無掩膜局域蝕刻裝置、無掩膜局域蝕刻系統的製作方法
2023-07-22 17:20:06 1
專利名稱：無掩膜局域蝕刻裝置、無掩膜局域蝕刻系統的製作方法
技術領域：
本實用新型屬於太陽電池技術領域，具體涉及無掩膜局域蝕刻裝置和無掩膜局域蝕刻系統。
背景技術：
局域蝕刻(又稱為局域腐蝕或局域刻蝕)是利用化學或物理的方法，在材料表面的某一個或一個以上的特定區域，將一層或一層以上的化學組成或物理性質不同的材料去除，使該材料形成特定的空間或/和材料結構，以便形成有特定光學性能、電學性能和/或光電性能的器件。現有的局域蝕刻技術主要有一下幾種。
A.光刻光刻是一種有掩膜的化學蝕刻，其是先在材料表面覆蓋一層保護膜即光刻膠，然後用光照射該保護膜上的一定區域，使被照射區域的保護膜分解，或使被照射區域以外的保護膜分解，然後使用化學試劑將保護膜分解區域或未被分解的區域露出的表面材料蝕刻掉。該方法的優點主要是蝕刻得到的蝕刻坑的線寬可以很小，能達到30納米；蝕刻對剩下的材料的損傷也很小。但光刻致命的弱點一是使用的光刻膠對環境汙染大；二是光刻工藝的成本較高。B.等離子蝕刻等離子蝕刻是在放置被蝕刻材料的腔體內通入一種或多種工作氣體，在電場作用下產生等離子體，接著該等離子體轟擊材料表面需要蝕刻的表面，直到達到一定蝕刻深度。不需要蝕刻的材料表面區域被掩膜板覆蓋，以達到保護作用。等離子蝕刻的優點是掩膜板可以重複利用，但不足之處是蝕刻後排出的氟化物等廢氣一般較難處理，該廢氣對環境的汙染也較大，還有，蝕刻的速度也較慢。C.電子束蝕刻電子束蝕刻是用電子束直接轟擊材料表面需要蝕刻的區域，使該區域出現一定的凹坑結構。該方法優點是蝕刻結構的線寬最小，甚至可達到10納米，但是該方法工藝速度非常慢，設備昂貴，成本很高。D.雷射蝕刻在對蝕刻線寬要求不高的情況下，即線寬可以大於5微米，有的器件蝕刻工藝可以採用雷射蝕刻方法。雷射蝕刻是採用高能量密度的雷射，照射材料表面需要蝕刻的區域，該區域的表面材料經受受熱、融化、汽化、形成等離子體、揮發、濺射等一系列複雜的物理甚至化學等過程，最終形成一定形狀的凹坑。該方法的優點是不需要掩膜，蝕刻速度很快，但其缺點是蝕刻後對材料表層有損傷，損傷層深度一般達到10微米以上。雷射蝕刻後，還要需要對其損傷的區域進行後繼的化學或物理處理，以消除這些損傷。
發明內容以上傳統蝕刻方法的主要問題是1.光刻技術需要光刻膠，該光刻膠對環境汙染較大，成本較高；2.等離子蝕刻也需要掩膜，所產生的氟化物等廢氣對環境汙染較大；3.電子束蝕刻工藝速度很慢，價格昂貴；4.雷射蝕刻對被蝕刻材料損傷很大。針對傳統的蝕刻方法所存在的問題，本實用新型提出一種無掩膜局域蝕刻裝置、無掩膜局域蝕刻方法及無掩膜局域蝕刻系統，具體提供了以下的裝置、方法及系統。一種無掩膜局域蝕刻裝置，包括供液管，其向被蝕刻物的表面提供化學試劑；以及排液管，其將上述化學試劑與上述被蝕刻物反應後的物質從上述表面去除；其中，上述排液管和上述供液管中的一個為內管，另一個為外管，上述外管的蝕刻埠的形狀與上述被蝕刻物的被蝕刻處的形貌和/或形狀相對應。該裝置還包括連接部件，其以上述供液管和上述排液管可相對移動的方式，將上 述供液管和上述排液管連接。上述被蝕刻物包括太陽電池或太陽電池組件，上述表面包括上述太陽電池或太陽電池組件的正面、背面和/或側面。