等離子體顯示板及其製造方法
2023-07-10 15:25:16 1
專利名稱：等離子體顯示板及其製造方法
技術領域：
本發明涉及一種具有相對的放電結構的等離子體顯示板(PDP)。更具體地，本發明涉及一種可以容易地形成、具有高透光率和發光效率的PDP及其製造方法。
背景技術：
在常規等離子體顯示板(PDP)中，後基板和前基板被彼此面對地組裝，在後基板和前基板之間的放電空間中填充惰性氣體，在放電空間中發生輝光放電。
更具體地，通過以下方式提供後基板在後基板上形成尋址電極，用介質層覆蓋尋址電極，在介質層上形成阻擋肋並在由阻擋肋限定的區域中形成磷光層。此外，通過以下方式提供面對後基板的前基板在前基板上形成具有維持電極和掃描電極的電極對，該電極對與尋址電極正交，並用包括介質層和保護層的堆疊結構覆蓋電極對。
PDP在放電空間中從輝光放電產生等離子體。由等離子體產生真空紫外(VUV)線，磷光體被VUV線所激勵。隨後利用磷光體產生的紅、綠和藍光顯示圖像。
形成於PDP前基板上的維持電極和掃描電極一般是不透明的。因此，由磷光體發出的可見光被維持電極和掃描電極阻擋，降低了透光率。當PDP具有表面放電結構時，需要高電壓，在維持放電期間的發光效率低。為了克服這些問題，需要一種具有相對的放電結構的PDP，如以下運行說明所示。
輝光放電是通過在兩個電極之間施加高於放電啟動電壓的電壓產生的。一旦產生放電，由於產生於陰極和陽極周邊的介質層上的空間電荷效應，陰極和陽極之間的電壓分布具有變形的形狀。即，在兩個電極自己形成陰極鞘、陽極鞘和正性柱的區域。大部分施加到兩個電極用於放電的電壓在陰極周邊的陰極鞘區域中被消耗。一部分電壓在陽極周邊的陽極鞘區域中被消耗。正性柱區域形成陰極鞘區域和陽極鞘區域之間，消耗可忽略的電壓。
具有相對的放電結構的PDP增大了在輝光放電期間產生於陽極鞘和陰極鞘之間的正性柱，因此與具有表面放電結構的PDP相比改善了放電效率。
在該背景部分中所公開的上述信息僅用於增加對本發明背景的理解，因此可能包含並非形成本領域技術人員所知的現有技術的信息。
發明內容
本發明涉及一種等離子體顯示板(PDP)及其製造方法，其基本克服了因現有技術的局限和缺陷所帶來的一個或多個問題。
本發明的實施例的一個特徵在於提供一種PDP及其製造方法，其允許容易地形成維持電極和掃描電極的相對放電結構。
本發明的實施例的另一特徵在於提供一種具有高發光效率和透光率的PDP及其製造方法。
本發明的至少一個上述和其他特徵和優勢可以通過提供一種PDP來實現，其包括第一基板；形成於所述第一基板上且沿著第一方向延伸的尋址電極；覆蓋尋址電極的第一介質層；所述第一介質層上的第二介質層；交替設置在所述第二介質層上並沿著第二方向延伸的第一電極和第二電極；覆蓋所述第一電極和所述第二電極的第三介質層；放電空間，所述放電空間具有由所述放電空間底部的所述第一介質層所界定的底部以及由所述第二和第三介質層所界定的側壁；以及所述放電空間中的磷光層。
第一感光材料層可以在第一介質層和第二介質層之間。所述第二方向可以與所述第一方向正交，且所述第一感光材料層可以在所述第二介質層與所述尋址電極交叉處。所述第一感光材料層的寬度可以與所述第二介質層的寬度為基本同延的(substantially coextensive)，所述寬度沿所述第一方向測量。
所述第二介質層可以包括設置在相鄰的尋址電極之間且沿著所述第一方向延伸的第一構件以及與所述尋址電極正交且交叉的第二構件。所述第三介質層可以包括對應於所述第一構件的第三構件以及與所述第三構件交叉且對應於所述第二構件的第四構件。
