一種桂花苗圃的面源汙染防控栽培方法

2023-07-26 19:35:11

一種桂花苗圃的面源汙染防控栽培方法
【專利摘要】本發明提供一種桂花苗圃的面源汙染防控栽培方法，通過整地施肥、隔行種植桂花樹，再在行間內種植醡漿草，並對醡漿草按一定方法進行刈割，將刈割的醡漿草覆蓋在距離桂花樹主幹四周，然後進行苗圃施肥，按常規桂花樹栽培方法進行灌排水、防治病蟲害、修剪，即完成桂花苗圃的面源汙染防控栽培。本發明是在桂花苗圃中套種醡漿草的立體栽培方法，能有效地改變桂花苗圃中土壤結構，減少N、P及水土流失，促進土壤有機質及養分含量的增加，加速培育苗圃土壤碳庫，增加苗圃生態多樣性，減少對環境汙染，改善苗圃的生態環境，易操作。
【專利說明】一種桂花苗圃的面源汙染防控栽培方法

【技術領域】
[0001] 本發明涉及一種植物的栽培方法，尤其涉及一種桂花苗圃的面源汙染防控栽培方 法，屬於農林栽培【技術領域】。

【背景技術】
[0002] 我國大力推進生態建設和城鄉綠化，加快綠化苗木產業的發展，苗圃種植也成為 農業種植中重要的一部分。新的苗圃產業結構導致汙染排放、汙染形式和特點將發生相應 的變化，需要有相應的新產業結構生產技術和汙染控制技術進行指導，以減少和控制該產 業下發生的面源汙染。
[0003] 桂花是木犀屬的代表種，我國傳統十大名花之一，它以花具有濃馥香氣及常年綠 色而為人們喜愛並享譽古今中外，因此桂花栽培在現代苗圃種植中佔據著重要的地位。由 於市場廣闊因而對桂花生產的規模化、基地化、集約化栽培已刻不容緩。但因桂花樹間空隙 大，地表裸露面積較大，在這種粗放的管理方式下極易造成水土流失，土壤有機質含量減少 肥力下降等問題，從而增加面源汙染的風險。為了充分利用桂花樹林中間的空隙地，減少苗 圃粗放管理中的面源汙染問題，有必要提出一種桂花苗圃的面源汙染防控栽培方法。到目 前為止，尚未有相關栽培方法見報導。


