用於半導體的粘合膜的製作方法
2023-07-31 07:36:31
相關申請的交叉引用本申請要求在2015年4月29日向韓國知識產權局提交的韓國專利申請第10-2015-0060690號的權益，其公開內容通過引用全文併入本文。本發明涉及用於半導體的粘合膜，其可以更容易地掩埋不平坦，例如來自半導體基板的配線、附接至半導體晶片的配線等的不平坦，並且還可以沒有特別限制地應用於各種切割方法以實現優異的可切割性，從而提高半導體封裝工藝的可靠性和效率。
背景技術：
：：近來，隨著電子裝置日益趨向小型化、高性能和大容量，對高密度且高度集成的半導體封裝的需求快速增加，因此半導體晶片的尺寸正在逐漸變大，並且為了提高集成程度，越來越多地使用多級堆疊晶片的堆疊封裝方法。在這種多級堆疊結構中，為了確保其中設置有電連接下部晶片與基板的下部接合線的空間，在下部晶片與上部晶片之間的界面處引入間隔件。在引入這種用於確保空間的間隔件的情況下，封裝的總厚度變厚並且增加了附接間隔件的單獨過程。為了克服該問題，近來使用在高溫下具有低粘度的粘合劑代替間隔件來填充例如來自配線等的不平坦的方法。然而，存在這樣的限制：具有低粘度的粘合劑可能無法確保高彈性並且具有高斷裂伸長率。此外，如果粘合劑自身的彈性減小，則由於切割晶片時產生的熱，粘合劑可軟化以致部分產生毛刺，並因此其可汙染晶片，或者可通過與下部支撐膜的粘合劑混合來使用，從而降低後續拾取效率。此外，近來，由於半導體晶片變得更薄，所以存在在現有的刀片切割工藝中晶片受損從而降低產率的問題，為了克服這一問題，提出了首先用刀片切割半導體晶片然後拋光的製備工藝。粘合劑應該能夠在低溫下通過擴展工藝切割以應用於這樣的製備工藝。然而，具有低延展性的粘合劑在室溫下不易切割，並且當在切割之後將其在室溫下靜置時，由於低延展性而發生再粘合，從而降低了半導體晶片的產率。技術實現要素：技術問題本發明的一個目的是提供用於半導體的粘合膜，其可以更容易地掩埋不平坦，例如由於半導體基板的配線、附接至半導體晶片的配線等引起的不平坦，並且還可以沒有特別限制地應用於各種切割方法以實現優異的可切割性，從而提高半導體封裝工藝的可靠性和效率。技術方案本文中提供了用於半導體的粘合膜，其在110℃的溫度和5rad/s的剪切速率下的熔體粘度為1,000Pa·s至4,000Pa·s，並且在室溫下在5％至10％伸長率下產生的模量為50MPa或更高。粘合膜可用作管芯粘附膜(DAF)以用於連接引線框或基板與管芯或者連接管芯與管芯。用於半導體的粘合膜可包含玻璃化轉變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂、含有軟化點為70℃或更高的酚樹脂的固化劑、液體環氧樹脂、和固體環氧樹脂。更特別地，用於半導體的粘合膜可包含：連續相基體，包含玻璃化轉變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂、含有軟化點為70℃或更高的酚樹脂的固化劑、和液體環氧樹脂；以及分散在所述連續相基體中的固體環氧樹脂。在用於半導體的粘合膜中，固體環氧樹脂和液體環氧樹脂的總含量相對熱塑性樹脂的重量比可為1.6至2.6、1.7至2.5、1.75至2.4、或1.8至2.3。在用於半導體的粘合膜中，酚樹脂相對熱塑性樹脂、酚樹脂和液體環氧樹脂的總重量的重量比可為0.280或更大、或者0.300至0.600。用於半導體的粘合膜的厚度可為1μm至300μm。此外，粘合膜的厚度可為1μm或更大、3μm或更大、5μm或更大、或者10μm或更大。此外，粘合膜的厚度可為300μm或更小、100μm或更小、90μm或更小、或者70μm或更小。本文中還提供了用於半導體的粘合膜，其在110℃的溫度和5rad/s的剪切速率下的熔體粘度為1,000Pa·s至4,000Pa·s，並且在室溫下的伸長率為500％或更低。粘合膜可用作管芯粘附膜(DAF)以用於連接引線框或基板與管芯或者連接管芯與管芯。用於半導體的粘合膜可包含玻璃化轉變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂、含有軟化點為70℃或更高的酚樹脂的固化劑、液體環氧樹脂、和固體環氧樹脂。更特別地，用於半導體的粘合膜可包含：連續相基體，包含玻璃化轉變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂、含有軟化點為70℃或更高的酚樹脂的固化劑、和液體環氧樹脂；以及分散在所述連續相基體中的固體環氧樹脂。在用於半導體的粘合膜中，固體環氧樹脂和液體環氧樹脂的總含量相對熱塑性樹脂的重量比可為1.6至2.6、1.7至2.5、1.75至2.4、或1.8至2.3。在用於半導體的粘合膜中，酚樹脂相對熱塑性樹脂、酚樹脂和液體環氧樹脂的總重量的重量比可為0.280或更大、或者0.300至0.600。用於半導體的粘合膜的厚度可為1μm至300μm。此外，粘合膜的厚度可為1μm或更大、3μm或更大、5μm或更大、或者10μm或更大。此外，粘合膜的厚度可為300μm或更小、100μm或更小、90μm或更小、或者70μm或更小。本文中還提供了用於半導體的粘合膜，其在室溫下在5％至10％伸長率下產生的模量為50MPa或更高，並且在室溫下的伸長率為500％或更低。粘合膜可用作管芯粘附膜(DAF)以用於連接引線框或基板與管芯或者連接管芯與管芯。用於半導體的粘合膜可包含玻璃化轉變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂、含有軟化點為70℃或更高的酚樹脂的固化劑、液體環氧樹脂、和固體環氧樹脂。更特別地，用於半導體的粘合膜可包含：連續相基體，包含玻璃化轉變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂、含有軟化點為70℃或更高的酚樹脂的固化劑、和液體環氧樹脂；以及分散在所述連續相基體中的固體環氧樹脂。在用於半導體的粘合膜中，固體環氧樹脂和液體環氧樹脂的總含量相對熱塑性樹脂的重量比可為1.6至2.6、1.7至2.5、1.75至2.4、或1.8至2.3。在用於半導體的粘合膜中，酚樹脂相對熱塑性樹脂、酚樹脂和液體環氧樹脂的總重量的重量比可為0.280或更大、或者0.300至0.600。用於半導體的粘合膜的厚度可為1μm至300μm。此外，粘合膜的厚度可為1μm或更大、3μm或更大、5μm或更大、或者10μm或更大。此外，粘合膜的厚度可為300μm或更小、100μm或更小、90μm或更小、或者70μm或更小。本文中還提供了用於半導體的粘合膜，其在110℃的溫度下在5rad/s的剪切速率下的熔體粘度為1,000Pa·s至4,000Pa·s，在室溫下在5％至10％伸長率下產生的模量為50MPa或更高，並且在室溫下的伸長率為500％或更低。用於半導體的粘合膜可包含玻璃化轉變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂、含有軟化點為70℃或更高的酚樹脂的固化劑、液體環氧樹脂、和固體環氧樹脂。更特別地，用於半導體的粘合膜可包含：連續相基體，包含玻璃化轉變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂、含有軟化點為70℃或更高的酚樹脂的固化劑、和液體環氧樹脂；以及分散在所述連續相基體中的固體環氧樹脂。在用於半導體的粘合膜中，固體環氧樹脂和液體環氧樹脂的總含量相對熱塑性樹脂的重量比可為1.6至2.6、1.7至2.5、1.75至2.4、或1.8至2.3。在用於半導體的粘合膜中，酚樹脂相對熱塑性樹脂、酚樹脂和液體環氧樹脂的總重量的重量比可為0.280或更大、或者0.300至0.600。用於半導體的粘合膜的厚度可為1μm至300μm。此外，粘合膜的厚度可為1μm或更大、3μm或更大、5μm或更大、或者10μm或更大。此外，粘合膜的厚度可為300μm或更小、100μm或更小、90μm或更小、或者70μm或更小。包含在用於半導體的粘合膜中的液體環氧樹脂在25℃下的粘度可為500mPa·s至20,000mPa·s。液體環氧樹脂的環氧當量重量可為100至1,000。酚樹脂的羥基當量重量可為80g/eq至400g/eq並且軟化點可為70℃至160℃。酚樹脂的羥基當量重量可為100g/eq至178g/eq。酚樹脂的軟化點可為高於100℃且160℃或更低、或者105℃至150℃。在用於半導體的粘合膜中，液體環氧樹脂相對酚樹脂的重量比可為0.5至1.5。包含在用於半導體樹脂的粘合膜中的固體環氧樹脂可包括選自以下的一種或更多種樹脂：聯苯類環氧樹脂、雙酚A環氧樹脂、雙酚F環氧樹脂、甲酚酚醛清漆環氧樹脂、苯酚酚醛清漆環氧樹脂、四官能環氧樹脂、三酚甲烷型環氧樹脂、經烷基改性的三酚甲烷型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂和經二環戊二烯改性的酚型環氧樹脂。