雷射誘導熱成像法和採用其的有機發光二極體的製造方法
2023-07-12 00:00:21
專利名稱：雷射誘導熱成像法和採用其的有機發光二極體的製造方法
技術領域：
本發明的方面涉及雷射誘導熱成像的方法和採用雷射誘導熱成像方法的有機發光二極體的製造方法，更具體地，採用雷射誘導熱成像方法，當將有機膜層壓到受體基板上時，能夠利用磁力層壓供體(donor)膜和受體(acceptor)基板的雷射誘導熱成像方法，和採用該成像方法的有機發光二極體的製造方法。
背景技術：
本發明的方面涉及雷射誘導熱成像裝置和雷射誘導熱成像方法，以及採用該方法的有機發光二極體的製造方法，更具體地，當採用雷射誘導熱成像方法層壓有機膜到受體基板上時，通過在該受體基板中包括第一磁體和在該供體膜中包括第二磁體來產生磁力，可以改進受體基板和供體基板成像層之間的粘附特性的雷射誘導熱成像裝置和雷射誘導熱成像方法；以及採用該裝置和該方法的有機發光二極體的製造方法。
在形成有機發光二極體的有機膜層的方法中，其中有機膜層採用陰影掩模(shadow mask)通過真空沉積形成有機發光材料的沉積方法的缺點在於，由於陰影掩模變形難於形成超精細圖案等，並且難於應用於大面積顯示器。
為了解決沉積方法中的問題，提出了直接構圖有機膜層的噴墨方法。該噴墨工藝是通過從噴墨印表機頭排放一排放液來形成有機膜層的方法，該排放液通過溶解或分散溶劑中的發光材料獲得。該噴墨工藝在處理上相對簡單，但其缺點是產量減少，薄膜厚度不一致，並且難於應用於大面積顯示器。
同時，提出了採用雷射誘導熱成像技術形成有機膜的方法。該雷射誘導熱成像方法是一種方法，其中，成像層緊密粘附到受體基板上，然後通過掃描雷射而被轉移到供體膜上，該供體膜包括基板、光熱轉換層和成像層，其將通過該基板的雷射在該光熱轉換層中轉換成熱，以延伸該光熱轉換層，並且延伸鄰近的成像層。該雷射誘導熱成像方法是具有固有優點的工藝，如高解析度圖案形成、薄膜厚度一致性、層壓多層的能力和擴展到大尺寸玻璃母板的能力。
當實施傳統的雷射誘導熱成像方法時，該方法優選地在真空狀態下實施，以便在形成發光裝置時，其中轉移發光層的室內能與其它沉積工藝一致，因此該方法通常在真空狀態下實施，但根據傳統方法在真空狀態下實施雷射熱轉移時，則其缺點在於由於在該供體膜和該受體基板之間通常施加的耦合力減小，因此該成像層的轉移性能差。因此，在雷射誘導熱成像方法中，層壓供體膜和受體基板的方法非常重要，因此，已經有嘗試解決這樣的問題。
下文中，將參照附圖詳細描述根據傳統技術的雷射誘導熱成像方法和熱轉移成像裝置。
圖1展示了根據傳統技術的熱轉移成像裝置的局部截面圖。
參照圖1，該熱轉移成像裝置100包括設置在室110內的基板臺120和設置在該室110上部的雷射發射設備130。
在該基板臺120上，受體基板140引入室110中，並且供體膜150順序設置在用於在該基板臺120中分別設置受體基板140和供體膜150的第一錨定凹槽121和第二錨定凹槽123中。第一錨定凹槽121沿著受體基板140的周邊方向形成，並且第二錨定凹槽123沿著供體膜150的周邊方向形成。一般來說，受體基板140具有比供體膜150更小的面積，因此，第一錨定凹槽121的形成尺寸比第二錨定凹槽123的尺寸小。
同時，為了進行層壓，而在該受體基板140和該供體膜150之間沒有外來物質或空隙，其中產生雷射熱轉移的室110內處於環境壓力，並且管161、163分別連接到第一錨定凹槽121和第二錨定凹槽123的下部，並且吸入真空泵P，以將受體基板140和供體膜150彼此結合。
