具有均勻亮度的光電子裝置的製作方法

2023-08-04 00:30:36

專利名稱：具有均勻亮度的光電子裝置的製作方法
具有均勻亮度的光電子裝置說明書本發明涉及ー種光電子裝置，例如有機發光二極體或者電致變色裝置。有機發光二極體(organic light emitting diode或0LED)為發光福射器,藉助所述發光輻射器從電能中產生電磁輻射。OLED具有至少ー個有機有源層，在所述層中形成電磁輻射。有源層設置在陽極和陰極之間。在施加正向電勢時，陽極將空穴注入到有源層中，同時陰極注入電子。注入的空穴和電子分別(在外部施加電場的影響下)遷移至反向充電的電極並且在複合時在有源層中產生電致發光的發射。電致變色裝置典型地具有用於有源層的剛性支承體，所述有源層同樣嵌入在陽極和陰極之間。當在陽極和陰極上施加直流電壓時，在有源層中形成顏色變化。對於ー些應用而言，陽極、陰極和有源層是透明的。因此，電致變色層例如能夠用作機動車的擋風玻璃 或反光鏡中的防眩目裝置。在這種光電裝置中的問題為，由於陽極或者陰極的固有電阻，沿著相應的電極降有橫向電壓。橫向電壓表示遠離電極(陽極或陰極)的接觸端子的電壓變化。由此，例如在OLED中形成非均勻的亮度圖案。在電致變色裝置中，形成非均勻色彩圖案。兩個效果是不期望的並且應該儘可能地抑制。本發明基於下述目的，提供一種光電子裝置，其中將儘可能均勻的電壓施加在有源層上。該目的通過根據權利要求I的光電子裝置來實現。光電子裝置的改進形式和有利的擴展方案在從屬權利要求中說明。示例性實施形式光電子裝置的不同的實施形式具有第一饋電部和第二饋電部。第二饋電部耦合到第一電端子上。在第一饋電部和第二饋電部之間設有用於發射輻射的功能層。第二饋電部具有第一電導率，所述第一電導率在第二饋電部的延伸範圍上沿遠離第一電端子的方向單調變化。饋電部用於將載流子運送並且注入到功能層中。所述饋電部通常具有層序列形式的適當的結構，所述層序列具有接觸部、接觸材料、無機或者有機的載流子運輸層等。饋電部能夠包括例如銀的金屬或者金屬複合物。在此最少一個饋電部構成為透明的饋電部。透明的饋電部能夠具有透明導電氧化物(透明導電氧化物(transparent conductive oxide)或TC0)。TCO通常為金屬氧化物,例如氧化鋅、氧化錫、氧化鎘、氧化鈦、氧化銦或者氧化銦錫(ΙΤ0)。除了包括SnO2和In2O3的ニ元金屬材料化合物之外，三元金屬氧化物化合物，例如 Zn2SnO4、CdSnO3、ZnSnO3、MgIn2O4、GaInO3、Zn2In2O5 或 In4Sn3O12 還或不同的透明導電氧化物的混合物也屬於TCO的組。此外，TCO不必強制地符合化學計量的成分並且還能夠是P摻雜或者η摻雜的，以便實現高的電導率。饋電部能夠包括高導電的有機材料，如聚こ撐ニ氧噻吩(「PED0T」)，或者摻雜的有機層。關於有機導電層，術語「摻雜」能夠理解為有機層的部分氧化或者還原。可能的是，全部所述材料彼此適當組合地存在於第一或者第二饋電部中。在一些實施形式中，功能層包括有機發射機層。因此，光電子裝置形成有機電致發光器件，例如OLED。在一些實施形式中，第二饋電部包括接觸層。在此，在一些實施例中，接觸層能夠具有恆定的薄層電導率(Flachenleitfahigkeit)並且接觸層的厚度在接觸層的延伸範圍上沿遠離第一電端子的方向單調變化。因為接觸層通常具有恆定的比電阻並且因此具有恆定的薄層電阻，所以相應的局部電導率隨著層厚度而變化。在一些實施形式中，第二饋電部包括電荷運輸層。