在上述外管和上述要被蝕刻的表面之間的密封部件。上述外管的蝕刻埠的形狀為凹槽形狀。上述連接部件以將上述供液管和上述排液管的連接處密封的方式，將將上述供液管和上述排液管連接。上述連接部件包括波紋管、彈簧部件、螺紋部件或其組合。上述排液管的內部為負壓。一種無掩膜局域蝕刻系統，包括上述任一項所述的無掩膜局域蝕刻裝置。上述化學試劑包括H20、H3PO4, HNO3> HF、NaOH, Κ0Η、有機溶劑或其混合物。一種無掩膜局域蝕刻方法，包括以下步驟利用供液管向被蝕刻物的表面提供化學試劑；利用排液管將上述化學試劑與上述被蝕刻物反應後的物質從上述表面去除；以及通過使上述供液管和上述排液管相對移動，調節蝕刻速度、蝕刻深度和/或蝕刻形貌。上述被蝕刻物包括太陽電池或太陽電池組件，上述表面包括上述太陽電池或太陽電池組件的正面、背面和/或側面。上述排液管和上述供液管中的一個為內管,另一個為外管。上述調節蝕刻速度、蝕刻深度和/或蝕刻形貌的步驟包括通過使上述內管相對於上述外管在縱向移動，調節蝕刻速度、蝕刻深度和/或蝕刻形貌。上述外管的蝕刻埠的形狀與上述被腐蝕物的被蝕刻處的形貌和/或形狀相對應。上述外管的蝕刻埠的形狀為凹槽形狀。上述的任一項所述的無掩膜局域蝕刻方法，還包括以下步驟在上述被蝕刻物在蝕刻坑的深度方向具有不同組分的材料的情況下，變更上述化學試劑的成分、比例和/或溫度。上述化學試劑包括H20、H3PO4, HNO3> HF、NaOH, Κ0Η、有機溶劑或其混合物。[0039]多個任一項所述的無掩膜局域蝕刻裝置。上述多個無掩膜局域蝕刻裝置排成陣列。供液管，其向被蝕刻物的表面提供化學試劑；以及排液管，其將上述化學試劑與上述被蝕刻物反應後的物質從上述表面去除；其中，上述排液管和上述供液管中的一個為內管，另一個為外管，上述外管的蝕刻埠的形狀與上述被蝕刻物的被蝕刻處的形貌和/或形狀相對應。該裝置還包括連接部件，其以上述供液管和上述排液管可相對移動的方式，將上述供液管和上述排液管連接。上述被蝕刻物包括太陽電池或太陽電池組件，上述表面包括上述太陽電池或太陽電池組件的正面、背面和/或側面。
·[0045]在上述外管和上述要被蝕刻的表面之間的密封部件。上述外管的蝕刻埠的形狀為凹槽形狀。上述連接部件以將上述供液管和上述排液管的連接處密封的方式，將將上述供液管和上述排液管連接。上述連接部件包括波紋管、彈簧部件、螺紋部件或其組合。上述排液管的內部為負壓。一種無掩膜局域蝕刻系統，包括多個任一項所述的無掩膜局域蝕刻裝置。上述多個無掩膜局域蝕刻裝置排成陣列。本實用新型的無掩膜局域蝕刻裝置、方法及系統，是在不需要在被蝕刻材料表面覆蓋掩膜的情況下，就可以使該材料表面的特定區域的原位材料與外來化學物質發生化學反應，在原位材料被消耗的區域形成凹坑，以達到蝕刻的目的；在該材料表面的不需要被蝕刻的區域，外來化學物質不與被加工材料接觸，因而也就不發生化學蝕刻反應。
