用於易碎材料的鐳射單一化的改善的方法及裝置的製作方法
2023-07-20 08:52:31
專利名稱：用於易碎材料的鐳射單一化的改善的方法及裝置的製作方法
技術領域：
本發明系有關於用於在易碎材料中加工出形態(feature)的改良方法及裝置。特別是，其系有關於用於包含電子元件之工件之加工的改良方法及裝置，其中一元件的多個複本建立於一共用基板之上。更具體言之，其系有關於使用鐳射之元件單一化(singulation)或將半導體晶圓(semiconductor wafer)變成個別元件之分離動作。
背景技術：
電子元件之製造基本上系藉由在一基板或工件上產出同一元件的多個複本。特別是，半導體元件系在被稱為晶圓的基板上製造，其系由諸如娃(silicon)、砷化鎵(galliumarsenide)或藍寶石(sapphire)等材料或是能夠支援產制半導體元件的各種製程的其他材料所構成的薄盤。在生產製程的某一點，這些元件需要被分離成個別的元件以供後續封 裝及使用。此使其變成個別元件的分離動作稱為"單一化"。單一化可以機械式地執行，利用鑽石塗層鋸片、以化學方式、藉由遮罩及蝕刻、光學式地藉由將鐳射能量導引至晶圓或基板、或是此等方法的組合。單一化可以藉由晶圓或基板的完全切割，或者藉由在晶圓或基板的一或多個表面上進行一部分切割或多處部分切割，而後機械式地將晶圓或基板分割成個別的晶粒。完全切割晶圓或基板通常稱為"切割(dicing)"，而不完全切割晶圓或基板以備後續之分割則常稱為〃劃線(scribing)"。一般而言，元件形狀系呈長方形且以網格形式配置於晶圓或基板之上，使得其可以藉由首先在方向16上而後在與該第一方向呈90度的方向14上在元件間進行完全穿透基板(切割)或不完全穿透基板(劃線)的一連串切割而將元件分離，如同圖I所例示。參見圖1，基板上的元件之單一化之執行基本上系在方向上進行一連串切割，例如在介於每一列元件之間的X方向，接著在介於每一行元件之間的垂直Y方向上進行一連串切割，從而使得晶圓上的每一元件均得以與其他元件分離。元件單一化的相關問題包含固定配置(real estate)、元件損傷、成本、複雜度以及系統生產量。固定配置係指為了達成不對元件造成損傷的單一化，元件之間必須保留空間以使得切割動作可以有足夠的空間進行而不致切到有效的元件。介於有效元件之間的區域被稱為〃分隔道(street)"。圖I之中顯示在晶圓10之上，分隔道14、16介於有效元件12之間。由於處理一片晶圓或基板之成本基本上系固定的，故對於生產廠商而言，每一基板產出愈多元件，則產生的利潤愈大。此使得將分隔道儘可能地變窄以將儘可能多的有效元件擠入晶圓或基板之中變得有利可圖。狹窄分隔道的不利因素包含切口的大小以及鄰近切割處損傷區域的寬度。雖然鐳射基本上可以比機械式刀鋸或化學蝕刻切出更窄之切口，但錯射通常亦在切口附近產生一熱影響區(heat affected zone ;HAZ),其系源於切割晶圓或基板所需的巨幅能量所產生的熱。其不應容許此HAZ交迭到有效元件區域，否則其可能立即造成部件失效，或者縮短部件的使用壽命。該HAZ亦可能在元件使用時，由於HAZ中的裂縫或缺陷從HAZ傳遞到元件的有效元件區域，而導致元件故障。關於晶圓或基板之鐳射單一化的另一問題在於自切口移除之材料的再沉積。鐳射基本上系藉由燒蝕(ablation)以及熱能機制自基板或晶圓移除材料以形成切口。鐳射光束在光束中央附近的能量可能足以燒蝕其照射之材料，意即材料被離子化並形成一電漿雲團而散離切口。