然而，雖然其它製造有機發光二極體的方法都保持在真空狀態下，但是，通過真空泵粘附該受體基板和該供體膜的方法不在真空狀態下在該室內使用，因此，該方法具有產品的壽命和可靠性受到不利影響的缺點。
發明內容
本發明的方面被設計以解決傳統技術這樣的缺陷和/或其它問題，因此本發明的方面是提供能夠採用磁力層壓供體膜和受體基板的雷射誘導熱成像方法，和採用該方法的有機發光二極體的製造方法，其中，雷射熱轉移在真空狀態下進行，以使在該供體膜和該受體基板之間外來物質不會停留並且不會產生空隙。
本發明前述和/或其它方面通過提供雷射誘導熱成像方法得以實現，所述方法包括在處理室的基板臺上設置受體基板，其中，第一磁體形成在該受體基板的一個表面中；在該受體基板上設置包括第二磁體的供體膜；採用該第一和第二磁體之間作用的磁力，層壓該供體膜和該受體基板；和通過在該供體膜上掃描雷射來將成像層的至少一個區域轉移到該受體基板上。
儘管不是在所有方面所需，優選地，該供體膜包括基底基板；形成在該基底基板上的光熱轉換層；形成在該光熱轉換層上的成像層；形成在光熱轉換層的至少一個表面上的磁體。同樣，該雷射誘導熱成像方法還包括該光熱轉換層和該成像層之間的層間絕緣層。該磁體為電磁體或永磁體，並且至少形成為一個杆或圓柱形。該電磁體或永磁體同心設置，但是設置為平行於多個縱向和多個橫向。儘管不是在所有方面所需，該永磁體由永磁體納米顆粒製造，並且該永磁體納米顆粒採用旋轉塗布、電子束沉積或噴墨方法形成，並且在該電磁體中包括有用於施與電壓的電纜。該處理室也是真空室。
本發明前述和/或其它方面通過提供有機發光二極體的製造方法予以實現，該有機發光二極體採用根據本發明的方面的雷射誘導熱成像方法形成在第一電極和第二電極之間，該方法包括受體基板傳輸操作，在基板臺上設置具有像素區和包括第一磁體的受體基板；供體膜傳輸操作，在該受體基板上傳輸包括第二磁體和具有發光層的供體膜；層壓操作，採用在該受體基板中形成的該第一磁體和包括在該供體膜中的第二磁體之間的磁力彼此連接該受體基板和該供體膜；和轉移操作，其通過掃描雷射到該供體膜上而將該發光層轉移到該受體基板的像素區。
本發明另外的方面和/或優點將部分地在下面的說明書中陳述，部分將從說明書中顯見，或可以通過本發明的實踐習之。
結合附圖，通過實施例的以下描述，本發明的這些和/或其它方面和優點將會更加明顯易懂，在附圖中圖1是展示根據傳統技術的熱轉移成像裝置的局部截面圖；圖2A至2H是根據工藝操作的截面圖，其用於描述根據本發明方面的雷射誘導熱成像方法；
圖3是展示根據本發明的用於雷射轉移的供體膜的第一實施例的截面圖；圖4是展示根據本發明的用於雷射轉移的供體膜的第二實施例的截面圖；圖5是展示根據本發明方面的受體基板的第一實施例的截面圖；圖6是展示根據本發明方面的受體基板的第二實施例的截面圖；以及圖7A至7E是展示根據本發明另一方面的描述有機發光二極體的製造方法的截面圖。
具體實施例方式
下面將詳細參考本發明的實施例，其示例圖解在附圖中，其中，全文中同樣的參考標號代表同樣的元件。該實施例在下面描述以參考附圖解釋本發明。
參照圖2A至2H，將在這裡描述根據本發明的方面的雷射誘導熱成像方法的一個實施例。根據本發明的方面，實施該雷射誘導熱成像方法的熱轉移成像裝置包括處理室200a、傳輸室200b、基板臺220和雷射振蕩器210。
如用在傳統的熱轉移成像裝置中的處理室可以用作處理室200a，並且處理室200a之外提供有包括機械手260和末端執行器(end-effector)261等的傳輸室200b，其用於將供體膜280或受體基板270傳輸至處理室200a中，其中，供體膜280包括第一磁體(未示出)，受體基板270包括第二磁體271。閘閥250設置在處理室200a和傳輸室200b之間。閘閥250起絕緣傳輸室200b和處理室200a的作用。
