溼式蝕刻設備及其供應裝置製造方法
2023-08-05 23:21:36
溼式蝕刻設備及其供應裝置製造方法
【專利摘要】一種溼式蝕刻設備及其供應裝置，該供應裝置包括一供應件及一調整件，該供應件具有貫穿的供應道以輸送流體，該調整件具有相鄰的信道與回收道，且該供應件穿設於該信道中，以供流經該供應件的流體由該信道輸出，並令該回收道吸取部分由該信道輸出的蝕刻液，藉以控制該流體的輸出量。
【專利說明】溼式蝕刻設備及其供應裝置
【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及一種用於蝕刻的設備，尤其是指一種溼式蝕刻設備及其供應裝置。
【背景技術】
[0002]目前半導體工藝中，例如晶圓、封裝基板、封裝結構或電路板等版面(pannel)，均會使用蝕刻液清洗該版面的表面殘留物，例如銅渣、膠渣、阻層等。一般清洗過程中，先利用蝕刻液移除版面的表面殘留物，再以清洗液(如水)清洗該版面上的蝕刻液，最後再乾燥該版面的表面。
[0003]圖1A及圖1B所示者，為現有電路板版面5進行蝕刻清洗工藝的上視與側視示意圖。如圖所示，溼式蝕刻設備(圖略)將蝕刻液3經輸送管10送至多個呈數組排設的噴嘴11，以藉由該些噴嘴11將蝕刻液3噴灑於該電路板版面5上。
[0004]然而，現有噴嘴11為固定式，也就是無法調整該噴嘴11的位置與個別運作該噴嘴11，所以該噴嘴11的設計需能噴灑蝕刻液3相當廣的範圍，以避免清洗不完全，但卻因無法控制噴灑該蝕刻液3的輸出量，致使無法對特定區域微蝕刻或選擇性蝕刻，而導致無法針對微小區域的表面進行清洗，也無法針對產品特性變異進行高精度控制的選擇性加工，以致無法滿足提高蝕刻控制精細度的需求。
[0005]此外，現有溼式蝕刻設備中，該些輸送管10及噴嘴11為均勻分布，且無法調整該些輸送管10及噴嘴11的位置，又無法個別運作噴嘴11，所以無法針對該電路板版面5的特定區域進行精密區域性蝕刻作業。例如，無法對特定區域微蝕刻，導致無法清洗乾淨微小區域的表面殘渣。因此，目前一般溼式蝕刻設備進行蝕刻作業時為整批全面性連續作業，而無法針對產品特性變異進行高精度控制的選擇性加工，以致難以提高蝕刻控制精細度，因而影響到產品的特性能力的有效性與產品的產出良率。
[0006]因此，如何克服上述現有技術的種種問題，實已成目前亟欲解決的課題。
【發明內容】
[0007]鑑於上述現有技術的種種不足，本發明的主要目的在於提供一種溼式蝕刻設備及其供應裝置，以控制該流體的輸出量。
[0008]本發明的供應裝置，通過於一如噴嘴的供應件外圍蓋設一調整件，該調整件具有相鄰的信道與回收道，且該供應件穿設於該信道中，以使蝕刻液可由該信道輸出，並令該回收道吸取部分由該信道輸出的蝕刻液，以減少該蝕刻液的輸出量。
[0009]前述的供應裝置中，其可設於溼式蝕刻設備的機臺上，且該機臺具有定位件，供該供應件設置於該定位件上，以借該定位件帶動該供應件與調整件至所需的位置。
[0010]另外，該機臺具有可程序邏輯控制系統，以操控該定位件的運作、蝕刻液的運動或該回收道的運作。
[0011]由上可知，本發明的溼式蝕刻設備及其供應裝置，藉由該回收道的設計，使該調整件能控制噴灑蝕刻液的輸出量，也就是能控制噴灑蝕刻液的範圍，以對特定區域微蝕刻或選擇性蝕刻，而能對微小區域的表面進行清洗，且能對產品特性變異進行高精度控制的選擇性加工，所以可提高該溼式蝕刻設備的精密蝕刻的能力，以達成高良率及高特性能力的需求。
[0012]此外，該機臺藉由定位件以帶動該供應件與調整件至所需的位置，且藉由可程序邏輯控制系統，以個別運作該供應件，所以能對各版面的特定區域進行精密區域性蝕刻作業。因此，於整批版面全面性連續作業時，可依需求針對產品特性變異進行高精度控制的選擇性加工，以提高蝕刻控制精細度。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0013] 圖1A為現有電路板版面進行蝕刻清洗工藝的上視示意圖；
[0014]圖1B為現有電路板版面進行蝕刻清洗工藝的側視示意圖；
[0015]圖2A為本發明供應裝置的側剖視示意圖；
[0016]圖2B為本發明供應裝置的調整件的上視示意圖；以及
[0017]圖3A至圖3C為本發明溼式蝕刻設備的不同實施例的上視示意圖。