較接近射束周邊處或直接相鄰射束處，基板之材料可能無法接收到足夠的能量以燒蝕材料，而只是使材料汽化或熔化及沸騰。在此情況下，材料在其汽化或沸騰時被自切口逐離。當材料被從切口逐出並遠離鐳射光束，其在切口邊緣附近冷卻並重新固化為碎片。若此等碎片抵達元件之有效電路區域，則其可能造成意外的電子故障，因此必須在元件封裝之前加以移除。預測已被自一晶圓切割或劃線的半導體晶粒之可靠度的一種方式系測試晶粒斷裂強度(die break strength)。在此測試之中，一半導體晶粒承受彎曲,直到抵達其失效點。晶粒斷裂強度的變異可以預見半導體組件失效，因此，改善晶粒斷裂強度的晶圓切割或劃線方法亦能增進組件可靠度。已知降低晶粒斷裂強度之事項包含沿著機械或鐳射造成之切割邊緣的缺陷或裂縫。此外，被鐳射汽化或液化的材料沿著切割邊緣再沉積的碎片可能對電路造成損傷並降低可靠度。特別是，提供預定切割速度以及切口尺寸及形狀的鐳射參數亦在切割的頂端邊緣造成HAZ，同時亦傾向於自該切口移除之材料再沉積於切割邊緣而產生碎片。圖2顯示被 鐳射切割之矽晶圓之剖面視圖，其顯示熱影響區以及源自切口之材料之再沉積所造成的碎片。圖2顯示切割晶圓20之剖面視圖，其具有頂端表面22及底部表面24，以及晶粒黏接薄膜(die attach film ；DAF) 26 其顯示切口 28之一側。同時亦顯示再沉積之碎片30以及HAZ 32。該HAZ可以造成晶粒斷裂強度之降低，而再沉積之碎片可以造成元件失效。用以執行此單一化動作之示範性錯射處理裝置系ESI Cignis錯射單一化機器，由PortlandOregon, 97229 的 Electro Scientific Industries, Inc.所製造。此機器使用微微秒(picosecond)等級之錯射以進行娃及其他基板材料之單一化。基板或晶圓鐳射單一化的另一問題在於改善系統生產量。特別是，提供較高切割速度之鐳射參數同時亦產生更多HAZ和再沉積碎片，此系無法接受的。其同時亦應注意，提供高切割速度之鐳射參數同時亦在切割處產生碎片雲(debris cloud)。此碎片雲系由鐳射脈衝所產生的電漿以及鐳射脈衝所產生且被逐離工件的氣體、液體及固體碎片所構成。其已知鐳射脈衝所產生的碎片雲可以自後續之鐳射脈衝吸收能量。圖3系顯示示範性鐳射基板切割製程中之切割深度相對於脈衝數目之關係圖。此顯示使用具有10奈秒脈衝之4瓦特Nd = YVO4鐳射以5KHz重複率(!^petition rate)瞄準單一點進行矽工件之切割。其應可以由圖3之中看出，在此實例之中，切割大約飽和於10脈衝處。相信此飽和系由第一鐳射脈衝產生的碎片雲所造成。在此情況下產生的碎片雲不僅阻擋鐳射輻射使其無法到達工件而防礙材料移除，並且進一步吸收加熱電漿的鐳射能量。當電漿吸收能量，其從而變熱，且由於其接近工件，故將一些熱能轉移至工件之部分，包含正被加工的形態所在之側壁。此外，雲團中的汽體、液體或固體材料可能被逐出雲團並沉積於工件之上。此轉移之能量及材料造成裂縫、形態側壁之劣化並增加碎片。並且，若能量更強之脈衝或更多脈衝被導入工件，使得更多能量經由碎片雲傳送至工件並從而讓材料加工之作用持續，導致更多能量耦合入碎片雲，而造成破裂、品質下降及碎片問題更形惡化。即使是使用微微秒或飛秒(femtosecond)等級的短持續時間脈衝之超快速製程以在材料有時間將熱傳到相鄰之區域前進行材料之燒蝕，亦無法避免能量耦合進入碎片雲。取決於所使用的材料以及鐳射參數，此能量對工件造成相對應之損傷。