圖I是本實用新型的一個實施例的無掩膜局域蝕刻裝置的外觀立體圖。圖2是本實施例的無掩膜局域蝕刻裝置的縱向剖面透視圖。圖3是利用本實施例的無掩膜局域蝕刻裝置蝕刻材料表面的工作原理圖。圖4是利用本實施例的無掩膜局域蝕刻裝置去除太陽電池漏電的示意圖。圖5是利用本實施例的無掩膜局域蝕刻裝置蝕刻組件的示意圖。圖6是本實用新型的無掩膜局域蝕刻裝置的變形例的外觀立體圖。圖7是利用該變形例的無掩膜局域蝕刻裝置進行邊緣蝕刻的分解示意圖。圖8是利用該變形例的無掩膜局域蝕刻裝置進行邊緣蝕刻的示意圖。標號說明I外管；2內管；3連接部件；4外管外接端；5被蝕刻物；6化學試劑；7反應生成物及化學殘留物；8洩漏氣體；9混合物；10減反膜；11發射區；12基區；13背電極；14前表面玻璃；15EVA ；16太陽電池；17EVA ；18背板。
具體實施方式
[0064]以下，參照附圖詳細說明本實用新型的實施例。另外，在以下的說明中，附圖中的各個部分的長短、大小、薄厚、尺寸、比例等可能與實際的不同。本實施例的無掩膜局域蝕刻裝置包括供液管，其向被蝕刻物的表面提供化學試劑；以及排液管，其將上述化學試劑與上述被蝕刻物反應後的物質從上述表面去除；其中，上述排液管和上述供液管中的一個為內管，另一個為外管，上述外管的蝕刻埠的形狀與上述被蝕刻物的被蝕刻處的形貌和/或形狀相對應。在本實施例中，上述被蝕刻物可以是太陽電池或太陽電池組件，上述表面包括上述太陽電池或太陽電池組件的正面、背面和/或側面。上述排液管和上述供液管中的一個為內管，另一個為外管。連接部件是使外管和內管在縱向可以相對移動的波紋管、彈簧部件、螺紋部件或其組合。在本實用新型中，除波紋管、彈簧部件、螺紋部件外，其它一切能使能使外管和內管在縱向可以相對移動的裝置可使用，本實用新型對此沒有任何限制。另外，外管、內管和連接部件由耐化學蝕刻的材料形成。下面參照附圖詳細說明本實施例的無掩膜局域蝕刻裝置。圖I和2是本實施例的無掩膜局域蝕刻裝置的示意圖。圖I是本實用新型的一個實施例的無掩膜局域蝕刻裝置的外觀立體圖。圖2是本實施例的無掩膜局域蝕刻裝置的縱向剖面透視圖。如圖I所示，本實施例的無掩膜局域蝕刻裝置包括外管I、內管2、外管外接端4和連接部件3。如圖2所示，外管I和內管2在垂直管腔方向的截面可以是圓筒形也可以是其它任意形狀。連接部件3的作用是使外管I和內管2沿縱向可以相對移動，連接部件3在圖示的例子中波紋管，但也可以是使外管I和內管2沿縱向可以相對移動一定距離的任何裝置。本實施例的無掩膜局域蝕刻裝置蝕刻材料表面的工作原理如圖3所示。將外管I的下端管口接觸並保持在被蝕刻物5的表面，同時使內管2的下端管口與被蝕刻物5表面有一定的空隙，這個空隙可以是由於被蝕刻物5表面不平整或是內管2的下端管口不平整所造成的空隙，也可以是由於被蝕刻物5的表面與內管2的下端管口整體有一段距離所造成的空隙。與被蝕刻物5表面反應的化學試劑6從內管2的上端進入內管2的管內，繼而與被蝕刻物5的表面物質反應；反應生成物及化學殘留物7從內管2的下端管口與被蝕刻物5表面形成的空隙排走，並進入外管I與內管2形成的空隙；同時外管I與被蝕刻物5表面接觸處由於不密封，會有空氣進入外管內，形成洩漏氣體8。接著，由洩漏氣體8、反應生成物及化學殘留物7所形成的混合物9從外管外接端4排出。這樣，在內管2下面，由於被蝕刻物5表面原子參與化學反應而隨著反應物被帶走，從而形成一個蝕刻坑。外管I、內管