在此，電荷運輸層包括摻雜的有 機半導體材料。在一些實施形式中，摻雜的有機半導體材料的摻雜濃度沿遠離第一電端子的方向單調變化。同時，藉助摻雜調節電荷運輸層的電導率。第二饋電部中的電導率分布取決於在電荷運輸層中的摻雜濃度(摻雜特性)的分布。在一些實施形式中，第一電導率沿遠離第一電端子的方向嚴格單調變化。通常，第一電導率沿遠離第二電端子的方向下降。在一些實施形式中，第二饋電部形成陰極。第一電導率對應於電子電導率。在一些實施形式中，第一饋電部耦合到第二電端子上。第一饋電部具有第二電導率，所述第二電導率沿遠離第二電端子的方向在第一饋電部延伸上單調變化。在此，第一饋電部形成陽極。第二電導率對應於空穴電導率。


下面根據參考附圖詳細闡明光電子裝置的不同的實施例。在附圖中，附圖標記的第一數字說明其中首先使用所述附圖標記的附圖。在全部附圖中，相同附圖標記用於同類的或者起相同作用的元件或者特徵。其示出圖I示出光電子裝置的俯視圖；圖2示出沿著剖面線A-A的根據圖I的已知的光電子裝置的橫截面；圖3示出光電子裝置的等效電路圖；圖4示出沿著剖面線A-A的根據圖I的光電子裝置的第一實施例的橫截面；圖5a示出根據圖4的第一實施例的第一擴展方案；圖5b示出用於製造圖5a中的第一接觸層的第一方法，圖5c示出用於製造圖5a中的第一接觸層的第二方法，圖6示出根據圖4的第一實施例的第二擴展方案；圖7示出根據圖2的已知的光電子裝置的亮度分布的模擬；圖8示出根據圖4的光電子裝置的第一實施例的亮度分布的模擬；圖9示出沿著剖面線A-A的根據圖I的光電子裝置的第二實施例的橫截面；圖10示出第二光電子裝置的俯視圖；圖11示出沿著剖面線A-A的根據圖10的第二光電子裝置的橫截面；圖12示出第三光電子裝置的俯視圖；和圖13示出沿著剖面線A-A的根據圖12的第三光電子裝置的橫截面。
具體實施例方式圖I示出光電子裝置的實施例。光電子裝置100例如為電致發光的裝置。其具有第一上側，在所述上側上施加有第一接觸層102。第一接觸層102與第一端子104連接。該連接經由第一電極106進行，所述第一電極為在光電子裝置100的所示出的實施例中的陰極的一部分。光電子裝置100的陽極與第二端子108連接並且具有第二電極110。第二電極110直接地鄰接第二接觸層，所述第二接觸層覆蓋光電子裝置100的對置於第一接觸層102的表面。在圖I中不能夠識別第二接觸層。下面，根據沿著剖面線A-A的橫截面更加詳細描述光電子裝置100的結構。在此，對置的第一電極106和第二電極110由於簡化的視圖示為第一端子104或第二端子108的一部分。圖2示出沿著剖面線A-A的根據圖I的已知的光電子裝置的橫截面。光電 子裝置100具有襯底200，在所述襯底上施加層序列。典型地，襯底200為透明的支承體，例如為玻璃或者膜，例如可彎曲的塑料膜。在襯底200上施加第二接觸層202。第二接觸層202在由光電子裝置100發射的輻射的範圍中也是透明的。為此，第一接觸層200包括合適的透明導電材料，例如透明導電氧化物，如氧化銦錫(ΙΤ0)。在第二接觸層202上施加第一電荷運輸層204。第二接觸層202和第一電荷運輸層204形成光電子裝置100的第一饋電部206。在所示出的實施例中，第一饋電部206為光電子裝置100的陽極。相應地，第一電荷運輸層204包括具有高空穴遷移率的材料。在第一饋電部206上施加功能層208，只要在所述功能層上施加電壓，就在所述功能層中產生被發射的輻射。功能層208具有電致發光材料。例如，電致發光材料能夠具有適於進行螢光發射或磷光發射的聚合物。