有關晶圓或基板之切割及劃線之問題曾是先前研究之主題。發明人DonaldW.Brouillette、Robert F. Cook、Thomas G. Ference> Wayne J. Howell、Eric G. Liniger,以及Ronald L. Mendelson,於2001年8月7日之編號6，271，102的美國專利案METHODAND SYSTEM FOR DICING WAFERS, AND SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCORPORATING THEPRODUCTS THERE0F(用於切割晶圓的方法及系統、以及含納其產品之半導體結構)之中，描述在鐳射自正面及背面切割之前以一鋸片切割具有去角形態邊緣之晶圓以增進晶粒斷裂強度。此例中，其以鐳射或鋸片產生去角形態之切割而非直線切割。發明人Salman Akram於 2006 年 10 月 31 日之編號 7，129，114 的美國專利案 METHODS RELATING TO SIN⑶LATINGSEMICONDUCTOR WAFERS AND WAFER SCALE ASSEMBLIES (有關單一化半導體晶圓以及晶圓尺寸組件的方法)之中試圖藉由劃出緊鄰鐳射切割之渠道並以保護材料塗覆這些渠道以解決晶粒斷裂強度之問題。發明人Adrian Boyle於2006年11月9日之編號006/0249480的美國專利公開案LASER MACHINING USING AN ACTIVE ASSIST GAS(利用活性輔助汽體的鐳 射加工)之中，揭示利用一輔助氣體蝕刻掉切割邊緣的損傷部分以增進晶粒斷裂強度。發明人 Kali Dunne 及 Fallon O』fciain 於 2008 年 6 月 5 日之編號 2008/064863 的 WIPO 專利公開案之中描述利用沿切割路徑分隔之特別型樣鐳射脈衝進行多次以避免碎片雲。此等參考文件之共同點在於其皆希望藉由試著克服鐳射切割造成的晶粒斷裂強度及碎片問題以增進切割或劃線之後的晶粒品質。這些方法需要切割從晶圓的頂端及底部同時完成，由鐳射及機械鋸切之結合達成，或是需要諸如化學蝕刻的額外處理步驟以及設備，或是需要利用鐳射進行多次動作。故所需求的系以鐳射切割晶圓的有效率方式，無需額外的處理步驟、額外的多次動作或額外的設備，並藉由避免由鐳射加工造成碎片團而提供晶圓改善之晶粒斷裂強度以及減少之碎片。
發明內容
本發明系一種用於鐳射加工易碎材料的改良方法及裝置。本發明之特色包含提供具有鐳射參數之鐳射並利用第一鐳射參數以該鐳射在工件進行第一切割，而後利用第二鐳射參數以該鐳射在該工件進行第二切割，該第二切割相鄰該第一切割且避開該第一鐳射切割所產生之碎片雲。本發明之特色更包含移動鐳射與工件交會之點以避開先前切割所產生之碎片雲，而後利用第二鐳射參數以鐳射進行切割。本發明之特色增進鐳射處理之優點，包含增加生產量，較小之分隔道尺寸以及縮減的耗材成本，同時並排除有關鐳射諸如熱影響區以及碎片再沉積之問題，從而增加晶粒斷裂強度。本發明之實施例可以藉由調整現有鐳射晶圓單一化系統實施而成，例如由位於Portland OR 的 Electro Scientific Industries, Inc.所製造的 ESI Cigins 晶圓單一化系統。此系統使用微微秒鐳射對半導體晶圓進行切割或劃線。在運作之時，晶圓被固定於系統之上，接著在鐳射以脈衝形式發出時透過運轉平臺相對於晶圓移動鐳射光束，從而達成單一化晶圓所需之線性切割。此系統藉由改變所用的鐳射參數被調整以實現本發明之特色，可能包含所使用的鐳射種類。