同時，基板臺220還包括用於移動的驅動單元(未示出)。例如，基板臺220還可以包括驅動單元，以便當雷射在垂直方向掃描時，在水平方向平移基板臺220。
同樣，基板臺220可以包括安裝單元以容放和安裝受體基板270該供體膜280。安裝單元能夠將受體基板270安裝在基板臺220上的某個位置，其中，受體基板270通過該傳輸單元，如傳輸室200b中的機械手260和末端執行器261，傳輸到處理室200a中。
根據這個實施例的方面，該安裝單元可以包括通孔(未示出)，導向杆231、241、移動板230、240、支座(未示出)和錨定凹槽221、222。同時，導向杆231、241沿著移動板230、240和該支座上下移動，即，導向杆231、241向上移動通過該通孔時容放受體基板270，然後向下移動時在錨定凹槽221、222中錨定受體基板270。這時，錨定凹槽221、222優選地形成為與壁面傾斜以在精確的位置錨定受體基板270和供體膜280.
儘管本發明的實施例的描述中涉及垂直設置取向的一些元件的位置，但是應該理解的是，本發明不限於此，即，這些元件可以水平取向。例如，導向杆231、241可以設置在處理室200a的一側並且沿著移動板230、240和該支座左右移動，即，導向杆231、241向左移動通過該通孔時容放受體基板270，然後向右移動時在錨定凹槽221、222中錨定受體基板270。類似地，儘管本發明的實施例的描述中涉及水平設置取向的一些元件的位置，但是應該理解的是，本發明不限於此，即，這些元件可以垂直取向。
該通孔為形成在基板臺220中的孔，以便用於支撐供體膜280和受體基板270的導向杆231、241可以上下移動。該支座用於在支撐導向杆231、241和移動板230、240的同時上下移動，並且與獨立的電機(未示出)連接。
雷射振蕩器210可以安裝在處理室200a內或外，並且優選地安裝成雷射可以向該基板臺掃描。
在應用於製造有機發光二極體的本發明的實施例中，該雷射誘導熱成像方法包括受體基板270的傳輸操作、供體膜280的傳輸操作、層壓步驟和轉移操作。
受體基板270的傳輸操是將受體基板270設置在熱轉移成像裝置的處理室200a中的操作，其中，包括第一磁體271的受體基板270設置在末端執行器261上，末端執行器261為傳輸室200b的傳輸單元(圖2A)。末端執行器261通過機械手260引入處理室200a中，以將受體基板270設置在基板臺220的上部(圖2B)。傳輸至處理室200a中的受體基板270由向上移動通過第一通孔的第一導向杆231支撐。然後，末端執行器261滑出處理室200a並且回到傳輸室200b中(圖2C)。支撐受體基板270的第一導向杆231向下移動時精確將受體基板270設置在基板臺220的第一錨定凹槽22上(圖2D)。
供體膜280的傳輸操作類似於受體基板270的傳輸操作，其中，供體膜280通過傳輸單元，如末端執行器261等，傳輸至處理室200a中，並且連接到設置在傳輸室200b中的機械手260上(圖2E)。同時，供體膜280優選地通過膜託盤290傳輸。傳輸至處理室200a中的供體膜280由向上移動通過第二通孔的第二導向杆241支撐。當供體膜280由第二導向杆240支撐時，機械手260將末端執行器261滑出該處理室200a之外並且將末端執行器261返回至傳輸室200b中(圖2F)。支撐供體膜280的第二導向杆241向下移動時精確將供體膜280設置在基板臺220的第二錨定凹槽22上(圖2G)。