2、和外管外接端4都是由耐腐蝕的穩定的材料製成，它們都不與化學試劑6、反應生成物及化學殘留物7、洩漏氣體8以及混合物9相互反應。另外，為了儘量減少所產生的洩漏氣體8，可以在外管I與被蝕刻物5表面接觸的埠添加例如密封圈等的密封部件。還有，為了有效地防止反應生成物及化學殘留物7從外管I的蝕刻埠與被蝕刻物5表面形成的空隙洩漏到外管I外面，可以依據被蝕刻處及被蝕刻處附近的形貌特點來確定無掩膜局域蝕刻裝置外管I蝕刻埠的幾何形狀，以便在蝕刻時，外管I的蝕刻埠和被蝕刻物5表面之間的縫隙儘可能減小。例如，在要蝕刻厚度較薄的被蝕刻物5的側面或靠近側面的前或/和後表面位置時，外管I蝕刻埠可以採用如圖6所示的凹槽形狀，但又不限於圖6所示的形狀，只要外管I的蝕刻埠的形狀與被腐蝕物5的被蝕刻處的形貌和/或形狀相對應即可，其目的是在蝕刻時，減少外管I的蝕刻埠與被蝕刻物5表面之間的縫隙。在以上過程中，如圖3所示，化學試劑的流向是從內管2進入，從外管外接端4流出，此時，各物質成分流動所需要的動力是由與外管外接端4連通的負壓泵或其它設備等所產生的負壓來提供，或者在同時，在內管2的外接端處連通正壓泵等正壓裝置，以便給內管2內的化學試劑6提供一個正壓，即內管2相對於被蝕刻物5表面的蝕刻處有一個正壓。另外，化學成分的流向也可以從外管外接端4進入，從內管2的外接端流出，此時，各物質成分流動所需要的動力是由與內管2連通的負壓泵或其它設備等所產生的負壓來 提供，或者在同時，在外管外接端4處連通正壓泵等正壓裝置，以便給外管外接端4裡面的化學試劑6提供一個正壓，即外管外接端4內相對於被蝕刻物5表面的蝕刻處有一個正壓；這些提供負壓或/和正壓的裝置，統稱為化學動力系統。即，化學物質流動的動力由外管外接端4產生的負壓，或同時有內管2外接端產生的正壓來提供；化學物質流動的動力也可以由內管2外接端產生的負壓，或同時有外管外接端4產生的正壓提供；這些負壓和正壓都是相對於被蝕刻物5表面的蝕刻處而言的。當被蝕刻物5表面出現蝕刻坑並且隨著蝕刻坑的加深，內管2的下端管口與被蝕刻物5之間的空隙加大，為了使化學試劑6更好地與需要被繼續蝕刻的表面接觸，通過連接部件3的作用，使內管2下降來減少內管2的下端管口與被蝕刻物5表面之間的空隙。在蝕刻過程中，內管2與外管I相對移動的距離可以作為得到的蝕刻坑深度的一個標量。因而，通過內管2與外管I相對移動的距離，可以控制蝕刻坑的深度。通過調節內管2的下端管口與被蝕刻物5之間的空隙，還可以控制化學試劑6的流動速度，以便達到控制被蝕刻物5表面的蝕刻速度。另外，當外管I的下端管口位於蝕刻被蝕刻物5表面之上不同位置時，在蝕刻坑表面的各種化學成分所形成的流體場是不一樣的，從而被繼續蝕刻的蝕刻坑表面的化學反應類型和/或反應速度也不一樣，所以，通過調節內管2的下端管口與被蝕刻物5之間的空隙，可以控制蝕刻坑表面的形貌。總之，通過連接部件3控制內管2與外管I的相對移動，可以控制在被蝕刻物5表面上的蝕刻深度、蝕刻速度以及蝕刻坑表面的形貌即蝕刻形貌。直到理想深度的蝕刻坑形成，便停止化學試劑6在被蝕刻物5表面的供應，停止蝕刻過程。在無掩膜局域蝕刻過程中，當在蝕刻坑的深度方向有不同組分的材料時，化學試劑6可以更換成不同的化學成分或/和化學配比或/和溫度；還可以改變化學試劑6的狀態，可以是液態、氣態或霧狀；還可以更換不同材料製成的無掩膜蝕刻裝置，以達到最佳的蝕刻效果。化學試劑6可以是H20、H3P04、HN03、HF、Na0H、Κ0Η、有機溶劑等等的一種或幾種混合物，這些試劑都不與流經它們的掩膜局域蝕刻裝置通道材料反應。