替選地，通過螢光性或磷光性進行發射的有機小分子用作有機電致發光層。在功能層208上施加第二電荷運輸層210，在所述第二電荷運輸層上還施加第一接觸層102。第二電荷運輸層210和第一接觸層102形成輻射發射裝置100的第二饋電部212。在所示出的實施例中，第二饋電部206為輻射發射裝置100的陰極。第一饋電部206與第二端子108連接。第二饋電部212與第一端子104連接。第一端子104和第二端子108用於將電流輸送給光電子裝置100。為此，第一端子104和第二端子108能夠耦合到電源上。例如，所述第一端子和所述第二端子耦合到恆流源、例如電池或驅動電路上。圖3示出光電子裝置100的等效電路圖。在此，第一接觸層102基本具有高的橫向和豎直電導率。所述第一接觸層耦合到第一端子104上。第一接觸層102的固有電阻在橫向延伸中描述為第一電阻器300、第二電阻器302和第三電阻器304的串聯電路。通常，第一接觸層102具有例如Al的金屬。同樣地，所述接觸層能夠具有透明導電氧化物(透明導電氧化物或者TC0)，例如氧化銦錫(氧化銦錫(Indium Tin Oxide)或ΙΤ0)。第一電阻器300、第二電阻器302和第三電阻器304建模為歐姆電阻器。這也適用於第二接觸層202，所述第二接觸層耦合到第二端子108上。第二接觸層202的電導率通過第四電阻器306、第五電阻器308和第六電阻器310的串聯電路。在第一接觸層102和第二接觸層202之間，電流基本沿著豎直方向在光電子裝置中延伸。在此，電流經過第一電荷運輸層204、功能層208和第二電荷運輸層210。第一電荷運輸層204還表示為電子運輸層(electron transport layer)(ETL)。所述第一電荷運輸層例如能夠具有η摻雜的、導電的有機或無機材料。第二電荷運輸層204還稱作空穴運輸層(HTL)。所述第二電荷運輸層例如能夠具有P摻雜的導電的有機或無機材料。對於兩個電荷運輸層還能夠使用本徵的、即未摻雜的適當的層。無論如何，兩個電荷運輸層具有豎直的歐姆電阻。功能層208具有非歐姆特性。這表示，在施加在功能層208上的電壓(V)和流過功能層的電流(I)之間不存在線性的關係。如果功能層例如具有pn結，則其特性對應於ニ極管，log (I) a V0在有機發光二極體中，功能層208例如具有有機電致發光材料，所述電致發光材料在施加電勢時發射光。有機電致發光材料例如為聚合物。其可以是用作有機電致發光材料的通過螢光性或磷光性進行發射的有機小分子。在這種情況下，經由跳躍過程或者隧穿過程進行載流子運輸。所施加的電壓(V)和流過功能層208的電流I的關聯能夠通過電子管的I-V特性、即I a V273來描述。根據光電子裝置的不同的層平面的所述特性，光電子裝置能夠在豎直方向上通過 由歐姆電阻器、如ニ極管的非線性元件和其他歐姆電阻器組成的串聯電路來描述。由於光電子裝置的橫向延伸，豎直方向上的電流能夠通過多個這種串聯電路的並聯電路來建摸。相應地，在圖3中示出第一電流路徑，所述第一電流路徑具有第七電阻器312、第一二極體314和第八電阻器316的串聯電路。第一電流路徑將位於第一電阻器300和第二電阻器302之間的節點318與第六電阻器310連接。與其並聯連接地存在第二電流路徑，所述第二電流路徑包括由第九電阻器320、第二ニ極管322和第十電阻器324組成的串聯電路。第二電流路徑將位於第二電阻器302和第三電阻器304之間的第二節點326與位於第六電阻器310和第五電阻器308之間的第三節點327連接。