所述第三介質層可以在所述放電空間中具有形成於其上的保護層。所述保護層可以是不透明的。所述第二介質層和所述第三介質層可以由相同的材料形成。所述尋址電極、所述第一電極和所述第二電極可以由導電的不透明材料形成。在所述第一電極和所述第二電極的截面中，所述第一電極和所述第二電極沿水平方向的尺寸可以小於沿垂直方向的尺寸。從所述第一基板到對應於所述尋址電極的所述第一介質層的距離可以大於從所述第一基板到鄰近平行於所述尋址電極的所述第二介質層設置的第一介質層的距離。與所述放電空間的側壁相鄰的凹槽可以在所述第一介質層中。所述凹槽可以平行於所述尋址電極。
本發明的至少一個上述和其他特徵和優勢可以通過提供一種製造PDP的方法來實現，其包括在第一基板上形成尋址電極；在所述尋址電極上形成第一介質層；在所述第一介質層上形成第一感光材料層；在所述第一感光材料層上形成第二介質膜；在所述第二介質層上形成交替的第一和第二電極；在所述第一和第二電極上形成第三介質膜；在第三介質層上形成第二感光材料層；所述第二感光材料被構圖以覆蓋所述第一電極和所述第二電極；使用已構圖的第二感光材料層作為掩模將所述第二介質層和所述第三介質層蝕刻至所述第一感光材料層，從而形成放電空間，以及在所述放電空間內部形成磷光層。
形成所述放電空間可以包括噴砂。形成所述磷光層還可以包括將磷光體塗布到形成所述放電空間的所述第二介質層的內表面以及被所述第二介質層分隔的所述第一介質層的表面。所述方法還可以包括在所述第三介質層的側壁上形成保護層。在形成所述磷光層之前且在形成所述放電空間之後，可以除去所述第一感光材料層和所述第二感光材料層。
通過參考附圖詳細描述本發明的示範性實施例，本發明的上述和其他特徵和優勢對於本領域的普通技術人員將變得更加明顯，附圖中圖1示出了根據本發明示範性實施例的PDP的局部分解透視圖；圖2示出了沿圖1的線II-II截取的垂直截面圖；圖3示出了沿圖1的線III-III截取的垂直截面圖；圖4示出了沿圖1的線IV-IV截取的水平截面圖；圖5示出了根據本發明實施例的PDP的製造工藝的流程圖；圖6到圖11示出了製造根據本發明實施例的PDP的後基板的方法的階段截面圖。
具體實施例方式
現在將在下文中參考附圖更全面地描述本發明，在附圖中示出了本發明的示範性實施例。不過，本發明可以用不同形式實現，不應被理解為受限於這裡所述的實施例。相反，提供這些實施例是為了使本公開徹底和完整，並將本發明的範圍完整地傳達給本領域的技術人員。在附圖中，為了說明清晰誇大了層和區域的尺寸。還要理解的是，當稱一層在另一層或基板「上」時，它可以直接在另一層或基板上，或者也可能存在中間層。此外，還要理解的是，當稱一層在另一層「下」時，它可以直接在其下，或者也可以存在一個或多個中間層。此外，還要理解，當稱一層在兩層「之間」時，它可能是該兩層之間的唯一一層，或者也可能存在一個或多個中間層。通篇中類似的參考數字指示類似的元件。
圖1示出了根據本發明實施例的PDP的局部分解透視圖，圖2示出了沿圖1的線II-II截取的垂直截面圖，圖3示出了沿圖1的線III-III截取的垂直截面圖，而圖4示出了沿圖1的線IV-IV截取的水平截面圖。
參考圖1-4，根據本發明實施例的PDP可以包括彼此相對且其間具有預定空間而設置的第一基板10(以下稱為「後基板」)和第二基板20(以下稱為「前基板」)。此外，多個放電空間17可以形成於後基板10和前基板20之間。磷光層19可以形成於放電空間17中。放電氣體，例如包括氖(Ne)和氙(Xe)的氣體混合物可以填充放電空間17。磷光層19在吸收由放電氣體中的等離子體放電產生的真空紫外(VUV)線之後發出可見光。
