線圈部件的製作方法

2023-08-02 16:19:01

本發明涉及線圈部件，特別是涉及如電子設備中的面向電源平滑電路的扼流線圈等那樣作為電源用電感器而優選使用的線圈部件。

背景技術：

在民用或者工業用的電子設備領域中，作為電源用的電感器而多使用表面安裝型的線圈部件。這是由於，表面安裝型的線圈部件為小型·薄型且電絕緣性表現優異、而且能夠以低成本進行製造。對於表面安裝型的線圈部件的一個具體結構而言，存在應用了印製電路基板技術的平面線圈結構。

對於提高線圈的電感的一個方法來說，存在提高磁路的導磁率的方法。在上述的線圈部件中為了提高磁路的導磁率而有必要提高含有金屬磁性粉的樹脂層中的金屬粉的填充率。為了提高金屬粉的填充率而用小粒徑的金屬粉來填埋大粒徑的金屬粉的間隙是有效的。但是，如果緻密填充進展而使金屬粉彼此的接觸變得過多的話，則會有磁芯損耗增加且直流重疊特性發生惡化等的問題。

因此，提出了專利文獻1所表示的線圈部件。根據該線圈部件，可以一邊抑制磁芯損耗的增加一邊謀求電感的提高。

然而，近年來，除了導磁率、磁芯損耗之外，進一步要求提高耐電壓等的各種性能的線圈部件。

專利文獻1：日本特開2014-60284號公報

技術實現要素：

本發明是有鑑於這樣的實際狀況而完成的發明，其目的在於，提供一種在初始導磁率、磁芯損耗以及耐電壓方面表現優異的線圈部件、以及能夠製作在初始導磁率、磁芯損耗以及耐電壓方面表現優異的線圈部件的含有金屬磁性粉的樹脂。

解決問題的技術手段

為了達到上述目的，本發明所涉及的線圈部件，由線圈、以及覆蓋所述線圈的含有金屬磁性粉的樹脂構成，所述金屬磁性粉具有D50不同的至少2種金屬磁性粉，所述2種金屬磁性粉中，在將D50大的金屬磁性粉作為大徑粉並且將D50小的金屬磁性粉作為小徑粉的情況下，所述大徑粉由鐵或者鐵基合金構成，所述小徑粉由Ni-Fe合金構成，所述小徑粉的D50為0.5～1.5μm，所述大徑粉以及所述小徑粉具有絕緣塗層。

本發明所涉及的線圈部件，特別是通過使用具有上述的技術特徵的金屬磁性粉從而在初始導磁率、磁芯損耗以及耐電壓方面表現優異。

本發明所涉及的含有金屬磁性粉的樹脂為用於上述的線圈部件的含有金屬磁性粉的樹脂。通過使用本發明所涉及的含有金屬磁性粉的樹脂從而能夠製作在初始導磁率、磁芯損耗以及耐電壓方面表現優異的線圈部件。