固體環氧樹脂的平均環氧當量重量可為100至1,000。固體環氧樹脂的軟化點可為50℃至120℃。包含在用於半導體的粘合膜中的熱塑性樹脂可包括選自以下的一種或更多種聚合物樹脂：聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚酯醯亞胺、聚醯胺、聚醚碸、聚醚酮、聚烯烴、聚氯乙烯、苯氧基樹脂、反應性丁二烯-丙烯腈共聚物橡膠和(甲基)丙烯酸酯類樹脂。(甲基)丙烯酸酯類樹脂可為包含含有環氧類官能團的(甲基)丙烯酸酯類重複單元並且玻璃化轉變溫度為-10℃至20℃的(甲基)丙烯酸酯類樹脂。(甲基)丙烯酸酯類樹脂可包含0.1重量％至10重量％的含有環氧類官能團的(甲基)丙烯酸酯類重複單元。包含在用於半導體的粘合膜中的固化劑還可包括選自胺類固化劑和酸酐類固化劑的一種或更多種化合物。用於半導體的粘合膜還可包含離子清除劑，所述離子清除劑包括含有選自鋯、銻、鉍、鎂和鋁的一種或更多種金屬的金屬氧化物；多孔矽酸鹽；多孔鋁矽酸鹽；或者沸石。用於半導體的粘合膜還可包含選自磷化合物、磷-硼化合物和咪唑類化合物的一種或更多種固化催化劑。用於半導體的粘合膜還可包含選自偶聯劑和無機填料的一種或更多種添加劑。此外，用於半導體的粘合膜可為管芯粘結膜。此外，本文中提供了切割管芯粘結膜，其包含：基礎膜；形成在所述基礎膜上的粘性層；和形成在所述粘性層上的粘合劑層，所述粘合劑層包含上述用於半導體的粘合膜。基礎膜的厚度可為10μm至200μm，粘性層的厚度可為1μm至600μm、3μm至500μm或5μm至300μm，並且粘合膜的厚度可為1μm至300μm。此外，粘合膜的厚度可為1μm或更大、3μm或更大、5μm或更大、或者10μm或更大。此外，粘合膜的厚度可為300μm或更小、100μm或更小、90μm或更小、或者70μm或更小。本文中還提供了用於切割半導體晶片的方法，包括以下步驟：對包含切割管芯粘結膜的半導體晶片進行部分預處理；將晶片層合在切割管芯粘結膜的至少一側上以使其被完全切割或可切割；以及將UV照射至經預處理的半導體晶片的基礎膜，並且拾取通過切割半導體所分離的單獨晶片。有益效果根據本發明，提供了用於半導體的粘合膜，其可以更容易地掩埋不平坦，例如半導體基板的配線、附接至半導體晶片的配線等的不平坦，並且還可以實現高耐熱性和粘合強度以及改善的機械特性，並且可以沒有特別限制地應用於各種切割方法以實現優異的可切割性，從而提高半導體封裝工藝的可靠性和效率。用於半導體的粘合膜因其獨特特性而可以應用於非接觸型粘合劑切割例如DBG(DicingBeforeGrinding，研磨前切割)以及使用刀片的晶片切割，並且即使在相對低的溫度下也具有優異的可切割性，並且因此即使將其在室溫下靜置，再粘合的可能性也變低，從而提高了半導體製造工藝中的可靠性和效率。此外，用於半導體的粘合膜可以應用於各種半導體封裝製造工藝，使得能夠確保半導體末端與支撐構件(例如，下層的晶片或基板)的粘合過程中的高可靠性，並且可以實現優異的可加工性，同時確保在將半導體末端安裝在半導體封裝中時所需的耐熱性、耐溼性和絕緣性。此外，用於半導體的粘合膜可以確保提高的彈性和高機械特性，從而防止包含其的切割管芯粘結膜和使用所述切割管芯粘結膜切割半導體晶片的方法中的毛刺產生，進而提高切割過程中的拾取效率，並且確保低溫和高溫下的高可切割性。具體實施方式現在將詳細說明根據本發明的具體實施方案的用於半導體的粘合膜。根據本發明的一個實施方案，提供了用於半導體的粘合膜，其在110℃的溫度在5rad/s的剪切速率下的熔體粘度為1,000Pa·s至4,000Pa·s，並且在室溫下在5％至10％伸長率下產生的模量為50MPa或更高。此前，考慮到用於半導體的粘合膜的可掩埋性等，提出了添加具有低軟化點的組分以降低熔體粘度的方法，但是該方法存在這樣的限制：難以確保高彈性和斷裂伸長率。因此，本發明人通過實驗確定：具有上述特定特性的用於半導體的粘合膜可以更容易地掩埋不平坦，例如由於半導體基板的配線、附接至半導體晶片的配線等引起的不平坦，並且還可以沒有特別限制地應用於各種切割方法以實現優異的可切割性，從而提高半導體封裝工藝的可靠性和效率，並且完成了本發明。特別地，由於用於半導體的粘合膜在室溫下在5％至10％伸長率下產生的模量為50MPa或更高、或者50MPa至300MPa，所以該實施方案的粘合膜可以容易地應用於非接觸型切割方法例如DBG(研磨前切割)和使用刀片的晶片切割方法，並且因此即使在低溫下也具有優異的可切割性。如果用於半導體的粘合膜在室溫下在5％至10％伸長率下產生的模量低於50MPa，則即使在低溫下進行擴展，可切割性也可能不足；如果將其在室溫下靜置，則可發生再粘合；並且由於在切割粘合膜所接合的晶片時產生的熱，粘合劑可軟化以致在粘合膜中產生毛刺，從而汙染半導體晶片的電路側。此外，用於半導體的粘合膜在110℃的溫度和5rad/s的剪切速率下的熔體粘度為1,000Pa·s至4,000Pa·s。由於粘合膜在約110℃的溫度下具有相對低的粘度，所以其可具有優異的粘合強度和對於半導體最佳化的流動性，這可有利於初始階段固化的界面處和管芯連接過程中的空隙去除，並且在管芯連接之後，可順利地實現接合線向周圍空間的滲入而不顯著影響粘合膜的形狀和特性。此外，由於用於半導體的粘合膜在110℃的溫度和5rad/s的剪切速率下的熔體粘度為1,000Pa·s至4,000Pa·s，因此即使長時間暴露於在半導體製造過程中施加的高溫條件，也基本上不會產生空隙，並且當應用於切割管芯粘結膜等時，可以確保足夠的高溫剪切力，從而確保優異的可切割性。粘合膜可以用作管芯粘附膜(DAF)以用於連接引線框或基板與管芯或者連接管芯與管芯。因此，粘合膜可加工成管芯粘結膜、切割管芯粘結膜等形式。如上所述，如果用於半導體的粘合膜滿足如下要求：在110℃的溫度下在5rad/s的剪切速率下的熔體粘度為1,000Pa·s至4,000Pa·s，以及在室溫下在5％至10％伸長率下產生的模量為50MPa或更高，則可實現上述效果，並且具體組分沒有顯著限制。例如，用於半導體的粘合膜可包含玻璃化轉變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂、含有軟化點為70℃或更高的酚樹脂的固化劑、液體環氧樹脂、和固體環氧樹脂。更特別地，用於半導體的粘合膜可包含：連續相基體，包含玻璃化轉變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂、含有軟化點為70℃或更高的酚樹脂的固化劑、和液體環氧樹脂；以及分散在所述連續相基體中的固體環氧樹脂。環氧樹脂可與玻璃化轉變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂和含有軟化點為70℃或更高的酚樹脂的固化劑一起形成粘合劑組分的基體(或基質)，並且其使得用於半導體的粘合膜在具有低粘度的同時具有高斷裂強度和低斷裂伸長率。在用於半導體的粘合膜中，固體環氧樹脂和液體環氧樹脂的總含量相對熱塑性樹脂的重量比可為1.6至2.6、1.7至2.5、1.75至2.4、或1.8至2.3。由於用於半導體的粘合膜包含上述範圍的相對於熱塑性樹脂的固體環氧樹脂和液體環氧樹脂，所以用於半導體的粘合膜可在高溫下具有低粘度，並且還可實現高彈性、優異的機械特性和高粘合強度。由於環氧樹脂的含量相對於熱塑性樹脂相對較低等原因，此前已知的用於半導體的粘合膜不能實現上述實施方案的用於半導體的粘合膜的獨特特性。如果在用於半導體的粘合膜中，固體環氧樹脂和液體環氧樹脂的總含量相對熱塑性樹脂的重量比低於上述範圍，則用於半導體的粘合膜可在高溫下表現出高粘度，或者表現出低斷裂強度和高斷裂伸長率，並且高溫剪切力也可減小，因此不能充分確保可切割性。此外，如果在用於半導體的粘合膜中，固體環氧樹脂和液體環氧樹脂的總含量相對熱塑性樹脂的重量比大於2.6，則用於半導體的粘合膜在室溫下在5％至10％伸長率下產生的模量可變得顯著較高，或者粘合膜在室溫下的伸長率可顯著降低，從而極大地抑制可加工性。此外，如果在用於半導體的粘合膜中，固體環氧樹脂和液體環氧樹脂的總含量相對熱塑性樹脂的重量比大於2.6，則在固化過程中，用於半導體的粘合膜的粘度增加速率可顯著增加，並因此可能難以除去所述膜內的空隙，這可能妨礙半導體封裝的可靠性。同時，在用於半導體的粘合膜中，酚樹脂相對熱塑性樹脂、酚樹脂和液體環氧樹脂的總重量的重量比可為0.280或更大、或者0.300至0.600。酚樹脂可與液體環氧樹脂和玻璃化轉變溫度為-10℃至30℃的熱塑性樹脂一起形成粘合劑組分的基體(或基質)，其中所述酚樹脂優選地以高於一定水平的含量包含在所述粘合劑組分的基體中。