一種處理led晶片多金異常的方法
2023-07-27 02:18:56
一種處理led晶片多金異常的方法
【專利摘要】本發明涉及一種處理LED晶片多金異常的方法，其步驟包括：使用光阻覆蓋晶片，並通過黃光製程得到圖形以保護電極；將電極已被保護的晶片放入至含碘的碘化鉀溶液中腐蝕；將晶片取出，清洗並吹乾；所述晶片吹乾後放入去光阻液中去除光阻；光阻去除後將晶片放入去離子水中進行清洗並吹乾。由於本發明在處理多金異常時對晶片結構未有影響，因而可以提高產品良率、節省物料、提高生產效率。
【專利說明】一種處理LED晶片多金異常的方法
【技術領域】
[0001]本發明屬於LED晶片製造領域，尤其涉及一種處理LED晶片多金異常的方法。
【背景技術】
[0002]發光二極體(LED)可將電能轉化為光能，目前用於製作LED晶片的襯底的材料大抵分為藍寶石、矽、碳化矽三種。以藍寶石為襯底製作的發光二極體，由磊晶通過氣相沉積使GaN材料在藍寶石襯底上形成外延層。本文中的發光二極體晶片包括:N型半導體層、形成於N型半導體層上的發光層、形成於發光層上的P型半導體層、形成於P型半導體層上的透明導電層、形成於透明導電層上的P電極和形成於N型半導體層上的N電極。在傳統生產中的，電極經由蒸鍍完成。為降低生產成本與改善電極表面狀況，可引入化鍍金製程，即:進行電極的製作時，通過蒸鍍形成P、N兩個薄電極，在薄電極的基礎上通過化鍍形成滿足厚度需求的進電極層，圖1示出了電極的形成方式。
[0003]在實際生產中，由於化鍍金製程中的異常，造成晶片表面除電極外的其他區域生成金層或金顆粒，即本文中所述的多金異常。所述的金層或金顆粒在晶片表面吸收晶片所發出的光，造成出光效率降低；若所述金層或金顆粒形成於晶片邊緣，由於存在尖端放電效應，可能造成晶片在使用過程中被擊穿，從而導致晶片失效。為防止所述異常發生，一般需將電極外的金層或金顆粒去除。目前對於所述晶片的處理方式主要有兩種:待研磨切割後將異常晶片挑走；重工。
[0004]對上文所述的處理方式中，待研磨切割後將異常晶片挑走，造成產品的損失，所挑走的晶粒難以進行處理，同時造成人員操作的不便。
[0005]上文所述的處理方式之重工，其工藝為:去除電極及透明導電層一製作透明導電層一透明導電層黃光製程一透明導電層蝕刻與光阻去除一電極圖形黃光製程一製作電極—化學鍍金。在重工工藝過程中，需使用王水等強酸去除電極及透明導電層；在形成透明導電層和電極的過程中，需對透明導電層和電極進行高溫熱處理。此處理方式的缺點在於:一、重工工序多，流程長，造成物料損耗大，佔用工時多；二、因透明導電層在正常流程中已與P型半導體層進行過熱處理，兩者間已有較好的融合，使用強酸將透明導電層去掉後，可能破壞P型導體層的界面，使重工時的透明導電層無法與P型半導體層很好的融合，最終造成產品正向電壓偏高。
【發明內容】
[0006]針對上述對多金異常的處理方式的不足:物料、產品損耗大，佔用工時多，產品不良概率增大，本發明的目的是提供一種快速有效地處理多金異常的方法，此方法具有很高的選擇性，可在去除多金異常的情況下保護晶片的其他結構，對晶片的其他結構無影響。
[0007]為了實現上述目的，本發明所提供的技術方案是一種處理LED晶片多金異常的方法，其步驟包括:使用光阻覆蓋晶片，並通過黃光製程得到圖形以保護電極；將電極已被保護的晶片放入至含碘的碘化鉀溶液中腐蝕；將晶片取出，清洗並吹乾；所述晶片吹乾後放入去光阻液中去除光阻；光阻去除後將晶片放入去離子水中進行清洗並吹乾。
[0008]與現有技術相比，本發明的有益效果為:由於處理多金異常的過程中，對晶片結構未有影響，可使晶片不因重工導致正向電壓升高；由於不需重新製作透明導電層與電極，節省了物料與工時；由於有效處理了多金異常，減少研磨切割後不良晶粒的挑選，提升了產量，減少了產品的損失；由於有效處理了多金異常，減少了金層或金顆粒的存在，保證了晶片的出光效率與穩定性。
[0009]優選的，為防止碘化鉀溶液對因製程過程中裸露的透明導電層造成傷害，選用的碘化鉀溶液中不含其它酸類物質，其主要成份為K+、1-、I2，其餘為水；
[0010]優選的，使用常溫碘化鉀溶液進行腐蝕，以防止其揮發；
[0011]優選的，保護電極的光阻圖形邊沿比電極邊沿尺寸大2-8um，以更好地保護電極；
[0012]優選的，光阻圖形邊沿比電極邊沿尺寸大5um ；
[0013]優選的，碘化鉀溶液腐蝕後用熱水清洗晶片，使清洗更加乾淨。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0014]下面結合附圖和【具體實施方式】對本發明作進一步詳細的說明。
