功率放大模塊的製作方法

2023-08-09 07:26:36 2

本發明涉及功率放大模塊。

背景技術：

近年來，在行動電話等移動體通信器中，將無線頻率(rf：radiofrequency)信號發送至基站時，同時使用多個不同頻帶的技術(上行載波聚合)受到廣泛關注。向基站進行發送時，需要對發送信號的功率進行放大。例如專利文獻1中，公開了一種高頻電路，具備將低頻率的發送信號進行放大的功率放大電路，以及將高頻率的發送信號進行放大的功率放大電路。現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2007－295327號公報

技術實現要素：

發明所要解決的技術問題

利用上行載波聚合時，由於多個發送信號的基波以及高次諧波等產生互調失真，該失真形成噪聲，可能會對接收靈敏度產生影響。為了應對該問題，例如，考慮像專利文獻1公開的高頻電路那樣，在輸入發送信號的發送端子和功率放大電路之間設置帶通濾波器的結構。然而，由於帶通濾波器中的通頻帶的插入損耗，產生效率變差的問題。

本發明是鑑於上述情況完成的，其目的在於提供一種抑制效率變差，並且抑制互調失真造成的接收靈敏度降低的功率放大模塊。

解決技術問題所採用的技術方案

本發明的一個方面涉及的功率放大模塊，包括：第一輸入端子，該第一輸入端子輸入第一頻帶中的第一發送信號；第二輸入端子，該第二輸入端子輸入比第一頻帶高的第二頻帶中的第二發送信號；第一放大電路，該第一放大電路被輸入第一發送信號，輸出將第一發送信號放大後的第一放大信號；第二放大電路，該第二放大電路被輸入第二發送信號，輸出將第二發送信號放大後的第二放大信號；第一濾波器電路，該第一濾波器電路設置在第一輸入端子和第一放大電路之間；以及第二濾波器電路，該第二濾波器電路設置在第二輸入端子和第二放大電路之間，第一濾波器電路是使第一頻帶通過，使第一發送信號的高次諧波以及第二發送信號衰減的低通濾波器，第二濾波器電路是使第二頻帶通過，使第一發送信號衰減的高通濾波器。

發明效果

根據本發明，能提供抑制效率變差，並且抑制互調失真造成的接收靈敏度降低的功率放大模塊。

附圖說明

圖1是示出本發明的一個實施方式的功率放大模塊100a的結構的圖。

圖2是示出本發明的另一個實施方式的功率放大模塊100b的結構的圖。

圖3是示出本發明的另一個實施方式的功率放大模塊100c的結構的圖。

圖4a是示出功率放大模塊100a所具備的3g/4g用晶片110a中的端子配置的一個例子的概要的圖。

圖4b是示出功率放大模塊100a所具備的3g/4g用晶片110a中的端子配置的另一例子的概要的圖。

具體實施方式

下面，參照附圖對本發明的實施方式進行詳細說明。另外，對相同要素標註相同標號，並省略重複說明。

圖1是示出本發明的一個實施方式的功率放大模塊100a的結構的圖。功率放大模塊100a具有同時放大多個頻帶的rf信號的功率的功能。在行動電話機等用戶終端中，功率放大模塊100a被包含在用於對發送至基站的發送信號進行處理的發送單元中。另外，雖然圖1中未圖示，但用戶終端還具備用於對從基站接收到的接收信號進行處理的接收單元。例如作為一個通信單元提供發送單元以及接收單元。

功率放大模塊100a與多個通信標準(模式)對應。圖1所示的例子中，為2g(第二代移動通信系統)、3g(第三代移動通信系統)、以及4g(第四代移動通信系統)的多模式，但通信標準不限定於此，例如也可以是3g、4g、以及5g(第五代移動通信系統)的多模式。另外，本實施方式中，示出了功率放大模塊100a與三種通信標準對應的例子，但通信標準不一定為多種，可以為一種，也可以為兩種以上。