特別地，如果在用於半導體的粘合膜中，酚樹脂相對熱塑性樹脂、酚樹脂和液體環氧樹脂的總重量的重量比小於0.280，則不能向用於半導體的粘合膜提供足夠的固化程度，從而降低耐熱性，粘合膜在室溫下在5％至10％伸長率下產生的模量可顯著降低，並且粘合膜在室溫下的伸長率可顯著增加，並且在使用粘合膜製造的切割管芯粘結膜中，通過切割過程可過度產生毛刺，並且高溫剪切力也可減小，並因此不能充分確保可切割性。同時，包含在用於半導體的粘合膜中的固化劑可包含軟化點為70℃或更高的酚樹脂。所述酚樹脂的軟化點可為70℃或更高、80℃或更高、70℃至160℃、高於100℃且160℃或更低、或者105℃至150℃。上述實施方案的用於半導體的粘合膜可包含軟化點相對高的酚樹脂，並且軟化點為70℃或更高、80℃或更高、70℃至160℃、高於100℃且160℃或更低、或者105℃至150℃的酚樹脂可與液體環氧樹脂和玻璃化轉變溫度為-10℃至30℃的熱塑性樹脂一起形成粘合劑組分的基體(或基質)，並且向用於半導體的粘合膜提供在室溫下較高的拉伸模量和優異的粘合強度以及對於半導體最佳化的流動特性。反之，如果酚樹脂的軟化點低於上述範圍，則用於半導體的粘合膜在室溫下的拉伸模量可降低，或者在室溫下的伸長率可顯著增加，並且用於半導體的粘合膜的熔體粘度可減小或者模量可降低，並因此可由在切割過程中產生的熱產生更多毛刺，或者可切割性或拾取效率可降低。此外，如果接合粘合膜的過程或粘合膜長時間暴露於高溫條件，則可能發生大量滲出。此外，酚樹脂的羥基當量重量可為80g/eq至400g/eq、90g/eq至250g/eq、100g/eq至178g/eq、或210至240g/eq。由於酚樹脂具有上述的羥基當量重量範圍，所以固化程度即使在短固化時間下也可增加，從而向用於半導體的粘合膜提供在室溫下更高的拉伸模量和優異的粘合強度。在上述實施方案的用於半導體的粘合膜中，液體環氧樹脂相對酚樹脂的重量比可為0.5至1.5。如果液體環氧樹脂相對酚樹脂的重量比太高，則用於半導體的粘合膜的斷裂強度可顯著增加，在室溫下的拉伸模量可降低，並且在低溫切割過程中的可切割性或效率可降低。此外，如果液體環氧樹脂相對酚樹脂的重量比太低，則在室溫下在伸長率下產生的模量可變得太高，或者在室溫下的伸長率可顯著降低，從而顯著降低最終產品的產率，並且用於半導體的粘合膜不能與晶片充分粘合，從而在製造過程中發生晶片與粘合膜之間的剝離。液體環氧樹脂的具體種類和性質沒有顯著限制，但是例如，液體環氧樹脂在25℃下的粘度可為500mPa·s至20,000mPa·s。此外，液體環氧樹脂的環氧當量重量可為100至1,000。同時，液體環氧樹脂可與玻璃化轉變溫度為-10℃至30℃的熱塑性樹脂和含有酚樹脂的固化劑一起形成粘合劑組分的基體(或基質)，並使粘合膜具有相對低的粘度，並且還具有優異的粘合強度和對於半導體最佳化的流動特性，並因此可有利於初始階段固化中的界面處和管芯連接過程中的至隙去除。同時，如上所述，用於半導體的粘合膜可包含玻璃化轉變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂。熱塑性樹脂的實例沒有特別限制，但是例如可包括：聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚酯醯亞胺、聚醯胺、聚醚碸、聚醚酮、聚烯烴、聚氯乙烯、苯氧基樹脂、反應性丁二烯-丙烯腈共聚物橡膠、(甲基)丙烯酸酯類樹脂、其中兩種或更多種的混合物、或者其中兩種或更多種的共聚物。特別地，(甲基)丙烯酸酯類樹脂可為包含含有環氧類官能團的(甲基)丙烯酸酯類重複單元並且玻璃化轉變溫度為-10℃至20℃的(甲基)丙烯酸酯類樹脂。通過使用包含含有環氧類官能團的(甲基)丙烯酸酯類重複單元並且玻璃化轉變溫度為-10℃至20℃的(甲基)丙烯酸酯類樹脂，在將用於半導體的粘合膜用於超薄晶片多級堆疊的情況下，可以確保高抗衝擊性並且可改善半導體製造後的電特性。環氧類官能團可在構成(甲基)丙烯酸酯類樹脂主鏈的重複單元處被取代一次或更多次。環氧類官能團可包含環氧基或縮水甘油基。包含含量為0.1重量％至10重量％的含有環氧類官能團的(甲基)丙烯酸酯類重複單元的(甲基)丙烯酸酯類樹脂的玻璃化轉變溫度可為-10℃至20℃或-5℃至15℃。通過使用具有上述玻璃化轉變溫度的(甲基)丙烯酸酯類樹脂，用於半導體的粘合膜可具有足夠的流動性並且最終製備的粘合膜可確保高粘合強度，並且易於製備薄膜等形式的用於半導體的粘合膜。為了控制用於半導體的粘合膜的固化程度或提高粘合性能等，粘合膜可包含固體環氧樹脂。固體環氧樹脂的具體實例可包括選自以下的一種或更多種聚合物樹脂：聯苯類環氧樹脂、雙酚A環氧樹脂、雙酚F環氧樹脂、甲酚酚醛清漆環氧樹脂、苯酚酚醛清漆環氧樹脂、四官能環氧樹脂、三酚甲烷型環氧樹脂、經烷基改性的三酚甲烷型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂和經二環戊二烯改性的酚型環氧樹脂。固體環氧樹脂的軟化點可為50℃至120℃。如果固體環氧樹脂的軟化點太低，則用於半導體的粘合膜的粘合強度可增加，從而減少切割後晶片的拾取；而如果固體環氧樹脂的軟化點太高，則用於半導體的粘合膜的流動性可降低，並且粘合強度可降低。固體環氧樹脂的環氧當量重量可為100至1,000。如果在用於半導體的粘合膜中，熱塑性樹脂的含量太低，則樹脂組合物在固化之後的模量可快速增加，並因此難以預期基板與晶片之間的應力鬆弛效應。此外，如果熱塑性樹脂的含量太高，則在B階段的組合物的粘度可增加，並因此在管芯連接過程中與基板的粘合力可降低，並且在固化過程期間的空隙去除可變得困難，從而降低所述過程和最終產品的可靠性。如果含有酚樹脂的固化劑的含量太低，則可能難以確保足夠的耐熱性。如果含有酚樹脂的固化劑的含量太高，則即使固化完全，未反應的酚基仍可存在，從而增加吸溼性，並因此在半導體封裝過程中水分吸收後的回流過程中，可引起基板和粘合劑之間的分層。用於半導體的粘合膜的厚度可為1μm至300μm。此外，粘合膜的厚度可為1μm或更大、3μm或更大、5μm或更大、或者10μm或更大。此外，粘合膜的厚度可為300μm或更小、100μm或更小、90μm或更小、或者70μm或更小。根據本發明的另一個實施方案，提供了用於半導體的粘合膜，其在110℃的溫度下在5rad/s的剪切速率下的熔體粘度為1,000Pa·s至4,000Pa·s，並且在室溫下的伸長率為500％或更低。此前，考慮到用於半導體的粘合膜的可掩埋性等，提出了添加具有低軟化點的組分以降低熔體粘度的方法，但該方法存在這樣的限制：難以確保高彈性，並且斷裂伸長率高。因此，本發明人通過實驗確定：具有上述特定特性的用於半導體的粘合膜可以更容易地掩埋不平坦，例如由於半導體基板的配線或附接至半導體晶片的配線等引起的不平坦，並且還可以沒有特別限制地應用於各種切割方法以實現優異的可切割性，從而提高半導體封裝工藝的可靠性和效率，並且完成了本發明。特別地，用於半導體的粘合膜在110℃的溫度和5rad/s的剪切速率下的熔體粘度為1,000Pa·s至4,000Pa·s。由於粘合膜在約110℃的溫度下具有相對低的粘度，所以其可具有優異的粘合強度和對於半導體最佳化的流動性，這可有利於初始階段固化的界面處和管芯連接過程中的空隙去除，並且在管芯連接之後，可順利地實現接合線向周圍空間的滲入，而不顯著影響粘合膜的形狀和特性。此外，由於用於半導體的粘合膜在110℃的溫度和5rad/s的剪切速率下的熔體粘度為1,000Pa·s至4,000Pa·s，因此即使長時間暴露於在半導體製造過程中施加的高溫條件，也基本上不會產生空隙，並且當應用於切割管芯粘結膜等時，可以確保足夠的高溫剪切力，從而確保優異的可切割性。此外，用於半導體的粘合膜在室溫下的伸長率可為500％或更低、50％至500％、或者100％至400％。由於用於半導體的粘合膜具有相對高的彈性，並且還表現出低伸長率和低斷裂伸長率，因此其即使在低溫下也可具有優異的可切割性，並且即使在應用非接觸型切割方法例如DBG(研磨前切割)和使用刀片的晶片切割方法時也可確保優異的可切割性。同時，如果用於半導體的粘合膜在室溫下表現出高於500％的伸長率，則即使在低溫下進行擴展，可切割性也可能不足；如果將其在室溫下靜置，則可發生再粘合；並且由於在切割接合有粘合膜的晶片時所產生的熱，粘合劑可軟化以致在粘合膜中產生毛刺，從而汙染半導體晶片的電路側。粘合膜可以用作管芯粘附膜(DAF)以用於連接引線框或基板與管芯或者連接管芯與管芯。因此，粘合膜可加工成管芯粘結膜、切割管芯粘結膜等形式。如上所述，如果用於半導體的粘合膜滿足如下要求：在110℃的溫度下在5rad/s的剪切速率下的熔體粘度為1,000Pa·s至4,000Pa·s，並且在室溫下的伸長率為500％或更低，則可實現上述效果，並且具體組分沒有顯著限制。