此外，這些鐳射參數需要被編程控制以在不同切割之間改變鐳射參數。該系統需要被調整以允許後續鐳射切割鄰近或接近先前切割且避開碎片雲。在本發明的此一特色之中，鐳射脈衝以數個脈衝加工特定區域，脈衝數目可高達飽和該位置所需之脈衝數目之特定極限，而後快速地移動至離開碎片雲之鄰近位置以繼續在未飽和位置進行加工。飽和意味一連串鐳射脈衝之加工效率之降低，其系由取決於脈衝數目之碎片雲鐳射能量吸收所造成。本發明之特色藉由先在基板或晶圓進行鐳射切割以單一化基板或晶圓。調整鐳射參數以提供所需之切割速度以及切口尺寸和形狀。此鐳射切割系對晶圓或基板進行不完全之穿透。其選擇與此切割相關之鐳射參數以最小化裂縫以及再沉積碎片。較低能量密度(fluence)之鐳射參數增加切割時間，但因為此切割僅是不完全穿透晶圓或基板，故對系統生產量的影響不大。其亦應注意，此等初始鐳射切割可能需要鐳射光束多次動作，以使得該切割到達所需之深度，或者其可以導引鐳射光束以在切割時照射到基板或晶圓上的許多不同點。初始切割之後，本發明之特色調整鐳射參數以增加晶圓或基板之表面的鐳射能量密度，而後導引鐳射光束以在晶圓或基板上相鄰先前切割處加工出穿透之切割。其調整鐳射參數以允許鐳射光束自晶圓移除材料，同時最小化對於晶圓或基板的額外損傷。此系由於執行第二切割的鐳射脈衝所產生的碎片雲有餘地擴展至先前切割所造成之空間。以此種方式，碎片雲更加快速地消散，而容許更大重複率以及更強能量之脈衝，此有助於增進生產 量同時降低裂縫以及再沉積碎片。此容許增進更大晶粒斷裂強度之生產量。本發明之特色亦可以以反覆之方式處理晶圓或基板，當切割更深入晶圓或基板時，交替使用第一鐳射參數切割和第二參數切割。鐳射脈衝聚焦之深度增加以允許材料加工之切割深度漸次加深。依據本發明特色之基板或晶圓處理之一優點在於第一切割處理可以在與執行第二切割的同一鐳射處理系統上進行。其調整執行初始切割之前述ESICignis鐳射單一化系統，以藉由修改鐳射處理射束之相關鐳射參數，產生不會對基板或晶圓造成額外傷害之切害I]，以使得鐳射能夠在不產生HAZ或碎片的情形下自基板或晶圓移除材料。此系有可能的，因為單位時間內被移除的材料減少甚多，因此鐳射能量密度可以較低。系統同時亦被調整以允許有效率地加工鄰近位置。本發明之另一特色藉由以一些具有特定鐳射參數之鐳射脈衝先在一位置進行加工以單一化基板或晶圓，這些鐳射參數系上達特定材料之飽和極限。而後其藉由鐳射處理系統快速地將這些鐳射脈衝導引至鄰近或接近第一位置之位置，並以具有上達第二飽和極限之第二鐳射參數之一些脈衝繼續進行加工。此實施例使用適當定位以將鐳射脈衝導引至工件上預定位置之複合射束以達成所需之系統生產量。本發明之這些特色之優點在於基板或晶圓無需移動且無需在另一不同的機器上再次校準，其亦無須翻轉及放回機器以在一不同的面上進行鐳射處理，其亦無需將機器設計成自兩面處理基板或晶圓。此外，藉由本發明之特色，其不需要化學或額外的製程步驟，諸如在晶圓或基板上沉積額外之材料迭層。雖然此需要至少二次動作以處理晶圓或基板中的單一切割，但動作的數目實質上少於需要多次動作的跳過相鄰位置之方法。依據本發明之特色的晶圓或基板處理增進晶粒斷裂強度並自經過單一化之元件移除再沉積材料，無需額外的設備、製程步驟或耗材供應。
圖1，半導體晶圓。圖2，晶圓切割之剖面視圖。
圖3，顯示切割深度相對於脈衝數目之關係圖。圖4a，進行第一切割之晶圓。圖4b，進行第一及第二切割之晶圓。圖5，顯示切割深度相對於脈衝數目之關係圖。圖6，調構出之鐳射處理系統。