另外，功率放大模塊100a與多個頻帶(頻段)對應。圖1中，以3g/4g的頻帶為例，對b1(發送頻帶：1920～1980mhz)、b2(發送頻帶：1850～1910mhz)、b3(發送頻帶：1710～1785mhz)、b4(發送頻帶：1710～1755mhz)、b5(發送頻帶：824～849mhz)、b8(發送頻帶：880～915mhz)、b20(發送頻帶：832～862mhz)、b26(發送頻帶：814～849mhz)這八個頻帶進行圖示，但頻帶不限於此。本實施方式中，將b1、b2、b3以及b4四個頻帶稱為中頻段，低於中頻段的頻帶即b5、b8、b20以及b26四個頻帶稱為低頻段。另外，對gsm(註冊商標)(globalsystemformobilecommunications：全球移動通信系統)的高頻段(gsm_hb)以及低頻段(gsm_lb)兩個頻段進行圖示，作為2g的頻帶的例子。

另外，功率放大模塊100a是與同時將多個不同頻帶的發送信號進行發送的上行載波聚合對應的功率放大模塊。例如，針對中頻段的任一個頻帶(例如b1)的發送信號，以及低頻段的任一個頻帶(例如b5)的發送信號，同時進行功率放大、發送信號的輸出等。

接著，對功率放大模塊100a的各結構要素進行說明。如圖1所示，功率放大模塊100a具備3g/4g用晶片110a、2g用晶片120、偏置控制電路130、匹配電路mn3、mn6、開關元件sw1～sw4以及電容器c1～c13。

3g/4g用晶片110a(集成電路)對輸入端子in1～in4所提供的3g/4g的rf信號進行放大並輸出。2g用晶片120對輸入端子in5、in6所提供的2g的rf信號進行放大並輸出。3g/4g用晶片110a以及2g用晶片120的詳細結構下文將進行說明。

偏置控制電路130根據從功率放大模塊100a的外部輸入的控制信號bcont生成偏置電壓/偏置電流，向3g/4g用晶片110a或2g用晶片120所具備的功率放大電路pa1～pa10提供偏置電壓/偏置電流。

匹配電路(mn：matchingnetwork)mn3、mn6是分別用於對設置在該匹配電路的前段的電路的輸出阻抗以及設置在該匹配電路的後段的電路的輸入阻抗進行匹配的電路，利用電容器、電感器等構成。另外，對於下文所述的匹配電路mn1、mn2、mn4、mn5、mn7～mn15也相同。

開關元件sw1、sw2分別將輸入至輸入端子in1～in4的3g/4g的發送信號提供至3g/4g用晶片110a的低頻段用或中頻段用放大路徑。

開關元件sw3、sw4分別基於3g/4g的發送信號的頻帶，將放大後的發送信號輸出至對應的頻帶的輸出端子out1(b5、b26)、out2(b8)、out3(b20)的任一個、或out4(b1)、out5(b2)、out6(b3)、out7(b4)的任一個。輸出端子可以為每個頻帶設置一個，也可以如輸出端子out1這樣使一個輸出端子被幾個頻帶共用。

開關元件sw1～sw4例如能利用soi(silicononinsulator：絕緣體上矽)安裝在功率放大模塊100a的基板上。

電容器c1～c13去除發送信號的直流分量。另外，下文所述的電容器c14～c16也相同。

接著，對3g/4g用晶片110a以及2g用晶片120的結構進行說明。3g/4g用晶片110a具備功率放大電路pa1～pa4、濾波器電路f1、f2以及匹配電路mn1、mn2、mn4、mn5。2g用晶片120具備功率放大電路pa5～pa10、以及匹配電路mn7～mn12。

功率放大電路pa1～pa10是用於對每一個發送信號進行放大的電路，由放大用的電晶體構成。放大用電晶體例如為異質結雙極型電晶體(hbt：heterojuntionbipolartransistor)等雙極電晶體。也可以使用場效應電晶體(mosfet：metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor)作為放大用的電晶體。

本實施方式中，3g/4g用晶片110a由低頻段用以及中頻段用兩個放大路徑構成。2g用晶片120由高頻段用以及低頻段用兩個放大路徑構成。具體而言，功率放大電路pa1、pa2被設置為3g/4g的低頻段用放大路徑，功率放大電路pa3、pa4被設置為3g/4g的中頻段用放大路徑，分別構成兩級的放大路徑。另外，功率放大電路pa5～pa7被設置為2g的高頻段用放大路徑，功率放大電路pa8～pa10被設置為2g的低頻段用放大路徑，分別構成三級的放大路徑。