[0015]圖1所示為晶片電極形成方式；
[0016]圖2所示為電極受光阻保護後的晶片結構圖；
[0017]圖3所示為本發明一種處理LED晶片多金異常的方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0018]圖1為晶片電極形成方式，Cr層，形成在Cr層上的Pt層，形成在Pt層上的薄金層，形成在薄金層上的化鍍金層。
[0019]圖2為電極受光阻保護後的晶片結構圖包括:N型半導體層3、形成於N型半導體層上的發光層4、形成於發光層上的P型半導體層5、形成於P型半導體層上的透明導電層
6、形成於透明導電層上的P電極81和形成於N型半導體層上的N電極82，形成在電極上的光阻保護層91和92。
[0020]本發明的流程如下:
[0021]步驟一:使用光阻塗布晶片表面，並通過黃光製程製作出保護電極的光阻圖形，以保證在腐蝕過程中電極得到保護而不至於被去除。在使電極得到充分保護的情況下，使電極外的其餘部分裸露無光阻保護，以確保多金異常被處理乾淨。
[0022]步驟二:使用碘化鉀溶液腐蝕多金異常的金層或金顆粒。因碘化鉀中含碘，加熱易造成揮發，優選的，選擇常溫碘化鉀溶液進行腐蝕。因在製程中，透明導電層可能會未得到保護而裸露，為防止其受到腐蝕，優選的，選擇不含其他酸類物質的碘化鉀溶液進行腐蝕，以確保透明導電層的完整性。
[0023]步驟三:將晶片從溶液中取並進行清洗。因碘化鉀溶液中的物質附著性較強，優選的，使用熱水對晶片進行清洗，可清洗更加乾淨。清洗後的晶片進行吹乾。
[0024]步驟四:將清洗後的晶片進行光阻去除。為保證去除乾淨，優選的，用高溫或有超聲波震動的去光阻液進行清洗，使晶片表面無光阻殘留。
[0025]步驟五:將去光阻後的晶片放入去離子水中進行清洗和吹乾，完成流程。[0026]由上述流程可知，對比一般的處理方式，本發明的優勢在於:
[0027]一、操作流程短，節省工時；
[0028]二、耗用物料相對少，成本低；
[0029]三、提升產品特性，保證發光效率；
[0030]四、防止因重工使正向電壓升高而造成的不良；
[0031 ] 五、保證廣品良率。
[0032]本發明通過保護電極，在對晶片結構無影響的情況下，用一種有效高效的方式處理多金異常，確保的生產的工作效率，保證了產品的性能。
[0033]以上所述均以方便說明本發明，僅屬於本發明的優選實施方式，在不脫離本發明創作的精神範疇內，熟悉此技術的本領域的技術人員所做的各種簡單的變相與修飾仍屬於本發明的保護範圍。
【權利要求】
1.一種處理LED晶片多金異常的方法，其特徵在於包括如下步驟: (a)、使用光阻覆蓋晶片，並通過黃光製程得到圖形以保護電極； (b )、將電極已被保護的晶片放入至含碘的碘化鉀溶液中腐蝕； (C)、等多金異常被腐蝕完後將晶片取出，清洗並吹乾； (d)、晶片吹乾後放入去光阻液中去除光阻；
2.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於:碘化鉀溶液中主要成份為K+、1-、I2和水。
3.根據權利要求2所述的方法，其特徵在於:所述碘化鉀溶液中不含其它酸類物質。
4.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於:保護電極的光阻圖形邊沿比電極邊沿尺寸大2-8um。
5.根據權利要求4所述的方法，其特徵在於:保護電極的光阻圖形邊沿比電極邊沿尺寸大5um。
6.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於:所述晶片去除光阻後下一步驟包括將晶片放入去離子水中進行清洗並吹乾。
7.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於:所述碘化鉀溶液腐蝕後用熱水清洗晶片。
8.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於:使用常溫碘化鉀溶液進行腐蝕。
【文檔編號】H01L33/00GK103633195SQ201210308838
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2012年8月27日 優先權日:2012年8月27日
【發明者】樊邦揚 申請人:鶴山麗得電子實業有限公司