所述大徑粉的D50優選為15～40μm。

所述小徑粉的D50優選為0.5～1.0μm(不包含1.0μm)。

所述小徑粉的D90優選為4.0μm以下。

至少所述小徑粉優選為球狀。

所述Ni-Fe合金中的Ni的含有率優選為75～82％。

所述金屬磁性粉整體中所述小徑粉所佔的配合比率優選為5～25％。

所述絕緣塗層的厚度優選為5～45nm。

所述絕緣塗層優選包含由SiO2構成的玻璃。

所述絕緣塗層優選包含磷酸鹽。

另外，所屬金屬磁性粉也可以進一步具有D50小於所述大徑粉且大於所述小徑粉的中徑粉。

所述中徑粉優選具有絕緣塗層。

所述中徑粉的D50優選為3.0～10μm。

所述中徑粉優選由鐵或者鐵基合金構成。

所述金屬磁性粉整體中所述大徑粉所佔的配合比率優選為70～80％，所述中徑粉所佔的配合比率優選為10～15％，所述小徑粉所 佔的配合比率優選為10～15％。

附圖說明

圖1是本發明的一個實施方式所涉及的線圈部件的立體圖。

圖2是圖1所表示的線圈部件的分解立體圖。

圖3是沿著圖1所表示的III-III線的截面圖。

圖4A是沿著圖1所表示的IV-IV線的截面圖。

圖4B是圖4A的端子電極附近的主要部分放大截面圖。

圖5是被絕緣塗覆的金屬磁性粉的模式圖。

圖6是表示小徑粉的配合比與初始導磁率的關係的圖表。

圖7是表示小徑粉的配合比與Pcv的關係的圖表。

圖8是表示小徑粉的Ni含有比率與初始導磁率的關係的圖表。

圖9是表示小徑粉的Ni含有比率與Pcv的關係的圖表。

圖10是表示小徑粉的粒徑與初始導磁率的關係的圖表。

圖11時表示小徑粉的粒徑與Pcv的關係的圖表。

圖12是表示小徑粉的絕緣膜厚與初始導磁率的關係的圖表。

圖13是表示小徑粉的絕緣膜厚與耐電壓的關係的圖表。

圖14是表示大徑粉和小徑粉的種類與初始導磁率的關係的圖表。

圖15是表示大徑粉和小徑粉的種類與直流重疊特性的關係的圖表。

圖16是表示小徑粉的D90與初始導磁率的關係的圖表。

圖17是表示小徑粉的D90與Pcv的關係的圖表。

具體實施方式

以下，根據附圖所表示的實施方式來說明本發明。

作為本發明所涉及的線圈部件的一個實施方式，可以列舉圖1～圖4所表示的線圈部件2。如圖1所示，線圈部件2具有矩形平板形狀的磁芯素體10、分別安裝於磁芯素體10的X軸方向的兩端的一對端子電極4,4。端子電極4,4覆蓋磁芯素體10的X軸方向端面並且在X軸方向端面的附近覆蓋磁芯素體10的Z軸方向的上表面10a和下表面10b的一部分。再有，端子電極4,4也覆蓋磁芯素體10的Y軸方向的 一對側面的一部分。

如圖2所示，磁芯素體10由上部磁芯15和下部磁芯16構成，在其Z軸方向的中央部，具有絕緣基板11。

絕緣基板11優選由使環氧樹脂浸漬於玻璃布的一般的印製線路基板材料構成，但是，並沒有特別的限定。

另外，在本實施方式中樹脂基板11的形狀為矩形，但也可以是其他形狀。對於樹脂基板11的形成方法來說也沒有特別的限制，例如可以由注塑成形、刮刀法、絲網印刷等進行形成。

另外，在絕緣基板11的Z軸方向的上表面(一個主面)形成有由圓形螺旋狀的內部導體通道12構成的內部電極圖形。內部導體通道12最終成為線圈。另外，對於內部導體通道12的材質來說，沒有特別的限制。

在螺旋狀的內部導體通道12的內周端形成有連接端12a。另外，在螺旋狀的內部導體通道12的外周端，以沿著磁芯素體10的一個X軸方向端部進行露出的方式形成有引線用接觸部12b。

在絕緣基板11的Z軸方向的下表面(另一個主面)形成有由螺旋狀的內部導體通道13構成的內部電極圖形。內部導體通道13最終成為線圈。另外，對於內部導體通道13的材質來說，沒有特別的限制。

在螺旋狀的內部導體通道13的內周端形成有連接端13a。另外，在螺旋狀的內部導體通道13的外周端，以沿著磁芯素體10的一個X軸方向端部進行露出的方式形成有引線用接觸部13b。

如圖3所示，連接端12a和連接端13a在Z軸方向上夾著絕緣基板11而形成於相反側，並且在X軸方向、Y軸方向上形成於相同位置。然後，通過埋入到形成於絕緣基板11的通孔11i的通孔電極18進行電連接。即，螺旋狀的內部導體通道12和同樣螺旋狀的內部導體通道13通過通孔電極18而電連接且串聯連接。

從絕緣基板11的上表面11a側看到的螺旋狀的內部導體通道12從外周端的引線用接觸部12b朝著內周端的連接端12a構成逆時針的螺旋。

相對於此，從絕緣基板11的上表面11a側看到的螺旋狀的內部導體通道13從內周端即連接端13a朝著外周端即引線用接觸部13b構成 逆時針的螺旋。

由此，通過電流流過螺旋狀的內部導線通道12,13而產生的磁通的方向一致，在螺旋狀的內部導線通道12,13產生的磁通互相重疊而增強，從而能夠獲得大的電感。

上部磁芯15在矩形平板狀的磁芯主體的中央部具有朝著Z軸方向的下方突出的圓柱狀的中柱部15a。另外，上部磁芯15在矩形平板狀的磁芯主體的Y軸方向的兩端部具有朝著X軸方向的下方突出的板狀的側柱部15b。