具體實施例方式本發明系一種用於產制於基板或晶圓上的電子元件之鐳射單一化的改良方法。本發明之一實施例包含鐳射處理系統，內有具有鐳射參數之鐳射。此實施例使用該鐳射利用第一組鐳射參數在基板或晶圓進行一部分切割。這些參數允許以可接受之切口寬度和可接受之速率在晶圓或基板中進行預定之切割而不致產生無法接受的HAZ或再沉積碎片。此實 施例接著在相鄰該第一切割處利用第二組鐳射參數以鐳射切割該晶圓或基板。進行相鄰該第一切割之第二切割允許來自基板或晶圓之碎片雲被切割而散入第一切割之容納空間，從而在後續鐳射脈衝降低因加熱碎片雲而導致的不良效應。以此方式進行加工之工件展現出改善之晶粒斷裂強度以及減少之碎片。此實施例增進鐳射處理之優點，包含增加生產量，較小之分隔道尺寸以及縮減的耗材成本，同時並排除有關鐳射諸如熱影響區以及碎片再沉積之問題。本發明之一實施例對基板或晶圓進行之單一化系藉由進行不完全穿透基板或晶圓之鐳射切割以備後續相鄰該第一次切割之第二切割的穿透切割。參見圖1，晶圓10具有電子元件12產制於晶圓10之表面上。此等電子元件被水平的14及垂直的16分隔道隔開。分隔道系晶圓或基板上在有效元件之間保留的區域以容許進行單一化而不傷害有效元件的空間。基板上的元件之單一化之執行基本上系在一方向上進行一連串切割，例如在介於每一列元件之間的X方向(水平分隔道14)，接著在介於每一行元件之間的垂直Y方向上(垂直分隔道16)進行一連串切割，從而使得晶圓上的每一元件均得以與其他元件分離。調整鐳射參數以提供所需之切割速度以及切口尺寸和形狀。此等初始鐳射切割可能需要鐳射光束多次動作，以使得切割到達所需之深度，或者其可以導引鐳射光束以在切割時照射到基板或晶圓上的不同點。圖4a顯示在一晶圓之中進行初始切割。在圖4a之中，鐳射光束42被導引至工件40以自晶圓40移除材料而形成初始切割50。其選擇鐳射參數以容許在可接受的速率下自工件移除材料而同時產生最少的HAZ及碎片。本發明用以建立該初始切割之一實施例所使用的示範性錯射參數顯示於表I之中。
權利要求
1.一種用於鐳射加工易碎工件之改良的方法，所述改良之處包含 提供具有鐳射參數之鐳射； 利用第一鐳射參數以所述鐳射在所述工件中進行第一切割；以及 利用第二鐳射參數以所述鐳射在所述工件中進行第二切割，所述第二切割大致相鄰所述第一切割，同時基本上避開所述第一鐳射切割所產生之碎片雲。
2.如申請專利範圍第I項所述之方法，其中所述第一及第二鐳射參數包含鐳射種類、波長、脈衝持續時間、脈衝時序形狀、鐳射功率、能量密度、重複率、速度、間距、光斑尺寸、光斑形狀以及焦點高度。
3.如申請專利範圍第2項所述之方法，其中所述第一鐳射參數中之鐳射種類包含Nd:YAG, NdiYLF或Nd = YVO4或光纖鐳射其中之一。
4.如申請專利範圍第2項所述之方法，其中所述第一鐳射參數中之波長範圍為從大約255奈米(nm)到大約2微米。
5.如申請專利範圍第2項所述之方法，其中所述第一鐳射參數中之脈衝持續時間為從大約10飛秒到大約100微秒。
6.如申請專利範圍第2項所述之方法，其中所述第一鐳射參數中之脈衝時序形狀為高斯、裁製或方波其中之一。
7.如申請專利範圍第2項所述之方法，其中所述第一鐳射參數中之鐳射功率範圍為從大約O. I微焦耳(microjoule)到大約I. O毫焦耳(millijoule)。
8.如申請專利範圍第2項所述之方法，其中所述第一鐳射參數中之能量密度範圍為從O.I微焦耳/平方公分(microjoules/cm2)到大約200焦耳/平方公分(Joules/cm2)。