例如，用於半導體的粘合膜可包含玻璃化轉變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂、含有軟化點為70℃或更高的酚樹脂的固化劑、液體環氧樹脂、和固體環氧樹脂。更特別地，用於半導體的粘合膜可包含：連續相基體，包含玻璃化轉變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂、含有軟化點為70℃或更高的酚樹脂的固化劑、和液體環氧樹脂；以及分散在所述連續相基體中的固體環氧樹脂。環氧樹脂可與玻璃化轉變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂和含有軟化點為70℃或更高的酚樹脂的固化劑一起形成粘合劑組分的基體(或基質)，並且其使得用於半導體的粘合膜具有低粘度，並且還具有高斷裂強度和低斷裂伸長率。在用於半導體的粘合膜中，固體環氧樹脂和液體環氧樹脂的總含量相對熱塑性樹脂的重量比可為1.6至2.6、1.7至2.5、1.75至2.4、或1.8至2.3。由於用於半導體的粘合膜包含上述範圍的相對於熱塑性樹脂的固體環氧樹脂和液體環氧樹脂，所以用於半導體的粘合膜可在高溫下具有低粘度，並且還可實現高彈性、優異的機械特性和高粘合強度。由於環氧樹脂的含量相對於熱塑性樹脂相對較低等原因，此前已知的用於半導體的粘合膜不能實現上述實施方案的用於半導體的粘合膜的獨特特性。如果在用於半導體的粘合膜中，固體環氧樹脂和液體環氧樹脂的總含量相對熱塑性樹脂的重量比低於上述範圍，則用於半導體的粘合膜可在高溫下表現出高粘度，或者表現出低斷裂強度和高斷裂伸長率，並且高溫剪切力也可減小，因此不能充分確保可切割性。此外，如果在用於半導體的粘合膜中，固體環氧樹脂和液體環氧樹脂的總含量相對熱塑性樹脂的重量比大於2.6，則用於半導體的粘合膜在室溫下在5％至10％伸長率下產生的模量可變得顯著較高，或者粘合膜在室溫下的伸長率可顯著降低，從而極大地抑制可加工性。此外，如果在用於半導體的粘合膜中，固體環氧樹脂和液體環氧樹脂的總含量相對熱塑性樹脂的重量比大於2.6，則在固化過程中，用於半導體的粘合膜的粘度增加速率可顯著增加，並因此可能難以除去所述膜內的空隙，這可能妨礙半導體封裝的可靠性。同時，在用於半導體的粘合膜中，酚樹脂相對熱塑性樹脂、酚樹脂和液體環氧樹脂的總重量的重量比可為0.280或更大、或者0.300至0.600。酚樹脂可與液體環氧樹脂和玻璃化轉變溫度為-10℃至30℃的熱塑性樹脂一起形成粘合劑組分的基體(或基質)，其中所述酚樹脂優選地以高於一定水平的含量包含在所述粘合劑組分的基體中。特別地，如果在用於半導體的粘合膜中，酚樹脂相對熱塑性樹脂、酚樹脂和液體環氧樹脂的總重量的重量比小於0.280，則不能向用於半導體的粘合膜提供足夠的固化程度，從而降低耐熱性；用於半導體的粘合膜在室溫下在5％至10％伸長率下產生的模量可顯著降低，並且粘合膜在室溫下的伸長率可顯著增加；並且在使用粘合膜製造的切割管芯粘結膜中，通過切割過程可過度產生毛刺，並且高溫剪切力也可減小，並因此不能充分確保可切割性。同時，包含在用於半導體的粘合膜中的固化劑可包含軟化點為70℃或更高的酚樹脂。所述酚樹脂的軟化點可為70℃或更高、80℃或更高、70℃至160℃、高於100℃且160℃或更低、或者105℃至150℃。上述實施方案的用於半導體的粘合膜可包含軟化點相對高的酚樹脂，並且軟化點為70℃或更高、80℃或更高、70℃至160℃、高於100℃且160℃或更低、或者105℃至150℃的酚樹脂可與液體環氧樹脂和玻璃化轉變溫度為-10℃至30℃的熱塑性樹脂一起形成粘合劑組分的基體(或基質)，並且向用於半導體的粘合膜提供在室溫下較高的拉伸模量和優異的粘合強度以及對於半導體最佳化的流動特性。反之，如果酚樹脂的軟化點低於上述範圍，則用於半導體的粘合膜在室溫下的拉伸模量可降低，或者在室溫下的伸長率可顯著增加，並且用於半導體的粘合膜的熔體粘度可減小或者模量可降低，並因此可由在切割過程中產生的熱產生更多毛刺，或者可切割性或拾取效率可降低。此外，如果接合粘合膜的過程或粘合膜長時間暴露於高溫條件，則可能發生大量滲出。此外，酚樹脂的羥基當量重量可為80g/eq至400g/eq、或100g/eq至200g/eq。由於酚樹脂具有上述的羥基當量重量範圍，所以固化程度即使在短固化時間下也可增加，從而向用於半導體的粘合膜提供在室溫下更高的拉伸模量和優異的粘合強度。在上述實施方案的用於半導體的粘合膜中，液體環氧樹脂相對酚樹脂的重量比可為0.5至1.5。如果液體環氧樹脂相對酚樹脂的重量比太高，則用於半導體的粘合膜的斷裂強度可顯著增加，在室溫下的拉伸模量可降低，並且在低溫切割過程中的可切割性或效率可降低。此外，如果液體環氧樹脂相對酚樹脂的重量比太低，則在室溫下在伸長率下產生的模量可變得太高，或者在室溫下的伸長率可顯著降低，從而顯著降低最終產品的產率，並且用於半導體的粘合膜不能與晶片充分粘合，從而在製造過程中發生晶片與粘合膜之間的剝離。液體環氧樹脂的具體種類和性質沒有顯著限制，但是例如，液體環氧樹脂在25℃下的粘度可為500mPa·s至20,000mPa·s。此外，液體環氧樹脂的環氧當量重量可為100至1,000。同時，液體環氧樹脂可與玻璃化轉變溫度為-10℃至30℃的熱塑性樹脂和含有酚樹脂的固化劑一起形成粘合劑組分的基體(或基質)，並使粘合膜具有相對低的粘度，並且還具有優異的粘合強度和對於半導體最佳化的流動特性，並因此可有利於初始階段固化中的界面處和管芯連接過程中的空隙去除。如上所述，用於半導體的粘合膜可包含玻璃化轉變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂。熱塑性樹脂的實例沒有特別限制，但是例如可包括：聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚酯醯亞胺、聚醯胺、聚醚碸、聚醚酮、聚烯烴、聚氯乙烯、苯氧基樹脂、反應性丁二烯-丙烯腈共聚物橡膠、(甲基)丙烯酸酯類樹脂、其中兩種或更多種的混合物、或者其中兩種或更多種的共聚物。特別地，(甲基)丙烯酸酯類樹脂可為包含含有環氧類官能團的(甲基)丙烯酸酯類重複單元並且玻璃化轉變溫度為-10℃至20℃的(甲基)丙烯酸酯類樹脂。通過使用包含含有環氧類官能團的(甲基)丙烯酸酯類重複單元並且玻璃化轉變溫度為-10℃至20℃的(甲基)丙烯酸酯類樹脂，在將用於半導體的粘合膜用於超薄晶片多級堆疊的情況下，可確保高抗衝擊性並可改善半導體製造後的電特性。環氧類官能團可在構成(甲基)丙烯酸酯類樹脂主鏈的重複單元處被取代一次或更多次。環氧類官能團可包含環氧基或縮水甘油基。包含含量為0.1重量％至10重量％的含有環氧類官能團的(甲基)丙烯酸酯類重複單元的(甲基)丙烯酸酯類樹脂的玻璃化轉變溫度可為-10℃至20℃或-5℃至15℃。通過使用具有上述玻璃化轉變溫度的(甲基)丙烯酸酯類樹脂，用於半導體的粘合膜可具有足夠的流動性並且最終製備的粘合膜可確保高粘合強度，並且易於製備薄膜等形式的用於半導體的粘合膜。為了控制用於半導體的粘合膜的固化程度或提高粘合性能等，粘合膜可包含固體環氧樹脂。固體環氧樹脂的具體實例可包括選自以下的一種或更多種聚合物樹脂：聯苯類環氧樹脂、雙酚A環氧樹脂、雙酚F環氧樹脂、甲酚酚醛清漆環氧樹脂、苯酚酚醛清漆環氧樹脂、四官能環氧樹脂、三酚甲烷型環氧樹脂、經烷基改性的三酚甲烷型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂和經二環戊二烯改性的酚型環氧樹脂。固體環氧樹脂的軟化點可為50℃至120℃。如果固體環氧樹脂的軟化點太低，則用於半導體的粘合膜的粘合強度可增加，從而減少切割後晶片的拾取；而如果固體環氧樹脂的軟化點太高，則用於半導體的粘合膜的流動性可降低，並且粘合強度可降低。固體環氧樹脂的環氧當量重量可為100至1,000。如果在用於半導體的粘合膜中，熱塑性樹脂的含量太低，則樹脂組合物在固化之後的模量可快速增加，並因此難以預期基板與晶片之間的應力鬆弛效應。此外，如果熱塑性樹脂的含量太高，則在B階段的組合物的粘度可增加，並因此在管芯連接過程中與基板的粘合力可降低，並且在固化過程期間的空隙去除可變得困難，從而降低所述過程和最終產品的可靠性。如果含有酚樹脂的固化劑的含量太低，則可能難以確保足夠的耐熱性。如果含有酚樹脂的固化劑的含量太高，則即使固化完全，未反應的酚基仍可存在，從而增加吸溼性，並因此在半導體封裝過程中水分吸收後的回流過程中，可引起基板和粘合劑之間的分層。用於半導體的粘合膜的厚度可為1μm至300μm。此外，粘合膜的厚度可為1μm或更大、3μm或更大、5μm或更大、或者10μm或更大。此外，粘合膜的厚度可為300μm或更小、100μm或更小、90μm或更小、或者70μm或更小。