片彼此的再粘連。本發明是為了解決上述課題而進行的，本發明的目的在於提供在拾取時能夠充分抑制半導體晶片彼此的再粘連的晶片加工用膠帶以及使用該晶片加工用膠帶的半導體加
工方法。解決問題所採用的手段方案1所述的發明涉及在由支持基材和粘合劑層構成的粘合帶的該粘合劑層上層積了含有具有環氧基的化合物的熱固性接合劑層的晶片加工用膠帶，該晶片加工用膠帶的特徵在於上述支持基材由將乙烯_(甲基)丙烯酸二元共聚物或乙烯_(甲基)丙烯酸_(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物用金屬離子交聯而成的離聚物樹脂構成；上述共聚物中的上述(甲基)丙烯酸成分的重量分數為以上且不足10%，並且上述離聚物樹脂中的上述(甲基)丙烯酸的中和度為50%以上。方案2所述的發明涉及方案1所述的晶片加工用膠帶，其特徵在於，上述粘合劑層具有一層或者二層以上的結構，其中的至少一層由能量射線固化型粘合劑形成。方案3所述的發明涉及使用方案1或2所述的晶片加工用膠帶的半導體加工方法，該半導體加工方法的特徵在於，其具備如下工序將半導體晶片貼合至上述晶片加工用膠帶的工序；接下來使用高速旋轉的薄型磨石對上述半導體晶片以及上述晶片加工用膠帶的上述接合劑層和上述粘合劑層進行切削，同時對該晶片加工用膠帶的上述支持基材在厚度方向切削10 μ m以上，對該半導體晶片和該接合劑層進行單片化的工序；以及然後，在上述晶片加工用粘合帶的上述膠帶擴張的狀態下，一片片地拾取單片化的上述半導體晶片的工序。方案4所述的發明涉及方案3所述的半導體加工方法，其特徵在於，上述支持基材的厚度為60 μ m以上；在上述單片化工序中，對上述支持基材在厚度方向切削10 30 μ m。下面對用於完成本發明的原委進行說明。在使用高速旋轉的薄型磨石的切割工序中，關於本應單片化的接合劑層發生部分再粘連的所謂「雙晶片拾取錯誤」的產生的原因，本發明人發現，是由於含有與半導體晶片一同進行切削的接合劑層的碎屑的切削屑的聚集體堵塞在圖6所示相鄰的半導體晶片彼此之間，從而引起相鄰的半導體晶片彼此的再粘連。這樣的含有接合劑成分的切削屑所致的相鄰的半導體晶片彼此的再粘連在拾取工序會使切割帶(粘合帶)擴張，增加半導體晶片彼此的間隔，從而有時也能夠破壞再粘連。為了擴大全部半導體晶片彼此的間隔，要求切割帶的支持基材具有均勻擴張性，作為這樣的支持基材的材料，可以舉出乙烯_(甲基)丙烯酸二元共聚物或乙烯_(甲基)丙烯酸_(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物、或者其中任一種用金屬離子交聯而成的離聚物樹脂。然而，在該再粘連牢固的情況下，為了破壞全部的再粘連，僅支持基材的均勻擴張性並不充分，還一併需要使再粘連部分脆化。若由切割·晶片粘貼帶的接合劑層中除去具有環氧基的化合物，則隨著該接合劑層的熱固化所致的粘接性能的降低，以切割工序中產生的切削屑中的接合劑成分為來源的粘接力也降低。其結果，相鄰的半導體晶片間的再粘連部分也發生脆化，能夠抑制雙晶片拾取錯誤的產生，但在這樣的情況下，接合劑層相對於半導體晶片的粘接力會降低，原本的性能受損。因而，作為抑制雙晶片拾取錯誤產生的對策，要求這樣的方法在不會減少粘接材層所含有的具有環氧基的化合物的情況下，使含有接合劑成分的切削屑所致的半導體晶片彼此的再粘連發生脆化。