並聯電路通過第三電流路徑來閉合，所述並聯電路包括由第十一電阻器328、第三ニ極管330和第十二電阻器332組成的串聯電路。第三電流路徑將第三電阻器304與位於第五電阻器308和第四電阻器306之間的節點334連接。在圖3中表明，能夠通過多次(η次)重複第二電流路徑來改進等效電路。最終以比電導率來復現電流密度模型。在圖2中示出的、已知的光電子裝置中，全部導電層在橫向延伸上具有恆定的電導率。相應地，第一電阻器300、第二電阻器302和第三電阻器304的電阻值是相同的。同樣，第四電阻器306、第五電阻器308和第六電阻器310的電阻值是相同的。第一接觸層102和第二接觸層202的材料在透明的光電子裝置的情況下通常是相同的，使得比電導率沒有區別。然而，在多種其他的應用中，材料是不同的。在所述情況下，第一電阻器300或者第二電阻器302和第三電阻器304的比電導率和通常電阻值不同於第四電阻器306、或者第五電阻器308和第六電阻器的電阻值。第一電荷運輸層210和第二電荷運輸層204通常具有不同的摻雜並且因此還具有彼此不同的電導率。在此，能夠考慮，通常如下材料可用，在這些材料中，與所使用的電子運輸層的電子遷移率相比，空穴運輸層具有顯著更高的空穴遷移率。然而，在每個層中，相應的電導率在圖2中已知的光電子裝置的情況下在橫向延伸中是恆定的，使得第七電阻器312、第九電阻器320和第十一電阻器328具有相同的電阻值。同樣，第八電阻器316、第十電阻器324和第十二電阻器332具有相同的電阻值。功能層208同樣具有均勻電導率，使得第一ニ極管314、第二ニ極管322和第三ニ極管330的特徵曲線是相同的。因此，在圖2中示出的光電子裝置關於其電特性具有均勻結構。因此，在通過第一端子104和第二端子108注入的恆定電流的情況下形成沿著光電子裝置的橫向伸展的電壓降。該效應例如在文獻[I]中描述。因此，例如在OLED中形成不一致的、S卩非均勻的亮度圖案。下面，根據各個實施例示出，如何實現儘可能均勻的亮度圖案。在此，全部下面所示出的實施例意圖為，在功能層208上實現儘可能均勻的豎直電壓分布。圖4示出沿著剖面線A-A的根據圖I的光電子裝置100的第一實施例的橫截面。第一實施例與圖2的已知裝置的區別在於，第二饋電部212沿遠離第一端子104的方向具有電導率400的變化。在此，電導率400隨著與第一端 子距離增大而降低。優選地，藉助線性下降的電導率能夠實現尤其均勻的亮度。這例如能夠由此進行，在第一接觸層中，提供橫向電導率的變化。關於在圖3的等效電路圖，例如，第一電阻器300的電阻值R1小於第二電阻器302的電阻值R2，其中R2又小於第三電阻器304的電阻值R3。因此，電導率沿遠離第一端子104的方向具有嚴格單調下降的變化400。這例如能夠通過適當地選擇第一接觸層的層厚度。在圖5a中示出這種實施例。在此，基本為圖2的結構，然而具有第一接觸層500，所述接觸層的層厚度D沿遠離第一端子104的方向下降。因為第一接觸層500由具有恆定的比電導率P的均勻材料製成，所以方塊電阻!^= P /D沿遠離第一端子104的方向上升。這種層厚度分布能夠通過多種方法來產生。因此，在使用多個掩模的情況下能夠產生第一接觸層500。因此，能夠產生層厚度的階梯狀的變化。還能夠通過例如蒸鍍的覆層エ藝產生第一接觸層500。在此，能夠藉助於傾斜的或者不同強度的蒸鍍產生不同的層厚度分布。同樣能夠考慮，以壓印方法，例如具有適當的印刷掩膜的絲網印刷來產生第一接觸層500。