[0018]主要組件符號說明
[0019]10輸送管
[0020]11噴嘴
[0021]2，2』，2」 溼式蝕刻設備
[0022]2a供應裝置
[0023]20定位件
[0024]21供應件
[0025]21a, 21b供應單元
[0026]22調整件
[0027]220信道
[0028]221回收道
[0029]3蝕刻液
[0030]5電路板版面
[0031]h高度差
[0032]X橫向移動
[0033]y縱向移動。
【具體實施方式】
[0034]以下藉由特定的具體實施例說明本發明的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭示的內容輕易地了解本發明的其它優點及功效。
[0035]須知，本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內容，以供本領域技術人員的了解與閱讀，並非用以限定本發明可實施的限定條件，所以不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關係的改變或大小的調整，在不影響本發明所能產生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本發明所揭示的技術內容得能涵蓋的範圍內。同時，本說明書中所引用的如「上」、「下」及「一」等用語，也僅為便於敘述的明了，而非用以限定本發明可實施的範圍，其相對關係的改變或調整，在無實質變更技術內容下，當也視為本發明可實施的範疇。
[0036]圖2A及圖2B為本發明的溼式蝕刻設備用的供應裝置2a的示意圖。如圖2A所示，該供應裝置2a包括一供應件21以及一調整件22。
[0037]所述的供應件21具有貫穿的供應道(圖略)，以輸送流體。於本實施例中，該供應件21為噴嘴。
[0038]所述的調整件22具有相鄰的信道220與回收道221，該供應件21穿設於該信道220中，以使流經該供應件21的蝕刻液3由該信道220輸出，而該回收道221用以吸取部分由該信道220輸出的蝕刻液3，以減少該蝕刻液3的輸出量。
[0039]於本實施例中，該回收道221利用虹吸抽氣回收該蝕刻液3，如圖2A所示的箭頭方向。
[0040]此外，該回收道221的埠與該信道220的埠具有高度差h，如圖2A所示，該回收道221的埠位置比該信道220的埠位置更低，也就是該回收道221的埠位於該信道220的埠下方，以利於該回收道221吸取部分由該信道220輸出的蝕刻液3。
[0041]再者，該回收道221圍繞於該信道220的外側，如圖2B所示，以提升該回收道221的回收率，也就是提高該蝕刻液3的微供應量的準確度。
[0042]本發明的供應裝置2a中，藉由該信道220以控制蝕刻區域，並藉由該回收道221回收該蝕刻液3，使該調整件22能控制噴灑蝕刻液3的輸出量，也就是能控制噴灑蝕刻液3的範圍，以對特定區域微蝕刻或選擇性蝕刻，而能對微小區域(如點區域)的表面進行清洗，且能對產品特性變異進行高精度控制的選`擇性加工，所以能達到高精度控制的效果。
[0043]請一併參閱圖3A至圖3C，其為具有該供應裝置2a的溼式蝕刻設備2，2』，2」，其將該供應裝置2a設於一機臺(圖略)上。
[0044]所述的機臺具有用以儲存流體(如蝕刻液3)的容置空間(圖略)，且該供應件21設置於該機臺上，而該供應道連通該機臺的容置空間，以令該容置空間中的蝕刻液3流經該供應道移至該機臺外。此外該調整件22的回收道221連通該機臺的容置空間，以將部分由該信道220輸出的蝕刻液3藉由該回收道221吸回該機臺的容置空間，如圖2A所示的箭頭方向。
[0045]於本實施例中，該機臺具有可程序邏輯控制系統(Programmable LogicController, PLC)與定位件20，該PLC用以操控蝕刻清洗作業，例如，該蝕刻液3的運動或該回收道221的運作，且該定位件20用以將該供應件21設於其上，以借該PLC操控該定位件20帶動該供應件21與調整件22至所需的位置。
[0046]此外，該供應件21為多個時，由至少二該供應件21構成一組供應單元2la, 21b，如圖3A及圖3B所示。或者，如圖3C所示，該些供應件21呈數組排設，以形成高密度矩陣排列的蝕刻噴頭群。