化學試劑為水時，可以將本實施例的無掩膜蝕刻裝置用作清洗裝置。當蝕刻坑達到較深時，其橫向面積變得也越來越大，靠近被蝕刻物5表面的部分甚至超出外管I下端外徑範圍，為了繼續進行蝕刻工藝，可以將被蝕被蝕刻物5表面水平並朝上放置，或/和使外管I的下端管口下降，以便更加接近被蝕刻出的凹坑表面，或/和採用具有不同尺寸或外形的無掩膜局域蝕刻裝置，或/和採用管徑具有蠕動功能來變化大小的無掩膜局域蝕刻裝置，這些措施都可以控制化學成分不會從外管I下端管口洩漏出去，同時也可以從一定程度上控制在被蝕刻物5表面上的蝕刻深度、蝕刻速度以及蝕刻坑表面的形貌。當需要蝕刻的凹坑數量較多時，可以將若干個無掩膜局域蝕刻裝置排成一個陣列而構成一個系統，以同時實現在被蝕刻材料表面蝕刻出多個凹坑。總的來說，本實用新型還提供以下的無掩膜局域蝕刻方法。一種無掩膜局域蝕刻方法，其特徵在於，包括以下步驟利用供液管向被蝕刻物的表面提供化學試劑；利用排液管將上述化學試劑與上述被蝕刻物反應後的物質從上述表面去除；以及通過使上述供液管和上述排液管相對移動，調節蝕刻速度、蝕刻深度和/或蝕刻形貌。在該方法中，優選，上述調節蝕刻速度、蝕刻深度和/或蝕刻形貌的步驟包括通過使上述內管相對於上述外管在縱向移動，調節蝕刻速度、蝕刻深度和/或蝕刻形貌。另外，優選，該方法還包括以下步驟在上述被蝕刻物在蝕刻坑的深度方向具有不同組分的材料的情況下，變更上述化學試劑的成分、比例和/或溫度。具體地說，本實用新型的無掩膜局域蝕刻方法，其大致工藝過程包括如下步驟I.確定要蝕刻的區域；2.將蝕刻裝置的蝕刻埠對準需要蝕刻的區域；3.啟動化學動力等系統進行蝕刻；4.蝕刻深度達到要求時停止蝕刻。通過以上描述可知，採用本實用新型的無掩膜局域蝕刻裝置、方法和系統，能夠在不需要掩膜的情況下，對材料表面進行蝕刻；而且由於採用的無掩膜局域蝕刻裝置的內管與外管可以有相對縱向移動，可以控制在被蝕刻物5表面上的蝕刻深度、蝕刻速度以及蝕刻坑表面的形貌；該方法具有較快的蝕刻速度，工藝成本也較低。另外，本實用新型的無掩膜局域蝕刻裝置可以多次重複使用，不對環境產生汙染，本實用新型的無掩膜局域蝕刻方法是一種環保的無掩膜局域蝕刻方法。應用實例實例I :太陽電池正面或反面漏電去除漏電是太陽電池中非常嚴重的電學缺陷，它能使太陽電池產生的電流分流，填充因子減小，進而降低電池轉換效率；漏電還能產生熱斑，燒壞太陽電池組件。圖4是無掩膜局域蝕刻方法去除太陽電池漏電示意圖，為簡單起見，圖4中所示的太陽電池包括減反膜10、發射區11、基區12和背電極13，前電極沒有畫出。採用本實用新型的無掩膜局域蝕刻裝置去除漏電方法不局限於圖4中所示的這種結構的電池，該無掩膜局域蝕刻裝置可用於所有具有P-η結或p-i-n結的太陽電池或太陽電池半成品，去除的漏電包括所有由於導電材料短路漏電、或/和p-n結漏電或/和p-i-n結漏電。採用本實用新型的無掩膜局域蝕刻裝置去除太陽電池正面或反面漏電包括以下流程I.確定漏電的區域採用電致發光、光致發光、紅外熱像等技術確定漏電的位置；[0096]2.將無掩膜局域蝕刻裝置的蝕刻埠對準需要蝕刻的區域；3.啟動化學動力等系統進行蝕刻；4.當蝕刻深度達到將漏電去除的位置時停止蝕刻。實例2 :組件蝕刻圖5是採用本實用新型的無掩膜局域蝕刻裝置和方法蝕刻組件的示意圖，組件結構包括前表面玻璃14、EVA15、太陽電池16、EVA17和背板18。