本發明人進行了深入的研究，結果發現，通過使切割·晶片粘貼帶的支持基材中所用的乙烯_(甲基)丙烯酸二元共聚物或乙烯_(甲基)丙烯酸_(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物中的(甲基)丙烯酸成分的比例少於特定量、且用金屬離子進行離聚物化，能夠抑制雙晶片拾取錯誤的產生。通過抑制支持基材中所用的離聚物樹脂的(甲基)丙烯酸成分、 且與金屬離子形成穩定的絡合物降低反應活性，能夠抑制(甲基)丙烯酸成分的羧基與接合劑層中的具有環氧基的化合物之間的反應，因而會降低切割工序中產生的切削屑中的基材屑成分與接合劑屑成分之間的粘接力、可以使切削屑所致的半導體晶片間的粘連部分發生脆化。具有對支持基材提供充分的均勻擴張性、同時抑制雙晶片拾取錯誤的產生的效果的物質為共聚物(二元共聚物、三元共聚物)中的(甲基)丙烯酸成分的重量分數不足 10%、且離聚物樹脂中的(甲基)丙烯酸的中和度為50%以上的離聚物樹脂，進一步優選為 (甲基)丙烯酸成分的重量分數為3% 5%、且(甲基)丙烯酸的中和度為50%以上的離聚物樹脂。若支持基材(離聚物樹脂)中的共聚物中的(甲基)丙烯酸成分的重量分數為
以上，則能夠期待支持基材具有均勻擴張性；若為3%以上，則能夠進一步期待支持基材的均勻擴張性。離聚物樹脂中的共聚物中的(甲基)丙烯酸成分的重量分數可以通過將NMR與熱分解GC-ms光譜測定等方法相組合進行定量。例如，可以由熱分解GC-ms光譜的峰鑑定出乙烯_(甲基)丙烯酸_(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物的烷基酯域中的烷基。另外，若使用1H-NMR,則可以通過將乙烯_(甲基)丙烯酸二元共聚物的離聚物樹脂中(甲基)丙烯酸單元的α位氫或(甲基)丙烯酸單元的甲基氫的峰的積分值與乙烯單元的氫的峰的積分值進行比較來定量。在觀測到來源於(甲基)丙烯酸單元的甲基的峰與來源於化學位移相近的乙烯末端或(甲基)丙烯酸烷基酯的酯末端的峰相互有部分重合的情況下，由於來源於(甲基)丙烯酸單元的甲基的峰在更低的磁場側顯現出峰，因而可根據低磁場側積分估算出(甲基)丙烯酸成分的分數。對於乙烯_(甲基)丙烯酸_(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物，也仍然可以通過使用1H-NMR,根據(甲基)丙烯酸和(甲基)丙烯酸烷基酯的α位氫或(甲基)丙烯酸單元的甲基氫的峰，對(甲基)丙烯酸的分數與(甲基)丙烯酸烷基酯的分數的合計進行定量，進一步地，對於(甲基)丙烯酸烷基酯單元的分數，可根據與烷基的1位碳相鍵合的氫的峰，僅定量出(甲基)丙烯酸烷基酯的分數，因而可以對(甲基)丙烯酸的重量分數進行計算。進一步地，通過利用金屬離子使(甲基)丙烯酸的中和度為50%以上，能夠抑制離聚物樹脂的(甲基)丙烯酸成分、且能夠與金屬離子形成穩定的絡合物使反應活性降低、 能夠抑制(甲基)丙烯酸成分的羧基與接合劑層中的具有環氧基的化合物之間的反應，因而能夠降低切割工序中產生的切削屑中的基材屑成分與接合劑屑成分之間的粘接力，以使切削屑所致的半導體晶片間的粘連部分發生脆化。其結果，能夠確實地抑制雙晶片拾取錯誤的產生。上述(甲基)丙烯酸的中和度可以利用ICP發光分析等各種分光分析進行定量化。例如，可以利用ICP發光分析同時進行離聚物中的金屬離子種的鑑定及其重量分數的定量。