3g/4g的低頻段(第一頻帶)(例如b5、b8、b20、b26)的發送信號rflow(第一發送信號)從輸入端子(第一輸入端子)in1或in2輸入後，該信號通過開關元件sw1提供至3g/4g用晶片110a的低頻段用放大路徑。該信號經由濾波器電路f1以及匹配電路mn1，通過初級(驅動級)的功率放大電路pa1(第一放大電路)被放大。放大後的信號(第一放大信號)經由匹配電路mn2通過第二級(功率級)的功率放大電路pa2被放大，放大後的信號向匹配電路mn3輸出。

3g/4g的中頻段(第二頻帶)(例如b1～b4)的發送信號rfmid(第二發送信號)從輸入端子(第二輸入端子)in3或in4輸入，該信號通過開關元件sw2提供至3g/4g用晶片110a的中頻段用放大路徑。該信號經由濾波器電路f2以及匹配電路mn4，通過初級(驅動級)的功率放大電路pa3(第二放大電路)被放大。放大後的信號(第二放大信號)經由匹配電路mn5通過第二級(功率級)的功率放大電路pa4被放大，放大後的信號向匹配電路mn6輸出。

另外，對於2g用晶片120所具備的放大路徑，不管是高頻段用還是低頻段用的放大路徑，均為在3g/4g的中頻段用放大路徑的結構上追加了第三級的功率放大電路後得到的結構。即，2g的高頻段的發送信號gsm_hb從輸入端子in5輸入後，經由電容器c10提供至2g的高頻段用放大路徑。該信號經由匹配電路mn7通過功率放大電路pa5被放大，經由匹配電路mn8通過功率放大電路pa6被放大，經由匹配電路mn9通過功率放大電路pa7被放大。對於2g的低頻段用放大路徑，由於與2g的高頻段用放大路徑相同，因此省略詳細的說明。

接著，對3g/4g用晶片110a所具備的濾波器電路f1、f2的作用以及效果進行說明。

濾波器電路f1(第一濾波器電路)設置在低頻段用放大路徑中的開關元件sw1和匹配電路mn1之間，對放大前的發送信號rflow進行濾波處理。具體而言，進行使發送信號rflow的高次諧波以及發送信號rfmid衰減的濾波。

濾波器電路f1例如能利用低通濾波器，該低通濾波器使發送信號rflow的頻帶中的發送頻帶的分量通過，使高於該發送頻帶的頻帶的發送信號rflow的高次諧波以及發送信號rfmid衰減。

另一方面，濾波器電路f2(第二濾波器電路)設置在中頻段用放大路徑中的開關元件sw2和匹配電路mn4之間，對放大前的發送信號rfmid進行濾波處理。具體而言，進行使低頻段的發送信號rflow的基波衰減的濾波。

濾波器電路f2例如能利用高通濾波器，該高通濾波器使發送信號rfmid的頻帶中的發送頻帶的分量通過，使低於該發送頻帶的頻帶的發送信號rflow的基波衰減。

這裡，在適用上行載波聚合時，在同一個集成電路上，在多個放大路徑中進行發送信號的放大。為此，由於從一個放大路徑的功率放大電路輸出的信號迂迴進入另一個放大路徑的功率放大電路的輸入，從而可能會產生互調失真(imd：intermodulationdistortion)。該imd例如經由雙工器(未圖示)流入接收單元，產生接收靈敏度變差的問題。

例如，對中頻段b1的發送信號和低頻段b5的發送信號同時進行放大等的情況下，b1的發送頻帶的上限b1f_max(1920mhz)的二次諧波和b5的發送頻帶的下限b5f_min(849mhz)的二次諧波的差為2×b1f_max－2×b5f_min＝3840－1698＝2142mhz。該頻率包含在b1的接收頻帶中(2110～2170mhz)，使得imd可能會對b1的接收靈敏度產生影響。由此，在發送信號洩漏的情況下，如果無法充分地確保各頻段間的絕緣特性，則該漏出信號迂迴進入其它頻段的放大路徑，使得imd產生。