【發明內容】

[0004] 為解決現有的苗圃粗放管理中造成面源汙染等問題，本發明的目的在於提供一種 桂花苗圃的面源汙染防控栽培方法，能實現充分利用桂花樹林中間的空隙地，減少水土流 失，提高土壤肥力，改進苗圃粗放管理中的面源汙染問題。
[0005] 本發明採用在苗圃作物桂花樹林中套種草本植物醅漿草的立體栽培方法，在熟化 的土壤中開深溝鋪設料層，在間隔的深溝上栽種桂花樹苗，在行間撒播醅漿草種子，並進行 覆蓋管理和苗圃施肥，達到桂花苗圃栽培的面源汙染防控。
[0006] 本發明提供的技術方案具體經過下列各步驟： (1) 整地施肥：於第一年7?8月，先清除雜草後深翻曬垡，熟化土壤，再於次年2月，在 每隔2m的行距上開深溝，在深溝內從下至上依次鋪設秸杆草層、土層、有機肥層、覆土層； (2) 桂花樹栽種：在步驟（1)的深溝上間隔一行進行挖坑，同一條深溝上所挖坑的坑間 距離為2m，於同年3月在坑內栽種獨杆桂花樹實生苗，此後按常規桂花樹栽培方法進行施 月巴、灌排水、防治病蟲害、修剪； (3) 醅漿草栽種：在步驟（2)的獨杆桂花樹實生苗的行間深溝內按0. 4?0. 6kg/畝進 行撒播醅漿草種子； (4) 醅漿草的栽培：對步驟（3)播種的醅漿草種子在幼苗期進行1?2次人工除雜草， 待醅漿草植株長至高〇. 〇2m以上時進行刈割，每隔30?45天刈割1次，待醅漿草種子播種 一年後，按每年3?4次進行刈割； (5) 覆蓋管理：將步驟（4)刈割的醅漿草覆蓋在距離桂花樹主幹20?30cm的四周，以 免影響桂花樹主幹地面處溼度過高，引起病蟲害滋生； (6)苗圃施肥：於每年3月下旬對每株桂花樹施氮肥0. 1?0. 3kg，於每年7月對每株 桂花樹施磷肥和鉀肥0. 1?0. 3kg，於每年10月對每株桂花樹施底肥2?3kg ;其中，施底 肥時，每年變換施肥部位，把覆蓋的醅漿草耙開，每次在桂花樹的東西兩側或南北兩側沿樹 冠滴水線位置開設深為30?40cm、寬為20?30cm、長為80?100cm的溝，將底肥施入溝 中，回填土壤後，把原先覆蓋的醅漿草覆蓋在其土壤上，即完成桂花苗圃的面源汙染防控栽 培。
[0007] 所述步驟（1)中深溝的深度為55?65cm，寬度為55?65cm。
[0008] 所述步驟（1)中鋪設結杆草層的厚度為20?25cm，土層厚度為30cm，有機肥層的 總質量為3000?4000斤kg/畝，覆土層鋪設至高出地面10cm。
[0009] 所述步驟（2)的獨杆桂花樹實生苗的樹種為銀桂或金桂。
[0010] 所述步驟（2)的獨杆桂花樹實生苗的直徑為2?4cm，高度為1. 5?2. 5m，冠幅為 60 ?80cm。
[0011] 所述步驟（3)中醅漿草種子的品種為紅花醅漿草。
[0012] 所述步驟（6)中施氮肥、施磷肥和鉀肥是採用常規滴灌施肥的方法。以提高肥料 的利用率，同時避免造成苗圃土壤擾動。
[0013] 與現有技術相比，本發明的有益效果是：本發明選用一年生草本植物醅漿草覆 蓋地表，利用其對降雨截留、入滲、保持和利用性能，減少水土流失，該方法使深度為0? 30cm、30?60cm的土層中土壤有機質、鹼解氮、有效磷及有效鉀均得到增加，從而減少了肥 料的投入量；土壤中硝態氮、銨態氮明顯減少，苗圃土壤中氮素可遷移養分得到有效控制， 減少了面源汙染使苗圃得到可持續健康發展。
[0014] 以2?3年生桂花苗圃為例，本發明的方法能使深度為0?30cm、30?60cm的土 層中土壤有機質的含量分別增加〇. 〇5g/kg、0. 24g/kg，有效磷的含量分別增加0. 23mg/kg、 0· 92mg/kg，有效鉀的含量分別增加0· 25mg/kg、0. 30mg/kg ;硝態氮含量分別減少0· 48mg/ kg、0. 64mg/kg，銨態氮的含量分別減少0· 83mg/kg、0. 61mg/kg，電導率分別減少0· 86us/ cm、0. 09uS/cm。綜上所述，本發明是在桂花苗圃中套種醅漿草的立體栽培方法，能有效地改 變桂花苗圃中土壤結構，減少N、P及水土流失，促進土壤有機質及養分含量的增加，加速培 育苗圃土壤碳庫，增加苗圃生態多樣性，減少對環境汙染，改善苗圃的生態環境，引領產業 向低碳、可持續健康發展，易操作，具有廣闊的推廣應用前景。
[0015] 具體所述方式 以下結合【具體實施方式】，對本發明做進一步的描述。
[0016] 各實施中所用的肥料： 氮肥：選用總氮含量為45%的尿素； 磷肥：選用P2〇5為18%的鈣鎂磷肥； 鉀肥：選用K20為50%的硫酸鉀； 實驗地點：雲南省昆明市大阪橋鎮寶象河苗圃。
[0017] 實施例1 (1)整地施肥：於第一年7?8月，先清除雜草後深翻曬垡，熟化土壤，再於次年2月， 在每隔2m的行距上開深度為55cm、寬度為65cm的深溝，在深溝內從下至上依次鋪設厚度 為20cm的秸杆草層、厚度為30cm的土層、按總質量為4000kg/畝的有機肥層、以及鋪設至 高出地面10cm的覆土層； (2) 桂花樹栽種：在步驟（1)的深溝上間隔一行進行挖坑，同一條深溝上所挖坑的坑間 距離為2m，於同年3月在坑內栽種直徑為3cm、高度為2m、冠幅為65cm的獨杆銀桂桂花樹實 生苗，此後按常規桂花樹栽培方法進行施肥、灌排水、防治病蟲害、修剪； (3) 醅漿草栽種：在步驟（2)的獨杆桂花樹實生苗的行間深溝內按0. 5kg/畝進行撒播 紅花醅漿草種子； (4) 醅漿草的栽培：對步驟（3)播種的醅漿草種子在幼苗期進行2次人工除雜草，待醅 漿草植株長至高〇. 〇2m以上時進行刈割，每隔30?45天刈割1次，待醅漿草種子播種一年 後，按每年3?4次進行刈割； (5) 覆蓋管理：將步驟（4)劉割的醅漿草覆蓋在距離桂花樹主幹30cm的四周，以免影響 桂花樹主幹地面處溼度過高，引起病蟲害滋生； (6) 苗圃施肥：於每年3月下旬對每株桂花樹採用常規滴灌施氮肥0. 2kg，於每年7月 對每株桂花樹採用常規滴灌施磷肥和鉀肥〇. 2kg，於每年10月對每株桂花樹施底肥3kg ;其 中，施底肥時，每年變換施肥部位，把覆蓋的醅漿草耙開，每次在桂花樹的東西兩側或南北 兩側沿樹冠滴水線位置開設深為40cm、寬為30cm、長為80cm的溝，將底肥施入溝中，回填土 壤後，把原先覆蓋的醅漿草覆蓋在其土壤上，即完成桂花苗圃的面源汙染防控栽培。
[0018] 對照例1 操作步驟及參數與實施例1相同，僅將紅花醅漿草替換為日本草。
[0019] 對照例2 桂花樹按常規進行栽培與管護，保持清耕，不套種醅漿草及其他任何草種。
[0020] 對比方法：分別取實施例1、對照例1和2深度為0?30cm、30?60cm的土壤，並 按下列方法測量土壤中的有機質、有效磷、有效鉀、氨態氮、硝態氮、電導率：有機質的測定 方法是常規油浴加熱重鉻酸鉀氧化容量法；有效磷的測定方法是常規碳酸氫鈉或氟化銨一 鹽酸浸提一鑰銻抗比色法；有效鉀的測定方法是常規乙酸銨浸提一火焰光度計法；土壤硝 態氮的測定方法是常規酚二磺酸比色法；土壤銨態氮的測定方法是常規浸提-靛酚藍比色 法；土壤電導率的測定通過土壤電導率測定儀測定。
[0021] 得到實施例1、對照例1和2的試驗效果詳見下表：