同樣，在藉助有機材料壓印時，在加熱壓印的層時，藉助於限定的溫度分布適當地選擇層厚度分布。在圖5b和5c中，示例地示出用於施加第一接觸層500的兩種方法。圖5b示出將第一接觸層500施加到層堆疊502上的第一方法。為此，層堆疊502在孔徑504之下引導。孔徑504狹縫形地延伸到圖5b示出的深度處，其中以橫截面圖示出層堆疊502和孔徑504。孔徑504的深度延伸大致具有層堆疊502的深度的長度。孔徑504設置在材料源506和層堆疊502之間。從材料源506中例如經由蒸鍍來發射用於製造第一接觸層的材料，並且材料穿過孔徑504射到層堆疊502的表面上。層堆疊502在孔徑之下沿著其引導，其中所述層堆疊平行於孔徑502在水平方向508上移動。在此，從材料源506中發射的材料堆積到表面的位於孔徑504之下的部段上，並且因此形成部段510。在此，部段510的區域的局部厚度通過該區域暴露於材料源506的時間來確定。如果改變所述時間，能夠達到不同的厚度。為了實現第一接觸層500的厚度的橫向持續變化，層堆疊藉助加速的(即越來越快或者越來越慢的)移動經過孔徑504。如果移動減緩，則第一接觸層的厚度在下述區域中變大，所述區域最後暴露於材料源506，因此如其在圖5b中表明。如果移動加快，則在首先蒸鍍的區域中形成第一接觸層500的較厚的分布，所述分布朝向較晚蒸鍍的區域在厚度中下降。用於施加第一接觸層500的第二方法根據圖5c表明。在此，示出孔徑系統的俯視圖。孔徑系統具有孔徑板512。孔徑板512具有多個孔徑狹縫514。孔徑狹縫514分別是不同長度的。從(在圖5c中由於可視性的原因沒有示出的)材料源中出來的材料能夠通過孔徑狹縫514穿過孔徑系統512。層堆疊502以恆定的速度在孔徑系統512之下引導。在此，總是與孔徑狹縫長度有關的量的材料穿過孔徑狹縫514到達層堆疊502的表面上，並且因此形成接觸層500，所述接觸層在縱向延伸的方向中具有持續變化的厚度分布。在實施第二方法時，提供下述材料源，所述材料源提供在孔徑系統512的整個面積上的均勻材料流。同樣能夠考慮，經由或者代替孔徑系統512而提供較小材料源的系統。在此，通過或者代替較長的孔徑狹縫設置較高數量的較小材料源，並且經由或者代替較短的孔徑狹縫設置較少數量的材料源。關於全部的方法，在材料源或者孔徑系統之間或者在孔徑和層堆疊之間的相對移動是必需的。能夠理解的是，足夠的是移動部件之一來獲得豎直的層厚度分布。附加或者替選於在圖5a中示出的實施例，第二饋電部212的水平電導率沿遠離第一端子104的方向單調下降。基本上，第二 電荷運輸層的電導率有助於此。第二電荷運輸層例如為η摻雜的材料。如在不同於圖2的結構的圖6中示出，在電導率的橫向變化中能夠由此來影響電導率，即設置具有沿遠離第一端子的方向走向的摻雜分布的第二電荷運輸層600，其中摻雜材料的濃度沿遠離第一端子104的方向連續地下降。因此，在圖3的等效電路圖中，第七電阻器312的電阻值R7小於第九電阻器320的電阻值R9，其中R9小於第十一電阻器328的電阻值Rn。在此，在製造電荷運輸層時，局部摻雜濃度能夠通過多種方法來調節。因此，通常較大的半成品暴露於來自摻雜源的粒子流。通過中間產物穿過作用橫截面的速度，或者通過摻雜源的溫度變化，影響總劑量並且因此還影響在半成品中所容納的摻雜濃度。同樣，在更小的エ件中，能夠考慮屏蔽或者較小的過濾罩，以便影響摻雜劑量。在圖5a和圖6中示出的措施能夠適當地進行組合。整體上，施加在功能層208上的電壓通過經由第一端子104和第二端子108饋送的載流子來確定。