本實用新型的無掩膜局域蝕刻裝置和方法適用的組件包括所有的封裝有太陽電池的組件，其中的太陽電池包括所有具有p-n結或p-i-n結的太陽電池。本實用新型的無掩膜局域蝕刻裝置和方法可以蝕刻太陽電池組件中的任何材料和太陽電池，組件中被蝕刻的材料的位置包括熱斑、夾雜、電聯接脫落等所在的位置。 採用本實用新型的無掩膜局域蝕刻裝置蝕刻組件包括以下流程I.確定組件中要蝕刻的位置；2.將無掩膜局域蝕刻裝置的蝕刻埠對準需要蝕刻的區域；3.啟動化學動力等系統進行蝕刻；4.當蝕刻深度達到將需要去除目標完全去除時停止蝕刻。實例3 :太陽電池貫孔工藝在太陽電池工藝過程中，往往要用到貫孔工藝，即將起始矽片或矽片經過一個或一個以上太陽電池工藝後的太陽電池半成品在垂直矽片平面的方向開孔，直至完全通透。例如在發射極包覆(Emitter Wrap Through-EffT)太陽電池和金屬包覆(Metal WrapThrough-MWT)太陽電池中工藝過程中，就需要用雷射製備從前表面到後表面的若干個孔。本實用新型的無掩膜局域蝕刻裝置和方法可用於包括EWT、MWT太陽電池在內的各種太陽電池的各個製程環節以前或以後的貫孔工藝，所貫通的孔從矽片、太陽電池半成品或成品的厚度方向完全通透。採用本實用新型的無掩膜局域蝕刻裝置實現太陽電池貫孔的工藝步驟如下I.在起始矽片或太陽電池半成品確定需要貫孔的位置；2.將無掩膜局域蝕刻裝置的蝕刻埠對準需要貫孔的區域；3.啟動化學動力等系統進行蝕刻；4.當孔貫通後且達到需要的形貌後停止蝕刻。實例4:太陽電池開孔現有佔市場分額80%以上的絲網印刷晶體矽太陽電池，其效率還有很大提升的地方就是製成背點接觸結構，即在基區的背面區域的大部分要有很好的鈍化膜覆蓋，而在其它區域，即呈分散分布的若干個局部地方，基區材料才與金屬電極形成歐姆接觸。這些形成局部歐姆接觸的地方就要用到開孔工藝，以使將基區的背面需要與金屬形成歐姆接觸的地方裸露，不被鈍化膜覆蓋，然後在該地方直接製備一層電極金屬膜，之後通過燒結以便形成歐姆接觸，這種太陽電池即稱為背點接觸太陽電池。本實用新型的無掩膜局域蝕刻裝置和方法可用於包括背點接觸太陽電池在內的各種太陽電池各個製程環節以前或以後的開孔工藝，開孔的位置可以是太陽電池表面所有需要形成凹坑或凹槽的區域。採用本實用新型的無掩膜局域蝕刻裝置開孔工藝所需要的步驟如下[0117]I.在太陽電池半成品確定需要開孔的位置；2.將無掩膜局域蝕刻裝置的蝕刻埠對準需要開孔的區域；3.啟動化學動力等系統進行蝕刻；4.當開孔達到需要的形貌後停止蝕刻。實例5:材料表面取樣有時候，材料表面局部區域表面或表面以下一定區域需要取樣進行一定的分析測試，使用本實用新型的無掩膜局域蝕刻方法可以實現樣品的製備。無掩膜局域蝕刻方法可用於材料表面的局域取樣，既可以用於表層材料的取樣，也可以分步驟實現材料局部區域表面以下各層材料的取樣。採用本實用新型的無掩膜局域蝕刻裝置進行材料表面取樣過程如下I.確定取樣的表面區域；2.將無掩膜局域蝕刻裝置的蝕刻埠對準需要取樣的區域；3.啟動化學動力等系統進行蝕刻，並收集經過化學反應後的成分，如果是多層材料，可以將每層材料分別收集；4.當取樣量達到要求後停止蝕刻。