一種壞點遮蓋方法和系統的製作方法
2023-07-24 23:31:51
一種壞點遮蓋方法和系統的製作方法
【專利摘要】本發明實施例提供一種壞點遮蓋方法和系統，解決了現有技術中由於晶片內SRAM的大小有限，而使得壞點表存儲受限，以及晶片製造成本增加的問題。該壞點遮蓋方法包括：將壞點表存儲在晶片外部存儲器；從所述晶片外部存儲器中讀取所述壞點表中的壞點坐標存入晶片內部存儲器；根據所述晶片內部存儲器中存儲的壞點坐標，對落入所述壞點坐標的顯示數據進行遮蓋處理；清除所述晶片內部存儲器中已完成遮蓋處理的壞點坐標；繼續從所述晶片外部存儲器中讀取壞點坐標存入所述晶片內部存儲器已清除的存儲空間。
【專利說明】一種壞點遮蓋方法和系統
【技術領域】
[0001]本發明涉及數字圖像處理領域，特別涉及一種壞點遮蓋方法和系統。
技術背景
[0002]現有技術中的壞點遮蓋是首先通過特殊程序檢測出圖像傳感器的壞點，將壞點的坐標保存在一壞點表中；然後晶片再根據該壞點表對圖像傳感器實時傳輸的顯示數據進行處理，以遮蓋算法對落入壞點坐標的顯示數據進行遮蓋。其中，壞點表存儲在晶片內部的單口 SRAM(靜態存儲器)中。現有的SRAM—般只能儲存1024個壞點坐標，每個壞點坐標的位寬為12-bit。
[0003]然而隨著圖像傳感器解析度的不斷提高，圖像傳感器的壞點數量以及壞點坐標的位寬也不斷增加。以4K解析度的圖像傳感器為例，壞點坐標的位寬至少要擴展到13-bit，這樣現有SRAM的大小則至少需要增加4%。此外，4K解析度的像素點數量高達4096*2160個，即使只有其中1 %的像素點為壞點，晶片內SRAM的尺寸也必須成百倍增加。而增加SRAM的尺寸不僅有悖於當今社會對晶片「微型化」的要求，還會增加晶片的製造成本。
【發明內容】
[0004]有鑑於此，本發明實施例提供一種新的壞點遮蓋方法和系統，解決了現有技術中由於晶片內SRAM的大小有限，而使得壞點表存儲受限，以及晶片製造成本增加的問題。
[0005]本發明實施例提供了一種壞點遮蓋方法，包括:
[0006]將壞點表存儲在晶片外部存儲器；
[0007]從所述晶片外部存儲器中讀取所述壞點表中的壞點坐標存入晶片內部存儲器；
[0008]根據所述晶片內部存儲器中存儲的壞點坐標，對落入所述壞點坐標的顯示數據進行遮蓋處理；
[0009]清除所述晶片內部存儲器中已完成遮蓋處理的壞點坐標；
[0010]從所述晶片外部存儲器中讀取壞點坐標存入所述晶片內部存儲器已清除的存儲空間。
[0011]本發明實施例提供的一種壞點遮蓋方法系統，包括:
[0012]控制模塊，配置為從晶片外部存儲器中讀取壞點表中的壞點坐標存入晶片內部存儲器，其中，所述晶片外部存儲器預先存儲有所述壞點表；
[0013]遮蓋模塊，配置為根據所述晶片內部存儲器中存儲的壞點坐標，對落入所述壞點坐標的顯示數據進行遮蓋處理；
[0014]清除模塊，配置為清除所述晶片內部存儲器中已完成遮蓋處理的壞點坐標。
[0015]利用本發明實施例所提供的壞點遮蓋方法和系統，將壞點表存儲在晶片外部存儲器，壞點坐標的存儲以及壞點坐標的位寬不再受晶片內部存儲器的限制，擴展了壞點表的容量。此外，晶片內部存儲器不用同時存儲壞點表中的所有壞點坐標，減小了晶片內部存儲器的大小，這不僅有利於減小晶片製造尺寸，還降低了晶片的製造成本。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0016]圖1所示為本發明一實施例所提供的壞點遮蓋方法的流程示意圖。
[0017]圖2所示為本發明一實施例所提供的壞點遮蓋方法的流程示意圖。
[0018]圖3所示為本發明一實施例所提供的壞點遮蓋系統的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0019]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清除、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。
[0020]圖1所示為本發明一實施例所提供的壞點遮蓋方法的流程示意圖。如圖1所示，該壞點遮蓋方法包括:
[0021]步驟101:將壞點表存儲在晶片外部存儲器。其中，壞點表中包括通過特殊程序檢測出的圖像傳感器的所有壞點的壞點坐標。這樣後續的遮蓋步驟中，只需針對該壞點表中的壞點坐標對顯示數據進行遮蓋處理即可。
[0022]本領域技術人員可以理解，壞點表的生成方法可採用現有技術中的任何檢測方法，本發明對此不做限定。
[0023]步驟102:從所述晶片外部存儲器中讀取所述壞點表中的壞點坐標存入晶片內部存儲器。
[0024]由於晶片內部存儲器的尺寸大小受限，而壞點表的數據量可能較大。因此在實際的實現過程中，僅將壞點表中的一部分壞點坐標存入晶片內部存儲器。在完成對落入晶片內部存儲器中壞點坐標的顯示數據的遮蓋處理的同時，再繼續從晶片外部存儲器讀取壞點坐標繼續進行遮蓋處理，具體步驟描述請見步驟104?105。
[0025]步驟103:根據所述晶片內部存儲器中存儲的壞點坐標，對落入所述壞點坐標的顯示數據進行遮蓋處理。具體過程為，如果判斷圖像傳感器傳輸的顯示數據落入了某一壞點坐標，則對該顯示數據進行遮蓋處理，並執行步驟104。在本發明一實施例中，以顯示數據的傳輸序列順序判斷顯示數據是否落入壞點坐標。
[0026]步驟104:清除所述晶片內部存儲器中已完成遮蓋處理的壞點坐標。在本發明一實施例中，清除的具體過程可以為:每完成一壞點坐標上顯示數據的遮蓋處理，即從所述晶片內部存儲器中清除該壞點坐標。
[0027]步驟105:從所述晶片外部存儲器中讀取壞點坐標存入所述晶片內部存儲器已清除的存儲空間。在本發明一實施例中，步驟105和步驟103是並行進行的，即在從晶片外部存儲器中讀取壞點坐標存入所述晶片內部存儲器已清除的存儲空間的同時，遮蓋處理的過程也在繼續進行。
[0028]在本發明一實施例中，為了提高壞點遮蓋的效率，可以是在晶片內部存儲器中已清除壞點坐標的數量達到一預設閥值時，再讀取壞點表中剩餘的壞點坐標存入晶片內部存儲器以繼續進行遮蓋處理。下面通過圖2所示的實施例進行詳細說明。
[0029]圖2所示為本發明一實施例所提供的壞點遮蓋方法的流程示意圖。在圖2所示的實施例中，預設閥值設定為:已清除壞點坐標的數量達到所述晶片內部存儲器所能存儲壞點坐標總量的四分之一。此外，晶片外部存儲器採用DDR存儲器，其中的壞點表中壞點坐標的總數量為N。晶片內部存儲器採用SRAM存儲器，其所能存儲壞點坐標的總量為Μ (Μ < Ν)。如圖2所示，該壞點遮蓋方法包括:
[0030]步驟201:從DDR中讀取了 Μ個壞點坐標，並將「SRAM中壞點坐標的數量」(後文以dp_sram_cnt表示)設為M,將「已遮蓋處理的壞點坐標的數量」(後文以dp_cnt表示)設為0,將「壞點表中壞點坐標的總數量」(後文以dp_total表示)設為N。
[0031]步驟202:將該Μ個壞點坐標寫入SRAM。
[0032]步驟203:開始按顯示數據的傳輸序列進行壞點判斷。當判斷當前處理的顯示數據未落入壞點坐標時，則繼續對下一個顯示數據進行判斷；當判斷當前處理的顯示數據落入壞點坐標時，則對該顯示數據進行遮蓋，並執行步驟204。
[0033]步驟204:將 dp_sram_cnt 減 1,並將 dp_cnt 加 1。
[0034]步驟205:判斷dp_cnt是否達到了 dp_total。若已達到，則說明壞點表中所有壞點坐標上的顯示數據都被遮蓋完畢，流程結束；若未達到，則執行步驟206。
[0035]步驟206:判斷dp_sram_cnt是否大於3/4*M。若判斷結果為是，則證明還未達到預設閥值，此時返回步驟203開始對下一個顯示數據進行判斷；若判斷結果為否，則證明已有1/4*M個壞點坐標上的顯示數據已被遮蓋完畢,此時執行步驟207。
[0036]步驟207:從DDR讀取1/4*M個壞點坐標存入SRAM已清除的存儲空間，然後返回步驟203繼續對序列中的顯示數據進行遮蓋處理。
[0037]如此循環反覆直至壞點表中所有的壞點坐標上的顯示數據都被遮蓋完畢，流程結束。
[0038]在本發明一實施例中，晶片外部存儲器可以是DDR存儲器。晶片內部存儲器可以是32b*128，即大小為0.5kb的雙口 SRAM存儲器。在本發明一實施例中，可以通過寄存器，配置待檢測表大小，總壞點數，壞點坐標的位寬。可以通過修改待檢測表中內容的數據結構來靈活配置壞點坐標的位寬。
[0039]圖3所示為本發明一實施例所提供的壞點遮蓋系統的結構示意圖。如圖3所示，該壞點遮蓋系統包括:
[0040]控制模塊，配置為從晶片外部存儲器中讀取壞點表中的壞點坐標存入晶片內部存儲器，其中，晶片外部存儲器預先存儲有壞點表。
[0041]遮蓋模塊，配置為根據晶片內部存儲器中存儲的壞點坐標，對落入壞點坐標的顯示數據進行遮蓋處理。
[0042]清除模塊，配置為清除晶片內部存儲器中已完成遮蓋處理的壞點坐標。
[0043]在本發明一實施例中，還可以進一步包括:第一判斷模塊，配置為判斷顯示數據是否落入壞點坐標。
[0044]在本發明另一實施例中，還可以進一步包括:第二判斷模塊，配置為判斷晶片內部存儲器中已遮蓋處理的壞點坐標的數量是否達到一預設閥值。則此時控制模塊還可以進一步根據第二判斷模塊返回的確定結果從晶片外部存儲器中讀取壞點坐標存入晶片內部存儲器已清除的存儲空間。
[0045]在本發明另一實施例中，清除模塊和控制模塊集成為一個晶片內部的模塊。
[0046]以上僅為本發明的較佳實施例而已，並不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換等，均應包含在本發明的保護範圍之內。
【權利要求】
1.一種壞點遮蓋方法，其特徵在於，包括: 將壞點表存儲在晶片外部存儲器； 從所述晶片外部存儲器中讀取所述壞點表中的壞點坐標存入晶片內部存儲器； 根據所述晶片內部存儲器中存儲的壞點坐標，對落入所述壞點坐標的顯示數據進行遮蓋處理； 清除所述晶片內部存儲器中已完成遮蓋處理的壞點坐標； 從所述晶片外部存儲器中讀取壞點坐標存入所述晶片內部存儲器已清除的存儲空間。
2.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述對落入所述壞點坐標的顯示數據進行遮蓋處理包括: 以所述顯示數據的傳輸序列順序判斷所述顯示數據是否落入壞點坐標；如果判斷結果為是，則對該落入壞點坐標的顯示數據進行遮蓋處理。
3.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述清除所述晶片內部存儲器中已完成遮蓋處理的壞點坐標包括: 每完成一壞點坐標上顯示數據的遮蓋處理，即從所述晶片內部存儲器中清除該壞點坐標。
4.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述從所述晶片外部存儲器中讀取壞點坐標存入所述晶片內部存儲器已清除的存儲空間包括: 判斷所述晶片內部存儲器中已清除的壞點坐標的數量是否達到一預設閥值；如果判斷結果為是，則從所述晶片外部存儲器中讀取壞點坐標存入所述晶片內部存儲器已清除的存儲空間。
5.根據權利要求4所述的方法，其特徵在於，所述晶片內部存儲器中已清除的壞點坐標的數量達到一預設閥值包括: 所述已清除的壞點坐標的數量達到所述晶片內部存儲器所能存儲壞點坐標總量的四分之一。
6.根據權利要求1或4所述的方法，其特徵在於，所述從所述晶片外部存儲器中讀取壞點坐標存入所述晶片內部存儲器已清除的存儲空間的過程與所述遮蓋處理過程並行進行。
7.一種壞點遮蓋系統，其特徵在於，包括: 控制模塊，配置為從晶片外部存儲器中讀取壞點表中的壞點坐標存入晶片內部存儲器，其中，所述晶片外部存儲器預先存儲有所述壞點表； 遮蓋模塊，配置為根據所述晶片內部存儲器中存儲的壞點坐標，對落入所述壞點坐標的顯示數據進行遮蓋處理； 清除模塊，配置為清除所述晶片內部存儲器中已完成遮蓋處理的壞點坐標。
8.根據權利要求7所述的系統，其特徵在於，進一步包括: 第一判斷模塊，配置為判斷顯示數據是否落入壞點坐標；和/或， 第二判斷模塊，配置為判斷所述晶片內部存儲器中已遮蓋處理的壞點坐標的數量是否達到一預設閥值； 此時控制模塊還可以進一步配置為:根據所述第二判斷模塊返回的確定結果從晶片外部存儲器中讀取壞點坐標存入晶片內部存儲器已清除的存儲空間。
9.根據權利要求7所述的系統，其特徵在於，所述晶片外部存儲器為DDR存儲器。
10.根據權利要求7所述的系統，其特徵在於，所述晶片內部存儲器為雙口 SRAM存儲 器。
【文檔編號】H04N17/00GK104333676SQ201410631943
【公開日】2015年2月4日 申請日期:2014年11月11日 優先權日:2014年11月11日
【發明者】任立, 李國新, 吳大斌 申請人:廣東中星電子有限公司