根據本發明的另一個實施方案，提供了用於半導體的粘合膜，其在室溫下在5％至10％伸長率下產生的模量為50MPa或更高，並且在室溫下的伸長率為500％或更低。此前已知的用於半導體的粘合膜不能確保低斷裂伸長率和高彈性，並因此不能實現足夠的可掩埋性和可切割性。因此，本發明人通過實驗確定：具有上述特定特性的用於半導體的粘合膜可以更容易地掩埋不平坦，例如由於半導體基板的配線或附接至半導體晶片的配線等引起的不平坦，並且還可以沒有特別限制地應用於各種切割方法以實現優異的可切割性，從而提高半導體封裝工藝的可靠性和效率，並且完成了本發明。特別地，由於用於半導體的粘合膜在室溫下在5％至10％伸長率下產生的模量為50MPa或更高、或者50MPa至300MPa，所以該實施方案的粘合膜可以容易地應用於非接觸型切割方法例如DBG(研磨前切割)和使用刀片的晶片切割方法，並因此即使在低溫下也具有優異的可切割性。如果用於半導體的粘合膜在室溫下在5％至10％伸長率下產生的模量低於50MPa，則即使在低溫下進行擴展，可切割性也可能不足；如果將其在室溫下靜置，則可發生再粘合；並且由於在切割粘合膜所接合的晶片時產生的熱，粘合劑可軟化以致在粘合膜中產生毛刺，從而汙染半導體晶片的電路側。此外，用於半導體的粘合膜在室溫下的伸長率可為500％或更低、50％至500％、或者100％至400％。由於用於半導體的粘合膜具有相對高的彈性，並且還表現出低伸長率和低斷裂伸長率，因此其即使在低溫下也可具有優異的可切割性，並且即使在應用非接觸型切割方法例如DBG(研磨前切割)和使用刀片的晶片切割方法時也可確保優異的可切割性。同時，如果用於半導體的粘合膜表現出在室溫下高於500％的伸長率，則即使在低溫下進行擴展，可切割性也可能不足；如果將其在室溫下靜置，則可發生再粘合；並且由於在切割接合有粘合膜的晶片時所產生的熱，粘合劑可軟化以致在粘合膜中產生毛刺，從而汙染半導體晶片的電路側。粘合膜可以用作管芯粘附膜(DAF)以用於連接引線框或基板與管芯或者連接管芯與管芯。因此，粘合膜可加工成管芯粘結膜、切割管芯粘結膜等形式。如上所述，如果用於半導體的粘合膜滿足如下要求：在室溫下在5％至10％伸長率下產生的模量為50MPa或更高，並且在室溫下的伸長率為500％或更低，則可實現上述效果，並且具體組分沒有顯著限制。例如，用於半導體的粘合膜可包含玻璃化轉變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂、含有軟化點為70℃或更高的酚樹脂的固化劑、液體環氧樹脂、和固體環氧樹脂。更特別地，用於半導體的粘合膜可包含：連續相基體，包含玻璃化轉變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂、含有軟化點為70℃或更高的酚樹脂的固化劑、和液體環氧樹脂；以及分散在所述連續相基體中的固體環氧樹脂。環氧樹脂可與玻璃化轉變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂和含有軟化點為70℃或更高的酚樹脂的固化劑一起形成粘合劑組分的基體(或基質)，並且其使得用於半導體的粘合膜在具有低粘度的同時具有高斷裂強度和低斷裂伸長率。在用於半導體的粘合膜中，固體環氧樹脂和液體環氧樹脂的總含量相對熱塑性樹脂的重量比可為1.6至2.6、1.7至2.5、1.75至2.4、或1.8至2.3。由於用於半導體的粘合膜包含上述範圍的相對於熱塑性樹脂的固體環氧樹脂和液體環氧樹脂，所以用於半導體的粘合膜可在高溫下具有低粘度，並且還可實現高彈性、優異的機械特性和高粘合強度。由於環氧樹脂的含量相對於熱塑性樹脂相對較低等原因，此前已知的用於半導體的粘合膜不能實現上述實施方案的用於半導體的粘合膜的獨特特性。如果在用於半導體的粘合膜中，固體環氧樹脂和液體環氧樹脂的總含量相對熱塑性樹脂的重量比低於上述範圍，則用於半導體的粘合膜可在高溫下表現出高粘度，或者表現出低斷裂強度和高斷裂伸長率，並且高溫剪切力也可減小，因此不能充分確保可切割性。此外，如果在用於半導體的粘合膜中，固體環氧樹脂和液體環氧樹脂的總含量相對熱塑性樹脂的重量比大於2.6，則用於半導體的粘合膜在室溫下在5％至10％伸長率下產生的模量可變得顯著較高，或者粘合膜在室溫下的伸長率可顯著降低，從而極大地抑制可加工性。此外，如果在用於半導體的粘合膜中，固體環氧樹脂和液體環氧樹脂的總含量相對熱塑性樹脂的重量比大於2.6，則在固化過程中，用於半導體的粘合膜的粘度增加速率可顯著增加，並因此可能難以除去所述膜內的空隙，這可能妨礙半導體封裝的可靠性。同時，在用於半導體的粘合膜中，酚樹脂相對熱塑性樹脂、酚樹脂和液體環氧樹脂的總重量的重量比可為0.280或更大、或者0.300至0.600。酚樹脂可與液體環氧樹脂和玻璃化轉變溫度為-10℃至30℃的熱塑性樹脂一起形成粘合劑組分的基體(或基質)，其中所述酚樹脂優選地以高於一定水平的含量包含在所述粘合劑組分的基體中。特別地，如果在用於半導體的粘合膜中，酚樹脂相對熱塑性樹脂、酚樹脂和液體環氧樹脂的總重量的重量比小於0.280，則不能向用於半導體的粘合膜提供足夠的固化程度，從而降低耐熱性；粘合膜在室溫下在5％至10％伸長率下產生的模量可顯著降低，並且粘合膜在室溫下的伸長率可顯著增加；並且在使用粘合膜製造的切割管芯粘結膜中，通過切割過程可過度產生毛刺，並且高溫剪切力也可減小，並因此不能充分確保可切割性。同時，包含在用於半導體的粘合膜中的固化劑可包含軟化點為70℃或更高的酚樹脂。所述酚樹脂的軟化點可為70℃或更高、80℃或更高、70℃至160℃、高於100℃且160℃或更低、或者105℃至150℃。上述實施方案的用於半導體的粘合膜可包含軟化點相對高的酚樹脂，並且軟化點為70℃或更高、80℃或更高、70℃至160℃、高於100℃且160℃或更低、或者105℃至150℃的酚樹脂可與液體環氧樹脂和玻璃化轉變溫度為-10℃至30℃的熱塑性樹脂一起形成粘合劑組分的基體(或基質)，並且向用於半導體的粘合膜提供在室溫下較高的拉伸模量和優異的粘合強度以及對於半導體最佳化的流動特性。反之，如果酚樹脂的軟化點低於上述範圍，則用於半導體的粘合膜在室溫下的拉伸模量可降低，或者在室溫下的伸長率可顯著增加，並且用於半導體的粘合膜的熔體粘度可減小或者模量可降低，並因此可由在切割過程中產生的熱產生更多毛刺，或者可切割性或拾取效率可降低。此外，如果接合粘合膜的過程或粘合膜長時間暴露於高溫條件，則可能發生大量滲出。此外，酚樹脂的羥基當量重量可為80g/eq至400g/eq、或100g/eq至200g/eq。由於酚樹脂具有上述的羥基當量重量範圍，所以固化程度即使在短固化時間下也可增加，從而向用於半導體的粘合膜提供在室溫下更高的拉伸模量和優異的粘合強度。在上述實施方案的用於半導體的粘合膜中，液體環氧樹脂相對酚樹脂的重量比可為0.5至1.5。如果液體環氧樹脂相對酚樹脂的重量比太高，則用於半導體的粘合膜的斷裂強度可顯著增加，在室溫下的拉伸模量可降低，並且在低溫切割過程中的可切割性或效率可降低。此外，如果液體環氧樹脂相對酚樹脂的重量比太低，則在室溫下在伸長率下產生的模量可變得太高，或者在室溫下的伸長率可顯著降低，從而顯著降低最終產品的產率，並且用於半導體的粘合膜不能與晶片充分粘合，從而在製造過程中發生晶片與粘合膜之間的剝離。液體環氧樹脂的具體種類和性質沒有顯著限制，但是例如，液體環氧樹脂在25℃下的粘度可為500mPa·s至20,000mPa·s。此外，液體環氧樹脂的環氧當量重量可為100至1,000。同時，液體環氧樹脂可與玻璃化轉變溫度為-10℃至30℃的熱塑性樹脂和含有酚樹脂的固化劑一起形成粘合劑組分的基體(或基質)，並使粘合膜具有相對低的粘度，並且還具有優異的粘合強度和對於半導體最佳化的流動特性，並因此可有利於初始階段固化中的界面處和管芯連接過程中的空隙去除。如上所述，用於半導體的粘合膜可包含玻璃化轉變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂。熱塑性樹脂的實例沒有特別限制，但是例如可包括：聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚酯醯亞胺、聚醯胺、聚醚碸、聚醚酮、聚烯烴、聚氯乙烯、苯氧基樹脂、反應性丁二烯-丙烯腈共聚物橡膠、(甲基)丙烯酸酯類樹脂、其中兩種或更多種的混合物、或者其中兩種或更多種的共聚物。特別地，(甲基)丙烯酸酯類樹脂可為包含含有環氧類官能團的(甲基)丙烯酸酯類重複單元並且玻璃化轉變溫度為-10℃至20℃的(甲基)丙烯酸酯類樹脂。通過使用包含含有環氧類官能團的(甲基)丙烯酸酯類重複單元並且玻璃化轉變溫度為-10℃至20℃的(甲基)丙烯酸酯類樹脂，在將用於半導體的粘合膜用於超薄晶片多級堆疊的情況下，可確保高抗衝擊性並可改善半導體製造後的電特性。