該層壓操作是採用磁力使受體基板270和供體膜280彼此連接的操作，通過給包括在形成於受體基板270中的第一磁體271中的電纜施與電源和在供體膜280中設置第二磁體(未示出)，從而在受體基板270和供體膜280之間產生該磁力。同時，處理室200a內保持為真空狀態，因此，在供體膜280和受體基板270之間產生的外來物質或空隙減少，從而可以改進轉移效率。
該轉移操作是採用雷射輻射裝置210通過在層壓到受體基板270上的供體膜280上掃描雷射，來將形成在供體膜280中的發光層轉移至受體基板270的像素柵(pixel barrier)的一個區域和該像素柵的開口中的操作。當掃描雷射時，供體膜280的光熱轉換層膨脹，因此鄰近的發光層也在受體基板270的方向上膨脹，並且最後通過接觸該發光層至受體基板270上而進行轉移(圖2H)。
在下文中，將描述根據本發明實施例的包括磁體的雷射熱轉移供體膜。該供體膜是提供有將被轉移至受體基板的成像層的膜，並且包括順序層壓的基底基板、光熱轉換層和成像層。而且，在該光熱轉換層和該成像層之間可以還提供有緩衝層和層間層，以便改進該雷射誘導熱成像轉移方法的性能。
根據本發明的該實施例的雷射熱轉移供體膜包括磁體。在這種情況下，在該供體膜的多層之間至少形成有一個磁體。
圖3是展示根據本發明的用於雷射轉移的供體膜的第一實施例的截面圖。參照圖3，該供體膜由基底基板310、光熱轉換層320、磁體330、層間層340和成像層350組成。
該基底基板310是起支撐該供體膜作用的基板，其中該基板優選地由透明聚合物製成，並且具有10至500μm的厚度。儘管不是在所有方面所需，聚酯、聚丙稀酸、聚環氧、聚乙烯、聚苯乙烯等可以被用作該透明聚合物，但是該基底基板310不限於此。
光熱轉換層320為由吸收雷射以轉換成熱的光吸收材料組成的層，其中，光熱轉換層320的厚度會根據採用的該光吸收材料和製造方法而變化，採用真空沉積方法、雷射束沉積方法或濺射，由金屬或金屬氧化物組成的層優選地形成為100至5000，且採用壓塗法(extrusion coating)、凹版塗布方法、旋轉塗布方法或刀片塗布方法，由有機膜形成的層優選地形成為0.1至2μm。
如果形成光熱轉換層320的厚度小於上述範圍，那麼由於能量吸收率低，一般來說能量水平會太低，因此只有少量的能量轉換成熱並且膨脹壓力減小，而如果光熱轉換層320的厚度超過上述範圍，那麼由於在該供體膜和該受體基板之間產生的高度差，通常可能產生不良的邊緣開口。
由金屬或金屬氧化物等組成的光吸收材料具有0.1至0.4的光學密度，並且包括金屬或氧化物，如鋁、銀、鉻、鎢、錫、鎳、鈦、鈷、鋅、金、銅、鉬、鉛及其氧化物。
而且，由有機膜組成的光合成材料包括聚合物，其中添加有碳黑、石墨或紅外染料。而且，形成聚合接合樹脂的材料例如包括(甲基)丙烯酸酯寡聚物，如丙稀酸(甲基)丙烯酸酯寡聚物、酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物、環氧(甲基)丙烯酸酯寡聚物、氨酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物等，或所述寡聚物和(甲基)丙烯酸酯單體的混合物，但不限於此。
儘管不是在所有方面所需，插入該供體膜中的磁體330為插入層以與插入稍後描述的受體基板中的另一個磁體產生磁力。
儘管在附圖中未示出，但是該緩衝層為在磁體330和成像層350之間引入的層，以便改善成像層350的轉移性能。並且增加了轉移後的裝置的壽命。儘管不是在所有方面所需，金屬氧化物、金屬硫化物、非金屬無機化合物、或高或低分子有機材料可以用於該緩衝層。