進一步地，若利用將上述NMR與熱分解GC-ms光譜測定相組合的方法來獲得離聚物中的(甲基)丙烯酸的重量分數，則可與上述金屬離子的信息相結合，對中和度進行定量化。通過將這樣的支持基材應用於切割·晶片粘貼帶等晶片加工用膠帶中，能夠抑制雙晶片拾取錯誤的產生，此外，切割工序中向支持基材中的切入量越深，則其效果越大。另一方面，若向支持基材的切入量增大至所需以上，則膠帶擴張時可能會發生斷裂。若向支持基材的切入量為向厚度方向切削10 μ m以上，則具有充分地抑制雙晶片拾取錯誤的產生的效果；若對支持基材向厚度方向進行30 μ m以下的切削且該支持基材的厚度為60 μ m以上，則能夠防止支持基材的斷裂。另外，通過使上述切割 晶片粘貼帶的粘合劑層具有一層或者二層以上的結構、其中的至少一層由能量射線固化型粘合劑形成，可以在切割工序中具有牢固地保持半導體晶片所需的充分的粘合力，但在切割後，切割帶的粘合力卻還是會通過照射能量射線而得到有效地降低，因此在拾取工序中不會對半導體晶片施加過度的負荷，可以將半導體晶片與單片化的接合劑層容易地從切割帶的粘合劑層表面進行剝離。發明效果若利用本發明的晶片加工用膠帶，則由於共聚物中的(甲基)丙烯酸成分的重量分數為以上且不足10%，並且離聚物樹脂中的(甲基)丙烯酸的中和度為50%以上，因而在拾取時能夠充分地抑制半導體晶片彼此的再粘連，能夠進一步抑制雙晶片拾取錯誤的產生。另外，若利用本發明的半導體加工方法，則由於使用本發明的晶片加工用膠帶，且在對半導體晶片和接合劑層進行單片化的工序中將晶片加工用膠帶的支持基材在厚度方向切削10 μ m以上，因而在拾取時能夠更進一步地充分抑制半導體晶片彼此的再粘連，能夠進一步抑制雙晶片拾取錯誤的產生。


圖1為示出本發明實施方式的切割·晶片粘貼帶的示意性構成的截面圖。圖2為用於說明切割·晶片粘貼帶的示意性使用方法的圖，其為在切割·晶片粘貼帶上貼合半導體晶片的圖。圖3為用於說明圖2的後續工序(切割工序)的圖。
圖4為用於說明圖3的後續工序(擴張工序)的圖。圖5為用於說明圖4的後續工序(拾取工序)的圖。圖6為拍攝出切割時所產生的切削屑堵塞在半導體晶片間的模式的電子顯微鏡照片。符號說明1半導體晶片2半導體晶片10切割·晶片粘貼帶(晶片加工用膠帶)11剝離襯墊12切割帶(粘合帶)12a支持基材12b粘合劑層13接合劑層20環形框架21薄型磨石22吸附臺30上頂部件31 支杆(O )32吸附夾具
具體實施例方式下面基於附圖對本發明的實施方式進行詳細說明。在本實施方式中，示例出切割·晶片粘貼帶作為晶片加工用膠帶進行說明。圖1為示出本實施方式的切割·晶片粘貼帶10的截面圖。如圖1所示，切割·晶片粘貼帶10是在作為粘合帶的切割帶12上層積接合劑層 13而構成的，所述粘合帶由支持基材12a以及在其上形成的粘合劑層12b構成的。在圖1 中示出，為了對接合劑層13進行保護，在切割·晶片粘貼帶10設有剝離襯墊11的狀態。另外，粘合劑層12b可以由一層粘合劑層構成，也可以由二層以上粘合劑層進行層積而得到的結構來構成。此外，切割帶12和接合劑層13可以結合使用工序或裝置預先切斷為預定形狀 (預切，7。'J力夕卜)。另外，切割·晶片粘貼帶10可以為對每一片半導體晶片進行切斷的形態，其也可以為將多個所形成的長尺寸片材卷繞成捲筒狀的形態。(切割·晶片粘貼帶的使用方法)在半導體裝置的製造工序中，切割·晶片粘貼帶10如下進行使用。