另一方面，功率放大模塊100a中，通過具備所述的濾波器電路f1、f2，能充分地確保低頻段以及中頻段的輸入端子處的絕緣特性。即，低頻段的發送信號rflow洩漏的情況下，發送信號rflow中的基波分量即使迂迴進入中頻段用放大路徑，也通過濾波器電路f2(例如高通濾波器)在放大前被衰減。另外，由於發送信號rflow的高次諧波分量通過低頻段用放大路徑中的濾波器電路f1(例如低通濾波器)在放大前被衰減，因此能抑制洩漏的信號的功率。由此，能抑制中頻段用放大路徑中產生imd，抑制中頻段的接收靈敏度的降低。

另外，發送信號rfmid從中頻段用放大路徑洩漏，迂迴進入低頻段用放大路徑的情況下，能利用濾波器電路f1(例如低通濾波器)使該洩漏信號衰減，抑制發送信號rfmid的迂迴進入。由此，能抑制低頻段用放大路徑中產生imd，抑制低頻段的接收靈敏度的降低。

如上文所述，功率放大模塊100a中，能防止低頻段和中頻段的各信號的相互迂迴進入，抑制互調失真的產生。另外，通過利用低通濾波器、高通濾波器作為濾波器電路f1、f2，與插入帶通濾波器相比，能進一步抑制通頻帶的插入損耗造成效率變差。該理由為，由於在使所期望的頻帶通過的帶通濾波器中，無法使該頻帶以外的頻帶通過，因此使用諧振器。另一方面，由於在低通濾波器、高通濾波器中，僅使高於或低於截止頻率的頻率衰減即可，因此不需要諧振器。因此，與利用具備諧振器的帶通濾波器的情況相比，利用低通濾波器、高通濾波器的情況能減小插入損耗。

這裡，假設在同一個集成電路上形成低頻段用以及中頻段用放大路徑，低頻段的功率放大電路的輸出信號迂迴進入中頻段的功率放大電路的輸入端子的情況。將這時的低頻段的功率放大電路的輸出信號設為26dbm。將同一集成電路的空間絕緣特性設為-36db，與中頻段的功率放大電路的前端連接的雙工器的絕緣特性設為-48db。在該條件下，低頻段的輸出信號衰減與空間絕緣特性對應的部分，約-10dbm的信號輸入至中頻段的功率放大電路的輸入端子。該信號(約-10dbm)輸入至中頻段的功率放大電路，從中頻段的功率放大電路的輸出端子輸出imd產生的噪聲(約-37dbm)。該噪聲(-37dbm)通過中頻段的雙工器，輸出為-85dbm的、接收信號的噪聲。

一般，由於行動電話的最小接收靈敏度例如為-110dbm，因此所述噪聲與最小接收靈敏度相比大25db左右。因此通過由濾波器電路f1、f2實現25db以上的衰減，能使imd產生的噪聲減小至小於最小接收靈敏度。

另外，圖1中，示出了在3g/4g用晶片110a上使濾波器電路f1、f2集成化的例子，但濾波器電路f1、f2的位置也可以不在3g/4g用晶片110a上。另外，通過利用3g/4g用晶片110a上的無源元件來構成濾波器電路f1、f2，能不增大電路規模，且低成本地進行濾波處理。例如，關於濾波器電路f1、f2，也可以將3g/4g用晶片110a上的匹配電路mn1、mn4用作濾波器電路f1、f2。

另外，例如能利用lc濾波器作為各個濾波器的例子，但不限於此。例如也可以利用彈性表面波(saw：surfaceacousticwave)濾波器或電介質濾波器。

圖2是示出本發明的另一個實施方式的功率放大模塊100b的結構的圖。另外，對與功率放大模塊100a相同的要素標註相同的標號，並省略說明。該實施方式中對與功率放大模塊100a共通的內容省略其說明，僅對不同點進行說明。尤其是，不對每一個實施方式逐一地說明相同結構所帶來的相同技術效果。