儘管通過第二饋電部212在第一端子104附近的高電導率能夠驅動大的電子流，但是實際電流由於將空穴饋送到陽極側上而受限制。相反地，在陽極端子附近、即第二端子108的電子流，通過更小的電導率來限制。在第一端子104附近和在第二端子108附近的亮度由於限制的載流子電流而降低。因此，整體上，亮度圖案顯得更加均勻。根據圖7和圖8變得明確的是，通過所描述的措施實現均勻亮度圖案。圖7示出根據圖2的已知的光電子裝置的亮度變化的模擬。在此，以灰度的形式示出以cd/m2為單位的在電致發光裝置的表面上的亮度變化。在此，橫坐標(X軸線)反映在左側上的陰極端子和右側上的陽極端子之間的延伸。縱坐標(Y軸線)反映沿著端子的延伸(對比圖I的描述)。模擬能夠看出，在端子之間居中的亮度與在端子之一附近相比明顯較小。針對模擬選擇伸展和亮度的標度並且因此僅能夠理解為是示例的。於此對比，圖8示出根據圖4的光電子裝置的第一實施例的亮度分布的模擬。選擇可與圖7比較的圖示。通過對比能夠識別，第一實施例的亮度與已知的光電子裝置的亮度相比顯得顯著更均勻。圖9示出沿著剖面線A-A的根據圖I的光電子裝置100的第二實施例的橫截面。第二實施例與第一實施例的區別在於，第一饋電部206沿遠離第二端子108的方向具有電導率900的變化。在此，電導率900隨著與第一端子距離增大而降低。只要第二端子108為陽扱，電導率就表示空穴電導率。該電導率與第二饋電部212的電導率類似地能夠通過第二接觸層厚度的變化和/或通過選擇在第一電荷運輸層中的摻雜濃度來局部地調節。因此，附加地，提供在陽極中的電導率分布。因此整體上，能夠在功能層208的兩個接觸側上控制載流子的入流。因為空穴電導率通常高於電子電導率，所以除了電子電導率的調整之外，所述措施尤其是有利的。具有偏置電極的光電子裝置圖10示出第二光電子裝置1000的俯視圖。從俯視圖中變得明顯的是，第二光電子裝置1000與第一光電子裝置的區別在於，第二電極110藉助相應的部分區域設置在第二光電子裝置1000的兩個對置的側稜邊上。第一電極106藉助於相應的部分區域設置在兩個其他的、同樣對置的側稜邊的部分段上。因此，與第一光電子裝置相比，形成經過光電子裝置的本體的不同的電流密度分布。第二光電子裝置1000的結構根據圖11變得更加明確。圖11示出沿著剖面線A-A的第二光電子裝置1000的實施例的橫截面。在襯底200上施加第一饋電部206。如在第一光電子裝置的情況下，所述第一饋電部具有第二接觸層202和第一電荷運輸層204。所述層分別具有如結合第一光電子裝置所描述的材料。第二接觸層202與第二電極110電連接，所述第二電極從兩側起接觸所述第二接觸層。如在第一光電子裝置中，在第一饋電部206上施加功能層208，所述功能層在其方面被第二饋電部212覆蓋。第二饋電部212由第二電荷運輸層210和第一接觸層102組成。如結合圖10的描述變得明確的是，第一接觸層102與第一電極106接觸。所述接觸層在第一電極的兩個部分段之間的軸線中具有恆定的厚度，並且因此具有恆定的電導率，所述電導率從所述區域朝向側稜邊連續地下降。同樣能夠考慮，第一接觸層102具有均勻的層厚度，而是第二載流子層210具有相應的摻雜分布。摻雜分布的選擇結合圖6的實施例的縱覽變得清晰。重要的是，第二饋電部的電導率朝向下述區域下降，所述區域幾何上地位於第二電極110附近。基本思想是根據第一電極106和第二電極110的布置和幾何形狀構成第二饋電部212 (和以類似的方式構成第二饋電部206)，使得相應的饋電部的載流子電導率遠離相應的電極朝向具有相反極性的電極下降。