層間層340起保護光熱轉換層320的作用，並且優選地具有高耐熱度，並且也由有機或無機膜組成。
當成像層350轉移到受體基板上時，其為與該供體膜分開的層。當成像層350被用於製造有機發光二極體時，其可以由高或低分子量有機發光材料組成以形成發光層。同樣，成像層350可以由合適的材料組成以分別形成電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)、空穴傳輸層(HTL)和空穴注入層(HIL)。而且，每個成像層的材料不限於此，並且可以用任何易於獲得的材料並採用比如壓塗法、凹版塗布方法、旋轉塗布方法、刀片塗布方法、真空沉積方法、化學氣相沉積(CVD)方法、物理氣相沉積(PVD)方法等成形。
如上所述，當磁體330插入該供體膜時，該供體膜被磁化，因此當其設置在具有另一個磁體的該受體基板的上部時，就形成了磁吸引。因此，該供體膜和該受體基板通過磁力彼此緊密粘附在一起。
圖4是展示根據本發明的方面的第二個實施例的用於雷射轉移的供體膜的截面圖。參照圖4，與圖3中磁體330形成在光熱轉換層320和層間層340之間不同的是，磁體420形成在基板410和光熱轉換層430之間。根據本發明實施例的供體膜包括層間層440和成像層450。每層具有與圖3中相同的功能，因此在此略去對它們的描述。
圖5是展示根據本發明的方面的第一實施例的受體基板的截面圖。參照圖5，下面簡要描述該受體基板上的結構。緩衝層502形成在基板500的表面上，並且磁體501形成在基板500的與形成有緩衝層502的表面相對的另一表面上。
形成在基板500上的磁體501為電磁體或永磁體，並且至少形成為一個杆或圓柱的形狀。該電磁體或永磁體同心設置，或設置為平行於多個縱向和多個橫向。儘管不是在所有方面所需，該永磁體由永磁體納米顆粒製造，並且該永磁體納米顆粒採用旋轉塗布、電子束沉積或噴墨方法形成，並且在該電磁體中包括用於施與電壓的電纜。
在緩衝層502的一個區域上形成有半導體層，其在有源溝道層503a和歐姆接觸層503b之間包括低摻雜漏區(LDD)層(未示出)。柵極絕緣膜504和柵極505順序在該半導體層上被構圖。源和漏電極507a、507b形成在層間層506的一個區域上，其中，層間層506形成在柵電極505上，這樣形成以便該半導體層的歐姆接觸層503b可以被暴露，並且源和漏電極507a、507b連接到該暴露的歐姆接觸層503b上。
保護層508形成在層間層506上。漏電極507b和第一電極層509通過形成在保護層508中的通孔(未示出)彼此電連接，以便漏電極507b可以通過蝕刻保護層508的一個區域來暴露。第一電極層509形成在保護層508的一個區域上，並且在保護層508上形成有像素柵510，其中形成有開口以便至少部分暴露第一電極層509。
圖6和7A-7E是展示根據本發明的方面的受體基板的其它實施例的截面圖，因此，在此略去對與圖5中相同的結構的描述。
圖6是展示根據本發明的方面的受體基板的第二實施例的截面圖。在圖6中，電磁體或永磁體形成在基板600和緩衝層602之間，並且至少形成為一個杆或圓柱形。該電磁體或永磁體也同心設置，但是設置為平行於多個縱向和多個橫向。儘管不是在所有方面所需，該永磁體由永磁體納米顆粒製造，並且該永磁體納米顆粒採用旋轉塗布、電子束沉積或噴墨方法形成，並且在該電磁體中包括用於施與電壓的電纜。
圖7A-7E是用於描述根據本發明實施例的有機發光二極體製造方法的截面圖。