下部磁芯16具有與上部磁芯15的磁芯主體相同的矩形平板狀的形狀，上部磁芯15的中柱部15a和側柱部15b分別被連結於下部磁芯16的中央部以及Y軸方向的端部並被一體化。

還有，在圖2中，磁芯素體10以被分離成上部磁芯15和下部磁芯16方式被描繪，但是，它們也可以由含有金屬磁性粉的樹脂來進行一體化而形成。另外，形成於上部磁芯15的中柱部15a以及/或者側柱部15b也可以被形成於下部磁芯16。不管怎樣，磁芯素體10構成完全的閉磁路，並且在閉磁路內不存在間隙。

如圖2所示，在上部磁芯15與內部導體通道12之間介有保護絕緣層14，它們被絕緣。另外，在下部磁芯16與內部導體通道13之間介有矩形薄片狀的保護絕緣層14，它們被絕緣。在保護絕緣層14的中央部，形成有圓形的貫通孔14a。另外，在絕緣基板11的中央部也形成有圓形的貫通孔11h。通過這些貫通孔14a以及11h，上部磁芯15的中柱部15a在下部磁芯16的方向上延伸並與下部磁芯16的中央相連結。

如圖4A以及圖4B所示，在本實施方式中，端子電極4具有與磁芯素體10的X軸方向端面相接觸的內層4a、以及被形成於內層4a的表面的外層4b。內層4a在磁芯素體10的X軸方向的端面附近也覆蓋磁芯素體10的上表面10a以及下表面10b的一部分，外層4b覆蓋其外表面。

在此，在本實施方式中，磁芯素體10由含有金屬磁性粉的樹脂構成。所謂含有金屬磁性粉的樹脂，是指金屬磁性粉被混入到樹脂而成的磁性材料。

以下，對本實施方式中的金屬磁性粉進行說明。

本實施方式中的金屬磁性粉包含D50不同的至少2種金屬磁性粉。在此，所謂D50，是指累計值為50％的粒度的直徑。

然後，在上述2種金屬磁性粉中，將D50大的金屬磁性粉設為大徑粉，將D50小於大徑粉的金屬磁性粉設為小徑粉。本實施方式所涉及的金屬磁性粉中，大徑粉由鐵或鐵基合金構成，小徑粉由Ni-Fe合金構成。

所謂本實施方式的鐵基合金，是指含有90重量％以上的鐵的合金。另外，如果含有90重量％以上的鐵的話，則對於大徑粉的種類來說，沒有特別的限制，除了鐵基非晶粉、羰基鐵粉(純鐵粉)之外，還能夠使用各種Fe系合金。

所謂本實施方式的Ni-Fe合金，是指含有28重量％以上的Ni並且剩餘部分由Fe以及其他元素構成的合金。對於其他元素的含量來說，沒有特別的限制，在將Ni-Fe合金整體設為100重量％的情況下，能夠為8重量％以下。

再有，本實施方式所涉及的金屬磁性粉，如圖5所示，具有絕緣塗層(被絕緣塗覆)。還有，所謂「具有絕緣塗層」，是指該粉末中的全部粉末粒子中、50％以上的粉末粒子具有絕緣塗層的情況。

具有絕緣塗層的金屬磁性粉中的金屬磁性粉的粒徑為圖5的d1的長度。另外，圖5的d2的長度、即該金屬磁性粉中的絕緣塗層的最大厚度成為該金屬磁性粉中的絕緣塗層的厚度。另外，絕緣塗層並不一定有必要覆蓋全部的金屬性粉的表面。50％以上的表面被絕緣塗層覆蓋的金屬磁性粉可看作為是具有絕緣塗層的金屬磁性粉。

通過本實施方式所涉及的金屬磁性粉具有上述的結構，從而能夠獲得初始導磁率、磁芯損耗、耐電壓、絕緣電阻以及直流重疊特性全部優異的磁芯素體10。

以下，對本實施方式中的金屬磁性粉進行進一步詳細的說明。

對於大徑粉的D50來說，沒有特別的限制，優選為15～40μm，更加優選為15～30μm。通過大徑粉的D50在上述的範圍內從而飽和磁通密度以及導磁率提高。

對於小徑粉的D50來說，沒有特別的限制，優選為0.5～1.5μm，更 優選為0.5～1.0μm(不包含1.0μm)，進一步優選為0.7～0.9μm。通過小徑粉的D50在上述的範圍內從而初始導磁率提高並且磁芯損耗降低。