環氧類官能團可在構成(甲基)丙烯酸酯類樹脂主鏈的重複單元處被取代一次或更多次。環氧類官能團可包含環氧基或縮水甘油基。包含含量為0.1重量％至10重量％的含有環氧類官能團的(甲基)丙烯酸酯類重複單元的(甲基)丙烯酸酯類樹脂的玻璃化轉變溫度可為-10℃至20℃或-5℃至15℃。通過使用具有上述玻璃化轉變溫度的(甲基)丙烯酸酯類樹脂，用於半導體的粘合膜可具有足夠的流動性並且最終製備的粘合膜可確保高粘合強度，並且易於製備薄膜等形式的用於半導體的粘合膜。為了控制用於半導體的粘合膜的固化程度或提高粘合性能等，粘合膜可包含固體環氧樹脂。固體環氧樹脂的具體實例可包括選自以下的一種或更多種聚合物樹脂：聯苯類環氧樹脂、雙酚A環氧樹脂、雙酚F環氧樹脂、甲酚酚醛清漆環氧樹脂、苯酚酚醛清漆環氧樹脂、四官能環氧樹脂、三酚甲烷型環氧樹脂、經烷基改性的三酚甲烷型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂和經二環戊二烯改性的酚型環氧樹脂。固體環氧樹脂的軟化點可為50℃至120℃。如果固體環氧樹脂的軟化點太低，則用於半導體的粘合膜的粘合強度可增加，從而減少切割後晶片的拾取；而如果固體環氧樹脂的軟化點太高，則用於半導體的粘合膜的流動性可降低，並且粘合強度可降低。固體環氧樹脂的環氧當量重量可為100至1,000。如果在用於半導體的粘合膜中，熱塑性樹脂的含量太低，則樹脂組合物在固化之後的模量可快速增加，並因此難以預期基板與晶片之間的應力鬆弛效應。此外，如果熱塑性樹脂的含量太高，則在B階段的組合物的粘度可增加，並因此在管芯連接過程中與基板的粘合力可降低，並且在固化過程期間的空隙去除可變得困難，從而降低所述過程和最終產品的可靠性。如果含有酚樹脂的固化劑的含量太低，則可能難以確保足夠的耐熱性。如果含有酚樹脂的固化劑的含量太高，則即使固化完全，未反應的酚基仍可存在，從而使吸溼性增加，並因此在半導體封裝過程中水分吸收後的回流過程中，可引起基板和粘合劑之間的分層。用於半導體的粘合膜的厚度可為1μm至300μm。此外，粘合膜的厚度可為1μm或更大、3μm或更大、5μm或更大、或者10μm或更大。此外，粘合膜的厚度可為300μm或更小、100μm或更小、90μm或更小、或者70μm或更小。根據本發明的另一個實施方案，提供了用於半導體的粘合膜，其在110℃的溫度和5rad/s的剪切速率下的熔體粘度為1,000Pa·s至4,000Pa·s，在室溫下在5％至10％伸長率下產生的模量為50MPa或更高，並且在室溫下的伸長率為500％或更低。此前已知的用於半導體的粘合膜不能確保低斷裂伸長率和高彈性，並因此不能實現足夠的可掩埋性和可切割性。此外，此前，考慮到用於半導體的粘合膜的可掩埋性等，提出了添加具有低軟化點的組分以降低熔體粘度的方法，但是該方法存在這樣的限制：難以確保高彈性，並且斷裂伸長率高。因此，本發明人通過實驗確定：具有上述特定特性的用於半導體的粘合膜可以更容易地掩埋不平坦，例如由於半導體基板的配線、附接至半導體晶片的配線等引起的不平坦，並且還可以沒有特別限制地應用於各種切割方法以實現優異的可切割性，從而提高半導體封裝工藝的可靠性和效率，並且完成了本發明。特別地，由於用於半導體的粘合膜在室溫下在5％至10％伸長率下產生的模量為50MPa或更高、或者50MPa至300MPa，所以該實施方案的粘合膜可以容易地應用於非接觸型切割方法例如DBG(研磨前切割)和使用刀片的晶片切割方法，並因此即使在低溫下也具有優異的可切割性。如果用於半導體的粘合膜在室溫下在5％至10％伸長率下產生的模量低於50MPa，則即使在低溫下進行擴展，可切割性也可能不足；如果將其在室溫下靜置，則可發生再粘合；並且由於在切割粘合膜所接合的晶片時產生的熱，粘合劑可軟化以致在粘合膜中產生毛刺，從而汙染半導體晶片的電路側。此外，用於半導體的粘合膜在110℃的溫度和5rad/s的剪切速率下的熔體粘度為1,000Pa·s至4,000Pa·s。由於粘合膜在約110℃的溫度下具有相對低的粘度，所以其可具有優異的粘合強度和對於半導體最佳化的流動性，這可有利於初始階段固化的界面處和管芯連接過程中的空隙去除，並且在管芯連接之後，可順利地實現接合線向周圍空間的滲入，而不顯著影響粘合膜的形狀和特性。此外，由於用於半導體的粘合膜在110℃的溫度和5rad/s的剪切速率下的熔體粘度為1,000Pa·s至4,000Pa·s，因此即使長時間暴露於在半導體製造過程中施加的高溫條件，也基本上不會產生空隙，並且當應用於切割管芯粘結膜等時，可確保足夠的高溫剪切力，從而確保優異的可切割性。此外，用於半導體的粘合膜在室溫下的伸長率可為500％或更低、50％至500％、或者100％至400％。由於用於半導體的粘合膜具有相對高的彈性並且還表現出低伸長率和低斷裂伸長率，因此其即使在低溫下也可具有優異的可切割性，並且即使在應用非接觸型切割方法例如DBG(研磨前切割)和使用刀片的晶片切割方法時也可確保優異的可切割性。同時，如果用於半導體的粘合膜表現出高於500％的伸長率，則即使在低溫下進行擴展，可切割性也可能不足；如果將其在室溫下靜置，則可發生再粘合；並且由於在切割接合有粘合膜的晶片時所產生的熱，粘合劑可軟化以致在粘合膜中產生毛刺，從而汙染半導體晶片的電路側。粘合膜可以用作管芯粘附膜(DAF)以用於連接引線框或基板與管芯或者連接管芯與管芯。因此，粘合膜可加工成管芯粘結膜、切割管芯粘結膜等形式。如上所述，如果用於半導體的粘合膜滿足如下要求：在110℃的溫度和5rad/s的剪切速率下的熔體粘度為1,000Pa·s至4,000Pa·s，在室溫下在5％至10％伸長率下產生的模量為50MPa或更高，並且在室溫下的伸長率為500％或更低，則可實現上述效果，並且具體組分沒有顯著限制。例如，用於半導體的粘合膜可包含玻璃化轉變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂、含有軟化點為70℃或更高的酚樹脂的固化劑、液體環氧樹脂、和固體環氧樹脂。玻璃化轉變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂、含有軟化點為70℃或更高的酚樹脂的固化劑、液體環氧樹脂、和固體環氧樹脂的詳情包括以上關於以上實施方案的用於半導體的粘合膜所說明的內容。用於半導體的粘合膜的厚度可為1μm至300μm。此外，粘合膜的厚度可為1μm或更大、3μm或更大、5μm或更大、或者10μm或更大。此外，粘合膜的厚度可為300μm或更小、100μm或更小、90μm或更小、或者70μm或更小。包含在上述實施方案的各用於半導體的粘合膜中的固化劑還可包括選自胺類固化劑和酸酐類固化劑的一種或更多種化合物。考慮到最終所製備的粘合膜的特性等，可適當選擇所使用的固化劑的量，並且例如，基於100重量份的環氧樹脂，其可以以10重量份至700重量份或30重量份至300重量份的量使用。用於半導體的粘合膜還可包含固化催化劑。固化催化劑的功能是促進固化劑的作用或者促進用於半導體的粘合膜的固化，並且可以沒有顯著限制地使用已知用於製造用於半導體的粘合膜等的任何固化催化劑。例如，作為固化催化劑，可使用選自以下的一種或更多種：磷化合物、硼化合物、磷-硼化合物和咪唑類化合物。考慮到粘合膜的特性等，可適當選擇所使用的固化催化劑的量，並且例如，基於100重量份的液體環氧樹脂、固體環氧樹脂、(甲基)丙烯酸酯類樹脂和酚樹脂，固化催化劑可以以0.5重量份至10重量份的量使用。用於半導體的粘合膜還可包含離子清除劑，所述離子清除劑包括含有選自鋯、銻、鉍、鎂和鋁的一種或更多種金屬的金屬氧化物；多孔矽酸鹽；多孔鋁矽酸鹽；或者沸石。含有選自鋯、銻、鉍、鎂和鋁的一種或更多種金屬的金屬氧化物的實例可包括氧化鋯、氧化銻、氧化鉍、氧化鎂、氧化鋁、基於銻鉍的氧化物、基於鋯鉍的氧化物、基於鋯鎂的氧化物、基於鎂鋁的氧化物、基於銻鎂的氧化物、基於銻鋁的氧化物、基於銻鋯的氧化物、基於鋯鋁的氧化物、基於鉍鎂的氧化物、基於鉍鋁的氧化物、或者其中兩種或更多種的混合物。離子清除劑可用於吸附存在於用於半導體的粘合膜內的金屬離子或滷素離子等，並因此可提高與粘合膜接觸的配線的電可靠性。用於半導體的粘合膜中的離子清除劑的含量沒有顯著限制，但是考慮到與過渡金屬離子的反應性、可加工性和由樹脂組合物製造的粘合膜的特性，基於用於半導體的粘合膜的重量，離子清除劑可以以0.01重量％至20重量％，優選0.01重量％至10重量％的含量包含在內。用於半導體的粘合膜還可包含選自偶聯劑和無機填料的一種或更多種添加劑。偶聯劑和無機填料的實例沒有特別限制，並且可沒有顯著限制地使用已知可在用於半導體封裝的粘合劑中使用的組分。根據本發明的又一個實施方案，提供了切割管芯粘結膜，其包含：基礎膜；形成在所述基礎膜上的粘性層；以及形成在所述粘性層上的粘合劑層，所述粘合劑層包含根據上述實施方案中任一個的用於半導體的粘合膜。