9.如申請專利範圍第2項所述之方法，其中所述第一鐳射參數中之重複率為大約IkHz或更聞。
10.如申請專利範圍第2項所述之方法，其中所述第一鐳射參數中之速度範圍為從大約10毫米/秒(mm/S)到大約10米/秒(10m/s)。
11.如申請專利範圍第2項所述之方法，其中所述第一鐳射參數中之間距範圍為從O微米到大約50微米。
12.如申請專利範圍第2項所述之方法，其中所述第一鐳射參數中之光斑尺寸為大於或等於大約2微米。
13.如申請專利範圍第2項所述之方法，其中所述第一鐳射參數中之光斑形狀為高斯式、頂帽式(圓形)或頂帽式(方形)的其中之一。
14.如申請專利範圍第2項所述之方法，其中所述第一鐳射參數中之焦點高度範圍為從-10毫米(mm)到10毫米。
15.如申請專利範圍第2項所述之方法，其中所述第二鐳射參數中之鐳射種類包含Nd: YAG、Nd: YLF、或Nd: YVO4或光纖鐳射其中之一。
16.如申請專利範圍第2項所述之方法，其中所述第二鐳射參數中之波長範圍為從大約255奈米到大約2微米。
17.如申請專利範圍第2項所述之方法，其中所述第二鐳射參數中之脈衝持續時間為從大約10飛秒到大約100微秒。
18.如申請專利範圍第2項所述之方法，其中所述第二鐳射參數中之脈衝時序形狀為高斯、裁製或方形其中之一。
19.如申請專利範圍第2項所述之方法，其中所述第二鐳射參數中之鐳射功率範圍為從大約O. I微焦耳到大約I. O毫焦耳。
20.如申請專利範圍第2項所述之方法，其中所述第二鐳射參數中之能量密度範圍為從O. I微焦耳/平方公分到大約200焦耳/平方公分。
21.如申請專利範圍第2項所述之方法，其中所述第二鐳射參數中之重複率為大約IkHz或更高。
22.如申請專利範圍第2項所述之方法，其中所述第二鐳射參數中之速度範圍為從大約10毫米/秒到大約10米/秒。
23.如申請專利範圍第2項所述之方法，其中所述第二鐳射參數中之間距範圍為從O微米到大約50微米。
24.如申請專利範圍第2項所述之方法，其中所述第二鐳射參數中之光斑尺寸為大於或等於大約2微米。
25.如申請專利範圍第2項所述之方法，其中所述第二鐳射參數中之光斑形狀為高斯式、頂帽式(圓形)或頂帽式(方形)的其中之一。
26.如申請專利範圍第2項所述之方法，其中所述第二鐳射參數中之焦點高度範圍為從-10毫米到+10毫米。
27.一種用於鐳射加工易碎工件之改良的裝置，包含 鐳射，具有鐳射脈衝及鐳射脈衝參數； 鐳射光學模組，用以將所述鐳射脈衝導引至所述工件； 運轉平臺，用以在控制器的指揮下相對於所述鐳射脈衝移動所述工件； 控制器，用以控制所述鐳射脈衝參數、所述運轉平臺以及所述鐳射光學模組， 其中所述鐳射為用以藉由所述控制器與所述鐳射、所述鐳射光學模組以及所述運轉平臺的協同運作下以第一鐳射參數在第一位置加工所述工件，且之後所述鐳射以第二鐳射參數在相鄰所述第一位置之第二位置加工所述工件，而避開在所述第一位置加工時所產生之碎片雲。
28.如申請專利範圍第27項所述之方法，其中所述第一及第二鐳射參數包含鐳射種類、波長、脈衝持續時間、脈衝時序形狀、鐳射功率、能量密度、重複率、速度、間距、光斑尺寸、光斑形狀以及焦點高度。
29.如申請專利範圍第28項所述之方法，其中所述第一鐳射參數中之鐳射種類包含Nd:YAG, NdiYLF或Nd = YVO4或光纖鐳射其中之一。
30.如申請專利範圍第28項所述之方法，其中所述第一鐳射參數中之波長範圍為從大約255奈米到大約2微米。
