大功率雙料片貼面封裝二極體矩陣式組件的製作方法
2023-07-31 21:55:51
專利名稱：大功率雙料片貼面封裝二極體矩陣式組件的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及ー種貼面封裝ニ極管矩陣式組件，尤其涉及ー種大功率雙料片貼面封裝ニ極管矩陣式組件。
背景技術：
目前，大功率貼面封裝ニ極管的需求量和發展是當今熱點並會非常迅速，隨著產品線路板小型化而使產品小型化的發展趨勢，特別是對大功率小型化貼面封裝ニ極管發展更為迅速。但目前的貼面封裝ニ極管在逐漸減小體積的同時，其生產存在以下問題:首先加エ單料片矩陣式組件，然後切割為單料片的貼面封裝ニ極管單元，再採用連接片(jumper)連接兩個貼面封裝ニ極管單元，最後得到雙料片的貼面封裝ニ極管，不但存在加工エ序多、效率低的問題，而且因連接片小且不規則，致使人工操作較難，成本高。
發明內容本實用新型的目的就在於為了解決上述問題而提供ー種加工方便、效率高的大功率雙料片貼面封裝ニ極管矩陣式組件。本實用新型通過以下技術方案來實現上述目的:本實用新型所述大功率雙料片貼面封裝ニ極管矩陣式組件，包括多個矩陣式排列的貼面封裝ニ極管，所有的所述貼面封裝ニ極管之間用封裝環氧樹脂封裝在一起，每ー個所述貼面封裝ニ極管包括肖特基矽晶片、上料片和下料片，所述肖特基矽晶片通過焊料焊裝於所述上料片的下段側表面與所述下料片的下段側表面之間，所述封裝環氧樹脂封裝於所述肖特基矽晶片、上料片和下料片的外面，所述上料片的上端片、所述下料片的下端片和所述下料片 的外表面均置於所述封裝環氧樹脂外。具體地，多個所述上料片在所述矩陣式組件的其中一面排列為10行和10列，在同一行內的每一列包括兩個靠近且相對排列的上料片；對應地，多個所述下料片在所述矩陣式組件的另一面排列為10行和10列，在同一行內的每一列包括兩個靠近且相對排列的下料片，屬於同一個所述貼面封裝ニ極管的上料片和下料片之間部分重疊。作為優選,所述矩陣式組件的長度為226mm,寬度為60mm,厚度為0.25mm ;姆列所述上料片和每列所述下料片之間的間距均為22.6mm，每行所述上料片和每行所述下料片之間的間距均為5.2mm。所述上料片和所述下料片均為銅片。本實用新型的有益效果在於:相比傳統單料片矩陣式組件，本實用新型所述矩陣式組件通過在肖特基晶片的兩面分別焊接上料片和下料片，使其效率更高、成本更低，而且加工方便，解決了傳統單料片矩陣式組件分割後再用連接片焊接存在的效率低、成本高、連接片不易定位等問題。
[0011]圖1是本實用新型所述矩陣式組件的主視結構示意圖；圖2是本實用新型所述矩陣式組件的後視結構示意圖；圖3是本實用新型所述貼面封裝ニ極管的主視結構示意圖；圖4是本實用新型所述貼面封裝ニ極管的右視結構示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型作進ー步說明:如圖1-圖4所示，為了示出其它部件，所以圖中對封裝環氧樹脂作了透明處理。本實用新型所述大功率雙料片貼面封裝ニ極管矩陣式組件1，包括多個矩陣式排列的貼面封裝ニ極管，所有的貼面封裝ニ極管之間用封裝環氧樹脂封裝在一起，每ー個貼面封裝ニ極管包括肖特基娃晶片8、上銅片3和下銅片2,肖特基娃晶片8通過焊料9焊裝於上銅片3的下段側表面與下銅片2的下段側表面之間，封裝環氧樹脂封裝於肖特基矽晶片8、上銅片3和下銅片2的外面，上銅片3的上端片10、下銅片2的下端片11和下銅片2的外表面均置於封裝環氧樹脂外。圖3中還示出了下銅片2上設置的用於增加抗拉和抗壓強度的凹n 4。