由於切割管芯粘結膜的粘合劑層包含根據上述實施方案中任一個的用於半導體的粘合膜，因此切割管芯粘結膜可具有優異的機械特性(例如，耐熱性和抗衝擊性等)和高粘合強度，並且表現出低吸溼性，從而防止水分蒸發、基板和管芯粘結膜之間的分層或者由於蒸發所產生的回流裂紋等。此外，由於切割管芯粘結膜的粘合劑層包含根據上述實施方案中任一個的用於半導體的粘合膜，因此具有上述特定特性的用於半導體的粘合膜可以更容易地掩埋不平坦，例如由於半導體基板的配線或附接至半導體晶片的配線等引起的不平坦，並且還可以沒有特別限制地應用於各種切割方法以實現優異的可切割性，從而提高半導體封裝工藝的可靠性和效率。此外，如上所述，由於切割管芯粘結膜包含具有上述特定特性的用於半導體的粘合膜，因此其可以容易地應用於非接觸型切割方法例如DBG(研磨前切割)和使用刀片的晶片切割方法，並且粘合劑層即使在低溫下也可具有優異的可切割性。根據上述實施方案中任一個的用於半導體的粘合膜的詳情如上所述。特別地，用於半導體的粘合膜在110℃的溫度和5rad/s的剪切速率下的熔體粘度可為1,000Pa·s至4,000Pa·s。此外，用於半導體的粘合膜在室溫下在5％至10％伸長率下產生的模量可為50MPa或更高。此外，用於半導體的粘合膜的伸長率可為500％或更低。包含在切割管芯粘結膜中的基礎膜的種類沒有特別限制，並且例如，可使用本領域中已知的塑料膜或金屬箔等。例如，基礎膜可包括低密度聚乙烯、線性聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、聚丙烯的無規共聚物、聚丙烯的嵌段共聚物、均聚聚丙烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-離聚物共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、聚丁烯、苯乙烯共聚物、或者其中兩者或更多者的混合物。包含兩種或更多種聚合物的混合物的基礎膜包括多層膜和單層膜二者，所述多層膜的每個膜層包含上述聚合物，所述單層膜包含兩種或更多種上述聚合物。基礎膜的厚度沒有特別限制，並且通常，其形成的厚度為10μm至200μm，優選50μm至180μm。如果厚度小於10μm，則存在切割過程中切割深度的控制可能不穩定的問題；而如果厚度大於200μm，則在切割過程中可能產生大量毛刺或伸長率可能降低，並因此不能準確地完成擴展過程。如有必要，基礎膜可經歷一般的物理或化學處理，例如啞光處理、電暈放電處理、底漆處理、交聯等。同時，粘性層可包含可UV固化的粘合劑或可熱固化的粘合劑。在使用可UV固化的粘合劑的情況下，從基礎膜側照射UV以提高粘合劑的內聚性和玻璃化轉變溫度，從而降低粘合強度；而在使用可熱固化的粘合劑的情況下，提高溫度以降低粘合強度。此外，可UV固化的粘合劑可包含(甲基)丙烯酸酯類樹脂、可UV固化的化合物、光引發劑和交聯劑。(甲基)丙烯酸酯類樹脂的重均分子量可為100,000至1,500,000，優選200,000至1,000,000。如果重均分子量小於100,000，則可塗覆性或內聚性可能降低，並因此在分層時殘餘物可能保留在粘合物中，或者可能出現粘合劑破裂。此外，如果重均分子量大於1,500,000，則基礎樹脂可能阻礙可UV固化的化合物反應，並因此存在不能有效地實現剝離強度降低的問題。(甲基)丙烯酸酯類樹脂的實例可包括(甲基)丙烯酸酯類單體和含可交聯官能團單體的共聚物。其中，(甲基)丙烯酸酯類單體的實例可包括(甲基)丙烯酸烷基酯，特別是具有碳原子數為1至12的烷基的單體，例如(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸癸酯或其混合物。隨著單體的烷基的碳數變高，最終共聚物的玻璃化轉變溫度變低，因此可以根據期望的玻璃化轉變溫度選擇合適的單體。含可交聯官能團單體的實例可包括含羥基單體、含羧基單體、含氮單體或其混合物。含羥基化合物的實例可包括(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯等；含羧基化合物的實例可包括(甲基)丙烯酸酯等；含氮單體的實例可包括(甲基)丙烯腈、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基己內醯胺等，但不限於此。在(甲基)丙烯酸酯類樹脂中，可額外地包含含碳-碳雙鍵的低分子量化合物，例如乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等，以改善其他功能性如相容性等。可UV固化的化合物的種類沒有特別限制，並且例如，可使用重均分子量為500至300,000的多官能化合物(例如，多官能氨基甲酸酯丙烯酸酯、多官能丙烯酸酯單體或低聚物等)。本領域普通技術人員可根據期望用途容易地選擇合適的化合物。基於100重量份的上述基礎樹脂，可UV固化的化合物的含量可為5重量份至400重量份，優選10重量份至200重量份。如果可UV固化的化合物的含量小於5重量份，則固化後的粘合力降低可能不足，並因此存在降低拾取性的問題；而如果可UV固化的化合物的含量大於400重量份，則在UV照射之前粘合劑的內聚性可能不足，或者可能不易實現與離型膜等的分層。光引發劑的種類沒有特別限制，並且可使用本領域公知的那些，其中基於100重量份的可UV固化的化合物，其含量可為0.05重量份至20重量份。如果光引發劑的含量小於0.05重量份，則通過UV照射的固化反應可能變得不足而降低拾取性；而如果其含量大於20重量份，則在固化過程中可能與短單元發生交聯反應，可產生未反應的可UV固化的化合物以在粘合表面上產生殘餘物，或者固化後的剝離強度可能過度降低而降低拾取性。此外，包含在粘性部分中以提供粘合力和內聚性的交聯劑的種類也沒有特別限制，並且可使用常用的那些，例如異氰酸酯類化合物、氮丙啶類化合物、環氧類化合物、金屬螯合物類化合物等。基於100重量份的基礎樹脂，交聯劑可以以2重量份至40重量份，優選2重量份至20重量份的含量包含在內。如果其含量小於2重量份，則粘合劑的內聚性可能不足；而如果其含量大於20重量份，則UV照射前的粘合力可能不足，並因此存在晶片分散等問題。此外，在粘性層中還可包含增粘劑，例如松香樹脂、萜烯樹脂、酚樹脂、苯乙烯樹脂、脂肪族石油樹脂、芳香族石油樹脂、脂肪族芳香族共聚物石油樹脂等。用於在基礎膜上形成包含上述組分的粘性層的方法沒有特別限制，並且例如可使用將粘合劑組合物直接塗覆在基礎膜上以形成粘性層的方法；或者先將粘合劑組合物塗覆在可剝離基底上以製備粘性層，然後使用可剝離基底將粘性層轉移至基礎膜的方法；等等。在此，塗覆和乾燥粘合劑組合物的方法沒有特別限制，並且例如可使用以下方法：按原樣塗覆含有上述組分的組合物，或者將其稀釋在合適的有機溶劑中並通過已知工具(例如，缺角輪塗布機(commacoater)、凹版塗布機、模壓塗布機、反向塗布機等)塗覆，然後在60℃至200℃的溫度下乾燥溶劑10秒至30分鐘。此外，在上述過程中，還可進行老化過程以進行粘合劑的充分交聯。雖然粘性層的厚度沒有特別限制，但是例如，其可為1μm至600μm、3μm至500μm、或5μm至300μm。如上所述，粘合劑層在粘性層上形成，並且可包含上述實施方案的用於半導體的粘合膜。用於半導體的粘合膜的詳情包括上述的那些。雖然粘合劑層的厚度沒有特別限制，但是例如，其可為1μm至300μm。此外，粘合膜的厚度可為1μm或更大、3μm或更大、5μm或更大、或者10μm或更大。此外，粘合膜的厚度可為300μm或更小、100μm或更小、90μm或更小、或者70μm或更小。切割管芯粘結膜還可包含形成在粘合劑層上的離型膜。可以使用的離型膜的實例可包括一種或更多種塑料膜，例如聚對苯二甲酸乙二醇酯膜、聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚醯亞胺膜等。離型膜的表面可用醇酸樹脂類、矽類、氟類、不飽和酯類、聚烯烴類或蠟類離型劑中的一種或更多種進行處理，其中可優選耐熱的醇酸樹脂類、矽類或氟類離型劑。離型膜可通常形成為10μm至500μm，優選約20μm至200μm的厚度，但不限於此。用於製造上述切割管芯粘結膜的方法沒有特別限制，並且例如可使用在基礎膜上順序形成粘性部分、粘合劑部分和離型膜的方法；或者單獨製備切割膜(基礎膜+粘性部分)和在其上形成有管芯粘結膜或粘合劑部分的離型膜然後將其層合的方法；等等。層合方法沒有特別限制，並且可使用熱軋層合法或層合壓制，其中就連續過程的可能性和效率而言，優選熱軋層合法。熱軋層合法可在10℃至100℃的溫度和0.1kgf/cm2至10kgf/cm2的壓力下進行，但不限於此。