功率放大模塊100b具備3g/4g用晶片110b來代替功率放大模塊100a中的3g/4g用晶片110a。

與圖1所示的3g/4g用晶片110a相比，3g/4g用晶片110b的不同點在於還具備開關元件sw5、sw6。

開關元件sw5(第一開關元件)與濾波器電路f1並聯連接，開關元件sw6(第二開關元件)與濾波器電路f2並聯連接。即，將開關元件sw5導通，則發送信號經由開關元件sw5提供至功率放大電路pa1。另外，將開關元件sw6導通，則發送信號經由開關元件sw6提供至功率放大電路pa3。

在不輸入中頻段的發送信號rfmid、中頻段用放大路徑不工作的情況下，開關元件sw5導通，在輸入發送信號rfmid、中頻段用放大路徑工作的情況下，開關元件sw5斷開。即，在不同時使用中頻段用以及低頻段用放大路徑的情況下，與抑制imd的發生相比，優先避免濾波器電路f1產生的插入損耗，使開關元件sw5導通。由此，能不經由濾波器電路f1將發送信號rflow提供至功率放大電路pa1。由此，能避免濾波器電路f1產生的通頻帶的插入損耗。

同樣地，在不輸入低頻段的發送信號rflow、低頻段用放大路徑不工作的情況下，開關元件sw6導通，在輸入發送信號rflow、低頻段用放大路徑工作的情況下，開關元件sw6斷開。由此，在不同時使用中頻段用以及低頻段用放大路徑的情況下，能不經由濾波器電路f2將發送信號rfmid提供至功率放大電路pa3。由此，能避免濾波器電路f2產生的通頻帶的插入損耗。

如上文所述，功率放大模塊100b中，由於具備開關元件sw5、sw6，通過根據上行載波聚合的有無，抑制互調失真的產生並且使濾波器電路不工作，從而能改善功率放大模塊100b的效率。

另外，圖2中，示出了在3g/4g用晶片110b上使開關元件sw5、sw6集成化的例子，但開關元件sw5、sw6也可以不配置在3g/4g用晶片110b上。通過使開關元件sw5、sw6在3g/4g用晶片110b上集成化，能避免電路規模的增大。

另外，不限於根據上行載波聚合的有無而繞開濾波器電路的結構。例如，也可設置繞開濾波器電路的旁路路徑，以及對通過濾波器電路的路徑與旁路路徑進行選擇的開關元件，根據上行載波聚合的有無控制開關元件。

圖3是示出本發明的另一個實施方式的功率放大模塊100c的結構的圖。另外，對與功率放大模塊100a相同的要素標註相同的標號，並省略說明。該實施方式中對與功率放大模塊100a共通的內容省略其說明，僅對不同點進行說明。尤其是，不對每一個實施方式逐一地說明相同結構所帶來的相同技術效果。

功率放大模塊100c除了功率放大模塊100a的結構之外，還具備3g/4g的高頻段用放大路徑。即，還具備功率放大電路pa11、pa12、濾波器電路f3』、匹配電路mn13～mn15、電容器c14～c16、以及開關元件sw7、sw8。

功率放大模塊100c除了適用於3g/4g的低頻段以及中頻段的頻帶以外，還適用於高於中頻段的頻帶即高頻段的發送信號。圖3中，圖示出了b7(發送頻帶：2500～2570mhz)、b30(發送頻帶：2305～2315mhz)這兩個頻帶作為3g/4g的高頻段的頻帶(第三頻帶)的例子，但頻帶不限於此。

對於高頻段用放大路徑，除了濾波器電路f3』之外，與低頻段用以及中頻段用放大路徑的結構相同。即，3g/4g的高頻段(第三頻帶)(例如b7、b30)的發送信號rfhigh(第三發送信號)從輸入端子(第三輸入端子)in7或in8輸入，該信號通過開關元件sw7提供至3g/4g用晶片110c的高頻段用放大路徑。該信號經由匹配電路mn13，通過初級的功率放大電路pa11(第三放大電路)來放大。放大的信號(第三放大信號)經由匹配電路mn14通過第二級的功率放大電路pa12來放大，放大後的信號向匹配電路mn15輸出。

這裡，在功率放大模塊100c中，由於與三個頻帶對應，因此中頻段用放大路徑所具備的濾波器電路f2』的結構與功率放大模塊100a所具備的濾波器電路f2不同。下面對各濾波器電路f1』～f3』詳細地進行說明。