尋址電極11、第一電極31(以下，「維持電極」)和第二電極32(以下，「掃描電極」)可以設置於前基板20和後基板10之間以顯示圖像。尋址電極11可以對應於每個放電空間17形成。維持電極31和掃描電極32可以對應於每個放電空間17沿著與尋址電極11交叉的方向彼此面對地設置。當額外地形成與尋址電極11交叉並產生尋址放電的電極時，維持電極31和掃描電極32可以沿著平行於尋址電極11的方向形成。在下文中，為了便於解釋，將作為範例描述與尋址電極11交叉的維持電極31和掃描電極32的結構。
可以將尋址脈衝施加到尋址電極11，可以將掃描脈衝施加到掃描電極32，產生尋址放電。將要被開啟的放電空間17可以由尋址放電選定。在尋址放電之後，可以相對地(reciprocally)將維持脈衝施加到維持電極31和掃描電極32，產生維持放電。維持放電在選定的放電空間17中顯示圖像。此外，在維持放電之後，可以將電壓高於維持脈衝的復位脈衝施加到掃描電極32，使得維持電極31可以被偏置具有基準電壓。每個放電空間17都可以被復位脈衝復位。本發明不局限於以上描述，因為每個電極可以根據施加到其上的電壓操作不同。
尋址電極11可以形成於後基板10的內表面上，且可以沿著一個方向，例如沿著圖1-4所示的y軸方向延伸。此外，尋址電極11可以被第一介質層13覆蓋。第一介質層13還可以覆蓋後基板10的剩餘部分。尋址電極11可以設置為與其他相鄰的尋址電極11平行，沿著如圖1-4所示的x軸方向在其間保持空間，並對應於放電空間17。
第一感光材料層12可以形成於第一介質層13上。如圖4所示，第一感光材料層12可以設置有預定間距，且對應於尋址電極11。第一感光材料層12可以被第二介質層14覆蓋。第一感光材料層12可以保護尋址電極11免受蝕刻。亦即，當通過蝕刻對應於尋址電極11的第二介質層14來形成放電空間17時，第一感光材料層12保護尋址電極11不被蝕刻。因此，第一感光材料層12可以形成於對應於整個尋址電極11的第一介質層13上。此外，暴露於蝕刻的一部分第一感光材料層12可能在蝕刻後被除去。
即使當暴露於蝕刻的該部分被除去時，第一感光材料層12仍保留在尋址電極11和第二介質層14交叉的地方，因為第一感光材料層12是被第二介質層14覆蓋的，如圖2所示。如圖2所示，在平行於尋址電極11(即，y軸方向)且垂直於後基板10和前基板20(即，z軸方向)的平面中的截面中，可以將第一感光材料層12的寬度形成為類似於分隔放電空間17的第二介質層14的寬度。
第二介質層14可以形成於第一感光材料層12和第一感光材料層12未形成的第一介質層13上。第二介質層14可以分隔放電空間17。第二介質層14可以如圖1-4所示以網格形式分隔放電空間17，或者以條形式分隔放電空間(未示出)。當放電空間17形成為條時，第二介質層14可以僅形成於平行於第一感光材料層12的方向(未示出)。
當放電空間17如圖1-4所示形成網格形式時，第二介質層14可以包括第一構件14a和第二構件14b。第一構件14a可以設置於相鄰的尋址電極11之間且可以平行於它延伸。第二構件14b可以與第一構件14a交叉地形成，並對應於維持電極31和掃描電極32。當放電空間17形成為網格時，第二介質層14可以沿平行於第一感光材料層12的y軸方向形成，且沿與第一感光材料層12交叉的x軸方向形成。此外，第二介質層14可以通過在對應於維持電極31和掃描電極32的部分局部地覆蓋第一感光材料層12來形成。