優選小徑粉的粒徑的偏差小。具體來說，小徑粉的D90(累計值為90％的粒度的直徑)優選為4.0μm以下。通過D90為4.0μm以下從而初始導磁率提高並且磁芯損耗降低。

大徑粉以及小徑粉優選為球狀。在本實施方式中所謂是球狀，具體來說，是球形度為0.9以上的情況。另外，球形度能夠由圖像式粒度分布儀進行測定。

Ni-Fe合金中的Ni的含有率優選為40～85％，特別優選為75～82％。通過將Ni的含有率作為上述的範圍內從而初始導磁率提高並且磁芯損耗降低。還有，上述的含有率為重量比率。

金屬磁性粉整體中小徑粉所佔的配合比率優選為5～25％，更加優選為6.5～20％。通過將小徑粉的配合比率作為上述的範圍內從而初始導磁率提高並且磁芯損耗降低。還有，上述的配合比率為重量比率。

對於絕緣塗層22的厚度來說，沒有特別的限制，優選將小徑粉的絕緣塗層22的平均厚度作為5～45nm，特別優選為10～35nm。另外，可以在小徑粉和大徑粉中使絕緣塗層22的厚度相同，也可以使大徑粉的絕緣塗層22的厚度厚於小徑粉的絕緣塗層22的厚度。

對於絕緣塗層22的材質來說，沒有特別的限制，能夠使用在本技術領域中一般使用的絕緣塗層。優選為包含由SiO2構成的玻璃的被膜或者包含磷酸鹽的磷酸鹽化學合成皮膜，特別優選為包含由SiO2構成的玻璃的被膜。另外，對於絕緣塗層的方法來說，也沒有特別的限制，能夠使用在本技術領域中通常使用的方法。

再有，本實施方式所涉及的金屬磁性粉也可以還具有D50小於上述大徑粉的D50並且大於上述小徑粉的D50的中徑粉。

中徑粉也與大徑粉、小徑粉相同，優選具有絕緣塗層。

中徑粉的D50優選為3.0～10μm。通過中徑粉的D50為上述的範圍內從而導磁率提高。

對於中徑粉的材質來說，沒有特別的限制，但是，優選與大徑粉相同由鐵或者鐵基合金進行構成。

再有，作為金屬磁性粉整體中各個粉末所佔的配合比率，大徑粉 的配合比率優選為70～80％，上述中徑粉的配合比率優選為10～15％，上述小徑粉的配合比率優選為10～15％。通過為上述的配合比率從而特別是磁芯損耗降低並且導磁率提高。

本實施方式中的大徑粉、中徑粉、小徑粉的粒徑、絕緣塗層的厚度等能夠由透射電子顯微鏡來進行測定。還有，通常，本實施方式中的大徑粉、中徑粉、小徑粉的粒徑或材質等在磁芯素體10的製造工序中實質上不會發生變化。

作為本實施方式所涉及的金屬磁性粉，通過使用具有絕緣塗層的上述的金屬磁性粉，從而能夠在低加壓或者非加壓成形下對高密度的磁芯素體10進行成形，並且能夠實現高導磁率而且低損耗的磁芯素體10。

還有，可以認為能夠獲得高密度的磁芯素體10是由於，中徑粉以及/或者小徑粉填埋在僅使用大徑粉的情況下所產生的間隙。另外，可以認為為了進一步提高磁芯素體10的密度而不使用中徑粉並且僅使用小徑粉。通過不使用中徑粉從而存在可獲得導磁率高於使用中徑粉的情況的磁芯素體10。

相對於此，在使用中徑粉和小徑粉的雙方的情況下，即使小徑粉的Ni含量的變化等的各種條件發生變化，也能夠獲得對應於各種條件的變化的特性的變化小的磁芯素體10。因此，在使用中徑粉和小徑粉的雙方的情況下，磁芯素體10的製造穩定性高於僅使用小徑粉的情況。