首先，低頻段用放大路徑所具備的濾波器電路f1』與功率放大模塊100a所具備的濾波器電路f1相同。具體而言，例如，能利用低通濾波器，該低通濾波器使發送信號rflow的頻帶中的發送頻帶的分量通過，使高於該發送頻帶的頻率的發送信號rflow的高次諧波、發送信號rfmid、以及發送信號rfhigh衰減。

接著，中頻段用放大路徑所具備的濾波器電路f2』例如利用帶通濾波器，該帶通濾波器使發送信號rfmid的頻帶中的發送頻帶的分量通過，使低於該發送頻帶的頻率即發送信號rflow的基波、和高於該發送頻帶的頻率即發送信號rfmid的高次諧波以及發送信號rfhigh衰減。利用帶通濾波器作為濾波器電路f1』，是因為除了發送信號rflow之外，還需要對與發送信號rfhigh相互作用產生的imd進行抑制的緣故。

並且，濾波器電路f3』(第三濾波器電路)設置在高頻段用放大路徑中的開關元件sw7和匹配電路mn13之間，對放大前的發送信號rfhigh進行濾波處理。具體而言，對發送信號rflow以及發送信號rfmid的基波進行使其衰減的濾波。

濾波器電路f3』例如能利用高通濾波器，該高通濾波器使發送信號rfhigh的頻帶中的發送頻帶的分量通過，使低於該發送頻帶的頻率即發送信號rflow以及發送信號rfmid的基波衰減。

通過以上結構，能抑制低頻段、中頻段、高頻段各自的發送信號的洩漏以及迂迴進入其它放大路徑而產生imd。

另外，可以利用帶通濾波器構成全部濾波器電路f1』～f3』，但通過利用帶通濾波器僅構成濾波器電路f2』，能抑制電路規模的增大以及濾波器電路的插入損耗造成的效率變差。

另外，與功率放大模塊100a中的濾波器電路f1、f2同樣地，濾波器電路f3』的位置也可以不在3g/4g用晶片110c上。另外，可以利用3g/4g用晶片110c上的無源元件來構成濾波器電路f3』，例如也可以將3g/4g用晶片100c上的匹配電路mn13用作濾波器電路f3』。

圖4a是示出功率放大模塊100a所具備的3g/4g用晶片110a中的端子配置的一個例子(3g/4g用晶片110a-1)的概要的圖。另外，圖4a僅示出3g/4g用晶片110a-1所具備的要素中的、在下文進行說明的端子t1～t4，其它結構要素予以省略。

端子t1(第一端子)是利用低頻段用放大路徑中的初級的功率放大電路pa1來放大的放大信號(第一放大信號)的輸出端子，形成在3g/4g用晶片110a-1的一邊s1(第一邊)的附近。另外，接合線bw1與端子t1相連接。

端子t2(第二端子)是從3g/4g用晶片110a-1的外部輸入中頻段的發送信號rfmid的輸入端子，形成在與3g/4g用晶片110a-1的一邊s1相鄰的一邊s2(第二邊)的附近。另外，接合線bw1與端子t2相連接。

端子t3(第三端子)是利用中頻段用放大路徑中的初級的功率放大電路pa3來放大的放大信號(第二放大信號)的輸出端子，形成在3g/4g用晶片110a-1的一邊s3(第三邊)的附近。另外，接合線bw3與端子t3相連接。

端子t4(第四端子)是從3g/4g用晶片110a-1的外部輸入低頻段的發送信號rflow的輸入端子，形成在與3g/4g用晶片110a-1的一邊s3相鄰的一邊s2(第四邊)的附近。另外，接合線bw4與端子t4相連接。

功率放大模塊100a中，對於低頻段用以及中頻段用放大路徑，能採用將分別用於對初級的功率放大電路(pa1、pa3)的輸出阻抗、和第二級的功率放大電路(pa2、pa4)的輸入阻抗進行匹配的匹配電路(mn2、mn5)的一部分(例如電感器)設置在3g/4g用晶片110a-1之外的結構。該情況下，利用初級的功率放大電路pa1來放大的低頻段的放大信號經由端子t1以及接合線bw1輸出至3g/4g用晶片110a-1之外。同樣地，利用初級的功率放大電路pa3來放大的中頻段的放大信號經由端子t3以及接合線bw3輸出至3g/4g用晶片110a-1之外。