[0047]所述的供應單元21a可由排成矩形的多個供應件21組成,如圖3A所示；或者,該供應單元21b可由排成直線的多個供應件21組成，如圖3B所示。
[0048]再者，該供應件21或供應單元21a，21b可藉由該定位件20縱向移動y，如圖3A及圖3B所示。
[0049]另外，該定位件20可作為軌道，令該供應件21或供應單元21a能於該定位件20上橫向移動X，如圖3A所示。
[0050]本發明的溼式蝕刻設備2，2』，2」中，藉由該PLC的設計，能個別運作該供應件21或供應單元21a，21b，以具選擇性蝕刻控制能力，所以能對該電路板版面5的特定區域進行精密區域性蝕刻作業。
[0051]此外，藉由該定位件20的設計，以帶動該供應件21或供應單元21a，21b與調整件22至所需的位置，而具選擇性蝕刻控制能力，所以也能對該電路板版面5的特定區域進行精密區域性蝕刻作業。
[0052]因此，於整批版面全面性連續作業時，可使用可移動式(如圖3A及圖3B所示)或多組式(如圖3C所示)的溼式蝕刻設備2，2』，2」蝕刻清洗該電路板版面5，以依需求針對產品特性變異進行高精度控制的選擇性加工，而提高蝕刻控制精細度。例如，於初步蝕刻作業後，進行光學檢查，再針對仍有殘留物(如殘銅塊)的區域(即點區域)進行二次蝕刻加工，而無需進行整版面蝕刻加工。
[0053]此外，有關版面的種類繁多，例如晶圓、封裝基板或封裝結構，並不限於電路板。
[0054]另外，有關機臺的容置空間中的流體種類繁多，並不限於蝕刻液，也可為其它液體(如水),特此述明。
[0055]綜上所述，本發明的溼式蝕刻設備及其供應裝置，主要藉由該回收道的設計，使該調整件能控制噴灑蝕刻液的輸出量，以進行微蝕刻或選擇性蝕刻，而提高該溼式蝕刻設備的精密蝕刻的能力。
[0056]另外，藉由定位件與可程序邏輯控制系統的設計，以對各版面的特定區域進行蝕刻作業，所以於整批版面全面性連續作業時，可依需求進行高精度控制的選擇性加工，以提高蝕刻控制精細度，而提升產品`的特性能力的有效性與產品的產出良率。
[0057]上述實施例僅用以例示性說明本發明的原理及其功效，而非用於限制本發明。任何本領域技術人員均可在不違背本發明的精神及範疇下，對上述實施例進行修改。因此本發明的權利保護範圍，應如權利要求書所列。
【權利要求】
1.一種溼式蝕刻設備，包括: 機臺，其具有用以儲存流體的容置空間； 至少一供應件，其設於該機臺上，且該供應件具有貫穿的供應道，該供應道連通該機臺的容置空間，以令該容置空間中的流體經該供應道移至該機臺外；以及 調整件，其具有相鄰的信道與回收道，該信道用以容置該供應件，以使流經該供應件的流體由該信道輸出，且該回收道連通該機臺的容置空間。
2.根據權利要求1所述的溼式蝕刻設備，其特徵在於，該機臺具有定位件，供該供應件設置於該定位件上，以借該定位件帶動該供應件與調整件至所需的位置。
3. 根據權利要求2所述的溼式蝕刻設備，其特徵在於，該機臺具有可程序邏輯控制系統，以操控該定位件的運作及該流體的運動，並操控該回收道的運作。
4.根據權利要求1所述的溼式蝕刻設備，其特徵在於，該供應件為噴嘴。
5.根據權利要求1所述的溼式蝕刻設備，其特徵在於，該供應件為多個時，由至少二該供應件構成一組供應單元。
6.根據權利要求1所述的溼式蝕刻設備，其特徵在於，該供應件為多個時，該些供應件呈數組排設。
7.根據權利要求1所述的溼式蝕刻設備，其特徵在於，該回收道的埠與該信道的埠具有高度差。
8.根據權利要求1所述的溼式蝕刻設備，其特徵在於，該回收道圍繞於該信道的外側。
9.一種溼式蝕刻設備用的供應裝置，其包括: 供應件，其具有貫穿的供應道，以輸送流體；以及 調整件，其具有相鄰的信道與回收道，該供應件位於該信道中，以使流經該供應件的流體由該信道輸出。
10.根據權利要求9所述的供應裝置，其特徵在於，該回收道的埠與該信道的埠具有高度差。
11.根據權利要求9所述的供應裝置，其特徵在於，該回收道圍繞於該信道的外側。
【文檔編號】C23F1/08GK103484860SQ201210194565
【公開日】2014年1月1日 申請日期:2012年6月13日 優先權日:2012年6月13日
【發明者】曾子章, 陳宗源 申請人:欣興電子股份有限公司