參考圖3，從後基板10到對應於尋址電極11的第一介質層13的距離(h1)可以大於從後基板10到形成於放電空間17兩個邊緣處的第一介質層13的距離(h2)。換言之，在對應於尋址電極11的部分，從後基板10到放電空間17的底表面的距離可以大於從後基板10到放電空間17鄰接第一構件14a的底表面的距離。
更詳細地講，可以通過例如噴砂法蝕刻第二介質層14，以形成放電空間17。因為第一感光材料層12，對應於尋址電極11的一部分的第一介質層13未受到蝕刻的影響。不過，在未形成第一感光材料層12的地方，即，在放電空間17的兩個邊緣，第一介質層13可能會受到噴砂影響。因此，在除去第一感光材料層12之後，可能會在第一介質層13中在放電空間17的兩個邊緣的底表面上形成凹槽13a。凹槽可以平行於並鄰接第一構件14a。當磷光層19提供於放電空間中時，它可以填充凹槽13a。
維持電極31和掃描電極32可以在第二介質層14上彼此相對設置。維持電極31和掃描電極32可以形成於第二構件14b上並在與尋址電極11交叉的方向，即x軸方向上延伸。或者，雖然未示出，當採用了另一個與尋址電極交叉的電極時，維持電極31和掃描電極32可以在第一構件14a上沿著平行於尋址電極11的方向，即y軸方向交替地設置。
如圖2所示，在維持電極31和掃描電極32的截面中，在平行於基板的方向中的尺寸(Lh)可以小於垂直於基板的尺寸(Lv)。利用這種結構，增大了維持電極31和掃描電極32相對的面積。因此，可以利用遠為低的電壓產生相對放電，或者可以利用同樣的電壓產生更強的放電。亦即，可以通過相對的放電結構改善發光效率。此外，由於維持電極31和掃描電極32形成於放電空間17的兩側，因此可以改善前基板20的透光率。
由於維持電極31和掃描電極32形成於放電空間17的兩側且尋址電極11形成於後基板10，因此可見光不被電極所阻擋。因此，電極可以由具有極好電導率的不透明材料形成，例如金屬。
維持電極31和掃描電極32可以被第三介質層15覆蓋。此外，第二感光材料層16可以形成於第三介質層15上。在圖2和圖3中，為了解釋方便，第二感光材料層16被畫成虛線。不過，第二感光材料層16可以在完成最終產品之前被除去。
第二感光材料層16可以保護維持電極31和掃描電極32不被蝕刻。亦即，與第一感光材料層12類似，在通過蝕刻第二介質層14和第三介質層15以在維持電極31和掃描電極32之間形成放電空間17的時候，第二感光材料層16保護維持電極31和掃描電極32不被蝕刻。因此，可以將第二感光材料層16在製造工藝期間使用，並在蝕刻第二介質層14和第三介質層15之後除去。
第二感光材料層16可以形成為對應於維持電極31和掃描電極32的條(未示出)，並可以在用後除去。或者，如圖2和3所示，第二感光材料層16可以形成為對應於放電空間17的網格，且可以在用後除去。
在本實施例中，作為例子，示出了這樣的結構，其具有形成為網格的第三介質層15、形成為網格的第二感光材料層16，且第二感光材料層16被除去。亦即，第三介質層15可以包括對應於第二介質層14的第一構件14a的第三構件15a以及與第三構件15a交叉且對應於第二構件14b的第四構件15b。第二介質層14和第三介質層15可以由同樣的絕緣材料形成。在這種情況下，可以使用同樣的材料簡化製造工藝。