這裡，本實施方式中，各端子形成為使與低頻段的輸出端子t1連接的接合線bw1的朝向、和與中頻段的輸入端子t2連接的接合線bw2的朝向大致垂直。另外，同樣地，各端子形成為使與中頻段的輸出端子t3連接的接合線bw3的朝向、和與低頻段的輸入端子t4連接的接合線bw4的朝向大致垂直。由此，使從一個頻帶的輸出端子輸出的信號的磁場、與從另一個頻帶的輸入端子輸入的信號的磁場垂直。由此，能減少一個頻帶的發送信號對另一個頻帶的發送信號造成的影響。

另外，如圖4a所示，低頻段的輸出端子t1形成在邊s1中遠離邊s2的部分。另外，中頻段的輸入端子t2形成在邊s2中遠離邊s1的部分。由此，低頻段的輸出端子t1和中頻段的輸入端子t2的距離變遠。同樣地，中頻段的輸出端子t3形成在邊s3中遠離邊s2的部分。另外，低頻段的輸入端子t4形成在邊s2中遠離邊s3的部分。由此，中頻段的輸出端子t3和低頻段的輸入端子t4的距離變遠。由此，一個頻帶的發送信號的輸入端子和另一個頻帶的發送信號的輸出端子的空間絕緣特性得到提高。

利用上述結構，功率放大模塊100a能進一步抑制接收靈敏度變差。

另外，本實施方式中，端子t2以及端子t4形成在同一邊s2的附近來構成，但端子的配置不限於此，例如端子t2以及端子t4也可分別形成在對邊的附近。

圖4b是示出功率放大模塊100a所具備的3g/4g用晶片110a中的端子配置的另一例(3g/4g用晶片110a-2)的概要的圖。另外，圖4b僅示出3g/4g用晶片110a-2所具備的要素中的、下文進行說明的端子t1』～t4』，其它結構要素予以省略。

端子t1』(第一端子)是從低頻段用放大路徑中的第二級的功率放大電路pa2輸出的放大信號的輸出端子，形成在3g/4g用晶片110a-2的一邊s1』(第一邊)的附近。即，從初級的功率放大電路pa1輸出的放大信號(第一放大信號)經由匹配電路mn2以及功率放大電路pa2從端子t1』輸出。另外，為了使從第二級的功率放大電路pa2輸出的放大信號的電流量增大，圖4b所示的結構中，端子t1』由四個端子構成。另外，構成端子t1』的端子的數量不限於四個，可以是一個，也可以是五個以上。

端子t2』(第二端子)是從3g/4g用晶片110a-2的外部輸入中頻段的發送信號rfmid的輸入端子，形成在與3g/4g用晶片110a-2的一邊s1』相鄰的一邊s2』(第二邊)的附近。

端子t3』(第三端子)是從中頻段用放大路徑中的第二級的功率放大電路pa4輸出的放大信號的輸出端子，形成在3g/4g用晶片110a-2的一邊s1』(第三邊)的附近。即，從初級的功率放大電路pa3輸出的放大信號(第二放大信號)經由匹配電路mn5以及功率放大電路pa4從端子t3』輸出。另外，圖4b所示的結構中，端子t3』也與端子t1』同樣地，由多個端子構成。

端子t4』(第四端子)是從3g/4g用晶片110a-2的外部輸入低頻段的發送信號rflow的輸入端子，形成在與3g/4g用晶片110a-2的一邊s1』相鄰的一邊s3』(第四邊)的附近。

另外，與3g/4g用晶片110a-1同樣地，接合線bw1』～bw4』分別與端子t1』～t4』連接。

3g/4g用晶片110a-2中也與3g/4g用晶片110a-1同樣地，與端子t1』連接的接合線bw1』的朝向、和與端子t2』連接的接合線bw2』的朝向大致垂直。另外，與端子t3』連接的接合線bw3』的朝向、和與端子t4』連接的接合線bw4』的朝向大致垂直。另外，與3g/4g用晶片110a-1同樣地，通過配置各端子，使端子t1』和端子t2』的距離、以及端子t3』和端子t4』的距離變遠，從而使一個頻帶的發送信號的輸入端子與另一個頻帶的發送信號的輸出端子的空間絕緣特性得到提高。