上述含有金屬磁性粉的樹脂中的金屬磁性粉的含有率優選為90～99重量％，更加優選為95～99重量％。如果減少相對於樹脂的金屬磁性粉的量的話，則飽和磁通密度以及導磁率變小，相反的，如果增多金屬磁性粉的量的話，則飽和磁通密度以及導磁率變大，所以能夠由金屬磁性粉的量來調整飽和磁通密度以及導磁率。

包含於含有金屬磁性粉的樹脂的樹脂起到作為絕緣粘結材料的功能。作為樹脂的材料，優選使用液狀環氧樹脂或者粉體環氧樹脂。另外，樹脂的含有率優選為1～10重量％，更加優選為1～5重量％。另外，在使金屬磁性粉和樹脂混合的時候，優選使用樹脂溶液來獲得含有金屬磁性粉的樹脂溶液。對於樹脂溶液的溶劑來說，沒有特別的限定。

以下，對線圈部件2的製造方法進行敘述。

首先，由鍍敷法，將螺旋狀的內部導體通道12,13形成於絕緣基板11。對於鍍敷條件來說，沒有特別的限定。另外，也可以由鍍敷法以外的方法來進行形成。

接著，將保護絕緣層14形成於形成有內部導體通道12,13的絕緣基板11的兩面。對於保護絕緣層14的形成方法來說，沒有特別的限定。例如，能夠通過使絕緣基板11浸漬於用高沸點溶劑進行稀釋的樹脂溶解液並使之乾燥從而形成保護絕緣層14。

接著，形成由圖2所表示的上部磁芯15以及下部磁芯16的組合構成的磁芯素體10。為此，將上述的含有金屬磁性粉的樹脂溶液塗布於形成有保護絕緣層14的絕緣基板11的表面。對於塗布方法來說，沒有特別的限定，一般由印刷來進行塗布。

接著，使由印刷進行塗布的含有金屬磁性粉的樹脂溶液的溶劑成分揮發而成為磁芯素體10。

再有，提高磁芯素體10的密度。對於提高磁芯素體10的密度的方法來說，沒有特別的限定，例如可以列舉由壓制處裡進行的方法。

然後，研磨磁芯素體10的上表面11a以及下表面11b，使磁芯素體10與規定的厚度一致。之後，進行熱固化而使樹脂交聯。對於研磨方法來說，沒有特別的限定，例如可以列舉由固定磨刀石進行的方法。另外，對於熱固化的溫度以及時間來說，沒有特別的限制，可以根據樹脂的種類等適當控制。

之後，將形成有磁芯素體10的絕緣基板11切斷成單片狀。對於切斷方法來說，沒有特別的限定，例如可以列舉由切割進行的方法。

由以上的方法，可得到圖1所表示的形成有端子電極4之前的磁芯素體10。還有，在切斷前的狀態下，磁芯素體10在X軸方向以及Y軸方向上被連結成一體。

另外，在切斷後，對被單片化了的磁芯素體10進行蝕刻處理。作為蝕刻處理的條件，沒有特別的限定。

接著，將電極材料塗布於被蝕刻處理的磁芯素體10的X軸方向的兩端而形成內層4a。作為電極材料，使用在與用於上述的含有金屬磁性粉的樹脂的環氧樹脂相同的環氧樹脂等的熱固化樹脂中含有Ag粉等的導體粉的含有導體粉的樹脂。

接著，由筒式鍍敷相對於塗布有成為內層4a的電極膏體的產品實施端子鍍敷，從而形成外層4b。外層4b也可以是2層以上的多層結構。對於外層4b的形成方法以及材質來說，沒有特別的限制，例如能夠通過在內層4a上實施鍍Ni並進一步在Ni鍍層上實施鍍Sn來形成。由以上的方法，能夠製造線圈部件2。

在本實施方式中，因為由含有金屬磁性粉的樹脂構成磁芯素體10，所以通過樹脂存在於金屬磁性粉與金屬磁性粉之間並且成為形成有微小間隙的狀態從而能夠提高飽和磁通密度。因此，在上部磁芯15與下部磁芯16之間不形成氣體間隙並且能夠防止磁飽和。因此，由於形成間隙，因而沒有必要以高精度對磁性磁芯進行機械加工。

再有，在本實施方式的線圈部件2中，通過在基板面上作為集合體進行形成從而線圈的位置精度非常高並且能夠小型化、薄型化。再有，在本實施方式中，因為將金屬磁性材料用於磁性體並且直流重疊特性優於鐵氧體，所以能夠省略磁隙的形成。