磷光層19可以形成於第二介質層14的第一構件14a和第二構件14b的內表面上以及對應於放電空間17的第一介質層13的內表面上。磷光層19也可以形成於形成放電空間17的第三介質層15的第三構件15a和第四構件15b的內表面上(未示出)。如上所述，磷光層19可以填充凹槽13a。
當磷光層19未形成在第三介質層15的內表面上時，可以在第三介質層15的內側表面上形成保護層36。保護層36可以形成在暴露於放電空間17中所產生的等離子體放電的部分處。保護層36可以保護第三介質層15。保護層36需要有高的二次電子發射係數，但是不需要透射可見光。
這樣，在本實施例中，維持電極31和掃描電極32可以不形成於前基板20上，而是可以形成於基板10和20之間，且保護層36形成於覆蓋維持電極31和掃描電極32的第三介質層15上。因此，保護層36可以由對可見光不透明的材料形成，例如，不透明的MgO。不透明MgO有著比對可見光透明的MgO遠為高的二次電子發射係數，因此允許進一步降低放電啟動電壓。
圖5示出了根據本發明示範性實施例的PDP的製造工藝的流程圖，而圖6到圖11示出了製造根據本發明示範性實施例的PDP的後基板的方法的階段截面圖。
參考圖5-11，將要解釋具有上述構造的PDP的製造方法。首先，在步驟ST10，製造後基板10，然後，在步驟ST20，獨立地製造前基板20。電極、介質層和磷光層可以形成於後基板10上。根據本發明實施例在後基板上形成元件的詳情如圖6-11所示。
在步驟ST30，可以將前基板和後基板組合併固定到一起。在步驟ST40，可以從放電空間17中抽空空氣，且放電氣體，例如Ne和Xe的混合氣體填充放電空間17以製成PDP。
如上所述，製造後基板的步驟ST10可以包括形成尋址電極11，如圖6所示。可以使用常規方法，例如構圖印刷方法或利用感光漿料的曝光顯影方法來製造尋址電極11。
參考圖7，第一介質層13可以用常規印刷方法形成。第一感光材料層12可以形成通過在第一介質層13上提供層壓膜來形成。隨後，可以通過曝光工藝執行構圖工藝，使得對應於尋址電極11的第一感光材料層12保留下來。
參考圖8A和8B，第二絕緣膜14』可以形成於第一感光材料層12和第一介質層13上。第二絕緣膜14』可以通過常規印刷方法形成。隨後，維持電極31和掃描電極32可以形成於第二絕緣膜14』上。因此，第一感光材料層12可以與維持電極31和掃描電極32隔開。可以使用圖案印刷或用於金屬電極的感光材料把維持電極31和掃描電極32形成為預定的電極圖案。
隨後，可以用第三介質膜15』覆蓋維持電極31和掃描電極32，第二感光材料層16可以形成於其上，如圖9A和9B所示。第三介質膜15』可以覆蓋維持電極31和掃描電極32，且可以形成於對應於分隔放電空間17的阻擋肋的部分上。可以構圖第三介質膜15』和第二介質膜14』以形成放電空間17。這樣，放電空間17就可以由介質材料界定，而不是由用於阻擋肋的常規材料界定。第三介質膜15』可以通過塗布介電材料形成於第二介質膜14』上。在形成第二感光材料層16期間，可以在第三介質膜15』上層壓第二感光材料膜。隨後，可以利用曝光工藝執行構圖工藝，使得第二感光材料層16保留在第三介質膜15』對應於維持電極31和掃描電極32的區域，如圖9B所示。
參考圖10，在本發明的一實施例中，通過除去部分的第二介質膜14』和第三介質膜15』，由保留的一部分第二介質膜14』和第三介質膜15』，即第二介質層14和第三介質層15分隔出放電空間17。利用第二感光材料層16作為掩模且用第一感光材料層12作為蝕刻停止物，可以除去第二介質膜14』和第三介質膜15』，以形成放電空間17。第二感光材料層16和第一感光材料層12可以由用於阻擋肋的常規層壓膜形成。