具有環形電極的光電子裝置根據第三光電子裝置描述具有其他電極結構的另一光電子裝置。在此，圖12示出第三光電子裝置1200的俯視圖。為了使說明更加明確，沒有示出通常施加在所述側上的封裝部。光電子裝置1200為電致發光裝置。其具有第一上側，在所述上側上施加有第一接觸層102。第一接觸層102與第一端子104連接。該連接經由第一電極106進行，所述第一電極在光電子裝置1200的所不出的實施例中為陰極的一部分。第一電極106施加在第一接觸層102上。光電子裝置1200的陽極與第二端子108連接並且具有第二電極110。第二電極110構成為環形電極並且直接地鄰接第二接觸層，所述第二接觸層覆蓋光電子裝置1200的對置於第一接觸層102的表面。下面，根據沿著剖面線A-A的橫截面更詳細地描述光電子裝置1200的結構和電極的布置。圖13示出沿著剖面線A-A的根據圖12的第三光電子裝置的橫截面。所述橫截面示出，第三光電子裝置1300在電極的布置和幾何形狀中不同於第一和第二光電子裝置。第三光電子裝置1300具有襯底200，在所述襯底上施加第二接觸層202。第二接觸層202被第二電極110環形地圍繞。第二電極110耦合到第二端子108上。在第二接觸層202上施加第一電荷運輸層204。在第一電荷運輸層204和第二電荷運輸層210之間設有功能層208。在第二電荷運輸層210上設有第一接觸層102。第一接觸層102具有中央區域，所述中央區域在圍繞豎直對稱軸線B-B的周圍中具有恆定的厚度。第一接觸層的層厚度遠離所述區域朝向外側並且因此朝向環形電極附近下降，即朝向第二電極110下降。在所述布置中，電導率的橫向變化等同於徑向變化。在第一接觸層102的中央區域上，第一電極106接觸所述第一接觸層。在中央區域之外，第一電極106通過鈍化層1300與第一接觸層102電絕緣。在第一接觸層102上並且在電極106上施加在圖12中沒有示出的封裝部1302。所述封裝部用於保護層序列並且例如還由鈍化層、塑料等製成。為了將第一接觸層102施加到剩餘的層堆疊上，能夠應用不同的製造方法。能夠考慮的是，例如，「(spin-on)旋塗」方法，其中第一接觸層102的材料穿過孔徑中央地施加到轉動的層堆疊上。同樣能夠考慮，源將材料經由孔徑或者同心孔徑的系統發射到層堆疊上，使得材料以鐘形的(glockenfiirmig )速率到達層堆疊的表面上。在此,層堆疊的旋轉在蒸鍍期間有助於第一接觸層102的均勻的、旋轉對稱的構成。同樣能夠考慮，例如，設置旋轉的材料源或者旋轉的孔徑系統。結論根據一些實施例描述光電子裝置以用於說明基本思想。在此，實施例不限制與特定的特徵組合。即使一些特徵和擴展方案僅結合特殊的實施例或者單個的實施例來描述，所述特徵和擴展方案分別能夠與來自其他的實施例的其他特徵組合。同樣可能的是，在實施例中刪除或者添加各個所示出的特徵或者特殊的擴展方案，只要保持實現通用的技術教導。參考文獻在本文獻中引用下述出版物[l]Neyts, K. et al. ，』Inhomogeneous Luminance in Organic Light EmittingDiodes Related to Electrode Resistivity」應用物理雜誌(Journal of AppliedPhsics),第100卷，第114513ff.頁，美國物理研究所，紐約2006.附圖標記列表第一光電子裝置100第一接觸層102第一端子104第一電極106第二端子108第二電極110襯底200第二接觸層202第一電荷運輸層204第一饋電部206功能層208第二電荷運輸層210第二饋電部212