如圖7A所示，根據本發明的方面，當發光層採用雷射誘導熱成像方法形成時，首先製備包括磁體701的受體基板。如上所述，該受體基板具有形成在基板700表面上的薄膜電晶體和形成在該基板700上的相對於設置有該薄膜電晶體的表面的另一表面的磁體701。磁體701為永磁體時可以由納米顆粒組成，並且該納米顆粒採用旋轉塗布、電子束沉積、或噴墨方法形成。在該薄膜電晶體上形成有具有開口710的像素柵711，其中，第一電極層709的至少一個區域通過該開口暴露。
然後，如上所述和圖7B所示，將供體膜720層壓在該受體基板上。即，通過供體膜720中的磁體722和受體基板中的磁體701之間的磁力作用，增強了緊密粘附特性。由於供體膜720和該基板之間的緊密粘附特性顯著增強，因此在隨後的轉移工藝中顯著改善了轉移效率。根據本發明的一個實施例的供體膜720可以包括基底基板721、磁體722、光熱轉換層723、層間層724和成像層725(如發光層)，但是在此當然可以應用包括磁體的另一個結構。
接下來，如圖7C所示，雷射局部掃描到將轉移成像層如發光層725的一個區域上，該區域設置在供體膜720上，同時受體基板和供體膜720保持層壓。在雷射掃描之處，因為光熱轉換層723在該受體基板的方向上膨脹，所以該成像層725延伸，並且成像層725中雷射掃描的區域與供體膜720分開，並同時轉移到該受體基板上。
如圖7D所示，當成像層725b轉移到該受體基板上時，該受體基板與供體膜720分開。成像層725b至少形成在像素柵711的一個區域上，並且像素柵710的開口形成在分開的受體基板上，且只轉移成像層725b被雷射掃描的區域，剩下的未被雷射掃描的區域725a在供體膜720上仍然完整。
如圖7E所示，一旦成像層725b轉移到該受體基板上，第二電極層732就形成在成像層/發光層725b上，並且形成封裝膜730以保護有機發光二極體。吸收構件731形成在密封膜730內，並且吸收構件731起吸收滲入至有機發光二極體中的溼氣等的作用。因此，該有機發光二極體的發光層725b可以免受溼氣等的損傷。
如上所述，根據本發明的方面的雷射誘導熱成像方法，由於雷射熱轉移在真空狀態下實施，並且由於該供體膜和該受體基板通過在該供體膜中的磁體和形成在該受體基板中的另一個磁體之間產生的磁力來層壓，所以當該供體膜和該受體基板採用雷射誘導熱成像方法層壓時在該供體膜和該受體基板之間不會產生外來物質和空隙，因此具有改善的緊密粘附力，並且可以改善有機發光二極體的壽命、產量和可靠性。
儘管已經展示並描述了本發明的一些實施例，但是本領域的技術人員應該理解的是，可以在這些實施例中進行變化，而不脫離本發明的原理和精神，本發明的範圍限定在權利要求書和它們的等同物中。
本申請要求於2005年11月16日在韓國知識產權局提交的韓國申請No.2005-109824的權益，其全部內容引入於此作為參考。
權利要求
1.一種雷射誘導熱成像方法，包括在處理室的基板臺上設置受體基板，其中，第一磁體形成在該受體基板的至少一個表面中；在該受體基板上設置包括第二磁體的供體膜；利用作用在該第一和第二磁體之間的磁力，層壓該供體膜和該受體基板；和通過在該供體膜上掃描雷射，將成像層的至少一個區域轉移到該受體基板上。
2.根據權利要求1所述的雷射誘導熱成像方法，其中，該供體膜包括基底基板；形成在該基底基板上的光熱轉換層；形成在該光熱轉換層上的成像層；和形成在該光熱轉換層中的至少一個表面上的第二磁體。
3.根據權利要求2所述的雷射誘導熱成像方法，其中，該供體膜還包括在該光熱轉換層和該成像層之間的層間層。
4.根據權利要求1所述的雷射誘導熱成像方法，其中，該第一和第二磁體形成為杆或圓柱的至少一個形狀。