這樣，就可以通過蝕刻，例如，對第二介質膜14』和第三介質膜15』噴砂來形成放電空間17。如此蝕刻之後，可以除去未被第二感光材料層16覆蓋的一部分的第二介質膜14』和第三介質膜15』，即，第二感光材料層16充當著掩模。通過這樣除去，第一感光材料層12可以暴露於第二介質層14和第三介質層15之間，且可以形成放電空間17。第一感光材料層12可以在蝕刻期間保護第一介質層13和尋址電極11不被蝕刻，即，第一感光材料層12充當著蝕刻停止物。
如上所述，維持電極31和掃描電極32可以形成於放電空間17的分隔的位置上，而放電空間17可以通過蝕刻覆蓋維持電極31和掃描電極32的第二介質層14和第三介質層15形成。因此，可以容易地形成維持電極31和掃描電極32的相對的放電結構。
隨後，可以除去被蝕刻暴露的任何的第一感光材料層12和第二感光材料層16，且可以在放電空間17之內形成磷光層19，如圖11所示。可以通過塗布磷光體、曝光並顯影磷光體來形成磷光層19。磷光體可以塗布到分隔放電空間17的第二介質層14的內表面。此外，磷光體可以塗布到第二介質層14的內表面和第三介質層15的內表面。
根據本發明的示範性實施例的PDP的製造方法還可以包括在第三介質層15的內表面上形成保護層36，如圖11所示。亦即，當磷光層19未形成於第三介質層15的內表面上時，保護層36可以形成於其上。
如上所述，根據本發明的示範性實施例，尋址電極可以形成於後基板上，第一感光材料成可以形成於覆蓋尋址電極的第一介質層上。此外，第二介質層可以形成於第一介質層和第一感光材料層上，第一電極和第二電極可以以相對的放電結構形成於第二介質層上，且第二感光材料層可以形成於覆蓋第一電極和第二電極的第三介質層上。因此，其上未形成第二感光材料層的第二介質層和第三介質層的區域被蝕刻至第一感光材料層，由此形成放電空間。此外，由於可以除去暴露於蝕刻的第一感光材料層和第二感光材料層，因此可以容易地形成第一電極和第二電極的相對放電結構。此外，發光效率可以通過相對放電結構而改善，可以通過在放電空間側面形成第一電極和第二電極而改善透光率。
這裡已經公開了本發明的示範性實施例，雖然使用了特定的術語，但是它們是在一般性的和描述性的意義上來使用的並且應如此理解它們，而並非是用於限制的目的。例如，儘管所公開的第一感光層為圖案化層，但是第一感光層可以完全地覆蓋第一介質層。因此，本領域的普通技術人員將理解，在不背離權利要求所述的本發明的精神和範圍的情況下可以做出很多形式和細節上的變化。
權利要求
1.一種等離子體顯示板，包括第一基板；形成於所述第一基板上且沿著第一方向延伸的尋址電極；覆蓋所述尋址電極的第一介質層；所述第一介質層上的第二介質層；交替設置在所述第二介質層上並沿著第二方向延伸的第一電極和第二電極；覆蓋所述第一電極和所述第二電極的第三介質層；放電空間，所述放電空間具有由所述放電空間底部的所述第一介質層所界定的底部以及由所述第二和第三介質層所界定的側壁；以及所述放電空間中的磷光層。
2.如權利要求1所述的等離子體顯示板，還包括所述第一介質層和所述第二介質層之間的第一感光材料層。
3.如權利要求2所述的等離子體顯示板，其中所述第二方向與所述第一方向正交，且所述第一感光材料層在所述第二介質層與所述尋址電極交叉處。
4.如權利要求2所述的等離子體顯示板，其中所述第一感光材料層的寬度與所述第二介質層的寬度基本上同延，所述寬度沿所述第一方向測量。