根據本發明的另一個實施方案，提供了用於切割半導體晶片的方法，其包括以下步驟：對包含切割管芯粘結膜的半導體晶片進行部分預處理；將晶片層合在切割管芯粘結膜的至少一側上以使其完全切割或可切割；以及將UV照射至經預處理的半導體晶片的基礎膜，並且拾取通過切割半導體所分離的單獨晶片。切割管芯粘結膜的詳情包括上述的那些。除關於切割方法的步驟的細節以外，可沒有特別限制地使用用於半導體晶片等的切割方法的公知設備和方法。用於切割半導體晶片的方法還可包括在預處理之後擴展半導體晶片的步驟。在這種情況下，接著進行如下過程：將UV照射至經擴展的半導體晶片的基礎膜並且拾取通過切割半導體晶片所分離的單獨晶片。通過使用包含切割膜的切割管芯粘結膜，可使在半導體晶片的切割過程期間產生的毛刺最小化，從而防止半導體晶片的汙染並且提高半導體晶片的可靠性和壽命。本發明的具體實施方案將在以下實施例中進行詳細說明。然而，這些實施例僅用於舉例說明本發明的具體實施方案，並且本發明的範圍不限於此。[實施例1至5和比較例1至3：用於半導體的粘合劑樹脂組合物和用於半導體的粘合膜的製備]實施例1(1)用於半導體的粘合劑樹脂組合物的溶液的製備將40g酚樹脂KH-6021(由DIC公司生產，雙酚A酚醛清漆樹脂，羥基當量重量121g/eq，軟化點：125℃)(其為環氧樹脂的固化劑)、38g環氧樹脂EOCN-104S(由日本化藥有限公司生產，甲酚酚醛清漆型環氧樹脂，環氧當量重量214g/eq，軟化點：83℃)、50g液體環氧樹脂RE-310S(由日本化藥有限公司生產，雙酚A環氧樹脂，環氧當量重量為180g/eq)、40g熱塑性丙烯酸酯樹脂KG-3015(Mw：900,000，玻璃化轉變溫度：10℃)、5g矽烷偶聯劑A-187(GEToshibaSilicone，γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷)、0.1g固化促進劑2PZ(ShikokuChemicals公司，2-苯基咪唑)和100g填料SC-2050(Admatec公司，球形二氧化矽，平均粒徑約400nm)在甲基乙基酮溶劑中混合以獲得用於半導體的粘合劑組合物的溶液(固體含量20重量％)。(2)管芯粘結膜的製備將以上製備的用於半導體的粘合劑組合物的溶液塗覆在經離型處理的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度38μm)上，然後在110℃下乾燥3分鐘以獲得厚度為約60μm的用於半導體的粘合膜(管芯粘結膜)。實施例2至5通過與實施例1相同的方法獲得用於半導體的粘合劑樹脂組合物的溶液(固體含量20重量％)和用於半導體的粘合膜(管芯粘結膜)，不同之處在於使用下表1中所述的組分和量。比較例1和2通過與實施例1相同的方法獲得用於半導體的粘合膜(管芯粘結膜)，不同之處在於使用下表1中的組分和含量製備用於半導體的粘合劑樹脂組合物的溶液(在甲基乙基酮中的濃度為20重量％)。[表1]實施例和比較例的樹脂組合物的組成[單位：g]-KH-6021：雙酚A酚醛清漆樹脂(DIC公司，軟化點：125℃)-GPH-103：聯苯酚醛清漆樹脂(日本化藥有限公司，軟化點：103℃)-HE200C-17：聯苯酚醛清漆樹脂(AirWater有限公司，軟化點：75℃)-KPH-3065：xylocA酚醛清漆苯酚樹脂(KolonChemical有限公司，羥基當量重量：180g/eq，軟化點67℃)-KG-3015P：丙烯酸酯類樹脂(包含3重量％的縮水甘油基甲基丙烯酸酯類重複單元，玻璃化轉變溫度：10℃，重均分子量900,000)-EOCN-104S：甲酚酚醛清漆環氧樹脂(日本化藥有限公司，環氧當量重量：180g/eq，軟化點：90℃)-RE-310S：雙酚A環氧液體樹脂(日本化藥，環氧當量重量：約180g/eq，在25℃下的粘度：約13,000mPa·s至17,000mPa·s)[實驗例：用於半導體的粘合膜的特性評估]實驗例1：熔體粘度的測量將實施例和比較例中分別獲得的粘合膜堆疊至650μm的厚度，然後使用輥式層合機在60℃下層合。其後，使每個試樣形成直徑為10mm的圓形，然後使用TA公司的先進流變擴展系統(advancedrheometricexpansionsystem，ARES)在40℃至160℃的溫度範圍內、1Hz且5rads的剪切速率和20℃/分鐘的溫度上升速率下測量根據溫度而變化的熔體粘度。實驗例2：室溫拉伸特性的評估為了測量實施例和比較例中分別獲得的粘合膜的拉伸特性，使用質構儀(TextureAnalyzer，StableMicroSystem，Ltd.)。具體地，將實施例和比較例中分別獲得的粘合膜切割成寬度為15mm且長度為100mm的尺寸以製備樣品，並且兩端均貼上膠帶而留下50mm的樣品中心部分。此外，將貼上膠帶的樣品的兩端固定至該設備，並且在以0.3mm/秒的速率伸長時，繪製拉伸曲線。由拉伸曲線測量5％伸長率下的斜率值以確定模量，並且測量樣品被完全切割時的時間以確定伸長率。實驗例3：毛刺產生的觀察(1)切割膜的製造使75g丙烯酸2-乙基己酯、10g甲基丙烯酸2-乙基己酯和15g丙烯酸2-羥基乙酯在300g丙烯酸乙酯溶劑中共聚，以獲得重均分子量為850,000的共聚物(玻璃化轉變溫度：10℃)，然後向其中添加10g可光固化材料丙烯酸異氰酸酯化合物，從而獲得反應物。其後，將10g多官能異氰酸酯低聚物和1g作為光引發劑的DarocurTPO混合以製備可UV固化的粘合劑組合物。將可UV固化的粘合劑組合物塗覆在厚度為38μm的經離型處理的聚酯膜上，使得乾燥後的厚度變成10μm，並在110℃下乾燥3分鐘。將經乾燥的粘性層層合在厚度為100μm的聚烯烴膜上以製造切割膜。(2)切割管芯粘結膜的製造將在上述過程中獲得的粘性層以及實施例和比較例中獲得的各粘合膜(寬度：18mm，長度：10cm)層合以製造用於切割管芯接合的多層粘合膜。(3)毛刺產生率的測量使用100μm晶片和晶片環安裝器在50℃下層合以上製備的各切割管芯粘結膜，並且使用切割設備以40Krpm和20mm/秒的速率將其切割成10mm＊10mm的晶片尺寸，然後確定管芯上產生的毛刺數量以測量毛刺產生率。實驗例4：高溫剪切力的評估在60℃的條件下，在厚度為約600μm至700μm的晶片的鏡面側上層合實施例和比較例中分別獲得的粘合膜，並將晶片分段為5mm＊5mm的尺寸以製備具有該管芯尺寸的粘合膜。此外，將10mm＊10mm尺寸的70μm晶片鏡面置於130℃的熱板上，然後在2kg且2秒的晶片管芯的條件下連接管芯粘結膜，在125℃下進行固化1小時，並在175℃下再進行固化2小時。此外，在於250℃下以0.05mm/秒的速率按壓晶片管芯的同時，使用管芯剪切測試儀DAGE4000測量力，以測量高溫剪切力。實驗例5：可切割性的評估將實施例1至4和比較例1和2中獲得的粘合劑層合至切割膜，由此製造切割管芯粘結膜。使用預切成5mm＊5mm尺寸的厚度為50μm的8英寸晶片和晶片環安裝器，在60℃下層合以上製備的各切割管芯粘結膜，然後使其在室溫下靜置30分鐘。其後，在低溫室中安裝層合有切割管芯粘結膜的晶片，並在-10℃下以100mm/秒的速率進行低溫擴展至5mm的高度。此外，將晶片轉移至熱收縮裝置，並以1mm/秒擴展至4mm，然後加熱以使切割膜熱收縮。其後，確定晶片在室溫下的切割比。[表2]實驗例的結果如表2中所示，可確定，由於實施例1至5中製備的粘合膜在室溫下在5％至10％伸長率下產生的模量為50MPa至150MPa，在110℃的溫度和5rad/秒的剪切速率下的熔體粘度為1,000Pa·s至4,000Pa·s，並且在室溫下的伸長率為500％或更低，因此即使在室溫下進行擴展，也可確保100％的可切割性。還可確定，在使用實施例1至5的粘合膜製造的切割管芯粘結膜中，通過切割過程基本上不產生毛刺，並且實施例1至5的粘合膜具有高的高溫剪切力，並因此具有改善的耐熱性和粘合強度。製備比較例1的粘合膜使得固體環氧樹脂和液體環氧樹脂的總含量相對熱塑性樹脂的重量比大於2.6，並且酚樹脂相對熱塑性樹脂、酚樹脂和液體環氧樹脂的總重量的重量比小於0.280。如表2中所示，可確定在比較例1的粘合膜的情況下，在室溫下在5％至10％伸長率下產生的模量小於40MPa，並且在室溫下的伸長率大於550％。此外，還可確定，在其中使用具有低軟化點的酚樹脂的比較例2的情況下，在室溫下在5％至10％伸長率下產生的模量小於30MPa，並且在室溫下的伸長率達到750％。可確定由於比較例1和2的粘合膜在室溫下具有高伸長率，並且其在低溫擴展過程中具有低可切割性，並因此難以確保充分的可切割性，如表2中所示。此外，可確定在使用比較例1和2的粘合膜製造的切割管芯粘結膜中，通過切割過程產生20％或更多的毛刺，並且比較例1和2的粘合膜不具有足夠的高溫剪切力，並因此難以確保足夠的粘合強度。當前第1頁1 2 3 當前第1頁1 2 3