還有，本發明並不限定於上述的實施方式，在本發明的範圍內能夠進行各種改變。例如，即使是圖1～圖4所表示的線圈部件以外的方式，具有被上述的含有金屬磁性粉的樹脂覆蓋的線圈的線圈部件全部是本發明的線圈部件。

實施例

以下，根據實施例，說明本發明。

〈實驗例1〉

為了評價本發明所涉及的線圈部件中的含有金屬磁性粉的樹脂的特性，製作環形芯。以下，對環形芯的製作方法進行說明。

首先，準備用於包含於環形芯的金屬磁性粉製作的包含於金屬磁性粉的大徑粉、中徑粉以及小徑粉。作為大徑粉，準備D50為26μm的Fe基非晶粉(Epson Atmix Corporation制)。作為中徑粉，準備D50為4.0μm的羰基鐵粉(純鐵粉)(Epson Atmix Corporation制)。然後，作為小徑粉，準備Ni含有率為78重量％、D50為0.9μm、D90為1.2μm的Ni-Fe合金粉(昭榮化學工業株式會社制)。

然後，以大徑粉、中徑粉以及小徑粉的配合比成為以下所表示的表1的配合比的方式進行混合併製作金屬磁性粉。

然後，相對於上述金屬磁性粉，以小徑粉的絕緣被膜成為平均膜厚20nm的方式形成由包含SiO2的玻璃構成的絕緣被膜(以下，有時單單稱為玻璃塗層)。使大徑粉以及中徑粉的絕緣被膜的平均膜厚成為小徑粉的絕緣被膜的平均膜厚以上。上述絕緣被膜的形成中，將包含SiO2的溶液噴霧於上述金屬磁性粉。

然後，將形成了絕緣被膜的金屬磁性粉與環氧樹脂相混煉而製作含有金屬磁性粉的樹脂。上述含有金屬磁性粉的樹脂中的形成了絕緣被膜的金屬磁性粉的重量比率為97重量％。

然後，將所獲得的含有金屬磁性粉的樹脂填充於規定的環形形狀的模具，在100℃下加熱5小時而使溶劑成分揮發。然後，在進行了壓制處理之後用固定磨刀石進行研磨，使厚度為0.7mm且均勻。之後，在170℃下熱固化90分鐘來使環氧樹脂交聯而獲得環形芯(外徑15mm、內徑9mm、厚度0.7mm)。

另外，將所獲得的含有金屬磁性粉的樹脂填充於規定的長方體形狀的模具，以與環形芯相同的方法得到長方體磁性材料(4mm×4mm×1mm)。再有，在上述長方體磁性材料的一個4mm×4mm的面的兩端設置寬度1.3mm的端子電極。

還有，確認了金屬磁性粉的粒徑、大徑粉、中徑粉以及小徑粉的配合比、D50、D90、以及絕緣被膜的膜厚沒有由於上述的製造工序而發生變化。

將線圈以32圈卷繞於上述環形芯並評價各種特性(初始導磁率μi、磁芯損耗Pcv)。將結果表示於表1、圖6、圖7。還有，磁芯損耗Pcv在測定頻率3MHz下進行測定。

再有，通過將電壓施加於上述長方體磁性材料的端子電極之間並測定2mA的電流流過時的電壓，從而測定耐電壓。在本實施例中，將耐電壓為300V以上作為良好。

[表1]

根據表1、圖6、圖7，使用了包含由鐵基非晶粉構成的大徑粉以及由Ni-Fe合金構成小徑粉並且形成了絕緣被膜的金屬磁性粉的環形芯(實施例1～13)，初始導磁率優於僅由大徑粉構成的比較例1，其他特性也全部成為與比較例1同等以上。另外，小徑粉的含有比為5～25％的環形芯(實施例2a、2～12)，初始導磁率為34.5以上，進一步成為優選的初始導磁率。再有，小徑粉的含有率為6.5～20％的環形芯(實施例4～11)，初始導磁率為37.0以上，進一步成為優選的初始導磁率。

〈實驗例2〉

除了使用於小徑粉的Ni-Fe合金的Ni含有率在30～90％之間進行變化之外，以與實施例8相同的條件製作環形芯，並評價特性。將結果表示於表2、圖8、圖9。

[表2]