圖2中示出了在切割 晶片粘貼帶10上貼合半導體晶片1和環形框架20的狀態。首先，如圖2所示，將切割帶12粘貼於環形框架20，將半導體晶片1貼合至接合劑層13。對它們的粘貼順序並無限制，可以在將半導體晶片1貼合至接合劑層13後將切割帶 12粘貼於環形框架20，也可以同時進行切割帶12向環形框架20的粘貼以及半導體晶片1向接合劑層13的貼合。另外，使用高速旋轉的薄型磨石21來實施半導體晶片1的切割工序(圖3)。此時，將半導體晶片1與接合劑層13和粘合劑層12b —同進行切削分割，且將支持基材1 在厚度方向進行IOym 30μπι切削。另外，可以通過一次切削由半導體晶片1表面切削至規定的深度，也可以通過多次切削而切削至規定深度。具體地說，為了利用薄型磨石21對半導體晶片1和接合劑層13進行切割，通過吸附臺22從切割帶12側對切割·晶片粘貼帶10進行吸附支承。並且，利用高速旋轉的薄型磨石21將半導體晶片1和接合劑層13切斷為半導體晶片單元進行單片化。在切割帶12的粘合劑層12b具有一層或者二層以上的結構、其中的至少一層由能量射線固化型粘合劑形成的情況下，優選在切割工序後通過由切割帶12的下面側(支持基材1 側)照射能量射線，使粘合劑層12b發生固化，降低其粘合力。另外，粘合劑層12b由二層以上的粘合劑層通過層積進行構成的情況下，也可以各粘合劑層內的一層或全部的層由能量射線固化型粘合劑形成，通過能量射線照射進行固化，降低各粘合劑層內的該一層或全部的層的粘合力。此外，也可以代替能量射線的照射，通過加熱等外部刺激來降低切割帶12的粘合力。其後，如圖4所示，將保持有經切割的半導體晶片1(即半導體晶片2)和經切割的接合劑層13的切割帶12向環形框架20的徑向進行拉伸來實施擴張工序。具體地說，針對保持有多個半導體晶片2和接合劑層13的狀態的切割帶12，使中空圓柱形狀的上頂部件30從切割帶12的下面側上升，將切割帶12向環形框架20的徑向進行拉伸。由此，通過擴張工序，擴大了半導體晶片2彼此的間隔，切割工序中所產生的切削屑所致的半導體晶片2彼此的再粘接(再粘連)被破壞，可以防止拾取工序中的雙晶片拾取錯誤的產生。在實施了擴張工序之後，如圖5所示，在保持著切割帶12擴張的狀態下實施對半導體晶片2進行拾取的拾取工序。具體地說，利用支杆31將半導體晶片2從切割帶12的下面側向上頂，同時利用吸附夾具32從切割帶12的上面側吸附半導體晶片2，從而將半導體晶片2與接合劑層13 — 同進行拾取。然後，在實施了拾取工序之後，實施晶片粘貼工序。具體地說，利用在拾取工序中與半導體晶片2 —同被拾取的接合劑層13(粘接膜)，將半導體晶片2粘接至引線框架或封裝基板等進行層積。下面對本實施方式的切割·晶片粘貼帶10的各構成要件進行詳細說明。(接合劑層)接合劑層13在與半導體晶片1等貼合併切割之後，拾取半導體晶片2時，其從切割帶12剝離而附著於半導體晶片2，在將半導體晶片2固定於基板或引線框架等時接合劑層13作為接合劑進行使用。因而，在晶片粘貼工序中，為了將半導體晶片2粘接固定至基板或引線框架等，接合劑層13需要具有充分的粘接可靠性。