實例6 :太陽電池邊緣漏電去除太陽電池邊緣漏電的位置是在電池的側面或離側面距離很近(一般小於2mm)的正面或/和反面，如圖6所示，為了有效地防止反應生成物及化學殘留物7從外管I的蝕刻埠與被蝕刻物5表面形成的空隙洩漏到外管I外面，外管I蝕刻埠可以採用如圖6所示的形狀，但又不限於圖6所示的形狀，其目的是在蝕刻時，減少的外管I蝕刻埠與被蝕刻物5表面之間的縫隙。採用本實用新型的無掩膜局域蝕刻裝置去除太陽電池邊緣漏電包括以下步驟(如圖6-8)I.確定邊緣漏電的區域；2.選擇外管蝕刻埠帶有槽形開口的無掩膜蝕刻裝置；2.將太陽電池片嵌入槽形開口，使內管2蝕刻埠正對要蝕刻的區域(如圖8)；3.啟動化學動力等系統進行蝕刻；4.當蝕刻深度達到將漏電去除的深度時停止蝕刻。以上雖然通過一些示例性的實施例對本實用新型的無掩膜局域蝕刻裝置、無掩膜局域蝕刻方法及無掩膜局域蝕刻系統進行了詳細的描述，但是以上這些實施例並不是窮舉的，本領域技術人員可以在本實用新型的精神和範圍內實現各種變化和修改。因此，本實用新型並不限於這些實施例，本實用新型的範圍僅以所附權利要求書為準。
權利要求1.一種無掩膜局域蝕刻裝置，其特徵在於，包括 供液管，其向被蝕刻物的表面提供化學試劑；以及 排液管，其將上述化學試劑與上述被蝕刻物反應後的物質從上述表面去除； 其中，上述排液管和上述供液管中的一個為內管，另一個為外管，上述外管的蝕刻埠的形狀與上述被蝕刻物的被蝕刻處的形貌和/或形狀相對應。
2.根據權利要求I所述的無掩膜局域蝕刻裝置，其特徵在於，還包括 連接部件，其以上述供液管和上述排液管可相對移動的方式，將上述供液管和上述排液管連接。
3.根據權利要求I或2所述的無掩膜局域蝕刻裝置，其特徵在於， 上述被蝕刻物包括太陽電池或太陽電池組件，上述表面包括上述太陽電池或太陽電池組件的正面、背面和/或側面。
4.根據權利要求I或2所述的無掩膜局域蝕刻裝置，其特徵在於，還包括 在上述外管和上述要被蝕刻的表面之間的密封部件。
5.根據權利要求I或2所述的無掩膜局域蝕刻裝置，其特徵在於， 上述外管的蝕刻埠的形狀為凹槽形狀。
6.根據權利要求2所述的無掩膜局域蝕刻裝置，其特徵在於， 上述連接部件以將上述供液管和上述排液管的連接處密封的方式，將將上述供液管和上述排液管連接。
7.根據權利要求2所述的無掩膜局域蝕刻裝置，其特徵在於， 上述連接部件包括波紋管、彈簧部件、螺紋部件或其組合。
8.根據權利要求I或2所述的無掩膜局域蝕刻裝置，其特徵在於， 上述排液管的內部為負壓。
9.一種無掩膜局域蝕刻系統，其特徵在於，包括 多個根據權利要求1-8的任一項所述的無掩膜局域蝕刻裝置。
10.根據權利要求9所述的無掩膜局域蝕刻系統，其特徵在於， 上述多個無掩膜局域蝕刻裝置排成陣列。
專利摘要本實用新型提供無掩膜局域蝕刻裝置和無掩膜局域蝕刻系統，其包括供液管，其向被蝕刻物的表面提供化學試劑；以及排液管，其將上述化學試劑與上述被蝕刻物反應後的物質從上述表面去除；其中，上述排液管和上述供液管中的一個為內管，另一個為外管，上述外管的蝕刻埠的形狀與上述被蝕刻物的被蝕刻處的形貌和/或形狀相對應。
文檔編號H01L31/18GK202633359SQ20122003225
公開日2012年12月26日 申請日期2012年1月31日 優先權日2012年1月31日
發明者張陸成 申請人:張陸成