5.根據權利要求1所述的雷射誘導熱成像方法，其中，該第一和第二磁體為電磁體或永磁體。
6.根據權利要求5所述的雷射誘導熱成像方法，其中，該電磁體或永磁體同心設置。
7.根據權利要求5所述的雷射誘導熱成像方法，其中，該電磁體或永磁體設置為平行於多個縱向和多個橫向。
8.根據權利要求5所述的雷射誘導熱成像方法，其中，該永磁體由永磁體納米顆粒製造。
9.根據權利要求8所述的雷射誘導熱成像方法，其中，該永磁體納米顆粒採用旋轉塗布、電子束沉積或噴墨方法形成。
10.根據權利要求5所述的雷射誘導熱成像方法，其中，該電磁體中還包括電纜以在該電磁體中施與電壓。
11.根據權利要求1所述的雷射誘導熱成像方法，其中，該處理室是真空室。
12.一種有機發光二極體的製造方法，該有機發光二極體採用雷射誘導熱成像方法形成在第一電極和第二電極之間，該方法包括在基板臺上設置具有形成在其中的像素區和包括第一磁體的受體基板；將包括第二磁體和具有發光層的供體膜轉移到該受體基板上；利用在該第一和第二磁體之間的磁力使該受體基板和該供體膜彼此連接；並且通過對該供體膜掃描雷射來將該發光層轉移到該受體基板的像素區。
13.根據權利要求12所述的有機發光二極體的製造方法，還包括在該發光層上形成第二電極層；和在該有機發光二極體上形成封裝膜以保護該有機發光二極體。
14.根據權利要求13所述的有機發光二極體的製造方法，其中，形成該封裝薄膜包括在該第二電極層和該密封膜之間具有吸收構件，以吸收滲入該有機發光二極體中的溼氣。
15.一種將供體膜固定到用於雷射熱成像的受體基板上的方法，包括在該受體基板上支撐該供體膜，其中該受體基板具有第一磁體，而該供體膜具有第二磁體；和在該第一和第二磁體之間施加磁力以將該供體膜層壓到該受體基板上。
16.根據權利要求15所述的將供體膜固定到受體基板上的方法，還包括抽空真空室；和在該受體基板上支撐該供體膜，並且在該真空室中在該受體基板和該供體膜之間施加層壓磁力。
17.一種雷射誘導熱成像設備，包括受體基板上的供體膜，其中該受體基板具有第一磁體，並且該供體膜具有第二磁體以在該供體膜和該受體基板之間施加均勻的層壓力；和輻射該供體膜的至少一個區域的雷射。
18.根據權利要求17所述的雷射誘導熱成像設備，還包括真空室。
19.一種生產有機發光二極體的方法，在該有機發光二極體中利用雷射誘導熱成像在第一電極層和第二電極層之間形成發光層，該方法包括在該受體基板上支撐具有發光層的供體膜，其中該受體基板具有第一磁體，而該供體膜具有第二磁體，以在該供體膜和該受體基板之間施加均勻的層壓力；和通過將雷射輻射到該供體膜上來將該發光層轉移到該受體基板的像素區中。
全文摘要
本發明公開了一種雷射誘導熱成像方法以及採用該方法的有機發光二極體的製造方法，其中可以利用磁力有效地層壓供體膜和受體基板。該雷射誘導熱成像方法包括在處理室的基板臺上設置受體基板，其中第一磁體形成在該受體基板的一個表面中；在該受體基板上設置包括第二磁體的供體膜；利用作用在該第一和第二磁體之間磁力來層壓該供體膜和該受體基板；和通過在該供體膜上掃描雷射將成像層的至少一個區域轉移到該受體基板上。該雷射誘導熱成像方法改善了供體膜和受體基板之間的粘附力，從而改善了有機發光二極體的壽命、產量和可靠性。
文檔編號H01L51/00GK1982076SQ200610148550
公開日2007年6月20日 申請日期2006年11月16日 優先權日2005年11月16日
發明者魯碩原, 楊南喆, 李在濠, 宋明原, 郭魯敏 申請人:三星Sdi株式會社