接合劑層13為對接合劑預先進行膜化而成的層，含有至少一種具有環氧基的化合物，此外可以根據需要含有公知的聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醚樹脂、聚酯樹脂、聚酯醯亞胺樹脂、苯氧基樹脂、聚碸樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚醚酮樹脂、氯化聚丙烯樹脂、丙烯酸類樹脂、聚氨酯樹脂、環氧樹脂、聚丙烯醯胺樹脂、三聚氰胺樹脂等或其混合物這樣的高分子成分；無機填料；或固化促進劑。另外，為了提高對基板或引線框架等的粘接力，可以加入矽烷偶合劑或者鈦偶合劑作為添加劑。作為上述具有環氧基的化合物，只要進行固化而呈現出粘接作用就沒有特別限制，但優選以二官能團以上計不足500 5000的環氧樹脂。作為這樣的環氧樹脂，可以舉出例如雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、脂肪族鏈狀環氧樹脂、線型酚醛環氧樹脂、甲酚-線型酚醛環氧樹脂、雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂、 聯苯酚的二縮水甘油醚化物、萘二醇的二縮水甘油醚化物、苯酚類的二縮水甘油醚化物、醇類的二縮水甘油基醚化物以及他們的烷基取代物、滷化物、氫化物等二官能環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂。另外，也可以應用多官能環氧樹脂或雜環含有環氧樹脂等通常已知的物質。這些物質可以單獨使用或兩種以上組合使用。進一步地，在無損於特性的範圍內，也可以以雜質的形式含有環氧樹脂以外的成分。對接合劑層13的厚度沒有特別限制，通常優選為5 ΙΟΟμπι左右。另外，接合劑層13可以層積在切割帶12的整個面上，也可以層積預先切斷(預切)成與所貼合的半導體晶片1的對應的形狀的粘接膜，來形成接合劑層13。在層積對應於半導體晶片1的粘接膜的情況下，如圖2所示，在貼合半導體晶片1的部分具有接合劑層 13，在貼合切割用的環形框架20的部分不存在有接合劑層13而僅存在有切割帶12。一般來說，由於接合劑層13不易與被粘物相剝離，因而通過使用預切的粘接膜，可以將環形框架20與切割帶12相貼合，可獲得在使用後剝離帶時不易在環形框架20上殘留糊劑(糊殘
)這樣的效果。(切割帶)切割帶12是這樣的帶在切割半導體晶片1時，具有不會使半導體晶片1剝離這樣充分的粘合力；在對切割後的半導體晶片2進行拾取時，具有能夠容易地從接合劑層13 剝離這樣的低粘合力，如圖1所示，其為在支持基材1 上設有粘合劑層12b的結構。支持基材12a由將乙烯_(甲基)丙烯酸二元共聚物或乙烯_(甲基)丙烯酸_(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物用金屬離子交聯而成的離聚物樹脂構成。共聚物中的(甲基)丙烯酸成分的重量分數為以上且不足10%，並且離聚物樹脂中的丙烯酸的中和度為50%以上。此處，對於共聚物中的(甲基)丙烯酸成分的重量分數，在支持基材12a由將乙烯-丙烯酸二元共聚物用金屬離子交聯而成的離聚物樹脂構成的情況下，將其按照下述結構式1中的「m · Mwm/ (η · Mwn+m · Mwm)，，進行規定。另外，在支持基材12a由將乙烯-甲基丙烯酸二元共聚物用金屬離子交聯而成的離聚物樹脂構成的情況下，將其按照下述結構式2中的「b · Mwb/ (a · Mwa+b · Mwb)，，進行規定。CN 102337089 A
說明書