【權利要求】
1. 一種桂花苗圃的面源汙染防控栽培方法，其特徵在於經過下列各步驟： (1) 整地施肥：於第一年7?8月，先清除雜草後深翻曬垡，熟化土壤，再於次年2月，在 每隔2m的行距上開深溝，在深溝內從下至上依次鋪設秸杆草層、土層、有機肥層、覆土層； (2) 桂花樹栽種：在步驟（1)的深溝上間隔一行進行挖坑，同一條深溝上所挖坑的坑間 距離為2m，於同年3月在坑內栽種獨杆桂花樹實生苗，此後按常規桂花樹栽培方法進行施 月巴、灌排水、防治病蟲害、修剪； (3) 醅漿草栽種：在步驟（2)的獨杆桂花樹實生苗的行間深溝內按0. 4?0. 6kg/畝進 行撒播醅漿草種子； (4) 醅漿草的栽培：對步驟（3)播種的醅漿草種子在幼苗期進行1?2次人工除雜草， 待醅漿草植株長至高〇. 〇2m以上時進行刈割，每隔30?45天刈割1次，待醅漿草種子播種 一年後，按每年3?4次進行刈割； (5) 覆蓋管理：將步驟（4)刈割的醅漿草覆蓋在距離桂花樹主幹20?30cm的四周； (6) 苗圃施肥：於每年3月下旬對每株桂花樹施氮肥0. 1?0. 3kg，於每年7月對每株 桂花樹施磷肥和鉀肥0. 1?0. 3kg，於每年10月對每株桂花樹施底肥2?3kg ;其中，施底 肥時，每年變換施肥部位，把覆蓋的醅漿草耙開，每次在桂花樹的東西兩側或南北兩側沿樹 冠滴水線位置開設深為30?40cm、寬為20?30cm、長為80?100cm的溝，將底肥施入溝 中，回填土壤後，把原先覆蓋的醅漿草覆蓋在其土壤上，即完成桂花苗圃的面源汙染防控栽 培。
2. 根據權利要求1所述的桂花苗圃的面源汙染防控栽培方法，其特徵在於：所述步驟 (1)中深溝的深度為55?65cm，寬度為55?65cm。
3. 根據權利要求1所述的桂花苗圃的面源汙染防控栽培方法，其特徵在於：所述步驟 (1) 中鋪設秸杆草層的厚度為20?25cm，土層厚度為30cm，有機肥層的總質量為3000? 4000kg/畝，覆土層鋪設至高出地面10cm。
4. 根據權利要求1所述的桂花苗圃的面源汙染防控栽培方法，其特徵在於：所述步驟 (2) 的獨杆桂花樹實生苗的樹種為銀桂或金桂。
5. 根據權利要求1所述的桂花苗圃的面源汙染防控栽培方法，其特徵在於：所述步驟 (2) 的獨杆桂花樹實生苗的直徑為2?4cm，高度為L 5?2. 5m，冠幅為60?80cm。
6. 根據權利要求1所述的桂花苗圃的面源汙染防控栽培方法，其特徵在於：所述步驟 (3) 中醅漿草種子的品種為紅花醅漿草。
7. 根據權利要求1所述的桂花苗圃的面源汙染防控栽培方法，其特徵在於：所述步驟 (6 )中施氮肥、施磷肥和鉀肥是採用常規滴灌施肥的方法。
【文檔編號】A01G1/00GK104054496SQ201410326106
【公開日】2014年9月24日 申請日期:2014年7月10日 優先權日:2014年7月10日
【發明者】尹梅, 陳檢鋒, 陳華, 王志遠, 付利波, 蘇帆, 洪麗芳 申請人:雲南省農業科學院農業環境資源研究所