如實施例8、21～33所示，在使用於小徑粉的Ni-Fe合金的Ni含 有率進行變化的情況下，初始導磁率優於僅由大徑粉構成的比較例1，其他特性也成為與比較例1同等以上。另外，在使用Ni含有率為40～85％的小徑粉的情況(實施例8、22～31)下，初始導磁率為35.0以上，進一步成為優選的初始導磁率。再有，在使用Ni含有率為75～82％的小徑粉的情況(實施例8、23、24)下，初始導磁率為38.8以上，進一步成為優選的初始導磁率。

〈實驗例3〉

除了不形成絕緣被膜之外，以與實施例8相同的條件製作環形芯，並評價特性。將結果表示於表3。

[表3]

根據表3，在不形成絕緣被膜的情況(比較例31)下，與形成絕緣被膜的情況(實施例8)相比較，磁芯損耗Pcv以及耐電壓顯著惡化。另外，在不形成絕緣被膜並且作為小徑粉而使用鐵粉的情況(比較例32)下，與形成絕緣被膜的情況(實施例8)相比較，耐電壓顯著惡化。

〈實驗例4〉

除了使小徑粉的粒徑(D50、D90)進行變化之外，以與實施例8相同的條件製作環形芯，並評價特性。將結果表示於表4、圖10、圖11。

[表4]

根據表4，即使使小徑粉的粒徑進行變化，全部的特性成為與不使用小徑粉的情況相同等以上。另外，在D50為0.5～1.5μm的情況下，初始導磁率為37.0以上，進一步成為優選的初始導磁率。

〈實驗例5〉

除了使絕緣被膜的膜厚進行變化之外，以與實施例8相同的條件製作環形芯，並評價特性。將結果表示於表5、圖12、圖13。

[表5]

根據表5，即使使絕緣被膜的膜厚進行變化，全部的特性也成為與不使用小徑粉的情況相同等以上。另外，在絕緣被膜的膜厚為5～45nm的情況(實施例8、51～58)下，初始導磁率為35.0以上，進一步成為優選的初始導磁率。再有，在絕緣被膜的膜厚為10～35nm的情況(實施例8、52～56)下，初始導磁率為37.5以上而且耐電壓成為400V以上，進一步成為優選的特性。

〈實驗例6〉

除了使各個金屬磁性粉的種類進行變化之外，以與實施例46相同的條件製作環形芯，並評價特性。將結果表示於表6、圖14、圖15。

還有，在實驗例6中，除了上述的特性之外，也進行直流重疊特性(Idc)的測定。在本實施例中，測定在不通電的狀態下的電感以及在通電10A直流電流的狀態下的電感，並測定在直流電流通電前後的電感的變化。在本實施例中將Idc的絕對值為25％以下的情況作為良好。

[表6]

根據表6，大徑粉以及中徑粉為鐵粉並且小徑粉為Ni-Fe合金粉的情況(實施例46)，與其他組合的情況(比較例61～63)相比較，全部的特性為同等以上，特別是初始導磁率以及直流重疊特性良好。

〈實驗例7〉

除了使小徑粉的D50為一定並且僅使D90進行變化之外，即除了使小徑粉的粒徑的偏差進行變化之外，以與實施例8相同的條件製作環形芯，並評價特性。將結果表示於表7、圖16、圖17。

[表7]

根據表7，即使使小徑粉的粒徑的偏差進行變化，全部的特性也是良好。另外，D90為4.0μm以下的情況(實施例8、71)與D90超過4.0的情況(實施例72)相比較，初始導磁率顯著優異。

〈實驗例8〉

使用在上述的實施例1～72以及比較例1～63中所使用的含有金屬磁性粉的樹脂來製作圖1～圖4A、圖4B所表示的磁芯素體，並製作圖1～圖4A、圖4B所表示的線圈部件。使用了在實施例1～72中所使用的含有金屬磁性粉的樹脂的線圈部件成為初始導磁率、磁芯損耗、耐電壓等的特性良好的線圈部件。

符號的說明

2…線圈部件

4…端子電極

4a…內層

4b…外層

10…磁芯素體

11…絕緣基板

12,13…內部導體通道

12a,13a…連接端

12b,13b…引線用接觸部

14…保護絕緣層

15…上部磁芯

15a…中柱部

15b…側柱部

16…下部磁芯

18…通孔導體

20…具有絕緣塗層的金屬磁性粉

22…絕緣塗層