8/15 頁此外，在支持基材12a由將乙烯-丙烯酸-丙烯酸烷基酯三元共聚物用金屬離子交聯而成的離聚物樹脂構成的情況下，將其按照下述結構式3中的「m· Mwm/ (η · Mwn+m · Mwm+1 · Mw1) 」進行規定。此外，在支持基材12a由將乙烯-甲基丙烯酸-甲基丙烯酸烷基酯三元共聚物用金屬離子交聯而成的離聚物樹脂構成的情況下，將其按照下述結構式4中的「b · Mwb/ (a · Mwa+b · Mwb+c · Mwc) 」進行規定。另外，對於離聚物樹脂中的(甲基)丙烯酸的中和度，將其規定為離聚物樹脂的 (甲基)丙烯酸部用金屬離子進行離子化(中和)的程度(例如，日本Ideology學會志 Vol.32, No. 2，65-69，2004)。另外，m為下述結構式1或下述結構式3中的m(即丙烯酸的重複單元數)，b為下述結構式2或下述結構式4中的b (即甲基丙烯酸的重複單元數)。式1
權利要求
1.一種晶片加工用膠帶，其為在由支持基材和粘合劑層構成的粘合帶的該粘合劑層上層積了含有具有環氧基的化合物的熱固性接合劑層的晶片加工用膠帶，該晶片加工用膠帶的特徵在於上述支持基材由將乙烯-(甲基)丙烯酸二元共聚物或乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基) 丙烯酸烷基酯三元共聚物用金屬離子交聯而成的離聚物樹脂構成；上述共聚物中的上述(甲基)丙烯酸成分的重量分數為以上且不足10%，並且上述離聚物樹脂中的上述(甲基)丙烯酸的中和度為50%以上。
2.如權利要求1所述的晶片加工用膠帶，其特徵在於，所述粘合劑層具有一層或者二層以上的結構，其中的至少一層由能量射線固化型粘合劑形成。
3.一種半導體加工方法，其為使用權利要求1或2所述的晶片加工用膠帶的半導體加工方法，該半導體加工方法的特徵在於，其具備如下工序將半導體晶片貼合至所述晶片加工用膠帶的工序；接下來使用高速旋轉的薄型磨石對所述半導體晶片以及所述晶片加工用膠帶的所述接合劑層和所述粘合劑層進行切削，同時對該晶片加工用膠帶的所述支持基材在厚度方向切削10 μ m以上，對該半導體晶片和該接合劑層進行單片化的工序；以及然後，在上述晶片加工用膠帶的上述粘合帶擴張的狀態下，一片片地拾取單片化的上述半導體晶片的工序。
4.如權利要求3所述的半導體加工方法，其特徵在於所述支持基材的厚度為60 μ m以上；在所述單片化工序中，對所述支持基材在厚度方向切削10 30μπι。
全文摘要
本發明提供能夠充分抑制拾取時半導體晶片彼此的再粘連的晶片加工用膠帶以及使用該晶片加工用膠帶的半導體加工方法。本發明的晶片加工用膠帶為在作為由支持基材12a和粘合劑層12b構成的粘合帶的切割帶12的該粘合劑層12b上層積了含有具有環氧基的化合物的熱固性接合劑層13的作為晶片加工用膠帶的切割晶片粘貼帶10，該晶片加工用膠帶的特徵在於支持基材12a由將乙烯-(甲基)丙烯酸二元共聚物或乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物用金屬離子交聯而成的離聚物樹脂構成；共聚物中的(甲基)丙烯酸成分的重量份分數為1％以上且不足10％，並且離聚物樹脂中的(甲基)丙烯酸的中和度為50％以上。
文檔編號C09J7/02GK102337089SQ20111018817
公開日2012年2月1日 申請日期2011年7月6日 優先權日2010年7月7日
發明者三原尚明, 盛島泰正, 矢吹朗 申請人:古河電氣工業株式會社