31.如申請專利範圍第28項所述之裝置，其中所述第一鐳射參數中之脈衝持續時間為從大約10飛秒到大約100微秒。
32.如申請專利範圍第28項所述之方法，其中所述第一鐳射參數中之脈衝時序形狀為高斯、裁製或方形其中之一。
33.如申請專利範圍第28項所述之方法，其中所述第一鐳射參數中之鐳射功率範圍為從大約O. I微焦耳至大約I. O毫焦耳。
34.如申請專利範圍第28項所述之方法，其中所述第一鐳射參數中之能量密度範圍為從O. I微焦耳/平方公分到大約200焦耳/平方公分。
35.如申請專利範圍第28項所述之方法，其中所述第一鐳射參數中之重複率為大約IkHz或更高。
36.如申請專利範圍第28項所述之方法，其中所述第一鐳射參數中之速度範圍為從大約10毫米/秒到大約10米/秒。
37.如申請專利範圍第28項所述之裝置，其中所述第一鐳射參數中之間距範圍為從O微米到大約50微米。
38.如申請專利範圍第28項所述之方法，其中所述第一鐳射參數中之光斑尺寸為大於或等於大約2微米。
39.如申請專利範圍第28項所述之方法，其中所述第一鐳射參數中之光斑形狀為高斯式、頂帽式(圓形)或頂帽式(方形)的其中之一。
40.如申請專利範圍第28項所述之方法，其中所述第一鐳射參數中之焦點高度範圍為從-10毫米到10毫米。
41.如申請專利範圍第28項所述之方法，其中所述第二鐳射參數中之鐳射種類包含Nd:YAG, NdiYLF或Nd = YVO4或光纖鐳射其中之一。
42.如申請專利範圍第28項所述之方法，其中所述第二鐳射參數中之波長範圍為從大約255奈米到大約2微米。
43.如申請專利範圍第28項所述之方法，其中所述第二鐳射參數中之脈衝持續時間為從大約10飛秒到大約100微秒。
44.如申請專利範圍第28項所述之方法，其中所述第二鐳射參數中之脈衝時序形狀為高斯、裁製或方形其中之一。
45.如申請專利範圍第28項所述之裝置，其中所述第二鐳射參數中之鐳射功率範圍為從大約O. I微焦耳到大約I. O毫焦耳。
46.如申請專利範圍第28項所述之方法，其中所述第二鐳射參數中之能量密度範圍為從O. I微焦耳/平方公分到大約200焦耳/平方公分。
47.如申請專利範圍第28項所述之方法，其中所述第二鐳射參數中之重複率為大約IkHz或更高。
48.如申請專利範圍第28項所述之方法，其中所述第二鐳射參數中之速度範圍為從大約10毫米/秒到大約10米/秒。
49.如申請專利範圍第28項所述之方法，其中所述第二鐳射參數中之間距範圍為從O微米到大約50微米。
50.如申請專利範圍第28項所述之方法，其中所述第二鐳射參數中之光斑尺寸為大於或等於大約2微米。
51.如申請專利範圍第28項所述之方法，其中所述第二鐳射參數中之光斑形狀為高斯式、頂帽式(圓形)或頂帽式(方形)的其中之一。
52.如申請專利範圍第28項所述之方法，其中所述第二鐳射參數中之焦點高度範圍為從-10毫米到10毫米。
全文摘要
本發明實施例提供一種用於電子基板60單一化成晶粒的改良方法，運用一鐳射70先在該基板60形成切割62，而後藉由改變鐳射參數以對切割62之邊緣63去角66、67。此去角66、67動作藉由降低殘留損傷而增加晶粒斷裂強度，並在不需要額外製程步驟、額外設備或耗材供應下移除初始鐳射切割62所造成的碎片。
文檔編號H01L21/301GK102844844SQ201180017460
公開日2012年12月26日 申請日期2011年3月31日 優先權日2010年4月2日
發明者大迫康, 達瑞·芬恩 申請人:伊雷克託科學工業股份有限公司