由此，3g/4g用晶片110a-2中，也能進一步抑制接收靈敏度變差。

另外，圖4a、圖4b所示的3g/4g用晶片110a-1、110a-2的端子配置也能適用於3g/4g用晶片110b、110c。

以上，對本發明例示的實施方式進行了說明。功率放大模塊100a～100c中，在適用上行載波聚合的功率放大模塊中，在3g/4g的低頻段以及中頻段的各個輸入端子in1～in4和功率放大電路pa1、pa3之間具備濾波器電路f1(f1』)、f2(f2』)。另外，能利用低通濾波器構成濾波器電路f1，能利用高通濾波器構成濾波器電路f2。由此，通過濾波器電路f2(f2』)使發送信號rflow衰減，通過濾波器電路f1(f1』)使發送信號rflow的高次諧波以及發送信號rfmid衰減。因此，能抑制低頻段以及中頻段的各信號的相互迂迴進入，能抑制互調失真的產生。由此，能抑制功率效率變差，並且抑制接收靈敏度變差。

另外，功率放大模塊100c除了功率放大模塊100a的結構之外，還具備3g/4g的高頻段用放大路徑。另外，能利用低通濾波器構成濾波器電路f1』，利用帶通濾波器構成濾波器電路f2』，利用高通濾波器構成濾波器電路f3』。由此，即使功率放大模塊100c所適用的頻帶有三個，也能抑制低頻段、中頻段、以及高頻段的各信號相互迂迴流入，抑制互調失真的產生。由此，能抑制功率效率變差，並且抑制接收靈敏度變差。

另外，各濾波器電路f1(f1』)、f2(f2』)、f3』也可以在3g/4g用晶片110a～110c上集成化。由此，能不增大電路規模，且低成本地進行濾波處理。

另外，也可將3g/4g用晶片所具備的匹配電路mn1、mn4、mn13用作各個濾波器電路f1(f1』)、f2(f2』)、f3』。

另外，功率放大模塊100b除了功率放大模塊100a的結構之外，還包括與濾波器電路f1、f2並聯連接的開關元件sw5、sw6。由此，能構成為在一個放大路徑不工作的情況下，通過將另一個放大路徑所具備的開關元件導通，使發送信號不通過濾波器電路。由此，根據上行載波聚合的有無，能抑制互調失真的產生，並且避免濾波器電路產生的通頻帶的插入損耗，改善效率。

另外，功率放大模塊100b中，開關元件sw5、sw6也可以在3g/4g用晶片110b上集成化。由此，能避免電路規模的增大。

另外，3g/4g用晶片110a中，各端子也可形成為：與一個頻帶的輸出端子t1、t3連接的接合線bw1、bw3的朝向，和與另一個頻帶的輸入端子t2、t4連接的接合線bw2、bw4的朝向大致垂直。由此，各發送信號的磁場垂直，能使一個頻帶的發送信號對另一個頻帶的發送信號的影響減少。由此，能進一步抑制接收靈敏度變差。

另外，以上說明的各實施方式是用於使本發明易於理解，並不用於對本發明進行限定解釋。本發明在不脫離主旨的前提下，可進行變更/改良，其等效內容也包含在本發明中。即使本領域技術人員對各實施方式附加適當的設計變更，只要具備本發明的特徵，則包含在本發明的範圍內。例如，各實施方式所具備的各要素及其配置、材料、條件、形狀、尺寸等不限於例示的內容，能進行適當變更。另外，各實施方式為例示，不言自明也能將不同的實施方式所示的結構進行部分置換或組合，這些只要包含本發明的特徵則也包含在本發明的範圍內。

標號說明

100a、100b、100c功率放大模塊

110a、110b、110c3g/4g用晶片

1202g用晶片

130偏置控制電路

f1、f1』、f2、f2』、f3』濾波器電路

pa1～pa12功率放大電路

mn1～mn15匹配電路

sw1～sw8開關元件

c1～c16電容器

in1～in8輸入端子

out1～out11輸出端子

t1～t4、t1』～t4』端子

bw1～bw4、bw1』～bw4』接合線