如圖2所示，多個上銅片3在矩陣式組件I的其中一面排列為10行和10列，在同一行內的每一列包括兩個靠近且相對排列的上銅片3 ;如圖1所示，對應地，多個下銅片2在矩陣式組件I的另一面排列為10行和10列，在同一行內的每一列包括兩個靠近且相對排列的下銅片2，如圖1、圖2和圖4所示，屬於同一個貼面封裝ニ極管的上銅片3和下銅片2之間部分重疊。如圖1和圖2所示，矩陣式組件I的長度為226mm，寬度為60mm，厚度為0.25mm ；每列上銅片3和每列下銅片2之間的間距均為22.6mm，每行上銅片3和每行下銅片2之間的間距均為5.2mm。結合圖1、圖2和圖4所示，生產時，將200個上銅片3分別用焊料9焊接於200個肖特基矽晶片8的其中一面，將200個下銅片2分別用焊料9焊接於200個肖特基矽晶片8的另一面，焊接好後用封裝環氧樹脂進行塑封成型包裡，形成包含200個貼面封裝ニ極管的矩陣式組件1，批量加工效率提高，並保護上銅片3、下銅片2、肖特基矽晶片8不會受到外來機械應カ的影響。分割時，將矩陣式組件I在縱橫方向分別切割，即得到200個獨立的貼面封裝ニ極管， 每ー個貼面封裝ニ極管的結構如上所述，整個加工過程效率高、成本低。
權利要求1.ー種大功率雙料片貼面封裝ニ極管矩陣式組件，其特徵在於:包括多個矩陣式排列的貼面封裝ニ極管，所有的所述貼面封裝ニ極管之間用封裝環氧樹脂封裝在一起，每ー個所述貼面封裝ニ極管包括肖特基矽晶片、上料片和下料片，所述肖特基矽晶片通過焊料焊裝於所述上料片的下段側表面與所述下料片的下段側表面之間，所述封裝環氧樹脂封裝於所述肖特基矽晶片、上料片和下料片的外面，所述上料片的上端片、所述下料片的下端片和所述下料片的外表面均置於所述封裝環氧樹脂外。
2.根據權利要求1所述的大功率雙料片貼面封裝ニ極管矩陣式組件，其特徵在於:多個所述上料片在所述矩陣式組件的其中一面排列為10行和10列，在同一行內的每一列包括兩個靠近且相對排列的上料片；對應地，多個所述下料片在所述矩陣式組件的另一面排列為10行和10列,在同一行內的姆一列包括兩個靠近且相對排列的下料片，屬於同一個所述貼面封裝ニ極管的上料片和下料片之間部分重疊。
3.根據權利要求2所述的大功率雙料片貼面封裝ニ極管矩陣式組件，其特徵在於:所述矩陣式組件的長度為226mm,寬度為60mm,厚度為0.25mm ;姆列所述上料片和姆列所述下料片之間的間距均為22.6mm，每行所述上料片和每行所述下料片之間的間距均為5.2mm。
4.根據權利要求1、2或3所述的大功率雙料片貼面封裝ニ極管矩陣式組件，其特徵在於:所述上料片和所 述下料片均為銅片。
專利摘要本實用新型公開了一種大功率雙料片貼面封裝二極體矩陣式組件，包括多個矩陣式排列的貼面封裝二極體，所有的所述貼面封裝二極體之間用封裝環氧樹脂封裝在一起，每一個所述貼面封裝二極體包括肖特基矽晶片、上料片和下料片，所述肖特基矽晶片通過焊料焊裝於上料片的下段側表面與下料片的下段側表面之間，所述封裝環氧樹脂封裝於所述肖特基矽晶片、上料片和下料片的外面，所述上料片的上端片、下料片的下端片和下料片的外表面均置於所述封裝環氧樹脂外。相比傳統單料片矩陣式組件，本實用新型所述矩陣式組件加工更加方便，其效率更高、成本更低，解決了傳統單料片矩陣式組件分割後再用連接片焊接存在的效率低、成本高、連接片不易定位等問題。
文檔編號H01L23/488GK202957240SQ20122069104
公開日2013年5月29日 申請日期2012年12月14日 優先權日2012年12月14日
發明者安國星, 李述洲 申請人:重慶平偉實業股份有限公司