第一電阻器300
第二電阻器302第三電阻器304第四電阻器306第五電阻器308第六電阻器310第七電阻器312第一ニ極管314第八電阻器316 第一節點318第九電阻器320第二ニ極管322第十電阻器324第二節點326第三節點327第十一電阻器328第三ニ極管330第十二電阻器332第四節點334第一電導率400第一接觸層500摻雜分布600第二電導率900第二光電子裝置1000第三光電子裝置1200鈍化層1300封裝部130權利要求
1.光電子裝置，包括 -第一饋電部(206)， -第二饋電部(212)，所述第二饋電部耦合至第一電端子(104)，和 -用於發射輻射的功能層(208)，所述功能層設置在所述第一饋電部(206)和所述第二饋電部(212)之間， 其中所述第二饋電部(212)具有橫向的第一電導率，所述第一電導率在所述第二饋電部(212)的延伸範圍上沿遠離所述第一電端子(104)的方向單調變化。
2.根據權利要求I所述的光電子裝置，其中所述功能層(208)包括有機發射層。
3.根據上述權利要求之一所述的光電子裝置，其中所述第二饋電部(212)包括接觸層(210)。
4.根據權利要求3所述的光電子裝置，其中所述接觸層(210)具有恆定的薄層電導率，並且所述接觸層(210)的厚度在所述接觸層(210)的延伸範圍上沿遠離所述第一電端子(104)的方向單調變化。
5.根據權利要求3或4之一所述的光電子裝置，其中所述第二饋電部(212)包括電荷運輸層(210)。
6.根據權利要求5所述的光電子裝置，其中所述電荷運輸層(210)包括摻雜的有機半導體材料。
7.根據權利要求6所述的光電子裝置，其中所述摻雜的有機半導體材料的摻雜濃度沿遠離所述第一電端子(104)的方向單調變化。
8.根據上述權利要求之一所述的光電子裝置，其中所述第一電導率沿遠離所述第一電端子(104)的方向嚴格單調變化。
9.根據上述權利要求之一所述的光電子裝置，其中所述第一電導率沿遠離第二電端子(120)的方向下降。
10.根據上述權利要求之一所述的光電子裝置，其中所述第二饋電部(212)形成陰極，並且所述第一電導率對應於電子電導率。
11.根據上述權利要求之一所述的光電子裝置，其中所述第一饋電部(206)耦合至第ニ電端子(108)，並且其中所述第一饋電部(206)具有第二電導率，所述第二電導率在所述第一饋電部(206)的延伸範圍上沿遠離所述第二電端子(108)的方向單調變化。
12.根據權利要求11所述的光電子裝置，其中所述第一饋電部(206)形成陽極並且所述第二電導率對應於空穴電導率。
全文摘要
本公開描述了一種具有第一饋電部(206)和第二饋電部(212)的電光電子裝置。第二饋電部(212)耦合到第一電端子(104)上。在第一饋電部(206)和第二饋電部(212)之間設有用於發射輻射的功能層(208)。第二饋電部(212)具有第一橫向電導率(400)，所述第一橫向電導率在第二饋電部(212)的延伸範圍上沿遠離第一電端子(104)的方向單調變化。
文檔編號H01L51/52GK102668164SQ201080058821
公開日2012年9月12日 申請日期2010年12月20日 優先權日2009年12月21日
發明者克裡斯蒂安·克裡斯圖卡特, 卡斯滕·狄克曼, 史蒂文·羅斯巴赫, 班傑明·克勞斯·克魯馬赫爾 申請人:歐司朗光電半導體有限公司