5.如權利要求1所述的等離子體顯示板，其中所述第二介質層包括設置在相鄰的尋址電極之間且沿著所述第一方向延伸的第一構件以及與所述尋址電極正交且交叉的第二構件。
6.如權利要求5所述的等離子體顯示板，其中所述第三介質層包括對應於所述第一構件的第三構件以及與所述第三構件交叉且對應於所述第二構件的第四構件。
7.如權利要求1所述的等離子體顯示板，其中所述第三介質層在所述放電空間中具有形成於其上的保護層。
8.如權利要求7所述的等離子體顯示板，其中所述保護層是不透明的。
9.如權利要求1所述的等離子體顯示板，其中所述第二介質層和所述第三介質層由相同的介質材料形成。
10.如權利要求1所述的等離子體顯示板，其中所述尋址電極、所述第一電極和所述第二電極由導電的不透明材料形成。
11.如權利要求1所述的等離子體顯示板，其中，在所述第一電極和所述第二電極的截面中，所述第一電極和所述第二電極沿水平方向的尺寸小於沿垂直方向的尺寸。
12.如權利要求1所述的等離子體顯示板，其中從所述第一基板到對應於所述尋址電極的所述第一介質層的距離大於從所述第一基板到鄰近平行於所述尋址電極的所述第二介質層設置的第一介質層的距離。
13.如權利要求1所述的等離子體顯示板，還包括所述第一介質層中的凹槽，所述凹槽與所述放電空間的側壁相鄰。
14.如權利要求13所述的等離子體顯示板，其中所述凹槽平行於所述尋址電極。
15.如權利要求1所述的等離子體顯示板，其中所述第一方向正交於所述第二方向，且所述第二介質層與所述尋址電極交叉。
16.一種製造等離子體顯示板的方法，包括在第一基板上形成尋址電極；在所述尋址電極上形成第一介質層；在所述第一介質層上形成第一感光材料層；在所述第一感光材料層上形成第二介質膜；在所述第二介質膜上形成交替的第一和第二電極；在所述第一和第二電極上形成第三介質膜；在所述第三介質膜上形成第二感光材料層，所述第二感光材料被構圖以覆蓋所述第一電極和所述第二電極；使用已構圖的第二感光材料層作為掩模將所述第二介質膜和所述第三介質膜蝕刻至所述第一感光材料層，從而形成放電空間，所述放電空間具有由第二介質層和第三介質層界定的側壁；以及在所述放電空間內部形成磷光層。
17.如權利要求16所述的方法，其中形成所述放電空間還包括噴砂。
18.如權利要求16所述的方法，其中形成所述磷光層還包括將磷光體塗布到形成所述放電空間的所述第二介質層的內表面以及被所述第二介質層分隔的所述第一介質層的表面。
19.如權利要求16所述的方法，還包括在所述第三介質層的側壁上形成保護層。
20.如權利要求16所述的方法，還包括在形成所述磷光層之前，除去在形成所述放電空間之後所暴露的所述第一感光材料層和所述第二感光材料層。
全文摘要
本發明公開了一種等離子體顯示板及其製造方法，所述等離子體顯示板包括彼此相對設置的第一和第二基板；形成於所述第一基板上且沿著第一方向延伸的尋址電極；覆蓋尋址電極的第一介質層；所述第一介質層上的第二介質層；交替設置在所述第二介質層上並沿著第二方向延伸的第一電極和第二電極；覆蓋所述第一電極和所述第二電極的第三介質層；放電空間，所述放電空間具有由所述放電空間底部的所述第一介質層所界定的底部以及由所述第二和第三介質層所界定的側壁；以及所述放電空間中的磷光層。
文檔編號H01J11/16GK1838363SQ200510128498
公開日2006年9月27日 申請日期2005年12月28日 優先權日2005年3月24日
發明者崔勳永, 水田尊久, 金在祿 申請人:三星Sdi株式會社